Tải bản đầy đủ (.doc) (16 trang)

Thiết kế mạch đo nhiệt độ dùng PT100 hiển thị kết quả trên LED 7 đoạn

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (237.16 KB, 16 trang )

Chương 1. TỔNG QUAN VỀ CÁC BỘ CẢM BIẾN ĐO NHIỆT ĐỘ
1.1. CÁC PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỆT ĐỘ
Tùy theo nhiệt độ đo có thể dùng các phương pháp khác nhau. Thông
thường nhiệt độ đo được chia thành ba dải: Nhiệt độ thấp, nhiệt độ trung bình,
nhiệt độ cao. Ở nhiệt độ trung bình và thấp phương pháp đo là phương pháp tiếp
xúc nghĩa là các cảm biến được đặt trực tiếp ở ngay môi trường cần đo. Đối với
nhiệt độ cao đo bằng phương pháp không tiếp xúc, dụng cụ đặt ở ngoài môi
trường đo.
- Đo nhiệt độ bằng phương pháp tiếp xúc
Phương pháp đo nhiệt độ trong công nghiệp thường là các nhiệt kế tiếp
xúc. Có hai loại là: nhiệt kế nhiệt điện trở và nhiệt kế nhiệt ngẫu. Cấu tạo của
nhiệt kế nhiệt điện trở và cặp nhiệt ngẫu cũng như cách lắp ghép chúng phải
đảm bảo tính chất trao đổi nhiệt tốt giữa chuyển đổi với môi trường đo. Đối với
môi trường khí hoặc nước, chuyển đổi được đặt theo hướng ngược lại với dòng
chảy. Với vật rắn khi đặt nhiệt kế sát vào vật, nhiệt lượng sẽ truyền từ vật sang
chuyển đổi và sẽ gây tổn hao nhiệt, nhất là với vật dẫn nhiệt kém. Do vậy diện
tích tiếp xúc giữa vật đo và nhiệt kế càng lớn càng tốt. Khi đo nhiệt độ của các
chất hạt (cát, đất…), cần phải cắm sâu nhiệt kế vào môi trường cần đo và thường
dùng nhiệt kế nhiệt điện trở có cáp nối ra ngoài.
- Đo nhiệt độ bằng phương pháp không tiếp xúc
Đây là phương pháp dựa trên định luật bức xạ của vật đen tuyệt đối, tức là
vật hấp thụ năng lượng theo mọi hướng với khẳ năng lớn nhất. Bức xạ nhiệt của
mọi vật thể đặc trưng bằng mật độ phổ
λ
E
nghĩa là số năng lượng bức xạ trong
một dơn vị thời gian với một đơn vị diện tích của vật xảy ra trên một đơn vị của
độ dài sóng. Quan hệ giữa mật độ phổ bức xạ của vật đen tuyệt đối với nhiệt độ
và độ dài sóng được biểu diễn bằng công thức :
1)/(25
1


0
)1(
−−
−=
Tc
eCE
λ
λ
λ

1
Trong đó : C
1
, C
2
– hằng số,
λ
- độ dài sóng, T – nhiệt độ tuyệt đối. C
1
=37,03.10
-
17
Jm
2
/s; C
2
=1,432.10
-2
m.độ.
1.2. CÁC LOẠI CẢM BIẾN ĐO NHIỆT ĐỘ

