KYế THUAT THONG TIN QUANGKYế THUAT THONG TIN QUANG
Baứi 4:
LINH KIEN BIE
NẹO
I QUANG ẹIEN
LINH
KIEN
BIEN
ẹOI
QUANG
ẹIEN
1
NỘI DUNG
Các khái niệm cơ bản:
− Mức năng lượng (Energy Level)
− Vùng năng lượng (Energy Band)
− Chất bán dẫn (Semiconductor)
− Nguyên lý biến đổi quang điện
N
g
uồn quan
g
(Li
g
ht Source)
− LED (Light Emitting Diode)
− Laser
(
Li
g
ht Am
p
lification b
y
Stimulated Emittin
g
of Radiation
)
(g p y g )
− Các thông số kỹ thuật của nguồn quang
Linh kiện tách sóng quang (Light Detector)
−
PIN
2
−
PIN
− APD (Avalanche Photodiode)
− Các thông số kỹ thuật của linh kiện thu quang
CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN
Lý thuyết lượng tử của Borh:
− Một nguyên tử bao gồm hạt nhân (+) được bao quanh bởi các điện
tử (-)
− Các điện tử quay quanh hạt nhân theo một quỹ đạo ổn đònh và do
đó mang một mức năng lượng xác đònh
− Các điện tử chỉ thay đổi trạng thái năng lượng khi chuyển từ quỹ
đạo này sang một quỹ đạo khác
Ỉ toàn bo
ä
n
g
u
y
ên tử man
g
các mức năn
g
lươ
ï
n
g
rời ra
ï
c
ägy g g ïg ï
Ỉ năng lượng của nguyên tử được lượng tử hóa
3
CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN
Mức năng lượng (Energy level):
Nê l E(V)
E
2
E
3
E
4
N
a
ê
n
g
l
ượn
g
E(
e
V)
E
Δ
E
E
E
Ground state
E
1
E
0
2
E
ner
gy
g
a
p
Δ
E
ij
=
E
j
-
E
i
− Các mức năng lượng trong của điện tử trong nguyên tử không liên tục
− Một điện tử chỉ có thể mang một trong các mức năng lượng rời rạc này
4
− Mức năng lượng thấp nhất E
0
được gọi là mức nền (ground state) Ỉ
trạng thái ổn đònh của nguyên tử
CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN
Mức năng lượng (tt):
− Khi điện tử chuyển từ mức năng lượng cao E
j
xuống mức năng lượng
j
thấp E
i
thì nó sẽ phát ra một năng lượng
Δ
E = E
ij
= E
j
–
E
i
− ΔE được phát ra dưới dạng nhiệt hoặc dưới dạng photon ánh sáng (sự
bức xạ ánh sáng (radiation) )
− Năng lượng của một photon được bức xạ:
E
photon
= ΔE = hf = hc/λ Ỉ λ = hc/ ΔE
Ỉ
Bươ
ù
cso
ù
ng a
ù
nh sa
ù
ng pha
ù
t xa phu thuộc va
ø
o khoa
û
ng ca
ù
ch giư
õ
aca
ù
c
Ỉ
Bươc
song
anh
sang
phat
xa
ï
phu
ï
thuộc
vao
khoang
cach
giưa
cac
mức năng lượng của vật liệu
5
CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN
Mức năng lượng (tt):
− Khi nguyên tử nhận một năng lượng E từ bên ngoài cung cấp sẽ xảy
ra hai trường hợp:
+ Nếu E = E
ij
(i,j= 0,1,2 …), điện tử có trạng thái năng lượng E
i
sẽ hấp thụ
(absorption) năng lượng E và di chuyển lên mức năng lượng cao hơn E
j
á
á
+ Ne
á
u ΔE
≠
E
ij
(i,
j
= 0,1,2 …) khôn
g
xả
y
ra ha
áp
thụ
E(eV) E(eV)
E
i
E
j
(E
ij
= E
j
–E
i
)
E= E
ij
E
i
E
j
(E
ij
= E
j
–E
i
)
E ≠ E
ij
6
CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN
