Câu hỏi trắc nghiệm điện tử công suất doc

1
CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM MÔN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT_NEW
Chương 1: Mở đầu
1. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong thời gian khởi dẫn là
a.
swoffSWON
tIVW
6
1
=
b.
swonSWON
tIVW
6
1
=
c.
swonSWON
tIVW
3
1
=
d.
swoffSWON
tIVW
3
1
=
2. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong thời gian khởi ngưng là
a.
swoffSWOFF

tIVW
6
1
=
b.
swonSWOFF
tIVW
6
1
=
c.
swonSWOFF
tIVW
3
1
=
d.
swoffSWOFF
tIVW
3
1
=
3. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong một chu kỳ giao hoán là
a.
( )
swoffswonSW
ttIVW += .
3
1
b.

( )
swoffswonSW
ttIVW += .
6
1
c.
( )
swoffswonSW
ttIVW += .
2
1
d.
( )
swoffswonSW
ttIVW += .
4. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, công suất tiêu tán trong một chu kỳ giao hoán là
a.
( )
fttVIP
swoffswonSW
+=
3
1
b.
( )
fttVIP
swoffswonSW
+=
2
1

c.
( )
fttVIP
swoffswonSW
+=
6
1
d.
( )
fttVIP
swoffswonSW
+=
5. Công suất thất thoát tổng cộng của một diode được tính
a.
SWOFFONT
PPPP ++=
b.
T
t
IVP
on
FFT
=
c.
T
t
IVP
off
RRT
=

d.
fttIVP
swoffswonFFT
)(
6
1
maxmax
+=
6. Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được
dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn nên
a. Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh
b. Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát
c. Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ
d. Cả ba câu trên đều đúng
7. Phát biểu nào sau đây thì đúng về đặc tính của transistor (BJT) công suất
a. Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng nhỏ độ lợi
càng nhỏ
b. Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi
càng lớn
c. Ngoài hiện tượng huỷ thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng huỷ thác thứ cấp do
transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn
d. Cả ba câu trên đều đúng
8. Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) khi dẫn bảo hoà sẽ là
a.
( )
T
t
IVIVP
on
BBEbhCMCEbhON

+=
b.
T
t
IVP
off
rCCON
=
c.
( )
T
t
IVIVP
on
BCEbhCMCEbhON
+=
d.
T
t
IVP
on
CMCCON
=
9. Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) ngưng dẫn và dòng rỉ rất bé công thức
nào sau đây là chính xác nhất
a.
( )
T
t
IVIVP

off
BBEbhCMCEbhOFF
+=
b.
T
t
IVP
off
rCCOFF
=
2
c.
( )
T
t
IVIVP
off
BCEbhCMCEbhOFF
+=
d.
T
t
IVP
on
CMCCOFF
=
10. Năng lượng thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là
a.
( )
swoffswonCMCEMSW

ttIVW += .
3
1
b.
( )
swoffswonCMCEMSW
ttIVW += .
6
1
c.
( )
swoffswonCMCEMSW
ttIVW += .
2
1
d.
( )
swoffswonCMCEMSW
ttIVW += .
11. Công suất thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là
a.
SWONOFFONT
PPPP ++=
b.
( )
SWOFFONT
WPPP ++=
c.
fWPPP
SWOFFONT

++=
d.
( )
fWPPP
SWOFFONT
++=
12. Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất
a. Có cấu trúc xen kẻ của các tiếp giáp n-p để cấp dòng lớn
b. Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là vmosfet để cấp dòng lớn
c. Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn
d. Cả ba câu trên đều đúng
13. Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất
a. Điện trở giữa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục
Ωm
)
b. Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại V
GS
cở vài chục volt
c. Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz)
d. Cả ba câu trên đều đúng
14. Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất
a. Tần số làm việc thấp so với BJT công suất
b. Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất
c. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT
công suất
d. Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất
15. Công suất tổn hao của mosfet công suất khi dẫn sẽ là
a.
T
t

RIP
off
DSonDON
2
=
b.
T
t
RIP
on
DSonDON
2
=
c.
T
t
IVP
on
DRDSON max
=
d.
T
t
IVP
off
DRDSON max
=
16. Công suất tổn hao của mosfet công suất ngưng dẫn sẽ là
a.
T

t
RIP
off
DSonDOFF
2
=
b.
T
t
RIP
on
DSonDOFF
2
=
c.
T
t
IVP
on
DRDSOFF max
=
d.
T
t
IVP
off
DRDSOFF max
=
17. Năng lượng tổn hao của mosfet công suất sẽ là
a.

( )
swoffswonDDSSW
ttIVW += .
3
1
max
b.
( )
swoffswonDDSSW
ttIVW += .
6
1
max
c.
( )
swoffswonDDSSW
ttIVW += .
2
1
max
d.
( )
swoffswonDDSSW
ttIVW += .
max
18. Công suất tổn hao của mosfet công suất trong thời gian giao hoán là
a.
SWONOFFONSW
PPPP ++=
b.

( )
SWOFFONSW
WPPP ++=
c.
( )
fWWP
SWoffSWonSW
+=
d.
( )
fWPPP
SWOFFONSW
++=
19. Công suất tổn hao tổng cộng của mosfet công suất là
a.
SWOFFONT
PPPP ++=
b.
T
t
IVP
on
DDST
=
c.
T
t
IVP
off
DCDT

=
d.
fttIVP
swoffswonDDST
)(
6
1
max
+=
20. Triac có bao nhiêu cách kích dẫn
3
a. Một cách b. Hai cách c. Ba cách d. Bốn cách
21. Phát biểu nào sau đây đúng trong và thuận lợi trong việc kích dẫn triac
a. Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường
hợp dòng qua triac âm
b. Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong
trường hợp dòng qua triac âm
c. Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường
hợp dòng qua triac âm
d. Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường
hợp dòng qua triac âm
22. Phát biểu nào sau đây thì đúng cho cách kích triac
a. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện DC và bằng xung thì thông dụng hơn
bằng điện AC
b. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn
bằng điện DC
c. Vì triac dẫn chỉ một chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn
bằng điện DC
d. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng DC thì thông dụng hơn bằng
xung

