1
KHOA CÔNG NGH THÔNG TIN
MÔN: N T - VIN THÔNG
THS. V CHIN THNG
THUT VI N T
P BÀI GING
(Lu hành ni b)
THÁI NGUYÊN 9/2010
2
C LC
C LC 1
Chng 1: C S VT LÝ 4
1.1. Cu trúc tinh th 4
1.2. Cu trúc vùng nng lng 6
1.3. Bán dn tinh khit 7
1.4. Bán dn loi P 8
1.5. Bán dn loi N 9
1.6. linh ng, dn 11
Chng 2: CU TRÚC MCH VI N T 13
2.1. Chuyn tip PN 13
2.2. Công ngh lng cc 15
2.2.1. Cách n bng chuyn tip PN 15
2.2.2. Cách n bng Oxide 16
2.2.3. Transistor lng cc 17
2.2.4. Diode, n tr và tn 21
2.3. Côn g n gh CMO S 24
2.3.1. Mu 24
2.3.2. Quá trình ch to 26
2.3.3 . C h to gin g 27
2.3.4 . n cc cng 28
Chng 3: CÔNG NGH CH TO MCH VI N T 30
3.1. Ch to phin bán dn 30
3.1.1. Quy trình ch to phin bán dn silic 30
3.1.2. Ch to Silic a tinh th 31
3.1.3. Ch to Silic n tinh th 32
3.1.4. Ch to phin bán dn 37
3.1.5. Phòng sch 37
3.2. Oxy hóa 49
3.2.1.Gii thiu công ngh Oxy hoá 49
3.2.2.Oxy hóa nhit 49
3.3. Quang khc 53
3.3.1. Khái nim 53
3.3.3. Các khái nim c bn 54
3.3.4. Các giai n ca quá trình quang khc 56
3.4. n mòn 60
3.4.1 . n m òn t 61
3.4.2 . n m òn khô 66
3.5. Khuch tán 68
3.6. Cy ion 69
3.6.1. Mu 69
3.6.2. Thit b cy ion 71
3.6.3. Mt n dùng cho cy ion 72
3.6.4. nhit 72
3.7. Epitaxy 72
3
3.7.1. Mu 72
3.7.2. Làm sch phin và ty lp Oxit t nhiên 73
3.7.2. Nhit ng hc quá trình Epitaxy pha hi 73
3.7.3. Pha tp 75
3.7.4. Khuyt tt trong lp Epitaxy 75
3.7.5. Epitaxy GaAs 76
3.7.6. Epitaxy chùm phân t 77
3.8. Các phng pháp to màng mng: Bay hi, phún x 81
3.8.1. Mu 81
3.8.2. Bay hi trong chân không 82
3.8.3. Phún x 91
3.9. Kt ta hóa hc pha hi CVD 96
3.9.1. Mu 96
3.9.2. H CVD n gin ch to màng Si 96
3.9.3. Ch to màng n môi bng CVD áp sut khí quyn 97
3.9.4. Ch to màng n môi và bán dn bng CVD áp sut thp 98
3.9.6. Ch to màng kim loi bng CVD 99
Chng 4: MT S H VI MCH C BN 101
4.1. Phân loi vi mch 101
4.1.1 . Th eo ch c n n g 101
4.1.2. Theo công ngh ch to 101
4.1.3. Theo linh kin c bn 101
4.1.4. Theo mc t hp 101
4.2. Các h vi mch s 101
4.2.1. Tng quan 101
4.2.2. Các c trng ca các vi mch s 102
4.2.3. H RTL (Resistor-Transistor Logic) 103
4.2.4. H DTL (Diode-Transistor Logic) 104
4.2.5. H TTL (Transistor-Transistor Logic) 104
4.2.6. H CMOS 106
4.2.7 . Mt s c n g 106
TÀ I LIU THA M KHO 108
4
Chng 1: C S VT LÝ
1.1. Cu trúc tinh th
Trong tinh th, các nguyên t sp xp theo mt trt t tun hoàn. Cu
trúc tinh th nh nht c lp li mang y thông tin ca mt tinh th gi
là ô mng c s.
a. Ô lp phng n gin
Bao gm 8 nguyên t 8 nh.