Quá trình biến đổi quang điện xảy ra dựa trên 3 hiện tượng sau:
Hấp thụ
(Absortion)
Phát xạ tự phát
(Spontaneous emission)
Phát xạ kích thích
(Spontaneous emission)
Biến đổi quang -điện
Biến đổi điện - quang
Biến đổi điện - quang
7
Linh kiện thu quan
g
(Photo detector)
LED
(Light Emitting Diode)
Laser
(Light Amplification
by Stimulated Emission of Radiation)
CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN
nh sáng kết hợp (Coherent Light)
− nh sáng do hiện tượng phát xạ kích thích tạo ra có tính kết hợp,
nghóa các photon ánh sáng có:
+ Cùng tần số
+ Cùng pha
+ Cùn
g
cùn
g
p
hân cực
+ Cùng hướng truyền
Ỉ nh sáng do laser phát ra có tính kết hợp
− Hiện tượng phát xạ tự phát xảy ra tự nhiên do các điện tử luôn có
khuynh hướng chuyển từ trạng thái năng lượng cao xuống trạng thái
ổn đònh có năng lượng thấp hơn
8
Ỉ nh sáng do LED phát ra không có tính có tính kết hợp
CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN
Vùng năng lượng (Energy band):
− Trong chất bán dẫn (hay chất rắn nói chung), các mức năng lượng
rời rạc nhau nhưng rất gần nha
u
Ỉ các điện tử xem như nằm ở các vùng năng lượng (energy band)
− Tron
g
chất bán dẫn
,
có thể
p
hân bie
ä
t thành hai vùn
g
năn
g
lươ
ï
n
g
:
g,pä ggïg
+ Vùng hoá trò (Valence band): vùng năng lượng thấp, là vùng năng
lượng bền vững của điện tử.
+ Vùng dẫn (Connection band): vùng năng lượng cao
− Các điện tử có thể nằm ở một trong các vùng năng lượng này (vùng
dẫn hoặc vùng hoá trò) nhưng không thể nằm giữa các vùng năng
lượng Ỉ energy gap
9
CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN
Vùng năng lượng (tt):
E
E
Vùng dẫn
(Conduction band)
Ener
gy
g
a
p
(Conduction
band)
Vùng hoá trò
(Valence band)
gy g p
10
(Valence
band)
CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN
Chất bán dẫn (Semiconductor):
− Khi T= 0
o
K, tất cả các điện tử đều tập trung trong vùng hóa trò
(
trang tha
ù
ina
ê
ng lương o
å
n đònh), kho
â
ng co
ù
điện tư
û
na
è
m trong vu
ø
ng
(
tra
ï
ng
thai
nang
lươ
ï
ng
on
đònh),
khong
co
điện
tư
nam
trong
vung
dẫn Ỉ chất bán dẫn hoạt động ở trạng thái cách điện
− T>0
o
K, một số điện tử sẽ nhận năng lượng nhiệt và chuyển lên
vùng dẫn có mức năng lượng cao hơn Ỉ chất bán dẫn hoạt động
ã
ở trạng thái da
ã
n
− Khi điện tử (electron) chuyển lên vùng dẫn, nó được gọi là điện
tử tự do và để lại lỗ trống torng vùng hoá trò
Vøhùòløø êl åđòhûđiä û
Ỉ
ùđiä
−
V
u
ø
ng
h
oa
ù
tr
ò
l
a
ø
vu
ø
ng na
ê
ng
l
ượng o
å
n
đò
n
h
cu
û
a
đi
e
ä
n t
ử
Ỉ
ca
ù
c
đi
e
ä
n
tử luôn có khuynh hướng chuyển từ vùng dẫn xuống vùng hóa trò
− Thời gian điện tử ở vùng dẫn trước khi di chuyển xuống vùng
da
ã
n đươc goi la
ø
lifetime t
11
dan
đươ
ï
c
go
ï
i
la
lifetime
t
f
.