1.2.1. Nhiệt điện trở
Nguyên lý hoạt động của các loại nhiệt điện trở chủ yếu là dựa trên sự
thay đổi giá trị điện trở của các loại vật liệu dẫn điện và bán dẫn khi có sự thay
đổi nhiệt độ của chúng. Chính vì vậy mà người ta sử dụng nhiệt điện trở làm
phần tử cảm biến nhiệt độ; tuy nhiên tùy theo yêu cầu sử dụng mà người ta có
thể dùng nhiệt điện trở kim loại hoặc nhiệt điện trở bán dẫn.
1. Nhiệt điện trở kim loại
Đối với nhiệt điện trở kim loại thì việc chế tạo nó thích hợp hơn cả là sử
dụng các kim loại nguyên chất như: platin, đồng, niken. Để tăng độ nhạy cảm
nên sử dụng các kim loại có hệ số nhiệt điện trở càng lớn càng tốt. Tuy nhiên
tùy thuộc vào khoảng nhiệt độ cần kiểm tra mà ta có thể sử dụng nhiệt điện trở
loại này hay khác. Cụ thể: nhiệt điện trở chế tạo từ dây dẫn bằng đồng thường
làm việc trong khoảng nhiệt độ từ -50
0
÷+150
0
C với hệ số nhiệt điện trở
α=4,27.10
-3
; Nhiệt điện trở từ dây dẫn platin mảnh làm việc trong khoảng nhiệt
độ -190
0
÷ +650
0
C với α=3,968.10
-3








C
0
1
; Nhưng khi làm việc ngắn hạn, cũng
như khi đặt điện trở nhiệt trong chân không hoặc khí trung tính thì nhiệt độ làm
việc lớn nhất của nó có thể còn cao hơn.
Cấu trúc của nhiệt điện trở kim loại bao gồm: dây dẫn mảnh kép đôi quấn
trên khung cách điện tạo thành phần tử nhạy cảm, nó được đặt trong chiếc vỏ
đặc biệt có các cực đưa ra. Giá trị điện trở nhiệt được chế tạo từ 10÷100Ω.
Đối với nhiệt điện trở kim loại thì quan hệ giữa điện trở với nhiệt độ có
dạng sau:
R(
θ
) = R
0
(1+
α
.
θ
+
β
.
θ

2
+
γ

.
θ

3
+ )
2
Trong đó : R
0
-điện trở dây dẫn ứng với nhiệt độ ban đầu 0
0
C.
R
θ
-điện trở dây dẫn ứng với nhiệt độ θ.
θ -nhiệt độ [
0
C]
α,β,γ -các hệ số nhiệt điện trở = const.






C
0
1

Để thấy rõ hơn nữa về bản chất của nhiệt điện trở kim loại, chúng ta có thể
xem qua điện trở suất của nó được tính theo công thức :

−−
=
.e.μn
1
ρ
Trong đó: n
-
-số điện tử tự do trong một đơn vị thể tích.
e -điện tích của điện tử tự do.
µ
-
-tính linh hoạt của điện tử, được đặc trưng bởi tốc độ của nó
trong trường có cường độ 1vôn/cm.
Các kim loại dùng làm điện trở nhiệt thường có điện trở suất nhỏ ρ ≈ 10
-5

÷10
-6
Ω/cm, và có mật độ điện tử lớn (không phụ thuộc vào nhiệt độ). Khi nhiệt
3
Hình1.1. Đặc tính nhiệt (a) và đặc tính vôn_ampe
của nhiệt điện trở kim loại (b).
đồng
platin
R
10Ω
5Ω
0 20 40 60 θ° K
U
I

0
a)
b)
độ tăng ρ phụ thuộc vào sự dao động của mạng tinh thể kim loại, tức là nó được
xác định bởi tính linh hoạt của các điện tử. Như vậy khi có sự thay đổi nhiệt độ
thì cũng làm cho tính linh hoạt của các điện tử thay đổi theo. Tuy nhiên tính linh
hoạt của các điện tử còn phụ thuộc vào mật độ tạp chất trong kim loại. Cụ thể
điện trở suất của kim loại nguyên chất có thể xác định theo dạng: ρ = ρ
0
+ ρ(θ),
trong đó ρ
0
không phụ thuộc vào nhiệt độ; còn ρ(θ) là một hàm phụ thuộc không
cố định: ứng với nhiệt độ trong khoảng nào đó thì nó là tuyến tính ρ(θ) = K.θ,
nhưng ứng với nhiệt độ rất thấp (≈ 0
0
C) thì quan hệ đó là hàm bậc năm của nhiệt
độ. Trên hình 1.1.a biểu diễn mối quan hệ giữa điện trở và nhiệt độ, hình 1.1.b là
dạng đặc tính vôn-ampe của nhiệt điện trở kim loại.
Độ nhạy cảm của nhiệt điện trở được xác định theo biểu thức:

Δθ
Δ
θ
R
d
dR
S
≈=


Trong đó: ∆R -sự thay đổi điện trở khi có sự thay đổi nhiệt độ ∆θ. Việc
sử dụng nhiệt điện trở kim loại để đo nhiệt độ cao rất tin cậy, đảm bảo độ chính
xác cao đến 0,001
0
C và sai số đo không quá 0,5 đến 1%; Tuy nhiên khi đó dòng
tải qua nó có giá trị không lớn lắm. Nếu như có dòng điện lớn luôn chạy qua
nhiệt điện trở, thì sự quá nhiệt của nó sẽ lớn hơn rất nhiều so với môi trường
xung quanh. Khi đó độ quá nhiệt xác lập sẽ được xác định bởi điều kiện truyền
nhiệt trên bề mặt của nhiệt điện trở (tốc độ chuyển động của môi trường cần
kiểm tra so với nhiệt điện trở, và tỷ trọng của môi trường đó). Hiện tượng này
được sử dụng để đo tốc độ thông lượng (dòng chảy) của chất lỏng và khí, cũng
như để đo tỷ trọng của khí Bên cạnh ưu điểm trên thì bản thân nhiệt điện trở
kim loại có những nhược điểm sau:
Thứ nhất nó là khâu phi chu kỳ được mô tả bằng phương trình vi phân bậc
nhất đơn giản
(TP+1)R(t) = K
θ
(t)
4
Trong đó hằng số thời gian T của nó có giá trị từ vài giây đến vài trăm
giây. K chính là độ nhạy S.
Thứ hai rất cơ bản đó là kích thước của nhiệt điện trở kim loại lớn nên
hạn chế việc sử dụng nó để đo nhiệt độ ở nơi hẹp.
2. Nhiệt điện trở bán dẫn
Nhiệt điện trở được chế tạo từ vật liệu bán dẫn được gọi là termistor;
Chúng được sử dụng rộng rãi trong các hệ thống tự động kiểm tra và điều khiển.
Termistor được chế tạo từ hợp kim của đồng - măng gan hoặc cô ban - măng gan
dưới dạng thỏi, đĩa tròn hoặc hình cầu. Loại này hoàn toàn trái ngược với nhiệt
điện trở kim loại: khi nhiệt độ tăng thì điện trở của nó lại giảm theo quy luật:
R(

θ
) = R
0
.e
-
αθ
= R
0
(1-
αθ
+
2
2
θ
2
α
- ) (1.7)
Trong đó hệ số nhiệt điện trở của termistor thường có giá trị
α
= (0,03
÷
0,06).









C
0
1
Điện trở suất của termistor được tính theo công thức:
ρ
= A.e
B/
θ
Trong đó: A -hằng số phụ thuộc kích thước của termistor
B -hằng số phụ thuộc tạp chất trong chất bán dẫn
Cũng như
điện trở nhiệt
kim loại,
termistor cũng có
hai đặc tính: Đặc
tính nhiệt là quan
hệ giữa điện trở
của termistor với nhiệt độ (hình 1.2.a) và đặc tính vôn - ampe là quan hệ giữa
5
U
θ
03
> θ
02
> θ
01

θ
01



θ
02

θ
03
0 I
R [Ω]
1200
1000
800
600
400
200
0 20 40 60 80 100 θ°C
b)a)
Hình 1.2. Đặc tính nhiệt (a) và đặc tính vôn - ampe (b)
của nhiệt điện trở bán dẫn.
điện áp đặt trên termistor với dòng điện chạy qua nó ứng với nhiệt độ nào đó θ
0