Hình 1.1. Ô lp phng n gin.
b. Ô lp phng tâm khi
Bao gm 8 nguyên t 8 nh và 1 nguyên t tâm hình lp phng.
Hình 1.2. Ô lp phng tâm khi.
c. Ô lp phng tâm mt
Bao gm 8 nguyên t 8 nh và 6 nguyên t tâm 6 mt.
5
Hình 1.3. Ô lp phng tâm mt
d. Ô lp phng cu trúc kim cng
Hình 1.4. Ô lp phng cu trúc kim cng
Hình 1.5. Ô mng c s Si
t phng tinh th: S dng h s Miller xác nh nh hình 1.6.
6
Hình 1.6. H s Miller xác nh mt phng tinh th
1.2. Cu trúc vùng nng lng
Vùng nng lng mi vt rn là khác nhau, rng và v trí ca tng
vùng nng lng ph thuc vào loi vt rn khác nhau. Tùy theo tình trng
các mc nng lng có bn t chim ch hay không, ngi ta chia ra làm 3
vùng là: Vùng dn, vùng cm, và vùng hóa tr.
Hình 1.7. Gin vùng nng lng ca Kim loi, cht bán dn
và cht n môi
Vùng dn: Có th gi là vùng dn n, tc là nhng n t nào nm trong
vùng này gi là nhng n t t do. ó các mc nng lng cha c
chim ch hoc b chim ch 1 phn.
Vùng hóa tr: Cha nhng n t hóa tr ca nguyên t, có mc nng lng
thp nht.
Vùng cm: Là vùng nm gia vùng dn và vùng hóa tr. Trong vùng này,
không tn ti mc nng lng mà n t có th chim ch.
Trong tng vùng nng lng, các mc nng lng có th b chim y
hoàn toàn, mt phn hoc b trng hoàn toàn.
7
t n t mun tham gia vào thành phn dòng n phi tr thành
n t t do, ngha là nó phi có nng lng nhy t vùng hóa tr, vt
qua vùng cm lên vùng dn. Bi vy, rng ca vùng cm là tiêu chun
phân bit vt rn là vt liu dn n, bán dn, hay cách n. Nh vy,
ng ca vùng cm càng ln thì dn càng kém, chiu rng ca vùng cm s
xác nh nng lng cn thit n t bt khi các liên kt hóa hc tham
gia vào quá trình ti n. n gin, kí hiu áy vùng dn là E
c
, nh ca
vùng hóa tr kí hiu là E
v
. Khong cách gia E
c
và E
v
là vùng cm ∆E
g.
1.3. Bán dn tinh khit
Khi các n t hóa tr nhn c các nng lng t bên ngoài (nhit
, ánh sáng) ln, có th thoát c lc liên kt tr thành n t t do
(nhy lên vùng dn) tham gia vào thành phn dòng n. Khi y trong vùng
hoá tr do thiu ht n t nên xut hin mc nng lng b trng. u ó
a ti s dn n trong vùng hoá tr. Nhng m thiu ht n t trong
vùng hoá tr có th xem nh là ti y tn ti n tích dng còn gi là l
trng. Khác vi ion, các l trng có th di chuyn trong vt rn là do n t
bên cnh lp y l trng ó và nó li li mt l trng và l trng này di
chuyn mt cách t do theo hng ngc vi hng ca n t. u ó có
ngha là vic t mt liên kt ng hoá tr làm cho mt n t chuyn di t
vùng hoá tr lên vùng dn.
Quá trình trên c gi là quá trình phát x cp n t - l trng. Nh
y trong bán dn sch, các ht dn c to ra ch yu bi quá trình hình
thành (phát sinh) cp n t l trng. Trong ó, n t trong vùng dn, l
trng trong vùng hóa tr.
Ngc li vi quá trình phát sinh cp n t - l trng là quá trình tái
p n t và l trng, tc là quá trình xây dng li mt liên kt nhn t
do ri t vùng dn xung vùng hóa tr (s phát x nng lng).
8
Hình 1.8. Quá trình phát sinh và tái hp n t, l trng.
trng thái cân bng nhit ng, sn t phát sinh úng bng sn
tái hp. Bán dn nh vy c gi là bán dn ròng (bán dn tinh khit).