23. Phát biểu nào đúng cho SCS (silicon controlled switch)
a. Có cấu tạo giống như SCR nhưng cực G kích xung âm để điều khiển đóng
b. Có cấu tạo giống như GTO nhưng cực G kích xung dương để điều khiển đóng
c. Có cấu tạo giống như SCR nhưng có hai cực G kích xung âm và xung dương để điều
khiển đóng hoặc ngắt
d. Các phát biểu trên đều đúng
24. Phát biểu nào đúng cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (silicon controlled switch)
a. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V
AK
âm và cho xung kích đi vào cực G
K
, nếu muốn SCS
ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G
A
b. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V
AK
dương và cho xung kích đi vào cực G
A
, nếu muốn
SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G
K
c. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V
AK
dương và cho xung kích đi vào cực G
K
, nếu muốn
SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G
A
d. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V
AK

âm và cho xung kích đi vào cực G
A
, nếu muốn SCS
ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G
K
25. Phát biểu nào sau đây đúng cho GTO (gate turn off SCR)
a. GTO có cấu tạo giống như SCS, nhưng không có cực G
A
b. GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc song song
với cực điều khiển đóng
c. GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc đối diện với
cực điều khiển đóng
d. Các phát biểu trên đều sai
26. Mạch bảo vệ GTO hình vẽ có nhiệm vụ
a. Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dt khi đóng GTO
b. Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dt khi ngắt GTO
c. Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dt khi đóng GTO
d. Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dt khi ngắt GTO
27. Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)
4
a. IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và
điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet
b. IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và
điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet
c. IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của
transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet
d. IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và
điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet
28. Phát biểu nào sau đây đúng với đặc tính của IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)
a. Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW)

b. Tần số làm việc cao (vài kHz)
c. Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15
s
󽝮
)
d. Các phát biểu trên đều đúng
29. Trong các linh kiện sau đây loại nào không phải là linh kiện công suất.
a. BJT b. TRIAC
c. UJT d. MOSFET
30. Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả năng điều khiển công suất.
a. MOSFET b. TRIAC
c. SCR d. DIAC
31. Linh kiện nào sau đây là SCR.
c dba
32. Linh kiện nào sau đây là TRIAC
c dba
33. Linh kiện nào sau đây là GTO
ba c d
34. Linh kiện công suất là linh kiện có:
a. Có hình dạng và kích thước lớn b. Dễ ghép với nhôm tản nhiệt.
c. Làm việc với dòng lớn, áp lớn d. Cả ba câu trên đều đúng
35. Mạch điều khiển công suất làm việc với điện áp lớn cần sử dụng linh kiện nào sau:
5
a. SCR b. MOSFET
c. Diode d. IGBT
36. Cấu tạo TRIAC có số tiếp giáp P-N :
a. 3 b. 4
c. 5 d. 6
37. Cấu tạo SCR có số lớp chất bán dẫn là:
a. 3 b. 4

c. 5 d. 6
38. Diode công suất ở trạng thái dẫn có điện áp V
AK
là:
a. 0,2 V b. 0,3 V
c. 0,7 V d. Lớn hơn bằng 1V
39. SCR được phân cực thuận và kích bằng xung có độ rộng 1µs thì:
a. Chuyển sang trạng thái dẫnb. Có thể dẫn nếu xung có biên độ lớn
c. Không dẫn. d. Tất cả đều sai
40. Để SCR chuyển từ trạng thái ngưng dẫn sang dẫn hoàn toàn sau khi được phân cực thuận
và được kích dẫn còn phải:
a. Duy trì tín hiệu kích b. Điện áp phân cực phải được tăng
c. Dòng I
A
đủ lớn d. Không cần thêm điều kiện nào.
41. Trong các loại linh kiện sau đây loại nào không phải là loại công suất
a. UJT b. MCT
c. BJT d. MOSFET
42. Transistor công suất thường được sử dụng trong các mạch
a. Như các công tắc đóng ngắt các mạch điện
b. Mạch công suất lớn
c. Mạch chịu nhiệt độ cao
d. Mạch công suất có tần số cao
43. SCR sẽ bị đánh thủng khi :
a. Dòng kích cực cổng cực đại.
b. Điện áp đặt trên anode-catot là âm.
c. Điện áp đặt trên anode-catot là dương.
d. Điện áp đặt trên anode-catot là âm hơn giá trị điện áp ngược cực đại.
44. Các phần tử bán dẫn công suất sử dụng trong các mạch công suất có đặc tính chung là :
a. Khi mở cho dòng chảy qua thì có điện trở tương đương lớn, khi khóa thì điện trở

tương đương nhỏ.
b. Khi mở cho dòng chảy qua hay khi khóa thì điện trở tương đương không thay đổi.
c. Khi mở cho dòng chảy qua thì có điện trở tương đương nhỏ, khi khóa thì điện trở
tương đương lớn.
d. Cả ba câu kia đều sai.
45. Dòng điện rò :
a. Có giá trị rất nhỏ, vài µA.
b. Có giá trị nhỏ, vài mA.
c. Là dòng điện chảy qua phần tử khi phần tử phân cực thuận, có giá trị nhỏ, vài A.
d. Là dòng điện chảy qua phần tử khi phần tử phân cực nghịch, có giá trị nhỏ, vài mA.
46. Diode là phần tử bán dẫn công suất cấu tạo bởi :
a. 1 lớp tiếp giáp p-n b. 3 lớp tiếp giáp p-n
c. 2 lớp tiếp giáp p-n d. 5 lớp tiếp giáp p-n
47. Điện trường nội E
i
trong diode :
a. Có chiều hướng từ vùng p sang vùng n.
b. Có chiều hướng từ vùng n sang vùng p.
c. Có chiều phụ thuộc vào phân cực thuận hay phân cực nghịch.
d. Tất cả đều sai.
48. Diode dẫn dòng điện từ anode sang catot khi :
a. Phân cực ngược.
b. Phân cực thuận.
6
c. Điện trở tương đương của diode lớn.
d. Cực dương của nguồn nối với catot, cực âm của nguồn nối với anode.
49. SCR cấu tạo từ :
a. 4 lớp bán dẫn. b. 5 lớp bán dẫn.
c. 2 lớp bán dẫn. d. 3 lớp bán dẫn.
50. Tín hiệu điều khiển SCR :