(hình 1.2.b). Chúng ta thấy rằng đặc tính vôn - ampe của termistor có giá trị cực
đại của U ứng với I
1
nào đó, là do khi tăng dòng lớn hơn I
1
thì nó sẽ nung nóng
termistor và làm cho giá trị điện trở của nó giảm xuống.
Các loại termistor thường được chế tạo
từ vài chục Ω đến vài chục KΩ. Termistor

có điện trở lớn cho phép đặt nó ở vị trí cần
kiểm tra khá xa so với nơi bố trí hệ thống đo
lường. Chúng có thể làm việc trong khoảng
nhiệt độ từ –60
0
C đến +180
0
C, và cho phép
đo nhiệt độ với độ chính xác 0,0005
0
C. Để
sử dụng termistor ở nhiệt độ lớn hơn, hoặc
nhỏ hơn khoảng nhiệt độ làm việc bình
thường thì người ta phải sử dụng đến các tổ
hợp chất bán dẫn khác. So với điện trở nhiệt kim loại thì termistor có kích thước
và trọng lượng nhỏ hơn, do đó cho phép chúng ta đặt nó ở những nơi chật hẹp để
kiểm tra nhiệt độ của đối tượng nào đó.
1.2.2. Cảm biến cặp nhiệt ngẫu
Bộ cảm biến cặp nhiệt ngẫu là một mạch có từ hai hay nhiều thanh dẫn
điện gồm hai dây dẫn A và
B. Chỗ nối giữa hai thanh
kim loại này được hàn với
nhau. Nếu nhiệt độ các mối
hàn t và t
0
khác nhau thì
trong mạch khép kín có một
dòng điện chạy qua. Chiều
của dòng nhiệt điện này
phụ thuộc vào nhiệt độ

tuơng ứng của mối hàn, nghĩa là t > t
0
thì dòng điện chạy theo hướng ngược lại.
6
+

E
_
R
1
R
2
R
3
U
R
R
T
U
I
R
θ

θV
Hình 1.3. Sơ đồ cầu điện trở đo nhiệt
độ
A B
2
1
t

t
0
A
B
C
t
0
t
0
1
2 3
Hình 1.4. a) Sơ đồ cặp nhiệt ngẫu, b) Sơ đồ nối cặp nhiệt ngẫu
Nếu để hở một đầu thì giữa hai cực xuất hiện một sức điện động (sđđ) nhiệt.
Như vậy bằng cách đo sđđ ta có thể tìm được nhiệt độ t của đối tượng đo với t
0
=
const.
Cách đấu dụng cụ đo vào mạch bộ biến đổi nhiệt điện trên hình 1.4b.
1.2.3. Cảm biến quang đo nhiệt độ
Tất cả các vật thể có nhiệt độ lớn hơn nhiệt độ tuyệt đối đều phát ra các
bức xạ nhiệt. Dụng cụ đo nhiệt độ vật thể bằng bức xạ nhiệt được gọi là hoả kế
bức xạ hay một cách đơn giản là hoả kế.
Bức xạ nhiệt là các bức xạ điện từ tạo ra các chất do nội năng của chúng
(với bức xạ huỳnh quang do kích thích của nguồn ngoài). Ta nhận thấy rằng
cường độ bức xạ nhiệt giảm mạnh khi nhiệt độ của vật giảm.
Hoả kế được dùng chủ yếu để đo nhiệt độ từ 300 - 6000
0
C và cao hơn.
Để đo nhiệt độ đến 3000
0

C phương pháp duy nhất là dùng hoả kế vì nó không
phải tiếp xúc với môi trường đo. Ta nhận thấy với phương pháp đo không tiếp
xúc có tính ưu việt là không làm sai lệch nhiệt của đối tượng đo.
Ngoài ra để đo nhiệt độ người ta còn dùng: Nhiệt kế áp suất, nhiệt kế áp
suất khí, nhiệt kế áp suất chất lỏng
7
Chương 2. NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MODUL XỬ LÝ TÍN HIỆU VÀ ĐO
NHIỆT ĐỘ
2.1. MẠCH ĐO NHIỆT ĐỘ
Bao gồm:
2.1.1. Khối nguồn cấp
2.1.2. Khối nguồn dòng
Cảm biến nhiệt độ PT100 là cảm biến nhiệt độ dạng điện trở. Khi nhiệt độ
thay đổi, giá trị điện trở của PT100 sẽ thay đổi theo. nếu cấp cho PT100 một giá
trị dòng điện không đổi thì giá trị điện áp trên cảm biến sẽ được tính theo định
luật:
U