1.4. Bán dn loi P
Pha tp Silic vi các nguyên t hóa tr 3 nh Al, thì mi nguyên t tp
cht hóa tr 3 thay th v trí nguyên t bán dn tinh khit gc và to ra liên
t ng hóa tr vi 3 nguyên t láng ging gn nhau nht, còn liên kt th 4
không hoàn ho và vì vy làm xut hin 1 l trng. Do vy, ch cn 1 nng
ng rt nh cng cho phép mt n t ca liên kt ng hóa tr gn ó n
chim l trng và làm t các liên kt khác. Các nguyên t tp cht hóa tr 3
này có xu hng bt n t ca vùng hóa tr làm tng l trng trong bán dn
nên ngi ta gi là tp cht aceptor, còn bán dn có tp cht loi này gi là
bán dn loi P.
9
Hình 1.9. Tp cht aceptor trong n tinh th Si
Hình 1.10. Gin mc nng lng aceptor
c nng lng aceptor E
a
nm gn nh vùng hóa tr, bi vy ch cn
t nng lng nh (nng lng ion hóa) cng có th làm cho n t nhy t
vùng hóa tr lên các mc aceptor làm cho nguyên t tp cht ion hóa tr thành
ion âm, ng thi làm xut hin các l trng trong vùng hóa tr.
1.5. Bán dn loi N
Nguyên t Si: Mi nguyên t có bn n t hoá tr gp chung vi bn
nguyên t bên cnh to thành mi liên kt ng hoá tr.
Pha tp Si vi các nguyên t thuc nhóm V, chng hn nh pht pho
thì các nguyên t tp cht s liên kt ng hóa tr vi 4 nguyên t Si láng
ging gn nht. Nh vy còn tha ra 1 n t hóa tr s có liên kt yu vi
10
nguyên t láng ging xung quanh và cng liên kt yu vi nguyên t ca
chính nó. Nên ch cn 1 nng lng nh cng gii phóng nó khi nguyên t
a nó tr thành n t t do.
p cht hóa tr 5 này c gi là tp cht ôno, có ngha là tp cht
n t t do. Còn cht bán dn có tp cht dono gi là bán dn loi N. Các
n tc gi là ht a s, các l trng c gi là ht thiu s.
Hình 1.11. Tp cht dono trong n tinh th Si
Tính dn n trong bán dn loi N do n t quyt nh. Vic pha tp
cht ôno s làm xut hin trong vùng cm ca bán dn này nhng mc nng
ng cc b nm sát di áy vùng dn gi là mc nng lng dono.
11
Hình 1.12. Gin mc nng lng dono
Khong cách t áy vùng dn n mc dono nh hn nhiu so vi
ng vùng cm. Vì vy nng lng cn thit n t nhy t mc dono lên
vùng dn (nng lng ion hóa) nh hn rt nhiu nng lng cn thit a
n t t vùng hóa tr lên vùng dn.
1.6. linh ng, dn
i tác ng ca n trng, ht dn chuyn ng nh hng có gia
c to nên mt dòng n (gi là dòng trôi) vi vn tc trung bình t l vi
ng E ca n trng:
tb
vE
µ
=
Suy ra:
Ev
ntbn
µ−=
Ev
ptrp
µ=
Trong ó
p
µ
và
n
µ
là các h s t l gi là linh ng ca các ht dn
ng ng.
ó mt dòng trôi gm hai thành phn:
I
trôin
= - qnv
tbn
I
trôip
= qpv
tbp
Hay dòng trôi toàn phn
12
I
trôi
= I
trôin
+I
trôip
I
trôi
= qE(n
n
µ
+p
p
µ
)
t khác: I = E
Trong ó:
: Là dn [S/m]
=
n +
p
= qn
n
+ qp
p
i vi bán dn thun:
= qn
i
n
p
)
Trong bán dn loi N vì n
n
>> p
p
=
n
= qn
n
Trong bán dn loi P vì có p
p
>> n
n
=
p
= qp
p
u b ion hoá hoàn toàn, nng n t là N
d
n
= q
n
N
d
ng t nu b ion hoá hoàn toàn
p
= q
p
N
a
13
Chng 2: CU TRÚC MCH VI N T
2.1. Chuyn tip PN
ng các bin pháp công ngh, ngi ta to ra c vùng chuyn tip
PN có tính dn n t bán dn loi P sang bán dn loi N. ây là dng tip
xúc phi tuyn có tính dn n không i xng theo hai chiu n áp t vào.
