Transistor BJT doc

VỊ TRÍ BÀI GIẢNG
Tên chương Tên bài Tiết phân phối Tổng số tiết
Chương 1. Linh
kiện thụ động
Bài 1. Điện trở 01-05 05
Bài 2. Tụ điện 06-10 05
Bài 3. Cuộn cảm 11-15 05
Chương 2. Linh
kiện bán dẫn
Bài 4. Khái niệm chất bán dẫn 16-19 04
Bài 5. Tiếp giáp P-N và Diode 20-23 04
Bài 6. Transistor lưỡng cực 24-26 03
Bài 7. Transistor UJT 27-29 03
Bài 8. Linh kiện nhiều tiếp giáp 30-32 03
Bài 9. Transistor trường (FET) 33-35 03
Bài 10. Bài tập chương 2 36-39 04
Chuơng 3. Linh
kiện quang điện tử
Bài 11. Quang điện trở 40-41 02
Bài 12. Quang Diode và Diode phát quang 42-43 02
Bài 13. Quang Transistor 44-45 02
HỌC PHẦN: LINH KIỆN ĐIỆN TỬ
MỤC TIÊU BÀI HỌC
Sau khi học xong bài này, người học có khả năng:
1. Về kiến thức:
- Nêu được cấu tạo của BJT, phân biệt được hai loại BJT.
- Trình bày được nguyên lý làm việc của hai loại BJT.
2. Về kỹ năng:
- Phân tích được hoạt động của BJT trong các mạch điện tử.
- Sử dụng được Transistor để thiết kế được các mạch điện tử.
3. Về thái độ:

- Học sinh có thái độ nghiêm túc trong học tập.
- Chú ý lắng nghe lời giảng của giáo viên, ghi chép cẩn thận và chính xác
nội dung bài giảng của giáo viên qua bảng phấn và màn chiếu.
Tại bề mặt tiếp xúc của tiếp giáp P-N có đặc điểm gì?
KIỂM TRA BÀI CŨ
+
-
-
+
-
-
- -
- -
-
-+
++ + +
+-
+
+
-
+
+
Các bước tiến hành phân cực thuận cho Diode?
A
K
KIỂM TRA BÀI CŨ
+
-
-

+
BÁN DẪN P BÁN DẪN N
MIỀN CÁCH ĐIỆN
TRẢ LỜI CÂU HỎI
-
-
- -
- -
-
-+
++ + +
+-
+
+
-
+
+
TRẢ LỜI CÂU HỎI
R
+
-
A K
 Cấp điện áp
(+) vào A và điện
áp (-) vào K
 0,3V (loại Ge)
 0,7V (loại Si)
Âm ly 200W

BÀI 6: TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
TRƯỜNG TRUNG CẤP KỸ THUẬT PHÚ GIÁO

MÔN: LINH KIỆN ĐIỆN TỬ
GIÁO VIÊN GIẢNG DẠY: NGUYỄN THỊ LÊ PHƯƠNG
NỘI DUNG
I. CẤU TẠO CƠ BẢN CỦA TRANSISTOR
LƯỠNG CỰC
II. NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC CỦA TRANSISTOR
LƯỠNG CỰC
 Được cấu tạo trên cùng một mẫu bán dẫn
Germanium hay Silicium.
I. CẤU TẠO CƠ BẢN CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
 BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)
 Là một loại linh kiện điện tử.
 Gồm ba lớp bán dẫn ghép với nhau hình thành
hai mối tiếp giáp P - N
I. CẤU TẠO CƠ BẢN CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
N P N
E
B
C
E
B
C
Transistor NPN
I. CẤU TẠO CƠ BẢN CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
P N P
E
B

C
E
B
C
Transistor PNP
I. CẤU TẠO CƠ BẢN CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
-
C
B
E
Miền Collector pha tạp thấp
Miền Base mỏng và pha tạp
thấp
Miền Emitter pha tạp nhiều
I. CẤU TẠO CƠ BẢN CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
+

+
+
+
+
++
+
+
+
+
+
-
-
+
C
B
E
Miền Collector pha tạp thấp
Miền Base mỏng và pha tạp
thấp
Miền Emitter pha tạp nhiều
E
C
B
E
C
B
N P N
E
B
C

P N P
E
B
C
I. CẤU TẠO CƠ BẢN CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
KÝ HIỆU CỦA HAI LOẠI TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
II. NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
- JE và JC phân cực ngược (ngắt)
 Transistor làm việc ở chế độ khuếch đại
- JE phân cực thuận
- JC phân cực ngược
 Transistor làm việc ở chế độ khóa điện tử
- JE và JC phân cực thuận (dẫn bão hòa)
II. NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
1. Transistor làm việc ở chế độ khuếch đại
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-

-
+
+
+
+
+- +-
-
-
-
Sơ đồ phân cực cho Transistor NPN
JE JC
VBE
VCB
E
B
C
II. NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
1. Transistor làm việc ở chế độ khuếch đại
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-

-
-
-
-
+
+
+
+
+- +-
IE
IB
IC
-
-
-
Sơ đồ phân cực cho Transistor NPN
JE JC
VBE
VCB
E
B
C
II. NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
1. Transistor làm việc ở chế độ khuếch đại
+
+
+
+
+
-

+
-
IE
IB
IC
-
Sơ đồ phân cực cho Transistor PNP
+
+
+++
+
++
+
+
+
+
+
-
-
-
VBE
VCB
E
B
C
II. NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
1. Transistor làm việc ở chế độ khuếch đại
II. NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
1. Transistor làm việc ở chế độ khuếch đại
Qua phân tích trên ta thấy hai dòng điện IB

và IC được tạo ra từ các hạt dẫn đa số trong
miền Emitter hay là do dòng IE tạo ra.
IE = IB + IC
II. NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
1. Transistor làm việc ở chế độ khuếch đại
Để đánh giá mức độ hao hụt các hạt dẫn đa
số của miền Emitter trong miền Base người ta
đưa ra hệ số truyền đạt có ký hiệu là α

α = IC/ IE
Với α có giá trị ≤ 1