= R . I
U : Là giá trị điện áp trên hai đầu cảm biến
R : Điện trở của cảm biến tại T
0
C.
2.1.3. Khối ADC
Các bộ chuyển đổi ADC thuộc những thiết bị được sử dụng rộng rãi nhất để thu
dữ liệu. Các máy tính số sử dụng các giá trị nhị phân, nhưng trong thế giới vật lý
thì mọi đại lượng ở dạng tương tự (liên tục). Nhiệt độ, áp suất (khí hoặc chất
lỏng), độ ẩm và vận tốc và một số ít những đại lượng vật lý của thế giới thực mà
ta gặp hằng ngày. Một đại lượng vật lý được chuyển về dòng điện hoặc điện áp
qua một thiết bị được gọi là các bộ biến đổi. Các bộ biến đổi cũng có thể coi như

các bộ cảm biến. Mặc dù chỉ có các bộ cảm biến nhiệt, tốc độ, áp suất, ánh sáng
và nhiều đại lượng tự nhiên khác nhưng chúng đều cho ra các tín hiệu dạng dòng
điện hoặc điên áp ở dạng liên tục. Do vậy, ta cần một bộ chuyển đổi tương tự số
sao cho bộ vi điều khiển có thể đọc được chúng. Một chip ADC được sử dụng
rộng rãi là ADC0804.
2.1.4. Khối khuếch đại
Vì tín hiệu điện áp ra có biên độ nhỏ, do vậy ta cần có bộ khuếch đại
8
2.1.5. Khối hiển thị
Trong mạch sử dụng khối hiển bằng led 7 đoạn.
-Bộ phận hiển thò gồm 4 LED 7 đoạn anod chung. Vì các vi xử lí xử lí
các dữ liệu là số nhò phân (1,0 ) nên cần có sự giãi mã từ số nhò phân sang số
thập phân. Sự giải mã có thể dùng giải mã bằng phần cứng (IC giải mã). Tuy
nhiên với phần mềm quét LED người ta có thể giảm bớt được các IC giải mã
giảm giá thành của mạch điện. Nhưng để kết nối với mạch hiển thò phải cần
có IC giao tiếp vào ra vì các port của 8051 đã dùng cho mục đích khác. 8255
là IC giao tiếp vào ra song song thông dụng và có thể điều khiển được bằng
phần mềm nên em sử dụng 8255 để giao tiếp với các thiết bò ngoại vi (phần
hiển thò…). Vì dòng ra các port của 8255 rất nhỏ (lớn nhất là port A khoảng
5mA) nên cần có IC đệm dòng để nâng dòng lên đủ kéo cho LED sáng. Em
chọn IC đệm 74245. Khi đưa dữ liệu ra để hiển thò tất cả các LED đều nhận
nhưng tại một thời điểm chỉ cho phép một LED được nhận dữ liệu nên phải
có mạch giải mã để chọn LED.
2.2. SƠ ĐỒ NGUN LÝ
2.2.1. Khối nguồn cấp
+5V
-5V
78L05
in
1

gnd
2
out
3
BT1
C10
+
D1
1
3
2
4
- +
C6
+
R16
D2
C8
AC12V
1
2
BT3
Q5
D468
C9
+
C11
+
F1 FUSE
C7

+
R17
D3
BT2
R18
7660
NC
1
C+
2
GND
3
C-
4
OUT
5
LV
6
OSC
7
V+
8
Hình 2.4. Nguồn cấp cho mạch.
9
2.2.2. Mạch nguồn dòng
+5V
2
1
PT100-1
A1015

