Trắc nghiệm điện tử cơ bản có đáp án

PHẦN CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM
( Các bạn tự giở giáo trình tra hoặc xem phần tóm tắt kiến thức để làm
sau đó so với đáp án ở phía dưới)
VẤN ĐỀ 1: VẬT LIỆU BÁN DẪN
Câu 1: Chất bán dẫn thuần là chất bán dẫn:
a. Khơng có sự tham gia của nguyên tố ngoại lai.
b. Được tạo thành từ các nguyên tố có hóa trị IV.
c. Được tạo thành từ nguyên tố có hóa trị III với nguyên tố có hóa trị V.
d. Chất không dẫn điện tại 00C.
Câu 2: Chất bán dẫn tạp chất dạng n là chất bán dẫn:
a. thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị III.
b. thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị V.
c. có hạt tải đa số là lỗ trống tự do.
d. có các hạt mang điện tự do là lỗ trống và điện tử.
Câu 3: Chất bán dẫn tạp chất dạng p là chất bán dẫn:
a. thuần có pha thêm tạp chất
b. thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị V.
c. có hạt tải đa số là lỗ trống tự do.
d. có các hạt mang điện tự do là lỗ trống và điện tử.
Câu 4: Chuyển tiếp p_n khi chưa được phân cực:
a. Dịng điện chạy trong nó bằng dịng ngược bão hịa (có giá trị rất bé)
và tồn tại một điện trường Etx tại biên giới tiếp xúc.
b. Dòng điện chạy trong nó bằng dịng ngược bão hịa (có giá trị rất bé) và
không tồn tại điện trường Etx tại biên giới tiếp xúc.
c. Dịng điện chạy trong nó bằng 0 và điện trường Etx tại biên giới tiếp
xúc cũng bằng 0.
d. Dịng điện chạy trong nó bằng 0 và tồn tại một điện trường Etx tại biên
giới tiếp xúc.
Câu 5: Chuyển tiếp p-n có đặc tính:
a. Dẫn điện theo một chiều
b. Dẫn điện khi được phân cực thuận và hở mạch khi bị phân cực nghịch.

c. Dẫn điện theo cả hai trường hợp phân cực thuận và nghịch.
d. Không dẫn điện.
Câu 6: Tiếp xúc shottky có đặc điểm:
a. gồm kim loại và bán dẫn tiếp xúc nhau.
b. gồm bán dẫn loại n tiếp xúc bán dẫn loại p.
c. tốc độ chuyển mạch chậm hơn so với bán dẫn.
d. gồm hai bán dẫn tiếp xúc nhau.
Câu 7: Chuyển tiếp p-n bị đánh thủng về nhiệt khi xảy ra hiện tượng:
a. Điện áp đặt trên hai đầu của nó vượt quá điện áp VBR.


b. Dòng điện ngược qua chuyển tiếp p-n vượt quá giá trị cho phép.
c. Điện áp đặt trên hai đầu của nó vượt quá điện áp Vγ.
d. Cả a và b.
Câu 8: Các hiện tượng đánh thủng sau đây, hiện tượng nào sẽ phá hủy tồn bộ đặc tính
van của chuyển tiếp p-n:
a. Đánh thủng về điện.
b. Đánh thủng về nhiệt.
c. Đánh thủng xuyên hầm.
d. Đánh thủng thác lũ.
Câu 9: Công thức nào là công th ức mô tả của dòng điện chạy trong chuyển tiếp p-n:
−𝑞𝑉𝐷

a. Ip-n= Is.( 𝑒 𝑛𝐾𝑇 − 1).
𝑞𝑉𝐷

b. Ip-n= -Is.( 𝑒 𝑛𝐾𝑇 − 1).
𝑞𝑉𝐷

c. Ip-n= Is.( 𝑒 𝑛𝐾𝑇 − 1).

