BÀI TẬP LỚN TIN HỌC KỸ THUẬTTHIẾT KẾ MẠCH ĐIỆN TRÊN ORCAD

BỘ GIÁO DỤC & ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC GIAO THÔNG VẬN TẢI
=== \(^.^)/ ===
BÀI TẬP LỚN TIN HỌC KỸ THUẬT
THIẾT KẾ MẠCH ĐIỆN TRÊN ORCAD
ĐỀ 026
(Digital Clock with MM5314N)
Sinh viên thực hiện : Ngô Tuấn Anh
Mã sinh viên : 1100303
Lớp : Trang bị điện-điện tử trong CN & GTVT K52
Giáo viên hướng dẫn: Trần Văn Hưng
1
I – SƠ LƯỢC VỀ CÁC LINH KIỆN TRONG MẠCH
1-Led 7 vạch ( 7SEG ) : TDSO5150
• Các tính năng chính :
- Đồng thắp sáng phân đoạn.
- Untinted phân đoạn.
- Cường độ sáng được phân đoạn.
- Góc nhìn rộng.
- Thích hợp cho dòng DC cao.
- Tương thích với RoHS Chỉ thị 2002/95/EC và theo WEEE 2002/96/EC.
• Các thông số :
- Màu : đỏ vàng.
- Cường độ sáng tại 10 mA : I
V
> 700 µcd
I
V
= 5000 µcd (typ.)
- Điện áp đảo ngược cho mỗi phân đoạn hoặc DP : V
R

= 6V
- Dòng điện tức thời cho mỗi phân đoạn hoặc DP : I
F
= 25 mA
- Surge forward current per segment or DP : I
FSM
= 0.15 A
- Điện áp chịu đựng ( T
amb
≤ 45
o
C ): P
V
= 550 mW
- Nhiệt độ mối nối : T
j
= 100
o
C
- Nhiệt độ hoạt động : T
amb
= -40 ÷ 85
o
C
- Nhiệt độ bảo quản : T
stg
= -40 ÷ 85
o
C
- Nhiệt độ hàn ( t ≤ 3s ) : T

sd
= 260
o
C
• Đặc điểm quang và điện :
Điều kiện thử nghiệm : I
F
=10mA
- Cường độ sáng cho mỗi phân đoạn : I
V(min)
=700 µcd
I
V(typ.)
= 5000 µcd
- Bước sóng chi phối : λ
d
= 612 ÷ 625 nm
- Bước sóng đỉnh : λ
p
= 630 nm
- Góc của cường độ 1/2: φ = ± 50
o
- Điện áp chuyển tiếp cho mỗi phân đoạn hoặc DP : V
F
= 2÷3 V
- Điện áp đảo ngược cho mỗi phân đoạn hoặc DP ( I
R
= 10 µA) :
V
R

= 6 ÷ 15 V
2- IC MM5314N
• Tính năng:
2
- Tần số hoạt động : 50 hoặc 60 Hz
- Định dạng hiển thị : 12h hoặc 24h
- Số 0 hàng đầu để trống ( định dạng 12h)
- Đầu ra 7 phân khúc
- Cung cấp đơn điện
- Thiết lập kiểm soát nhanh và chậm
- Đa dao động nội bộ
• Thông số :
- Điện áp tại chân: V
SS
+0.3 đến V
SS
– 20 V
- Nhiệt độ hoạt động : -25 ÷ 70
o
C
- Nhiệt độ lưu trữ : -65 ÷ 150
o
C
Thông số Điều kiện min typ max Đơn vị
Điện áp cung cấp V
SS
( V
DD
=0) 11 19 V
Điện áp cung cấp hiện hành V

SS
=14V 10 mA
50/60 Hz Tần số đầu vào dc 50/60 60k Hz
50/60 Hz Điện áp đầu vào
Logical High Level V
SS
-1 V
SS
V
SS
V
Logical Low Level V
DD
V
DD
V
SS
-10 V
Tần số Multiplex Xác định bên ngoài R
& C
0.1 1 60 kHz
Tất cả đầu vào logic Điều khiển bên ngoài
thời gian cơ bản
dc 60 kHz
Logical High Level Internal depletion
device to V
SS
V
SS
-1 V

SS
V
SS
V
Logical Low Level V
DD
V
DD
V
SS
-10 V
BCD & 7SEG Outputs
Logical High Level Loaded 2 kΩ to V
DD
2.0 20 mA source
Logical Low Level 0.01 mA source
Đầu ra kỹ thuật số
Logical High Level 0.3 mA source
Logical Low Level Loaded 100Ω to V
SS
5.0 25 mA sink
3-Transistor 2N1069
- Loại : NPN
3
- +
D 7
B R I D G E
1
4
3