Q5
A1015
Q6
R25
R26
Hình 2.5. Mạch tạo nguồn dòng.
2.2.3. Mạch khuếch đại
-5V
-5V
+
-
48
1
2
3
4558/SO
R29
R22
R23
Hình 2.6. Mạch khuếch đại không đảo.
10
Hình 2.7. Sơ đồ nguyên lý mạch đo.
11
BUZZ
BUZZ
C1-
-5V
+5V
-5V+5V
C2-

VCC
ch2
TXD
TXD
VCC
c/f
bat
led
bat
ch2
ca2
CA4
CA1
c/f
led
ch1
ca3
TXD-S
CA3
TXD-S
CA2
ca4
ch1 ca1
GND
RESET
+5V
+5V
+5V
+5V
+5V

-5V
+5V
+5V
-5V
RXD-PC
TXD-PC
V+
V-
V+
V-
GND
VCC
TXD-PC
C1+
C2-
C1-
C1+
C2+
RXD
RXD-PC
C2+
GND
CHAN2
CHAN1
VCC
GND
GND
CHAN1
CHAN2
MOSI

RESET
RXD
RESET
X1
X2
X1
X2
SCK
MOSI
GND
MISO
GND
SW1
SW2
SW3
SW4
VCC
SW1
SW2
SW3
SW4
VREF
R27
C/F
Q5
A1015
D5
PT100-1
1
2

78L05
in
1
gnd
2
out
3
4558/SO
3
2
1
8 4
-
+
R28
A1
f
d
c
dot
g
a
e
b
A3
A2
A4
A4
A3
d

e
A2
A1
f
c
a
g
b
VCC
VREF
VCC
SCK
MISO
BT1
R20
ATMEGA8 MASTER
RESET
1
PD0/RXD
2
PD1/TXD
3
PD2
4
PD3
5
PD4
6
VCC
7

DGND
8
PB6/X1
9
PB7/X2
10
PD5
11
PD6
12
PD7
13
PB0
14
PB1
15
PB2
16
PB3/MOSI
17
PB4/MISO
18
PB5/SCK
19
AVCC
20
AVREF
21
GND
22