𝑞𝑉𝐷

d. Ip-n= -Is.( 𝑒 𝑛𝐾𝑇 − 1).
Câu 10: Chuyển tiếp p-n khi bị phân cực ngược:
a. Vùng tiếp xúc bị thu hẹp lại và điện trường trong vùng tiếp xúc giảm
so với lúc chưa có điện trường ngoài.
b. Vùng tiếp xúc được mở rộng ra và điện trường trong vùng tiếp xúc
giảm so với lúc chưa có điện trường ngồi.
c. Vùng tiếp xúc được mở rộng ra và điện trường trong vùng tiếp xúc
tăng so với lúc chưa có điện trường ngồi.
d. Vùng tiếp xúc được thu hẹp ra và điện trường trong vùng tiếp xúc tăng
so với lúc chưa có điện trường ngồi.
Câu 11: Chuyển tiếp p-n khi được phân cực thuận:
a. Vùng tiếp xúc bị thu hẹp lại so với lúc chưa có điện trường ngoài.
b. Vùng tiếp xúc được mở rộng ra so với lúc chưa có điện trường ngồi.
c. Vùng tiếp xúc khơng thay đổi so với lúc chưa có điện trường ngoài.
d. Điện trường trong vùng tiếp xúc tăng so với lúc chưa có điện trường
ngồi.
Câu 12: Vùng tiếp xúc trong chuyển tiếp p-n có đặc điểm:
a. khơng tồn tại các hạt mang điện tự do.
b. không tồn tại các ion tạp chất.
c. Có các ion tạp chất mang điện tích dương phía bên bán dẫn N v à các
ion tạp chất âm phía bên bán dẫn P.
d. Cả a và c.

VẤN ĐỀ 2: DIODE VÀ MẠCH ỨNG DỤNG:
Câu 1: Điện dung trong chuyển tiếp p-n (diode) khi được phân cực ngược:
a. Điện dung tiếp xúc.
b. Điện dung khuếch tán.
c. Điện dung phân bố.

d. Cả a và b.


Câu 2: Điện trở trong diode có đặc tính:
a. Tuyến tính.
b. Phi tuyến.
c. Khơng tồn tại.
d. Vơ cùng lớn.
Câu 3: Điện trở động trong chuyển tiếp p-n (diode) được tính gần đúng theo công thức:
a. rd=

26𝑚𝑉
𝐼𝐷𝑄

.

𝑉

b. rd= 𝐼 𝑇 .
𝐷𝑄

c. rd=
d. rd=

𝑉𝛾

.

𝐼𝐷𝑄
25𝑚𝑉

𝐼𝐷𝑄

.

Câu 4: Diode zener có đặc điểm:
a. Hoạt động ở chế độ phân cực ngược.
b. Dẫn điện khi được phân cực thuận và khi phân cực ngược.
c. Dẫn điện khi được phân cực thuận với điện áp ngưỡng Vγ và khi phân
cực ngược với điện áp Vz.
d. Hoạt động ở chế độ phân cực thuận.
Câu 5: Khi nhiệt độ hoạt động của chuyển tiếp p-n tăng thì:
a. Khả năng dẫn của nó tang.
b. Khả năng dẫn của nó giảm.
c. Khả năng dẫn của nó khơng thay đổi.
d. Ngưng dẫn.
Câu 6: Thời gian chuyển mạch của chuyển tiếp p-n chủ yếu được tính là:
a. Thời gian của chuyển tiếp p-n chuyển từ trạng thái dẫn sang trạng thái tắt.
b. Thời gian của chuyển tiếp p-n chuyển từ trạng thái tắt sang trạng thái dẫn.
c. Cả a và b.
d. a và b đều sai.
Câu 7: Các thông số sau thông số nào là không phải là thông số giới hạn của diode:
a. PIV.
b. IDmax.
c. PDmax.
d. 𝑉𝛾 .
Câu 8: Cấu trúc của diode chỉnh lưu gồm:
a. Một chuyển tiếp p-n và tiếp xúc của 2 bán dẫn này là tiếp xúc mặt.
b. Một chuyển tiếp p-n và tiếp xúc của 2 bán dẫn này là tiếp xúc điểm.
c. Một chuyển tiếp p-n.
d. Hai chuyển tiếp p-n.

Câu 9: Cấu trúc của diode cao tầng:
a. Một chuyển tiếp p-n và tiếp xúc của 2 bán dẫn này là tiếp xúc mặt.
b. Một chuyển tiếp p-n và tiếp xúc của 2 bán dẫn này là tiếp xúc điểm.
c. Một chuyển tiếp p-n.
d. Một tiếp xúc shottky.