Hình 2.1. Chuyn tip PN
a. Chuyn tip PN trng thái cân bng
Bán dn loi P, l trng là ht dn a s, n t là ht dn thiu s.
Bán dn loi N, n t là ht dn a s, l trng là ht dn thiu s. Khi hình
thành chuyn tip PN, ti b mt tip xúc, l trng s khuch tán t bán dn P
sang bán dn N, ngc li n t s khuch tán sang bán dn P (vì có s
chênh lch v nng n
n
>>n
p
và p
p
>>p
n
). Nh vy, ti gn b mt tip xúc
bán dn P s có nhng ion âm ca các nguyên t acxepto ã b ion hóa, ti
n b mt tip xúc bán dn N còn li các ion dng ca các dono b ion hóa.
Do s khuch tán các ht a s mà ti min lân cn mt tip xúc mt c tính
trung hòa vn. Phía N tích n dng, phía P tích n âm, hình thành
nên 1 n trng khuch tán E
kt
, gi là ni trng (trng phía bên trong),
chiu ca E
kt
t hng t N sang P. Nh vy, E
kt
chng li s dch chuyn
a các ht a s (chng li xu hng khch tán ban u). Nhng trng hp
14
này li cun n t t P sang N, l trng t N sang P làm tng cng s dch
chuyn ca ht dn thiu s. Khi s khuch tán xy ra mãnh lit vùng n
tích âm, dng 2 phía bán dn P, N càng rng ra (sn tích tng lên) và
E
kt
tng lên, dòng khuch tán các ht a s I
kt
gim i, còn dòng cun các ht
thiu s I
tr
ngày càng tng lên. Cui cùng dòng cun các ht a s bng dòng
cun các ht thiu s (I
kt
= I
tr
), tc là có bao nhiêu ht dn a t P sang N thì
có by nhiêu ht dn c a t N sang P, chuyn tip P-N trng thái cân
ng. ó là mt trng thái cân bng ng.
trng thái cân bng, s ion âm nm trên b mt tip xúc v phía P và
ion dng nm trên b mt tip xúc v phía N bng nhau không i, do ó
ng ni trng E
tx
cng t ti giá tr nht nh. Min các ion dng và
âm trên không có ht dn cho nên gi ó là min n tích không gian (ôi khi
còn gi là min nghèo). Khong cách t b min n tích không gian phía P
sang b min n tích không gian phía N gi là rng min n tích không
gian (X
m
). Khi t n trng thái cân bng rng min n tích không gian
ng xác nh. Hiu n th tip xúc có giá tr xác lp, c xác nh bi :
2
ln
i
DA
tx
n
NN
q
kT
=ψ
b. Chuyn tip PN khi c phân cc thun
t vào chuyn tip P-N mt trng n t bên ngoài làm cho trng
thái cân bng ca chuyn tip P-N b phá v.
n trng bên ngoài E
ng
có chiu ngc vi chiu ca n trng
khuch tán E
kt
thì n trng tng cng trong vùng n tích không gian s b
gim xung làm cho các ht c bn s xích li gn nhau hn vi lp tip xúc.
Xét rng ca min n tích không gian: Do n cc ca n áp bên ngoài
t vào, các l trng trong bán dn P và n t trong bán dn N by v phía
min n tích không gian, trung hoà bt các ion dng và âm ca min này
do ó làm cho rng ca min này hp li. n áp thun càng ln, s ht
n a s by v phía min n tích không gian càng nhiu và rng ca
nó càng gim nh. Rõ ràng là rng min n tích không gian gim nh
15
ng ng vi sn tích vùng này gim và do ó n trng ca nó cng
gim nh so vi khi cân bng mt lng là (
Ψ
tx
– U).
c. Chuyn tip PN khi c phân cc ngc
E
ng
cùng chiu vi E
kt
làm cho n trng tng cng trong vùng n
tích không gian tng lên và ngn các ht ti c bn trong vùng trng xích li
n lp tip xúc công ngh, vì vy chiu rng vùng n tích không gian tng
lên, hàng rào th nng cng tng lên mt i lng là q(
Ψ
tx
+V) và các ht ti
bn không nng lng vt qua hàng rào th nng này, dn n s
suy gim dòng các ht ti qua chuyn tip PN.