a. Là 1 xung dương. b. Là 1 xung âm.
c. Là 1 xung bất kỳ. d. Là 1 xung dương có độ rộng định trước.
51. Dòng điều khiển mở SCR :
a. Đi ra khỏi cực điều khiển.
b. Đi vào cực điều khiển.
c. Nhỏ hơn giá trị dòng điện nhỏ nhất.
d. Lớn hơn giá trị dòng điện chảy qua SCR.
52. Để SCR dẫn ta:
a. Chỉ cần điện áp phân cực thuận lớn hơn 0 volt.
b. Kích vào cực G, điện áp phân cực không quan trọng.
c. Phải đảm bảo có tín hiệu kích và điện áp phân cực.
d. Có tín hiệu kích âm và điện áp phân cực dương.
53. Khi dòng điều khiển I
G
= 0:
a. SCR không dẫn.
b. SCR sẽ dẫn cưỡng ép khi U
AK
> U
thuận max
c. SCR sẽ bị đánh thủng khi U
AK
> U
thuận max
d. Điện trở tương đương của SCR rất nhỏ.
54. Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng :
a. Dòng qua anode – catot SCR nhỏ hơn giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếp
tục.
b. Dòng qua anode – catot SCR bằng giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếp tục.
c. Dòng qua anode – catot SCR lớn hơn giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếp

tục.
d. Tất cả đều sai.
55. Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng :
a. Kích 1 xung dương vào cực điều khiển để SCR ngưng dẫn.
b. Kích 1 xung âm vào cực điều khiển để SCR ngưng dẫn.
c. Kích 1 xung dương vào cực điều khiển để SCR dẫn tiếp tục.
d. Xung kích mất tác dụng điều khiển.
56. Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng, để SCR ngưng dẫn :
a. Giảm dòng anode – catot về dưới mức dòng duy trì.
b. Đảo chiều điện áp trên anode – catot ngay lập tức.
c. Giảm dòng anode – catot về dưới mức dòng duy trì hoặc đặt điện áp ngược lên SCR
sau 1 thời gian phục hồi.
d. Tất cả đều sai.
57. Đặc tính Volt – Ampe của Triac bao gồm :
a. 2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 1 và thứ 3.
b. 2 đoạn đặc tính đối xứng qua gốc tọa độ.
c. 2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 2 và thứ 4.
d. 2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 1 và thứ 3 và đối xứng nhau qua gốc tọa độ.
58. Triac là linh kiện bán dẫn có khả năng :
a. Dẫn dòng theo cả 2 chiều.
b. Ứng dụng trong mạch công suất điều chỉnh điện áp DC.
c. Tương đương với 2 SCR đấu song song.
d. Tương đương với 2 SCR đấu ngược chiều nhau.
59. Triac thì:
a. Giống như 2 diode ghép song song.
7
b. Giống như 2 SCR ghép song song nhưng ngược chiều nhau.
c. Giống như 2 SCR ghép song song.
d. Giống như 1 SCR.
60. Triac :

a. Điều khiển mở dẫn dòng bằng xung dương.
b. Điều khiển mở dẫn dòng bằng xung âm.
c. Điều khiển mở dẫn dòng bằng cả xung dương và xung âm.
d. Điều khiển mở dẫn dòng bằng 1 xung dương và 1 xung âm liên tiếp.
61. SCR là phần tử :
a. Điều khiển hoàn toàn.
b. Có thể điều khiển khóa bằng cực điều khiển.
c. Điều khiển không hoàn toàn.
d. Có thể điều khiển mở và khóa bằng cực điều khiển
62. Để có dòng điện chảy qua SCR thì :
a. Điện áp anode phải dương so với catot.
b. Điện áp anode phải âm so với catot.
c. Cần có tín hiệu kích cho cực cổng.
d. Cả a và c
63. Cực cổng của SCR dùng để :
a. Làm cho SCR dẫn. b. Làm cho SCR tắt.
c. Điều khiển dòng điện qua SCR. d. Điều khiển điện áp trên catot.
64. SCR dùng trong mạch điều khiển pha có thể nhận nhiều xung trong một chu kỳ. Với xung
đầu tiên mở SCR, và xung thứ 2 để :
a. Mở tải. b. Tắt SCR.
c. Tăng dòng điện chảy qua SCR. d. Không có ảnh hưởng gì.
65. Trong mạch SCR điều khiển pha toàn kỳ khi góc kích tăng từ 0 lên 90
0
thì điện áp chỉnh lưu
trung bình trên tải sẽ :
a. Không đổi. b. Tăng rất ít.
c. Giảm rất ít. d. Giảm xuống zero.
66. Khi đã được kích, dòng điện qua triac sẽ :
a. Xuất hiện khi điện áp anode 2 là âm so với anode 1.
b. Xuất hiện khi có tín hiệu cổng.

c. Xuất hiện khi điện áp anode 2 là dương so với anode 1.
d. Câu b thì đúng.
67. SCR sẽ bị đánh thủng khi :
a. Dòng kích cực cổng cực đại.
b. Điện áp đặt trên anode-catot là âm.
c. Điện áp đặt trên anode-catot là dương.
d. Điện áp đặt trên anode-catot là âm hơn giá trị điện áp ngược cực đại.
68. Diac là linh kiện đóng ngắt bằng :
a. Dòng điện thường trực.
b. Hiệu ứng trường.
c. Điện áp ngược đặt lên các tiếp giáp P-N.
d. Xung điện có độ rộng bé.
69. Thời gian phục hồi của diode công suất khi diode đang dẫn đột ngột chuyển sang trạng thái
ngưng là do
a. Diode có công suất lớn, thời gian này bằng không
b. Diode có thời gian chuyển tiếp do sự phục hồi của các hạt tải trong nối pn
c. Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch
d. Diode có dòng giảm từ I
F
đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode
70. Thời gian chuyển tiếp của diode là thời gian
a. Diode có dòng giảm từ I
F
đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode
8
b. Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch, số hạt tải còn di chuyển trong vùng hiếm
làm cho dòng điện thay đổi từ trị số 0 đến I
RM
c. Diode có dòng giảm từ trị số 0 đến trị số I
RM

rồi lại trở về 0
d. Diode dòng I
F
= 0
71. Thời gian tích trử của diode là thời gian
a. Diode có dòng giảm từ I
F
đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode
b. Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch, số hạt tải còn di chuyển trong vùng hiếm
làm cho dòng điện thay đổi từ trị số 0 đến I
RM
c. Diode có dòng giảm từ trị số 0 đến trị số I
RM
rồi lại trở về 0
d. Diode dòng I
F
= 0
72. Thời gian phụ hồi nghịch của diode là thời gian
a. Diode có dòng giảm từ I
F
đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode
b. Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch, số hạt tải còn di chuyển trong vùng hiếm
làm cho dòng điện thay đổi từ trị số 0 đến I
RM
c. Diode có dòng giảm từ trị số 0 đến trị số I
RM
rồi lại trở về 0
d. Diode dòng I
F
= 0