VẤN ĐỀ 3 : ĐẠI CƯƠNG VỀ TRANSISTOR
Câu 1: Transistor lưỡng cực (BJT) khơng có đặc điểm sau:
a. gồm hai chuyển tiếp p-n.
b. Có ba điện cực.
c. Có ba lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ.
d. Gồm một chuyển tiếp p-n.
Câu 2: Transistor lưỡng cực (BJT) là transistor có dòng ra:
a. Được điều khiển bằng áp vào.
b. Được điều khiển bằng dòng vào.
c. Được điều khiển bằng điện trường ngồi.
d. Khơng điều khiển được.
Câu 3: Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ khuếch đại thì :
a. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c. Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực nghịch.
d. Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.
Câu 4: Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ tắt thì :
a. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch.
b. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận.
c. Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực nghịch.
d. Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.
Câu 5: Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ bão hịa thì :
a. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch

b. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c. Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực nghịch.
d. Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.
Câu 6: Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ khuếch đại thì :
a. IC= 𝛽𝐼𝐵 .
b. 𝑉𝐶𝐸 = 0.
c. 𝐼𝐶 = 0.
d. 𝐼𝐶 ≤ 𝛽𝐼𝐵.
Câu 7: Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ tắt thì :
a. IC= 𝛽𝐼𝐵 .
b. 𝑉𝐶𝐸 = 0.
c. 𝐼𝐶 = 0.
d. 𝐼𝐶 ≤ 𝛽𝐼𝐵.
Câu 8: Dòng ICBO là dòng rỉ :
a. Của mối nối CB khi cực E hở mạch.
b. Của mối nối CE khi cực B hở mạch.
c. Của mối nối BE khi cực C hở mạch.
d. Của transistor.
Câu 9: Dòng ICEO là dòng rỉ :
a. Của mối nối CB khi cực E hở mạch.


b. Của mối nối CE khi cực B hở mạch.
c. Của mối nối BE khi cực C hở mạch.
d. Của transistor.
Câu 10: Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng :
a. Qua các chuyển tiếp p-n.
b. Qua kênh dẫn.
c. Qua bán dẫn.
d. Qua hai chuyển tiếp p-n.

Câu 11: Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng tham gia của các hạt tải :
a. Đa số.
b. Thiểu số.
c. Đa số và thiểu số.
d. Electron.
Câu 12: Khi nhiệt độ làm việc của transistor thay đổi thì :
a. Dịng điện chạy trong transistor bị thay đổi.
b. Dòng điện chạy trong transistor khơng bị thay đổi.
c. Dịng điện chạy trong transistor tăng khi nhiệt độ tăng.
d. Dòng điện chạy trong transistor giảm khi nhiệt độ tăng.
Câu 13: Hình bên là cách mắc transistor :

a. Theo kiểu CE.
b. Theo kiểu CB.
c. Theo kiểu CC.
d. a, b và c đều đúng.
Câu 14: Để transistor lưỡng cực hoạt động có :
a. 1 cách mắc.
b. 2 cách mắc.
c. 3 cách mắc.
d. 4 cách mắc.
Câu 15: Đường đặc tuyến vôn –ampe bên là :


a. Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor npn mắc CE.
b. Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor pnp mắc CE.
c. Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor npn mắc CB.
d. Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor pnp mắc CB.
Câu 16: Đường đặc tuyến vôn –ampe bên là :

Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor npn mắc CE.
Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor pnp mắc CE.
Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor npn mắc CB.
Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor pnp mắc CB.
.
Câu 17: Cấu trúc của JFET không có đặc điểm sau :
a. Có 3 điện cực.
b. Có một kênh dẫn.
c. Có một chuyển tiếp p-n.
d. Có hai chuyển tiếp p-n.
Câu 18: Transistor trường (FET) là transistor có dòng ra :
a. Được điều khiển bằng áp vào.
b. Được điều khiển bằng dòng vào.
c. Được điều khiển bằng ánh sáng.
d. Khơng điều khiển được.
Câu 19: JFET kênh n có đặc điểm :
a. Điện trở kênh dẫn thay đổi khi điện áp VGS thay đổi.
b. Điện trở kênh dẫn tăng khi điện áp VGS càng âm.
c. Điện trở kênh dẫn giảm khi điện áp VGS càng âm.
d. Điện trở kênh dẫn không thay đổi khi điện áp VGS thay đổi.
Câu 20: JFET kênh p hoạt động khi :
a. VGS ≥ 0 và VDS > 0.
a.
b.
c.
d.