Khi chuyn tip PN phân cc ngc dòng các ht ti không c bn (các
n t trong min p, các l trng trong min n) có th chuyn dch vào trong
min tip xúc. Lúc này s có 1 dòng n rt nh chuyn ri qua chuyn tip
PN; dòng n này c gi là dòng n ngc (dòng rò) ca chuyn tip PN.
Dòng này có xu hng tin ti 1 giá tr bão hòa nào ó, và gi là dòng bão
hòa.
2.2. Công ngh lng cc
ch tích hp u tiên (1960) c ch to da trên các transistor
ng cc, và rt nhiu loi vi mch SSI, MSI, LSI hin nay cng c phát
trin t nhng mch ban u này. ng lc phát trin các mch IC là
ch to các máy tính ngày càng nh hn và cht lng hn. Các mch lng
c trong các máy tính hin nay là các mch logic TTL, ECL và mt s mch
khác, s dng các loi transistor NPN, các diode và các n tr khuch tán,
thc hin nhiu chc nng logic khác nhau.
t trong nhng yêu cu quan trng i vi tt c các mch trên ây là cách
n gia các linh kin khác nhau. Chúng ta s xét mt s k thut cách n
trong các vi mch.
2.2.1. Cách n bng chuyn tip PN
thut cách n ph bin nht trong các IC th hu tiên là s dng
chuyn tip PN phân cc ngc. Vt liu ban u là loi P, trên ó có cy
16
t lp epitaxy loi N. Các vùng N riêng rc to ra bng cách khuych
tán tp loi P qua lp epitaxy n tn . S mt ct vi vùng N cách ly
c biu din trên hình 2.2.
Hình 2.2. Mt ct ch rõ vùng epitaxy loi N c bao quanh
i khuch tán loi P
Vùng N này hoàn toàn c bao quanh bi khuych tán loi P, và nu
chuyn tip PN c phân cc ngc thì s cách n tt cho dòng mt chiu.
Tuy nhiên, i vi tín hiu xoay chiu thì tính cht cách n s gim khi tn
tín hiu tng, nguyên nhân là chuyn tip có n dung và tr kháng ca
n dung gim khi tn s tng.
2.2.2. Cách n bng Oxide
Vic thay th vùng cách n loi p bng oxide sillic cho phép tit kim
din tích vì nó không cn n chuyn tip pn và do ó loi loi tr c vùng
nghèo ca chuyn tip. Oxide là vt liu cách n tt. Gin cu trúc linh
kin vi cách n oxide c trình bày hình 2.3.
17
Hình 2.3. Cách n bng oxide trong trng hp lý tng.
Trên thc t ta s nhn c cu trúc “m chim” ch không th nhn
c Oxide cách n vuông góc lý tng nh hình v.
2.2.3. Transistor lng cc
a. Cu trúc mt ct Transistor NPN
Thit k các IC lng cc bao gm vic hp mng n các transistor,
diode, n tr và tn. Không có cun cm, bin th và thc t thì tn
ch có giá tr gii hn n vài chc pF. Linh kin quan trng nht trong IC
ng cc là các transistor và cu trúc mt ct ca mt transistor NPN công
sut thp c trình bày nh hình v 2.4. ây s dng cách n oxide.
Phn tích cc ca transistor là vùng nm ngay di Emitter. n t c
phun t Emitter N
+
vào Baz loi P di tác dng ca n áp t trên chuyn
tip BE.
Hình 2.4. Cu trúc mt ct ca Transistor NPN
18
Các thông s thit k quan trng liên quan n dòng mt chiu, khuch
i dòng mt chiu và n áp ánh thng. i vi hot ng tín hiu nh thì
n s cc i, tc chuyn mch, n dung chuyn tip và n tr ni tip
óng vai trò quan trng.