73. Dòng I
A
của SCR được tính theo công thức nào sau đây
a.
( )
( )
21
211
1
󽝢󽝢
󽝢
+−
++
=
CBOCBOG
A
III
I
b.
( )
( )
21
212
1
󽝢󽝢
󽝢
−+
++
=
CBOCBOG

A
III
I
c.
( )
( )
21
212
1
󽝢󽝢
󽝢
+−
++
=
CBOCBOG
A
III
I
d.
( )
( )
21
212
1
󽝢󽝢
󽝢
−−
++
=
CBOCBOG

A
III
I
74. Cách làm tăng dòng I
A
để làm SCR từ trạng thái ngưng sang trạng thái dẫn. Phát biểu nào sau
đây là đúng
a. Tăng điện thế Anot
→
làm tăng dòng rỉ I
CBO
→
làm xảy ra hiện tượng huỷ thác
( )
1
21
→+
󽝢󽝢
b. Tăng dòng I
G
để các transistor (mạch tương đương) nhanh chóng đi vào trạng thái dẫn
bảo hoà
c. Tăng nhiệt độ các mối nối bên trong SCR, hay tăng tốc độ tăng thế dv/dt tạo dòng nạp
cho điện dung mối nối pn.
d. Các phát biểu a, b, c đều đúng
75. Để tác động cho SCR đang dẫn chuyển sang trạng thái ngưng, cách nào sau cách là đúng
a. Cắt bỏ nguồn cung cấp
b. Dùng một bộ phận có điện trở thật nhỏ mắc song song với SCR để tạo dòng I
A
<I

R
(gọi là thắng động lực)
c. Tạo V
AK
<0 (dòng xoay chiều hay xung giao hoán)
d. Các phát biểu a, b, c đều đúng
76. Phát biểu nào sau đây đúng cho định nghĩa về tốc độ tăng thế thuận dv/dt
a. Là tốc độ tăng thế lớn nhất của anot mà SCR chưa dẫn, nếu vượt trị số này SCR sẽ
dẫn
b. Là tốc độ tăng thế lớn nhất của anot làm cho SCR dẫn điện
c. Là tốc độ tăng thế nhỏ nhất của anot làm cho SCR chưa dẫn điện, nếu vượt trị số này
SCR sẽ dẫn
d. Là tốc độ tăng thế nhỏ nhất của anot làm cho SCR dẫn điện
77. Phát biểu nào sau đây đúng cho định nghĩa về tốc độ tăng dòng thuận di/dt
a. Là trị số cực đại của tốc độ tăng dòng cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽ
hỏng
b. Là trị số cực đại của tốc độ tăng dòng không cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này
SCR sẽ dẫn
c. Là trị số cực tiểu của tốc độ tăng dòng cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽ
hỏng
d. Là trị số cực tiểu của tốc độ tăng dòng cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽ
dẫn
9
78. Cho mosfet công suất như hình vẽ, cho các thông số sau: I
DR
= 2mA,
Ω= 3,0
DSon
R
, D= 50%,

I
D
=6A, V
DS
=100V, t
swno
=100ns, t
swoff
= 200ns, tần số giao hoán 4kHz. Công suất thất thoát
tổng cộng của mosfet là
f =4kHz
in
+
-
Vcc
R
Q1
a. 3,3[W] b. 6,7[W] c. 0,8[W] d. 5,4[W]
79. Cho mạch điện như hình vẽ. Diode dẫn với dòng
AI
D
30=
,
VV
F
1.1=
,
mAI
R
3,0=

,
stt
fswon
󽝮
1,1==
,
stt
rswoff
󽝮
1,0==
, tính hiệu có chu trình định dạng
%50=D
, công suất
thất thoát tổng cộng trong Diode (lấy gần đúng)là
D
R=10 Ohm
+
-
Vs
400V/10kHz
a. 40,4[W] b. 44[W] c. 60,4[W] d. 70,4[W]
80. Linh kiện nào sau đây là IGBT
a. b. c. d.
81. Linh kiện nào sau đây là MCT
a. b. c. d.
82. IGBT là linh kiện công suất được chế tạo dựa trên đặc tính
a. Tác động nhanh của Mosfet và dòng lớn của SCR
b. Khả năng chịu dòng lớn của BJT và điều khiển điện áp lớn của Mosfet
c. Điều khiển điện áp lớn của Mosfet và dòng lớn của SCR
d. Tác động nhanh của của BJT và dòng lớn của Mosfet

83. MCT là linh kiện công suất được chế tạo dựa trên đặc tính
a. Tác động nhanh của Mosfet và dòng lớn của SCR
b. Khả năng chịu dòng lớn của BJT và điều khiển điện áp lớn của Mosfet
c. Điều khiển điện áp lớn của Mosfet và dòng lớn của SCR
d. Tác động nhanh của của BJT và dòng lớn của Mosfet
84. MCT là linh kiện công suất được chế tạo nhằm khắc phục nhược điểm của
a. Mosfet và GTO
b. BJT và Mosfet
c. Mosfet và IGBT
d. SCR và Mosfet
85. Công suất trung bình khi sử dụng linh kiện IGBT cung cấp cho tải R trong thời gian dẫn là
a.
T
t
R
V
P
ON
L
s
L