b. VGS ≤ 0 và VDS < 0.
c. VGS ≥ 0 và VDS < 0.

d. VGS ≤ 0 và VDS > 0.
Câu 21: Các điện cực của MOSFET gồm cực :
a. B, C, E.
b. D, S, G.
c. D, S, G, Sub.
d. D, S, B.
Câu 22: Dòng điện chạy trong FET chủ yếu là dòng của :
a. Hạt tải đa số.
b. Hạt tải thiểu số.
c. Electron.
d. Hole.
Câu 23: Transistor trường có đặc điểm sau :
a. Dòng vào bằng 0
b. Dòng vào khác 0
c. Quan hệ giữa dòng ra và dòng vào khi hoạt động ở chế độ tuyến tính theo
phương trình Shockley 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 . (1 −

𝑉𝐺𝑆
𝑉𝑝

2

) .

d. Quan hệ giữa dòng ra và dòng vào khi hoạt động ở chế độ tuyến tính theo
phương trình IC= 𝛽𝐼𝐵 .
Câu 24: D_MOSFET là FET khơng có đặc điểm sau:
a. Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện môi SiO2.
b. Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n.
c. Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S.

d. Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm.
Câu 25: E_MOSFET là FET có đặc điểm sau :
a. Cực cổng G hồn tồn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện mơi SiO2.
b. Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n.
c. Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S.
d. Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm.
Câu 26: Công thức nào sau đây biểu diễn quan hệ giữa ngõ ra với ngõ vào của
D_MOSFET :
a. 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆. (1 −

2
𝑉𝐺𝑆
) .
𝑉𝑝

b. IC= 𝛽𝐼𝐵 .
c. ID= K( VGS−Vth)2.
d. 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 . (1 −

𝑉𝛾

𝑉𝑝

2

) .

Câu 27: Thông số nào dưới đây không phải là thông số giới hạn của BJT :
a. ICmax.
b. VCEmax.

c. PCmax.
d. ICEO.


Câu 28: Thông số nào dưới đây không phải là thông số giới hạn của FET :
a. IDmax.
b. VDSmax.
c. PCmax.
d. PDmax.
Câu 29: Dòng điện chạy trong transistor trường là dòng :
a. Qua các chuyển tiếp p-n.
b. Qua kênh dẫn.
c. Qua bán dẫn.
d. Qua hai chuyển tiếp p-n.

VẤN ĐỀ 4: MẠCH PHÂN CỰC TRANSITOR:
Câu 1 : Điện trở RE trong các mạch phân cực của transistor lưỡng cực (BJT) có chức
năng :
a. Phân cực cho cực E.
b. Ổn định nhiệt cho trnasistor.
c. a và b đều đúng.
d. a và b đều sai.
Câu 2 : Tụ CE trong mạch có chức năng:
a. ngắn mạch RE đối với nguồn tín hiệu.
b. hở mạch RE đối với nguồn tín hiệu.
c. ngắn mạch RE đối với nguồn phân cực.
d. Giảm hệ số khuếch đại của mạch
Câu 3 : Trong các mạch phân cực của transistor lưỡng cực, mạch phân cực có tính bất
ổn định nhiệt nhất là:
a. mạch phân cực theo kiểu định dòng

b. mạch phân cực theo kiểu phân áp
c. mạch phân cực có hồi tiếp từ collector
d. mạch phân cực theo kiểu định dịng có RE
Câu 4 : Hệ số bất ổn định nhiệt của các dạng mạch phân cực dùng BJT có giá trị lớn
nhất khi :
a. RB/RE > ( 𝛽 + 1)
b. RB/RE < ( 𝛽 + 1)
c. RB/RE < 1
d. RB/RE = ( 𝛽 + 1)
Câu 5 : Hệ số bất ổn định nhiệt SI nhỏ nhất khi:
a. RB/RE > ( 𝛽 + 1)
b. RB/RE < ( 𝛽 + 1)
c. RB/RE < 1
d. RB/RE = ( 𝛽 + 1)