Ta thy rng dòng chy thng góc t E, qua B n C, nhng phi chy
ngang qua lp epitaxy n tip xúc collector. Vì cn có n áp ánh thng
cao nên lp epitaxy cn có n tr sut tng i ln, và do ó sinh ra n
tr ni tip ln gia vùng hot ng di E và tip xúc C. n tr ni tip
nh hng xu n tính nng ca transistor. ng thi duy trì n tr sut
cao ca lp epitaxy và gim n tr ni tip collector, mt lp n tr sut
thp c ch to ngay phía di transistor . Lp chôn N
+
ây c ch to
trc khi cy lp epitaxy.
b. n tr Baz và Collector
Trong cu trúc thc ca transistor dòng chy t vùng tích cc ngay di
Emitter n tip xúc Baz và Collector. Nó i qua phn silic không óng vai
trò gì cho hot ng khuch i, mà ngc li, phn silic này là n tri
i dòng, và n tró cn phi a vào mô hình tính toán transistor. Quan
trng nht dây là n tr Baz và Collector. Dòng Baz trong mt
transistor tín hiu nh chy t phía di Emitter i qua vùng n tr cao ca
Baz và n tip xúc Baz nh hình 2.5.
19
Hình 2.5. n tr Baz gia tip xúc Baz và vùng tích cc di Emitter.
Có th chia quãng ng i ca dòng thành ba phn: Phn ngay di
tip xúc Baz (r
a
), phn gia tip xúc Baz và mép Emitter (r
b
) và phn di
Emitter (r
c
) Phân tích chi tit ba phn trên cho ta các giá trn tr nh sau:
EB
BCB
a
Ld
x
r
3
ρ
= ;
EB
EBB
b
LW
d
r
ρ
= ;
EB
EB
C
LW
d
r
6
ρ
=
Trong ó:
B
ρ là n tr sut trung bình ca min Baz, L
E
là chiu dài
a tip xúc Baz và cng là chiu rng ca Emitter.
ng n tr Baz là: r
bb
= r
a
+ r
b
+ r
c
Thông thng r
bb
có giá tr trong khong t 50n 200.
Có th nhn c biu thc n tr Collector mt cách tng t. ng i
a dòng Collector cng c chia làm 3 phn nh hình 2.6.
20
Hình 2.6. n tr Collector gia tip xúc Collector
và vùng phía di Emitter.
Gi thit lp chôn N
+
tri dài t phía di Emitter n di tip xúc
Collector. n tr các phn nh sau:
CC
EepiC
a
Ld
XX
r
)( −
=
ρ
;
2/)(
CE
ECS
b
LL
d
r
+
=
ρ
;
EE
BCepiC
C
Ld
XX
r
)( −
=
ρ
Trong ó
c
ρ là n tr sut lp epitaxy,
S
ρ là n tr vuông ca lp chôn n
+
.
c. n dung chuyn tip mt phía PN
n dung ca mt chuyn tip t ngt (mt phía) P
+
N hoc PN
+
phân
c ngc c cho bi:
2/1
0
0
)(2
+
=
φ
εε
V
qN
AC
Si
Trong ó: A là din tích chuyn tip, N là nng tp ca vùng pha tp
thp và
0
φ là th khuch tán c cho bi:
2
0
ln
i
DA
n
NN
q
kT
=φ
t thông s liên quan ây là chiu rng lp nghèo c cho bi:
21
2/1
00
)(2
+
=
qN
V
x
Si
φεε
2.2.4. Diode, n tr và tn
Khi thit k mch tích hp, ngi ta ch có c mt s gii hn cu
kin nhn tr, diode và tn dung nh. Giá trn tr t vài chc
n vài chc K. Có th có n tr ln hn nhng vi sai s ln và ph
thuc vào nhit . Vi mch IC, din tích các linh kin có vai trò quan trng,
và vì transistor thng nh hn nhiu so vi n tr và tn nên trong thit
ngi ta a vào mt s lng ln transistor. Do tm quan trng ca
transistor, quá trình ch to vi mch c ti u hóa cho transistor, các phn
khác phi có kh nng c ch to theo cùng quy trình. Vi mt sng
ng c bit, có th cn thêm mt s khâu công ngh, nhng tng giá thành
tng.
Diode trong mch tích hp có th d dàng to t mt chuyn tip PN
a transistor. Cng các chuyn tip ó, khi phân cc ngc có th dùng nh
t tn. n trc ch to t vt liu loi n hoc loi p. Có th s
ng cy ion ch to n tr có tr s ln.
a. Diode
Nhã nói trên, diode c nhn t chuyn tip PN ca transistor.
t s cách cu hình diode da trên transistor npn c ch ra trong bng
i ây.