=

10
b.
T
t
R
V
P
ON
L
s
L








=
2
2
c.
T
t
R
V
P
ON
L

s
L








=
2
d.
T
t
R
V
P
ON
L
s
L









=
2
2
86. Công suất tổn hao trong thời gian giao hoán của IGBT là
a. P
sw
= 1/3( V
CEmax
.I
cmax
)( t
swon
+ t
swoff
)T
sw
b. P
sw
= 1/6( V
CEmax
.I
cmax
)( t
swon
+ t
swoff
)f
sw
c. P
sw

= 1/6( V
CEmax
.I
cmax
)( t
swon
+ t
swoff
)T
sw
d. P
sw
= 1/3( V
CEmax
.I
cmax
)( t
swon
+ t
swoff
)f
sw
87. Triac được xem như 2 SCR mắc đối song nhưng chỉ khác là
a. Triac còn có thể kích được dòng đi ra cực G nhưng mạch 2 SCR thì không
b. Triac còn có thể kích được dòng đi vào cực G nhưng mạch 2 SCR thì không
c. Triac còn có thể kích được áp đi ra cực G nhưng mạch mạch 2 SCR thì không
d. Triac có thể kích được áp đi vào cực G nhưng mạch 2 SCR thì không
88. Mạch 2 SCR mắc đối song thường được sử dụng hơn mạch sử dụng Triac vì
a. Công suất lớn hơn và tạo xung điều khiển dễ
b. Công suất lớn hơn và tạo xung điều khiển khó

c. Công suất nhỏ hơn và tạo xung điều khiển dễ
d. Công suất nhỏ hơn và tạo xung điều khiển khó
89. Để điều khiển MCT ta cho
a. Điện áp âm vào cực G để điều khiển đóng, điện áp dương vào cực G để điều khiển ngắt
b. Điện áp âm vào cực G để điều khiển ngắt, điện áp dương vào cực G để điều khiển đóng
c. Điện áp dương vào cực G để điều khiển đóng, điện áp âm vào cực G để điều khiển ngắt
d. Điện áp dương vào cực G để điều khiển ngắt, điện áp âm vào cực G để điều khiển đóng
90. Phát biểu nào sau đây đúng về bộ chỉnh lưu dùng SCR
a. Có thể điều khiển đóng và ngắt linh kiện nhanh, do đó đạt đáp ứng điện áp ngõ ra tốt.
b. Hiện tượng chuyển mạch xảy ra do tác dụng của cuộn kháng tải
c. Để nâng cao chất lượng dòng tải, có thể tăng tần số sóng đồng bộ
d. Có khả năng thực hiện chế độ trả năng lượng về nguồn xoay chiều
91. Mạch bảo vệ IGBT thường được chọn các mạch
a. Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là MOSFET
b. Bảo vệ ngõ vào là MOSFET, ngõ ra là SCR
c. Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là SCR
d. Bảo vệ ngõ vào là MOSFET, ngõ ra là BJT
92. Mạch bảo vệ MCT thường được chọn các mạch
a. Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là MOSFET
b. Bảo vệ ngõ vào là MOSFET, ngõ ra là SCR
c. Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là SCR
d. Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là BJT
93. Để điều khiển đóng ngắt IGBT ta điều khiển bằng cách
a. Cấp dòng cho cực khiển
b. Cấp áp cho cực khiển
c. Cấp xung đi vào cực khiển
d. Cấp xung đi ra cực khiển
94. Để điều khiển đóng MCT ta điều khiển bằng cách
a. Cấp dòng cho cực khiển
b. Cấp áp cho cực khiển

c. Cấp xung dương vào cực khiển
d. Cấp xung âm vào cực khiển
95. Để điều khiển ngắt MCT ta điều khiển bằng cách
11
a. Cấp dòng cho cực khiển
b. Cấp áp cho cực khiển
c. Cấp xung dương vào cực khiển
d. Cấp xung âm vào cực khiển
96. Trong các mạch công suất để dễ điều khiển đóng ngắt thường chọn
a. Linh kiện điều khiển bằng xung âm
b. Linh kiện điều khiển bằng xung dương
c. Linh kiện điều khiển bằng áp
d. Linh kiện điều khiển bằng dòng
97. Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo có dòng cao nhất
a. BJT
b. GTO
c. MOSFET
d. IGBT
98. Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo có dòng cao nhất
a. BJT
b. GTO
c. SCR
d. IGBT
99. Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo chịu được áp ngược cao nhất
a. BJT
b. GTO
c. MCT
d. IGBT
100. Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo chịu được áp ngược cao nhất
a. BJT

b. MCT
c. MOSFET
d. IGBT
101. Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo có tần số làm việc cao nhất
a. BJT
b. GTO
c. IGBT
d. SCR
102. Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo có tần số làm việc cao nhất
a. BJT
b. MCT
c. MOSFET
d. IGBT
103. IGCT là linh kiện công suất được chế tạo nhờ sự cải tiến của linh kiện nào sau đây
a. MCT
b. IGBT
c. GTO
d. GCT
104. IGCT là linh kiện công suất có cấu tạo gồm
a. MCT và một số phần tử hỗ trợ
b. IGBT và một số phần tử hỗ trợ
c. GTO và một số phần tử hỗ trợ
d. GCT và một số phần tử hỗ trợ
105. Điều khiển đóng IGCT ta dùng
a. Xung đưa vào cực khiển để đóng GCT
b. Xung đưa vào cực khiển để ngắt GCT
c. Áp đưa vào cực khiển để đóng GCT
d. Áp đưa vào cực khiển để ngắt GCT
106. Điều khiển ngắt IGCT ta dùng
12