Câu 6 : Sự bất ổn định nhiệt của dòng IC do thông số nào bị thay đổi của BJT theo nhiệt
độ:
a. V𝛾
b. 𝛽
c. ICBO
d. Cả a b và c
Câu 7 : Điện trở RS trong mạch phân cực của transistor trường có chức năng:
a. Phân cực cho cực S.
b. Ổn định nhiệt cho transistor
c. a và b đều đúng
d. a và b đều sai
Câu 8 : Trong các dạng mạch phân cực sau đây dạng nào không phải là dạng mạch
phân cực cho transistor trường:
a. mạch phân cực theo kiểu định dòng

b. mạch phân cực theo kiểu phân áp
c. mạch tự phân cực
d. mạch phân cực cố định
Câu 9 : Để phân cực cho E_MOSFET kênh n không thể sử dụng dạng mạch phân cực
nào dưới đây:
a. mạch phân cực hồi tiếp
b. mạch phân cực theo kiểu phân áp
c. mạch tự phân cực
d. mạch phân cực cố định

VẤN ĐỀ 5: PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ:

Câu 1 : BJT có bao nhiêu mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4
Câu 2 : Mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT được sử dụng khi
a. BJT hoạt động với tín hiệu nhỏ
b. BJT hoạt động với tín hiệu lớn
c. BJT hoạt động với tín hiệu trung bình
d. Cả a, b và c
Câu 3 : Mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT mắc theo kiểu CE chỉ được sử dụng
khi mạch khuếch đại dùng BJT
a. Mắc theo kiểu CE
b. Mắc theo kiểu CB
c. Mắc theo kiểu CC
d. A, b, c đều đúng

Câu 4 : Thơng số hib của BJT được tính theo công thức
a. ℎ𝑖𝑏 =

b. ℎ𝑖𝑏 =
c. ℎ𝑖𝑏 =

d. ℎ𝑖𝑏 =

∆𝑉𝐵𝐸

∆𝐼𝐸
∆𝑉𝐵𝐸
∆𝐼𝐵
∆𝑉𝐵𝐸
∆𝐼𝐸
∆𝑉𝐵𝐸
∆𝐼𝐵

≅ 𝑟𝑒

≅ 𝛽𝑟𝑒

≅ 𝛽𝑟𝑒
≅ 𝑟𝑒

Câu 5 : Thông số hfe là hệ số khuếch đại của BJT đối với
a. Dòng điện xoay chiều
b. Dòng điện một chiều
c. Điện áp xoay chiều
d. Điện áp một chiều

Câu 6: Phương trình của mạng hai cửa tuyến tính theo thơng số h được biểu diễn
a. Áp vào và dòng ra theo dòng vào và áp ra
b. Áp vào và áp ra theo dòng vào và dòng ra
c. Dòng vào và dòng ra theo áp vào và áp ra
d. Dòng vào và áp ra theo áp vào và dòng ra
Câu 7 : Trong các mạch khuếch đại sau mạch nào có hệ số khuếch đại áp lớn nhất
a. Mạch khuếch đại mắc kiểu CE
b. Mạch khuếch đại mắc kiểu CB
c. Mạch khuếch đại mắc kiểu CC
d. Câu a và b
Câu 8 : Mạch khuếch đại có điện trở vào bé nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a. CE
b. CB
c. CC
d. Cả 3 đều có tổng trở vào bằng nhau
Câu 9 : Mạch khuếch đại có điện trở ra nhỏ nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a. CE
b. CB
c. CC
d. CE và CB
Câu 10 : Mạch khuếch đại có điện trở vào lớn nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a. CE
b. CB
c. CC
d. CC và CE
Câu 11 : Mạch khuếch đại có điện áp ra cùng pha với áp vào là mạch
a. CE
b. CB
c. CC
d. CC và CB

Câu 12 : Phương trình của mạng hai cửa tuyến tính theo thơng số y được biểu diễn
a. Áp vào và dòng ra theo dòng vào và áp ra
b. Áp vào và áp ra theo dòng vào và dòng ra
c. Dòng vào và dòng ra theo áp vào và áp ra
d. Dòng vào và áp ra theo áp vào và dịng ra
Câu 13 : JFET có bao nhiêu mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4
Câu 14 : Thơng số gm của JFET được tính theo cơng thức
a. 𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 (1 −
b. 𝑔𝑚 = −
c.

2𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑉𝑃

𝑔𝑚= 𝑔𝑚𝑜 . √𝐼

𝑉𝐺𝑆
𝑉𝑃

. (1 −

𝐼𝐷

)

𝑉𝐺𝑆
)
𝑉𝑃

𝐷𝑆𝑆

d. Cả a, b và c
Câu 15 : Trong các mạch khuếch đại dùng JFET sau mạch nào có hệ số khuếch đại áp
nhỏ nhất
a. Mạch khuếch đại mắc kiểu CD
b. Mạch khuếch đại mắc kiểu CS
c. Mạch khuếch đại mắc kiểu CG
d. b v à c
Câu 16 : Mạch khuếch đại có điện trở ngõ ra nhỏ nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a. CD
b. CS
c. CG
d. CD v à CS
Câu 17 : Mạch khuếch đại có điện áp ra ngược pha với áp vào là mạch
a. CD
b. CS
c. CG
d. CC v à CG
Câu 18 : Mơ hình tương đương gần đúng đối với tín hiệu
nhỏ hình bên là mơ hình của

a. JFET
b. D_MOSFET

c. E_MOSFET
d. a,b, c đều đúng

VẤN ĐỀ 6: CÁC KIỂU GHÉP TẦNG KHUẾCH ĐẠI
Câu 1 : Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có hệ số khuếch
đại áp của toàn mạch
a. 𝐴𝑉 = ∏𝑛𝑖=1 𝐴𝑣𝑖
b. 𝐴𝑉 = ∑𝑛𝑖=1 𝐴𝑣𝑖
c. 𝐴𝑉 = ⋃ 𝑛𝑖=1 𝐴𝑣𝑖
d. 𝐴𝑉 = ⋂ 𝑛𝑖=1 𝐴𝑣𝑖
Câu 2 : Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có hệ số khuếch
đại dịng của tồn mạch
a. 𝐴𝑖 = ∏ 𝑛𝑖=1 𝐴𝑖𝑖
b. 𝐴𝑖 = ∑ 𝑛𝑖=1 𝐴𝑖𝑖
c. 𝐴𝑖 = ⋃𝑛𝑖=1 𝐴𝑖𝑖

d. 𝐴𝑖 = ⋂𝑛𝑖=1 𝐴𝑣𝑖
Câu 3 : Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có tổng trở ngõ
vào của mạch là
a. Zi= Zi1
b. Zi= Zin
c. Zi= ∑𝑛𝑖=1 𝑍𝑖𝑖
d. Zi= ∏𝑛𝑖=1 𝑍𝑖𝑖
Câu 4 : Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có tổng trở ngõ
ra của mạch là
a. Zo= Zo1
b. Zo= Zon
c. Zo= Zo( n+1)
d. Zo= Zo( n-1)

Câu 5 : Có bao nhiêu cách ghép tầng khuếch đại
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4
Câu 6 : Mạch khuếch đại ghép R-C có đặc điểm
a. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua tụ điện
b. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua điện trở
c. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau trực tiếp
d. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua máy
biến áp
Câu 7 : Mạch khuếch đại ghép biến áp có đặc điểm


a. Khuếch đại được cả tín hiệu DC và AC
b. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua điện
trở
c. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau trực tiếp
d. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua máy
biến áp
Câu 8 : Mạch khuếch đại ghép trực tiếp khơng có đặc điểm
a. Các tầng khuếch đại ghép trực tiếp
b. Các tầng khuếch đại không cách ly về DC
c. Khuếch đại được tín hiệu DC và AC
d. Ổn định nhiệt
Câu 9 : Dạng ghép trực tiếp đặc biệt nào cho hệ số khuếch đại dòng lớn
a. Darlington
b. Vi sai
c. Cascode
d. a, b, c đều sai