PC0/ADC0
23
PC1/ADC1
24
PC2/ADC2
25
PC3
26
PC4/SDA
27
PC5/SCL
28
R11
R8
Q4
A1015
C2
+
R4
C10
+
C14
+
D1
1
3
2
4
- +
Q7

A1015
R26
Q3
A1015
R5
R25
R1
R6
R21
R22
C6
+
Q6
A1015
C13
+
R16
D2
R29
HOLD
L1
C8
Q8
A1015
PT100-2
1
2
MAX232
C1+
1

C1-
3
C2+
4
C2-
5
V+
2
V-
6
R1OUT
12
R2OUT
9
T1IN
11
T2IN
10
R1IN
13
R2IN
8
T1OUT
14
T2OUT
7
R8
C4
AC12V
1

2
R23
C12
+
BUZZ
+
1
-
2
C5
R10
R7
R7
BT3
Q5
D468
C9
+
C11
+
D8
F1 FUSE
C7
+
4MHZ
R1
4558/SO
5
6
7

8 4
-
+
A4
1
A3
2
d
3
no
4
e
5
A2
6
dot
7
A1
8
no1
9
no2
10
f
11
no3
12
c
13
a

14
g
15
b
16
Q2
A1015
R17
ISP
1
2
3
4
5
6
D3
D7
R2
R6
BT2
R9
ATMEGA8 SLAVE
RESET
1
PD0/RxD
2
PD1/TxD
3
PD2
4

PD3
5
PD4
6
VCC
7
DGND
8
PB6/X1
9
PB7/X2
10
PD5
11
PD6
12
PD7
13
PB0
14
PB1
15
PB2
16
PB3/MOSI
17
PB4/MISO
18
PB5/SCK
19

AVCC
20
AVREF
21
GND
22
PC0
23
PC1
24
PC2
25
PC3
26
PC4/SDA
27
PC5/SCL
28
R12
PC
RS232
5
9
4
8
3
7
2
6
1

R24
R26
MENU
R18
R3
R15
1
2
3
4
8
7
6
5
7660
NC
1
C+
2
GND
3
C-
4
OUT
5
LV
6
OSC
7
V+

8
C3
Q1
A1015
R13
D4
R19
R9
C15
+
CH
D6
Chương 3. CHƯƠNG TRÌNH ĐIỀU KHIỂN VÀ GIÁM SÁT
3.1. THUẬT TOÁN CHO CHƯƠNG TRÌNH ĐIỀU KHIỂN
Code chương trình
#include <mega8.h>
// Standard Input/Output functions
#include <stdio.h>
#define FIRST_ADC_INPUT 3
#define LAST_ADC_INPUT 5
unsigned int adc_data[LAST_ADC_INPUT-FIRST_ADC_INPUT+1];
#define ADC_VREF_TYPE 0x00
// ADC interrupt service routine
// with auto input scanning
interrupt [ADC_INT] void adc_isr(void)
{
register static unsigned char input_index=0;
// Read the AD conversion result
adc_data[input_index]=ADCW;
// Select next ADC input

if (++input_index > (LAST_ADC_INPUT-FIRST_ADC_INPUT))
input_index=0;
ADMUX=(FIRST_ADC_INPUT|ADC_VREF_TYPE)+input_index;
// Start the AD conversion
ADCSRA|=0x40;
}
//
//unsigned int bit ok_hold=1,ok_cf=1,ok_ch=1;
bit ch1=1,ch2=0;//xac dinh cac kenh dau vao
bit test_ok=0;
//***********************************************
void buzz()
{
unsigned int dem=0;
for (dem=0;dem<60;dem++)
{
PORTC.0=PORTC.0^0x01;
delay_ms(1);
}
}
12
//***********************************************
void test_channel()
{
unsigned int kenh=0;
kenh=adc_data[1] ; //kiem tra kenh 1
if (kenh>860)
ch1=1;
else
ch1=0;

ch2=1;
else
ch2=0;
if ((ch1==1)&&(ch2==1))
{
buzz();
delay_ms(500);
buzz();
test_ok=0;
}
else
test_ok=1;
}
{
#asm("sei")
i=0x10;
delay_ms(200); //
while(test_ok==0)
{
test_channel();
}
test_ok=0;
while (1)
{
{
if (ch1==0)
{
RT=adc_data[1];
ad=RT/2-245 ;
tg=ad;// }

else
if(ch2==0)
13
{
RT=adc_data[2];
ad=RT/2-245 ;
tg=ad;//
}

}
if (ok_cf==0)
{
ad=tg;
ad=ad*1.8+32;
d1=0;
// putchar(0x60);
}
else
{

d1=1;

}
d4=ad/100;
d3=(ad-d4*100)/10;
d2=(ad-d4*100-d3*10);
k_hold=PIND.7;
if (k_hold==0)
{
while(k_hold==0)

{
k_hold=PIND.7; //
}
buzz();

}
k_cf=PIND.6; //
//ok_cf=1 >F
if (k_cf==0)
{
while (k_cf==0)
{
k_cf=PIND.6;
}

}
14
k_ch=PIND.5;
if (k_ch==0)
{
while(k_ch==0)
{
k_ch=PIND.5;
}
buzz();
ch1=ch1^1;
ch2=ch2^1;

if (i>200)
{

bat=adc_data[0];
if (bat<1000)
power=power^1;

i=0;
}
};
}
15
KẾT LUẬN
Đề tài đã đạt được một số vấn đề sau:
- Nghiên cứu các loại cảm biến đo nhiệt độ.
- thiết kế mạch đo nhiệt độ dùng PT 100
- Hiển thị kết quả đo trên LED
16

×