a. Xung đưa vào ngược chiều để triệt tiêu dòng qua Anot
b. Xung đưa vào ngược chiều để triệt tiêu dòng qua Katot
c. Áp đưa vào ngược chiều để triệt tiêu dòng qua Anot
d. Áp đưa vào ngược chiều để triệt tiêu dòng qua Katot
107. IGCT được chế tạo với mục đích
a. Làm giảm trị số điện dung mạch cổng đến trị số nhỏ nhất
b. Làm giảm trị số cảm kháng cực cổng đến trị số nhỏ nhất
c. Làm tăng trị số điện dung mạch cổng đến trị số nhỏ nhất
d. Làm tăng trị số cảm kháng cực cổng đến trị số nhỏ nhất
108. IGCT là linh kiện công suất có tính năng vượt trội so với các linh kiện công suất khác đó
là
a. Làm giảm nhanh trị số dòng điện qua cực cổng
b. Làm giảm nhanh trị số hiệu điện thế qua cực cổng
c. Làm tăng nhanh trị số dòng điện qua cực cổng
d. Làm tăng nhanh trị số hiệu điện thế qua cực cổng
109. linh kiện nào sau đây là IGCT
a. b. c d.
110. Linh kiện nào sau đây là Diode Schottkey.
a. b. c. d.
111. Linh kiện nào sau đây là SCS.
a. b. c. d.
112. Diode Schottkey có tần số làm việc như thế nào so với tần số làm việc của diode
thường:
a. Cao hơn. b. Thấp hơn. c. Bằng nhau d. Bằng không
113. Diode Schottkey thường được làm từ các chất bán dẫn nào sau đây:
a. . GaAs b. Ge c Si d. GaAl
114. Điện áp rơi Diode Schottkey nằm trong khoảng nào sau:
a. 0,3V - 0,5V b. 1V - 3V c. 0,2V - 0,3V d. 0,6V – 0,8V
115. Điện áp rơi Diode chỉnh lưu công suất thường có giá trị trong khoảng nào sau:
a. 1V - 3V b. 0,3V - 0,5V c. 0,2V - 0,3V d. 0,6V – 0,8V

116. Điều khiển đóng GTO ta dùng
e. Dòng dương đưa vào cực khiển để đóng GTO
f. Xung dòng dương đưa vào cực khiển để đóng GTO
g. Áp dương đưa vào cực khiển để đóng GTO
h. Xung áp dương đưa vào cực khiển để đóng GTO
117. Điều khiển ngắt GTO ta dùng
a.Dòng âm đưa vào cực khiển để ngắt GTO
b.Xung dòng âm đưa vào cực khiển để ngắt GTO
c.Áp âm đưa vào cực khiển để ngắt GTO
d.Xung áp âm đưa vào cực khiển để ngắt GTO
13
Chương 2 : Chỉnh lưu một pha
1. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch.
a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b. Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R
c. Chỉnh lưu cầu không đối xứng tải R d. Chỉnh lưu cầu đối xứng tải R
2. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch.
a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b. Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R
c. Chỉnh lưu bán kỳ không điều khiển tải R d. Chỉnh lưu toàn kỳ không điều khiển tải R
3. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch.
a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b. Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R
c. Chỉnh lưu bán kỳ không điều khiển tải R d. Chỉnh lưu toàn kỳ không điều khiển tải R
4. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch.
a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b. Chỉnh lưu cầu điều khiển bán phần tải R
c. Chỉnh lưu bán kỳ không điều khiển tải R d. Chỉnh lưu cầu không điều khiển tải R
5. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch.
a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b. Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R
c. Chỉnh lưu bán kỳ không điều khiển tải R d. Chỉnh lưu toàn kỳ không điều khiển tải R
6. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch.
α
α

α
t
󽝸
0
v
󽝱
󽝱
2
π
t
󽝸
0
2π
v
π
t
󽝸
0
2π
v
v
π
t
󽝸
0
2π
v
α
t
󽝸

π
2π
0
14
a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b. Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R
c. Chỉnh lưu bán kỳ không điều khiển tải R d. Chỉnh lưu cầu không điều khiển tải R
7. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch.
a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b. Chỉnh lưu cầu điều khiển không đối xứng tải R
c. Chỉnh lưu bán kỳ không điều khiển tải R d. Chỉnh lưu toàn kỳ không điều khiển tải R
8. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch.
a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục
b. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục
c. Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục
d. Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục
9. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch.
a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục
b. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục
c. Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục
d. Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục
10. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch.
a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục
b. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục
c. Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R-L dòng ra liên tục
d. Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R-L dòng ra không liên tục
11. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch.
α
1
α
2
α

3
v
t
󽝸
0
0
α
α
α
v
t
󽝸
α
1
α
2
α
3
v
t
󽝸
0
0
α
α
α
v
t
󽝸
α

α
α
t
󽝸
0
v
󽝱
󽝱
2
α
α
α
t
󽝸
0
v
󽝱
󽝱
2
15
a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục
b. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục
c. Chỉnh lưu cầu điều khiển bất đối xứng tải R-L dòng ra liên tục
d. Chỉnh lưu cầu điều khiển bất đối xứng tải R-L dòng ra không liên tục
12. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch.
a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục
b. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục
c. Chỉnh lưu cầu điều khiển bất đối xứng tải R-L dòng ra liên tục
d. Chỉnh lưu cầu điều khiển bất đối xứng tải R-L dòng ra không liên tục
13. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch.

a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục
b. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục
c. Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R-L dòng ra liên tục
d. Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R-L dòng ra không liên tục
14. Nguồn áp xoay chiều dạng sin
tsinv
iac
󽝱
1002220=
[V] mắc nối tiếp với một tải điện trở
Ω= 2R
và một diode lý tưởng như hình vẽ. Dòng trung bình qua diode lấy gần đúng là
TAIVs Viac
T1 D1
a. 59 [A] b. 49 [A] c. 70 [A] d. 99 [A]
15. Mạch chỉnh lưu bán kỳ bằng diode như hình vẽ, với
tsinv
iac
󽝱
1002220=
[V] mạch có tần
số xung ra:
D1
T1
TAIVs Viac
a. Bằng tần số xung xoay chiều b. Gấp 2 lần tần số xung vào
c. Gấp 3 lần tần số xung vào d. Tất cả đều sai
16. Trong sơ đồ hình vẽ tải R, diode D1sẽ dẫn ở các thời điểm.
D1
T1

TAIVs Viac
a. 0 đến
󽝱
b.
󽝱
đến 2
󽝱
c. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
d. (2k+1)
󽝱
đến 2(k+1)
󽝱
17. Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D1sẽ dẫn ở các thời điểm
α
1
α
2
α
3
v
t
󽝸
0
0
α
α
α

v
t
󽝸
16
.
TAIVs Viac
T1 D1
a. 0 đến
󽝱
b.
󽝱
đến 2
󽝱
c. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
d. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1)
18. Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D1 sẽ dẫn ở các thời điểm.
TAIVs Viac
T1 D1
a. 0 đến
󽝱
b. 2k
󽝱
đến (2k+1)

󽝱
c. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1) d. Phụ thuộc vào L
19. Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D1 sẽ dẫn ở các thời điểm.
V
D1
Viac
T1
TAI
ac
Dw
a. 0 đến
󽝱
b. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
c. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1) d. Các câu a, b, c đều sai
20. Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D1sẽ dẫn ở các thời điểm.
TAIVs Viac
T1 D1
d. 0 đến
󽝱

b. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
c. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1) d. Các câu a, b, c đều sai
21. Trong sơ đồ hình sau điện áp trung bình trên tải R là:
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a.
󽝱
2
M
AV
V
V =
b.
󽝱
M
AV
V
V =
c.