Câu 10 : Mạch khuếch đại vi sai khơng có đặc điểm
a. Có hai ngõ vào
b. Ngõ ra vi sai chỉ khuếch đại đối với tín hiệu vi sai
c. Ngõ ra vi sai chỉ khuếch đại đối với tín hiệu cách chung (cộng sai)
d. Triệt nhiễu đồng pha tốt.
Câu 11 : Mạch khuếch đại ghép cascode thường được sử dụng
a. Mạch khuếch đại tần số thấp
b. Mạch khuếch đại tần số cao
c. Mạch khuếch đại tín hiệu
d. Làm mạch khuếch đại đệm
Câu 12 : Mạch khuếch đại ghép cascode khơng có đặc điểm sau
a. Có một ngõ vào
b. Có hai ngõ vào
c. Gồm mạch khuếch đại mắc CE ghép với CB.
d. Hệ số khuếch đại bằng một tầng khuếch đại.
Câu 13 : Mạch khuếch đại ghép Darlington khơng có đặc điểm
a. Gồm hai transistor ghép trực tiếp
b. Có hệ số khuếch đại dịng điện của transistor tương đương bằng tích hệ
số khuếch đại dịng điện của hai transistor thành ph ần.
c. Có hệ số khuếch đại dòng điện của transistor tương đương bằng tổng
hệ số khuếch đại dịng điện của hai transistor thành phần.
d. Có tổng trở vào lớn
Câu 14 : Có bao nhiêu cách ghép Darlington?
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4


Câu 15 : Mạch hình bên là mạch khuếch đại ghép

a. Darlington
b. Vi sai

c. Cascode
d. a, b, c đều sai

Câu 16 : Tại sao trong mạch khuếch đại vi sai người ta thường dùng nguồn dòng thay
cho điện trở RE
a. Ổn định dòng điện tại cực E
b. Tăng hệ số khuếch đại dòng điện
c. Tăng hệ số khuếch đại đối với tín hiệu vi sai
d. Tăng tỉ số nén tín hiệu cách chung
Câu 17 : Tỉ số nén tín hiệu cách chung được tính bằng cơng thức:
𝐴

a. CMRR= 𝐴𝑉𝐷
𝑉𝐶

𝐴

b. CMNRdB= 20.log𝐴𝑉𝐷
c. CMRR=

𝐴𝑉𝐶

𝑉𝐶

𝐴𝑉𝐷

d. Cả a và b đều đúng

VẤN ĐỀ 7: THYRISTOR VÀ LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TRỞ
Câu 1 : Cấu trúc SCR gồm
a. Bốn lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ
b. 3 chuyển tiếp p-n
c. 3 điện cực
d. Cả a, b và c
Câu 2 : SCR là linh kiện
a. Chỉnh lưu
b. Chỉnh lưu có điều khiển
c. Khuếch đại
d. Nghịch lưu
Câu 3 : Để mở SCR


a. Phân cực thuận A và K, kích xung dương tại G
b. Phân cực thuận A và K, kích xung âm tại G
c. Phân cực nghịch A và K, kích xung dương tại G
d. Phân cực nghịch A và K, kích xung âm tại G
Câu 4 : Để tắt SCR không thể dùng phương pháp nào dưới đây
a. Ngắt nguồn
b. Phân cực ngược AK
c. Giảm dòng qua SCR nhỏ hơn IH
d. Kích xung âm vào G
Câu 5 : Kí hiệu bên là kí hiệu của

a. SCS
b. GTO
c. SCR
d. LASCR

Câu 6 : Diac là linh kiện khơng có đặc điểm
a. Có hai điện cực
b. Có 4 lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ
c. Dẫn điện theo hai chiều khi điện áp trên nó đạt tới VBO hay -VBO
d. Chỉ dẫn điện theo một chiều phân cực thuận
Câu 7 : Triac là linh kiện có đặc điểm
a. Có hai điện cực A và K
b. Có ba điện cực A, K và G
c. Có ba điện cực A1, A2 và G
d. Có 4 điện cực A1, A2 và GA, GK
Câu 8 : Để mở triac
a. VA1A2> 0 và kích xung dương tại G
b. VA1A2 >0 và kích xung âm tại G
c. VA1A2<0 và kích xung dương tại G
d. VA1A2= 0 và kích xung dương tại G
Câu 9 : Diode Shockley là diode
a. Tương tự SCR nhưng khơng có cực cổng G
b. Tương tự Diac
c. Tương tự triac nhưng khơng có cực cổng G
d. Tương tự triac
Câu 10 : Có thể mở SCS bằng các phân cực thuận A và k đồng thời
a. kích xung âm tại GK hay xung dương tại GA