− t
f
phụ thuộc vào loại bán dẫn
CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN
Chất bán dẫn (tt):
− Tại trạng thái cân bằng về nhiệt (T=const), số lượng điện tử di
chuye
å
ntư
ø
vu
ø
ng hoa
ù
trò le
â
nvu
ø
ng da
ã
nva
ø
ngươc lai tư
ø
vu
ø
ng da
ã
n
chuyen
tư
vung
hoa
trò
len
vung
dan
va
,
ngươ
ï
c
la
ï
i
,
tư
vung
dan
xuống vùng hoá trò là cân bằng nhau
− Muốn tạo ra ánh sáng (số lượng photon phát ra nhiều hơn số
photon bò ha
á
p thu) thì ca
à
n tao ra một trang tha
ù
igoila
ø“
nghòch
photon
bò
hap
thu
ï
)
thì
can
ta
ï
o
ra
một
tra
ï
ng
thai
go
ï
i
la
nghòch
đảo mật độ” (population conversion)
12
NGUO
À
NQUANG
NGUON
QUANG
(LIGHT SOURCE)
Đònh nghóa:
Nguồn quang là linh kiện biến đổi tín hiệu điện thành tín hiệu
a
ù
nh sa
ù
ng co
ù
co
â
ng sua
á
tty
û
lệ vơ
ù
ido
ø
ng điện chay qua no
ù
anh
sang
co
cong
suat
ty
lệ
vơi
dong
điện
cha
ï
y
qua
no
.
Có hai loại nguồn quang:
− LED (Light Emitting Diode)
− Laser ( Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)
Bước sóng do nguồn quang tạo ra chỉ phụ thuộc vào vật
liệu che
á
tao:
liệu
che
ta
ï
o:
()
g
hc
E
J
λ
=
1, 24
()
()
g
m
E
eV
λμ
=
13
NGUO
À
NQUANG
NGUON
QUANG
(LIGHT SOURCE)
Trong TTQ, nguồn quang được chế tạo bằng vật liệu bán
dẫn, gồm các vật liệu nhóm III và V kết hợp với nhau.
Ỉ GaP, GaAsP, AlGaAs, GaAs, InP, InGaAsP
GaAs/InP
InGaAsP
GaAs
GaAsP
AlGaAs
GaAs/InP
GaAs
0,5 0,6 0,7 0,85 1,0 1,3 1,55 λ(μm)
14
In
1-x
Ga
x
As
1-y
P
y
: thay đổi các giá trò x,y phù hợp sẽ tạo ra ánh sáng
có bước sóng thích hợp
NGUO
À
NQUANG
NGUON
QUANG
(LIGHT SOURCE)
Độ rộng phổ:
− Trong TTQ, ánh sáng do nguồn quang phát ra không phải tại một
bươ
ù
cso
ù
ng ma
ø
tai một khoa
û
ng bươ
ù
cso
ù
ng:
bươc
song
ma
ta
ï
i
một
khoang
bươc
song:
+ Các điện tử nằm trong một vùng năng lượng chứ không phải ở một
mức năng lượng
+ Các điện tử khi chuyển từ các các mức năng lượng E
j
trong vùng
dã á ù ê l E
øhùòõ h ù
d
a
ã
n xuo
á
n
g
mư
ù
c na
ê
n
g
l
ượn
g
E
i
tron
g
vu
ø
n
g
h
oa
ù
tr
ò
se
õ
tạo ra
ph
oton co
ù
bước sóng:
1, 24
()
()
ij
m
EeV
λμ
=
với E
i
j
= E
j
-E
i
+ Do có nhiều mức năng lượng khác nhau trong các vùng năng lượng
nên sẽ có nhiều bước sóng ánh sáng được tạo ra
()
ij
EeV
15
NGUO
À
NQUANG
NGUON
QUANG
(LIGHT SOURCE)
E
Độ rộng phổ (tt):
Vùng dẫn
(Conduction band)
Công suất
chuẩn hoá
1
λ
1
λ
2
λ
3
λ
4
Δλ
1
0.5
Vùng hoá trò
(Valance band)
λ
p
λ(nm)
16
với E
ij
= E
j
-E
i
1, 24
()
()
ij
ij
m
E
eV
λμ
=
NGUO
À
NQUANG
NGUON
QUANG
(LIGHT SOURCE)
Độ rộng phổ (tt):
− Phân bố mật độ điện tử trong vùng dẫn và vùng hoá trò không
đe
à
u nhau
Ỉ
co
â
ng sua
á
t pha
ù
tquangtaica
ù
cbư
ù
ơc so
ù
ng kha
ù
c nhau
đeu
nhau
Ỉ
cong
suat
phat
quang
ta
ï
i
cac
bươc
song
khac
nhau
không đều nhau
− Bứơc sóng có công suất lớn nhất được gọi là bứơc sóng trung
ta
â
mBươ
ù
cso
ù
ng na
ø
ythao
å
i theo nhiệt độ do pha
â
nbo
á
mật độ
tam
.