2
N O I 0 2
R 1 4
2
1
Q 2 2
2 N 1 0 6 9
R 2
2
1
J P 1
H E A D E R 2
1
2
N O I 0 3
R 8
2 1
Q 6
2 N 1 0 6 9
N O I 0 4
C 5
S W 9
S W K E Y - S P D T
R 1 0
2
1
N O I 0 5
C 3 S W 6
S W P U S H B U T T O N
Q 7

2 N 1 0 6 9
R 2 5
2
1
U 9
7 S E G
1
2
4
5
6
7
8
9
1 0
1 1
D 0
D 1
D 3
A
B
C
D
E
F
G
N O I 0 6
R 6
2 1
S W 8

S W K E Y - S P D T
U 1 6
M M 5 3 1 4 N
1
2
3
4
5
6
7
8
1 0
9
1 1
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
1 7
1 8
1 9
2 0
2 1
2 2
2 32 4
R 2 3
2
1
Q 8

2 N 1 0 6 9
M A I N P O W E R
C 4
Q 2 4
2 N 1 0 6 9
R 1 3
2
1
C 1
D 8
1 2 0 N Q 0 4 5
12
R 1 9
2
1
2 2 0 V a c 5 0 H z
S W 4
S W P U S H B U T T O N
U 5
7 S E G
1
2
4
5
6
7
8
9
1 0
1 1

D 0
D 1
D 3
A
B
C
D
E
F
G
D 1 1
D 1 D L 4 1 A
Q 9
2 N 1 0 6 9
R 3
2
1
Q 2 3
2 N 1 0 6 9
1 1 0 V a c 6 0 H z
R 1 5
2
1
Q 2 5
2 N 1 0 6 9
R 1 2
2
1
U 6
7 S E G

1
2
4
5
6
7
8
9
1 0
1 1
D 0
D 1
D 3
A
B
C
D
E
F
G
R 7
2 1
Q 1 0
2 N 1 0 6 9
N O I 0 1
U 1 0
7 S E G
1
2
4

5
6
7
8
9
1 0
1 1
D 0
D 1
D 3
A
B
C
D
E
F
G
Q 2 1
2 N 1 0 6 9
S W 5
S W P U S H B U T T O N
R 5
2 1
N O I 0 1
R 1
2
1
R 9
2 1
Q 1 1

2 N 1 0 6 9
R 1 1
2
1
R 2 2
2
1
N O I 0 2
U 8
7 S E G
1
2
4
5
6
7
8
9
1 0
1 1
D 0
D 1
D 3
A
B
C
D
E
F
G

S W 7
S W K E Y - S P D T
N O I 0 3
Q 2 7
2 N 1 0 6 9
D 1 2
D 1 D L 4 1 A
R 2 1
2
1
R 2 4
2
1
U 7
7 S E G
1
2
4
5
6
7
8
9
1 0
1 1
D 0
D 1
D 3
A
B

C
D
E
F
G
N O I 0 4
R 2 6
2
1
C 2
R 1 8
2
1
Q 2 6
2 N 1 0 6 9
N O I 0 5
R 1 7
2
1
L 1
C M T 9 0 8
1
4
2
3
R 1 6
2
1
N O I 0 6
R 4

2 1
R 2 0
2
1
- P
D
= 50 W ( T
C
= 25
o
C )
- Maximum Ratings:
I
C
= 4 A
BV
CBO
= 60 V
BV
CE
= 45 V
BV
EBO
= 9 V
- Đặc điểm về điện:
H
fe
( min) =10
I
C

= 1.5 A
V
CE
= 4 V
f= 1.2 MHz
4- Các linh kiện còn lại
- Biến áp : CMT908
- Bộ cầu diode : BRIDGE
- Khóa : SW KEY-SPDT & SW
PUSHBUTTON
- Diode, Điện trở, Tụ điện.




II-SƠ ĐỒ NGUYÊN LÝ
4
III- MẠCH IN
1-
1-
1-
1-
1-
1-
1-
1-
1-
1-
1-
1-

MẶT TRÊN ( TOP )
2- MẶT DƯỚI ( BOTTOM )
5
IV- MẠCH PHỦ MASS
1- MẶT TRÊN
2- MẶT DƯỚI
6