󽝱
M
AV
V
V
2
=
d.
󽝱
󽝢
2
cosV
V
M
AV
=
22. Trong sơ đồ hình sau, tần số xung ở tải sẽ là:
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. Bằng tần số xung xoay chiều b. Gấp 2 lần tần số xung vào
17
c. Gấp 3 lần tần số xung vào d. Tất cả đều sai
23. Trong sơ đồ hình sau nếu có điện áp vào V = 150 (V) , tải R = 10 ohm thì điện áp ra trên tải
là :(lấy gần đúng )
ac
D2

TAI
V
T2 D1
Viac
a. 15 V b. 100 V c. 135V d. 175 V
24. Trong sơ đồ hình sau nếu có điện áp vào V
m
= 150 (V) , tải R = 10 ohm thì điện áp ngược
cực đại trên diode là :(lấy gần đúng )
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. 424 V b. 300 V c. 212 d. 150 V
25. Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D2 dẫn trong các thời điểm
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. 0 đến
󽝱
b.
󽝱
đến 2
󽝱
c. 2k

󽝱
đến (2k+1)
󽝱
d. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1)
26. Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D1 dẫn trong các thời điểm
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. 0 đến
󽝱
b.
󽝱
đến 2
󽝱
c. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
d. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1)

27. Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D2 dẫn trong các thời điểm
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. 0 đến
󽝱
b.
󽝱
đến 2
󽝱
c. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
d.(2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1)
28. Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D1 dẫn trong các thời điểm
18
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac

a. Phụ thuộc vào R b. Phụ thuộc vào E
c. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
d. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1)
29. Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D2 dẫn trong các thời điểm
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. Phụ thuộc vào R b. Phụ thuộc vào E
c. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
d. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1)
30. Trong sơ đồ hình sau dòng qua D1 và D2:
ac
D2

TAI
V
T2 D1
Viac
a. I
D1
= I
D2
b. I
D1
> I
D2
c. I
D1
< I
D2
d. Phụ thuộc vào tải
31. Trong sơ đồ hình sau, để chọn diode cho mạch ta dựa vào:
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. Dựa vào điện áp nguồn b.U
Rmax
, I
Dmax
c. Dựa vào tải d. Tất cả đều đúng
32. Trong sơ đồ hình sau điện áp ngược trên mỗi diode là:

ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a.
MDIODERM
VV =
_
b.
MDIODERM
VV 2
_
=
c.
󽝱
V
V
DIODERM
22
_
=
d.
󽝱
V
V
DIODERM
2
_

=
33. Trong sơ đồ hình sau điện áp trung bình trên tải là:
19
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a.
󽝱
2
M
AV
V
V =
b.
󽝱
M
AV
V
V =
c.
󽝱
M
AV
V
V
2

=
d.
󽝱
󽝢
2
cos
M
AV
V
V =
34. Trong sơ đồ hình sau có tần số xung ra
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
34.a.1.1.1. Bằng tần số xung xoay chiều b. Gấp 2 lần tần số xung vào
c. Cấp 3 lần tần số xung vào d. Tất cả đều sai
35. Trong sơ đồ hình sau dòng qua D1
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a. Id1 = Id2 b. Id1 = Id4 c. Id1 = Id3 d. Tất cả đều đúng
36. Trong sơ đồ hình sau nếu có điện áp vào U

m
= 150 (V) , tải R = 10 ohm thì điện áp ngược
max trên diode là :(lấy giá trị gần đúng )
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a. 150 V b. 212 V c. 300 V d. 424 V
37. Trong sơ đồ hình sau nếu có điện áp vào U
m
= 150 (V) , tải R = 10Ω thì dòng qua mỗi diode
là :(lấy gần đúng )
20
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a. 6,75 A b. 10 A c. 13,5 A d. 4.77A
38. Trong sơ đồ hình sau diode D1 dẫn cùng lúc với:
D2
D1
TAI
D4
iac

D3
V
a. D2 b. D3 c. D4 d. Tất cả đều sai
39. Trong sơ đồ hình sau diode D2 dẫn cùng lúc với:
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a. D2 b. D3 c. D4 d. Tất cả đều sai
40. Trong sơ đồ hình sau các cặp diode dẫn cùng lúc là:
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a. D1 và D2 , D3 và D4 b. D1 và D3 , D2 và D4
c. D1 và D4 , D2 và D3 d. Tất cả đều sai
41. Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D3 dẫn trong các thời điểm
21
D2
D1
TAI
D4
D
iac

D3
V
a. 0 đến
󽝱
b.
󽝱
đến 2
󽝱
c. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
d. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1)
42. Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D4 dẫn trong các thời điểm
D2
D1
TAI
D4
D
iac
D3
V
a. 0 đến
󽝱
b.
󽝱

đến 2
󽝱
c. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
d. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1)
43. Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D1 dẫn trong các thời điểm
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a. Phụ thuộc vào R b. Phụ thuộc vào E
c. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
d. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1)
44. Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D4 dẫn trong các thời điểm