Bươc
song
nay
thay
đoi
theo
nhiệt
độ
do
phan
bo
mật
độ
điện tử trong các vùng năng lượng thay đổi theo nhiệt độ.
− Độ rộng phổ: khoảng bước sóng ánh sáng do nguồn quang phát
ra co
ù
co
â
ng sua
á
tba
è
ng 0 5 la
à
nco
â
ng sua
á
tđỉnh
ra
co
cong
suat
bang
0
.
5
lan
cong
suat
đỉnh
− Độ rộng phổ làm tăng tán sắc của sợi quang Ỉ hạn chế cự ly và
tốc độ bit truyền của tín hiệu
17
Ỉ Làm cách nào để giảm độ rộng phổ của nguồn quang?
LED
LED
(Light Emitting Diode)
Nguyên lý hoạt động: dựa trên hiện tượng phát xạ tự phát
Cấu tạo:
− Phát triển từ diode bán dẫn Ỉ tiếp giáp pn được phân cực thuận
− Trên thực tế, LED có cấu trúc phức tạp hơn, gồm nhiều lớp bán dẫn
để đáp ứng đồng thời các yêu cầu kỹ thuật của một nguồn quang
Quá trình phát quang:
18
LED
LED
(Light Emitting Diode)
V
+
-
I
-
-
+
+
Vùng hiếm
(Depletion region)
Ph ùt tư h ùt
p
n
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
photon
V>V
D
Ph
a
ùt
xạ
tư
ï p
h
a
ùt
-
+
-
V
D
E
Lỗ trống
+
Điện tư
û
-
E
g
= E
c
-E
v
E
ph
= hν
E
c
-
19
Điện
tư
E
v
+
LED
LED
(Light Emitting Diode)
Phân loại:
− LED phát xạ mặt SLED (Surface
LED):
LED):
+ Ánh sáng phát ra ở phía mặt của
LED
+
Hiệu sua
á
t ghe
ù
pa
ù
nh sa
ù
ng va
ø
osơi
+
Hiệu
suat
ghep
anh
sang
vao
sơ
ï
i
quang thấp
+ LED tiếp xúc mặt GaAs, LED
Burrus …
Cấu trúc LED tiếp xúc mặt GaAs
20
Cấu trúc LED Burrus
LED
LED
(Light Emitting Diode)
− LED phát xạ cạnh ELED (Edge
LED):
+ Các điện cực tiếp xúc (bằng kim
û
loại)
p
hu
û
kín mặt trên và đá
y
+ nh sáng phát ra và được giữ trong
lớp tích cực (active layer)
+
Lơ
ù
ptíchcưcra
á
tmo
û
ng la
ø
mba
è
ng
+
Lơp
tích
cư
ï
c
rat
mong
,
lam
bang
vật liệu có chiết suất lớn kẹp giữa
hai lớp P và N có chiết suất nhỏ
hơn Ỉ ống dẫn sóng
+
A
Ù
nh sa
ù
ng pha
ù
tr
û
hai đa
à
uo
á
ng da
ã
n
+
Anh
sang
phat
ra
ơ
hai
đau
ong
dan
sóng này Ỉ phát xạ cạnh
+ Một đầu của ống dẫn sóng được nối
với sợi quang
Cấu trúc LED phát xạ cạnh (ELED)
21
+ Vùn
g
p
hát sán
g
hẹ
p
,
g
óc
p
hát sán
g
nhỏ Ỉ hiệu súât ghép ánh sáng
vào sợi quang lớn.