22
u hình
diode
n tr ni
tip
n áp
ánh thng
n dung Thi gian tr
Thp ~ r
bb
Thp 5-7V C
be
~ 0,5pF Cao ~ 70ns
Thp ~ r
bb
Thp 5-7V C
be
~ 0,5pF Thp ~ 5ns
Cao ~ r
bb
+ r
cc
Cao > 40V C
be
~ 0,7pF Cao ~ 120ns
Cao ~ r
bb
+ r
cc
Cao > 40V C
be
~ 0,7pF Cao ~ 90ns
Cao ~ r
bb
+ r
cc
Thp 5-7V C
be
~ 1,2pF Cao ~ 150ns
ng 2.1. Các cách cu hình Diode
b. n tr
Tr s ca n tr trong IC ph thuc vào kích thc hình hc và vt
liu s dng. Phng trình c bn ca n tr là:
S
l
R ρ=
i là n tr sut ca vt liu, L là chiu dài ca mu, S là din tích tit
din ngang.
t: R =
d
ρ
()
23
=> R = R
W
L
Hình 2.7 di ây là mt ct n tr khuch tán nhn c t vùng khuch
tán Baz.
Hình 2.7. Mt ct n tr khuch tán
c. Tn
n chính ca các tn trong IC là din tích. n dung cho bi:
C = C
0
S
Trong ó: C
0
thng có giá tr trong khong 10
-4
n 10
-3
pF/m
2
. T
n vi n dung 1pF òi hi din tích 10
4
n 10
3
m
2
. i vi IC Silic,
ây là mt din tích ln, vì vy giá trn dung thng c gii hn vài
pF. Có hai loi tn c bn là: T chuyn tip PN và t MOS (Kim loi –
Oxide - Silic).
chuyn tip PN là Diode din tích ln, s dng mt hoc hai chuyn
tip PN ca transistor. n dung ln nht nhn c khi dùng c hai chuyn
tip B-E và B-C mc song song nh hình 2.8. Chuyn tip phi luôn c
phân cc ngc.
Hình 2.8. Tn s dng c hai chuyn tip E-B và B-C
24
t ct ca t MOS c trình bày trên hình 2.9. Bn cc trên là màng
Al và bn cc di là lp n+ khuch tán cùng Emitter. n môi là lp SiO
2
y trê lp khuch tán n+. Giá trn dung cho bi công thc:
Hình 2.9. Mt ct t MOS.
2.3. Công ngh CMOS
2.3.1. Mu
CMOS là thut ng ch mt lai công ngh dùng ch to vi mch
tích hp. Công ngh CMOS c dùng ch to vi x lý, vi u khin,
RAM tnh và các mch lôgíc s khác. Công ngh CMOS cng c dùng rt
nhiu trong các mch tng t nh cm bin hình nh, chuyn i kiu d
liu, và các vi mch thu phát có mt tích hp cao trong lnh vc thông tin.
Trong thit k các hàm lôgíc trong các vi mch CMOS s dng c hai
loi transistor PMOS và NMOS.
Hai c tính c bn ca các linh kin c ch to bng công ngh
CMOS là có min nhiu cao và tiêu th nng lng trng thái tnh rt
thp. Các vi mch CMOS ch tiêu th nng lng mt cách áng k khi các
transistor bên trong nó chuyn i gia các trng thái óng (ON) và m
(OFF). Kt qu là các thit b CMOS ít tiêu th nng lng và to ra ít nhit
n so vi các loi mch lôgíc khác nh mch transistor-transistor logic
(TTL). CMOS cng cho phép tích hp các hàm lôgíc vi mt cao trên chíp.
25
Công ngh CMOS u tiên là công ngh PMOS. n u nhng nm 1970,
công ngh NMOS chim u th do linh ng ca n t cao hn. So vi
công ngh lng cc thì công ngh CMOS có giá thành thp hn (vì s dng
ít mt n quang hn) ng thi li có mt t hp ln (1000-20.000
ng/chip). Nhng nó li có nhc m là tc chm hn.
a, b,
c,
Hình 2.10. Phn to CMOS :
n (a), S b trí mch (b), Mt ct dc (c)