D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a. Phụ thuộc giá trị vào R
b. Phụ thuộc giá trị vào E
c. Dẫn từ 2k
󽝱
+
󽝲
đến (2k+1)
󽝱
-2
󽝲
d. Dẫn từ (2k+1)
󽝱
đến 2(k+1)
󽝱
45. Trong sơ đồ hình sau điện áp ngược cực đại đặt lên mỗi diode là:
22
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V

a.
MDIODERM
VV =
_
b.
MDIODERM
VV 2
_
=
c.
󽝱
M
DIODERM
V
V
22
_
=
d.
󽝱
M
DIODERM
V
V
2
_
=
46. Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D3 dẫn trong các thời điểm
D2
D1

TAI
D4
iac
D3
V
a. 0 đến
󽝱
b.
󽝱
đến 2
󽝱
c. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
d. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1)
47. Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D4 dẫn trong các thời điểm
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a. 0 đến
󽝱

b.
󽝱
đến 2
󽝱
c.2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
d. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1)
48. Mạch chỉnh lưu cầu 1 pha không điều khiển như hình sau, điện áp thứ cấp máy biến áp có giá
trị đỉnh đỉnh là Vpp = 25V, thì điện áp trung bình sau khi chỉnh lưu là :
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a.22,5 V b.15,9 V c.11,25V d.7,95 V
49. Mạch chỉnh lưu cầu 1 pha không điều khiển như hình sau, điện áp thứ cấp máy biến áp có giá
trị đỉnh đỉnh là Vpp = 25V, tải thuần trở R = 10 Ohm thì dòng điện chỉnh lưu trung bình qua
tải là :
23
D2
D1
TAI

D4
iac
D3
V
a. 1,13A b.0,79A c.2,25A d.7,95A
50. Mạch chỉnh lưu cầu 1 pha không điều khiển như hình sau, điện áp thứ cấp máy biến áp có giá
trị đỉnh đỉnh là Vpp = 25V, tải thuần trở R = 10 Ohm thì dòng điện trung bình qua mỗi diode
là :
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a.0.4A b.0,79A c.7,9A d.4A
51. Mạch chỉnh lưu cầu 1 pha không điều khiển như hình sau, điện áp thứ cấp máy biến áp có giá
trị đỉnh đỉnh là Vpp = 25V, tải thuần trở R = 10 Ohm thì điện áp ngược cực đại trên mỗi
diode là :
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a.17,68V b.35,36V c.50V d.25V
52. Mạch chỉnh lưu cầu 1 pha không điều khiển như hình sau, điện áp thứ cấp máy biến áp có giá
trị đỉnh đỉnh là Vpp = 25V, tải thuần trở R = 10 Ohm thì công suất chỉnh lưu trung bình của
mạch là :

D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a. 27,93W b.55,87W c.6,28 W d.13,2W
24
53. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha nửa chu kỳ dùng diode như vẽ. Điện áp xoay chiều phía thứ cấp
MBA là
tsinv
iac
󽝱
1002220=
(V) Giá trị điện áp chỉnh lưu trung bình là :
D1T1
ViacVs TAI
a. 99 V b.70 V c. 220 V d. 311 V
54. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha nửa chu kỳ dùng diode như như vẽ. Điện áp xoay chiều phía thứ
cấp MBA là
tsinv
iac
󽝱
1002220=
(V) Tải thuần trở R = 10 Ohm. Giá trị dòng điện chỉnh
lưu trung bình qua tải là :
D1T1
ViacVs TAI
a. 19,8A b.29,7A c. 9,9Ad.19,4A.

55. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha nửa chu kỳ dùng diode như như vẽ. Điện áp xoay chiều phía thứ
cấp MBA là
tsinv
iac
󽝱
1002220=
(V) Tải thuần trở R = 10 Ohm. Giá trị dòng điện trung
bình qua diode là :
D1T1
ViacVs TAI
a.19,8A b.9,9A c.4,95A d.19,4A.
56. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha nửa chu kỳ dùng diode như như vẽ. Điện áp xoay chiều phía thứ
cấp MBA là
tsinv
iac
󽝱
1002220=
(V) Tải thuần trở R = 10 Ohm. Công suất chỉnh lưu
trung bình trên tải là :
D1T1
ViacVs TAI
a. 490W b.9,9Wc.980W d.860W.
57. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha nửa chu kỳ dùng diode như như vẽ. Điện áp xoay chiều phía thứ
cấp MBA là
tsinv
iac
󽝱
1002220=
(V) Tải thuần trở R = 10 Ohm. Nhiệt lượng trung bình
tỏa ra trên tải trong 1 chu kỳ là :

D1T1
ViacVs TAI
a. 19,6KJ b.39,2KJ c.39,2J d.19,6J
25
58. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha nửa chu kỳ dùng diode như như vẽ. Điện áp xoay chiều phía thứ
cấp MBA là
tsinv
iac
󽝱
1002220=
(V) Điện áp ngược lớn nhất mà diode phải chịu là :
D1T1
ViacVs TAI
a. 99 V b.70 V c.220 V d.311 V
59. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha 2 nửa chu kỳ hình tia dùng diode như hình vẽ. Điện áp xoay chiều
phía thứ cấp MBA là
tsinv
iac
󽝱
1002220=
(V). Giá trị điện áp chỉnh lưu trung bình là :
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. 622 V b.198 V c. 220 V d.311 V
60. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha 2 nửa chu kỳ hình tia dùng diode như hình vẽ. Điện áp xoay chiều
phía thứ cấp MBA là

tsinv
iac
󽝱
1002220=
(V) Tải thuần trở R = 200 Ohm. Giá trị dòng
điện chỉnh lưu trung bình là :
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. 1,56 A b.3,11 A c. 0,99 A d.0,5 A
61. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha 2 nửa chu kỳ hình tia dùng diode như hình vẽ. Điện áp xoay chiều
phía thứ cấp MBA là
tsinv
iac
󽝱
1002220=
(V) Tải thuần trở R = 200 Ohm. Giá trị trung
bình dòng điện qua mỗi diode là :
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. 1,56 A b.3,11 A c.0,99 A d.0,5 A
62. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha 2 nửa chu kỳ hình tia dùng diode như hình vẽ. Điện áp xoay chiều
phía thứ cấp MBA là

tsinv
iac
󽝱
1002220=
(V) Tải thuần trở R = 200 Ohm. Giá trị công
suất chỉnh lưu trung bình trên tải là :
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. 309W b.615W c.196W d.273W.