LASER
(Light Amplification by Stimulated Emission
(Light
Amplification
by
Stimulated
Emission
of Radiation)
Nguyên lý hoạt động: dựa trên hai hiện tượng:
− Phát xạ kích thích Ỉ khuếch đại ánh sáng
û
àá
− Cộng hươ
û
ng Ỉ chọn lọc ta
à
n so
á
(bứơc sóng)
Cấu tạo của laser Fabry-Perot:
− Cấu trúc nhiều lớ
p
bán dẫn
p
, n
pp
− nh sáng phát ra và được giữ trong lớp tích cực (active layer)
− Lớp tích cực rất mỏng, làm bằng vật liệu có chiết suất lớn kẹp giữa
hai lớp P và N có chiết suất nhỏ hơn Ỉ ống dẫn sóng
− Ánh sáng phát ra ở phía cạnh Ỉ phát xạ cạnh (giống ELED)
− Ở hai đầu lớp lớp tích cực phủ hai lớp phản xạ tạo thành
hốc cộng hưởng
Fabry-Perot Ỉ
ánh sáng được tạo ra và phản xạ qua lại trong hốc công
hươ
û
ng na
ø
y
22
hương
nay
− nh sáng được đưa ra ngoài qua một phần được cắt nhẵn của một
mặt phản xạ
LASER
(Light Amplification by Stimulated Emission
(Light
Amplification
by
Stimulated
Emission
of Radiation)
23
LASER
(Light Amplification by Stimulated Emission
(Light
Amplification
by
Stimulated
Emission
of Radiation)
nh sáng phát ra theo chiều dọc của hốc cộng hưởng sẽ bò
phản xạ qua lại giữa hai mặt phản xạ.
åà á
Tron
g
quá trình di chu
y
e
å
n theo chie
à
u dọc của ho
á
c cộn
g
hưởng sẽ xảy ra đồng thời 3 hiện tượng:
− Hấp thụ Ỉ n
absor
p
tion
photon bò hấp thụ
p
− Phát xạ tự phát Ỉ n
spontaneous
photon được tạo ra
− Phát xạ kích thích Ỉ n
stimulated
photon được tạo ra
Đie
à
u kiện đe
å
a
ù
nh sa
ù
ng đươc khuye
á
ch đai trong qua
ù
trong
Đieu
kiện
đe
anh
sang
đươ
ï
c
khuyech
đa
ï
i
trong
qua
trong
phản xạ qua lại giữa hai hốc cộng hưởng là:
n
spontaneous
+ n
stimulated
> n
aborption
24
Ỉ
Xác suất để xả
y
ra phát xạ photon phải lớn hơn so với
việc photon bò hấp thu
LASER
(Light Amplification by Stimulated Emission
(Light
Amplification
by
Stimulated
Emission
of Radiation)
Điều này có nghóa là số electron nằm ở vùng dẫn n
2
(có
năng lượng cao E
2
) phải nhiều hơn số photon nằm ở vùng
hóa trò n
1
(có năn
g
lượn
g
thấp E
1
)
Ỉ
trạng thái nghòch đảo nồng độ
(
population inversion
)
Ơ
Û
tthùibìhthø
Ơ
t
rạn
g
th
a
ùi
bì
n
h
th
ươ
ø
n
g
: n
1
>n
2
Ỉ để có thể đạt được điều kiện này cần phải cung cấp năng lượng từ
bên ngoài đủ lớn
Đối với laser bán dẫn, n
g
uồn năn
g
lượn
g
bên n
g
oài nà
y
được cung cấp dưới dạng dòng điện
Ỉ
Do
ø
ng điện to
á
ithie
å
e
å
co
ù
the
å
xa
û
yraqua
ù
trình khue
á
ch đai a
ù
nh sa
ù
ng
25
Ỉ
Dong
điện
toi
thieu
đe
co
the
xay
ra
qua
trình
khuech
đa
ï
i
anh
sang
được gọi là
dòng ngưỡng