b. kích xung dương tại GK hay xung âm tại GA
c. kích xung dương tại GK hay xung dương tại GA
d. kích xung âm tại GK hay xung âm tại GA
Câu 11 : Để tắt SCS phương pháp nào không được sử dụng
a. Kích xung dương tại GA
b. Kích xung âm tại GA

c. Kích xung âm tại GK
d. Cho VA = VK
Câu 12 : GTO
a. Tương tự SCR nhưng có thể tắt bằng cực cổng
b. Tương tự SCR nhưng có thể mở bằng cực cổng
c. Tương tự SCR nhưng có hai cực cổng.
d. Tương tự SCR.
Câu 13 : PUT
a. Tương tự SCR nhưng cực cổng nằm ở bán dẫn N (lớp bán dẫn thứ hai tính từ cực
anode)
b. Tương tự GTO
c. Tương tự SCR
d. Tương tự SCS
Câu 14 : Những đặc điểm nào sau đây không phải của UJT
a. Là linh kiện có vùng điện trở âm
b. Có 3 vùng hoạt động tắt, điện trở âm và bảo hịa
c. Có 3 điện cực B1, B2 và E
d. Cấu tạo gồm hai chuyển tiếp p-n
Câu 15 : Tìm câu sai
a. Phototransistor là tranisistor lưỡng cực với dòng IB phụ thuộc ánh
sáng chiếu vào transistor
b. Phototransistor có dòng IC được điều khiển bằng cường độ ánh sáng
chiếu vào transistor
c. Phototransistor giống như transistor lưỡng cực thông thường.
d. Phototransistor là transistor quang được điều khiển bằng ánh sáng
Câu 16 : Photodiode
a. Hoạt động ở chế độ phân cực nghịch với dịng qua nó phụ thuộc vào
cường độ ánh sáng mà nó hấp thu
b. Hoạt động ở chế độ phân cực thuận với dòng qua nó phụ thuộc vào
cường độ ánh sáng mà nó hấp thu

c. Giống như diode chỉnh lưu thông thường
d. Là diode phát quang
Câu 17 : OPTO, tìm câu sai
a. Gồm một linh kiện phát quang và một linh kiện thu quang
b. Dùng để cách ly ngõ vào điều khiển và ngõ ra công suất
c. Gồm led và một linh kiện thu quang được tích hợp
d. Gồm nhiều linh kiện thu quang


ĐÁP ÁN:
Vấn đề 1: 1a, 2b, 3c, 4d, 5b, 6a, 7d, 8b, 9c, 10c, 11a, 12d
Vấn đề 2: 1a, 2b, 3b, 4c, 5a, 6a, 7d, 8a, 9b
Vấn đề 3: 1d, 2b, 3c, 4a, 5b, 6a, 7c 8a, 9b, 10a, 11c, 12c, 13a, 14c, 15a, 16c, 17d, 18a,
19b, 20c, 21c, 22a,23a, 24b, 25a, 26a, 27d, 28c, 29b
Vấn đề 4: 1c, 2a, 3a, 4a, 5c, 6d, 7c, 8a, 9c
Vấn đề 5: 1c, 2a, 3d, 4a, 5a, 6a, 7d, 8b, 9c, 10c, 11d, 12c, 13a, 14d, 15a, 16a, 17b, 18d
Vấn đề 6: 1a, 2a, 3a, 4b, 5c, 6a, 7d, 8d, 9a, 10c, 11b, 12b, 13c, 14d, 15a, 16d, 17d
Vấn đề 7: 1d, 2b, 3a, 4d, 5c, 6d, 7c, 8a, 9a, 10b, 11b, 12a, 13a, 14d, 15c, 16a, 17d