Tải bản đầy đủ (.pdf) (6 trang)

ứng dụng của điện tử công suất, chương 12 pptx

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (759.59 KB, 6 trang )

Chương 12:
THIẾT
KẾ MẠCH
KHUẾCH
ÐẠI DÙNG
FET
Vấn ñề thiết kế mạch khuếch ñại dùng FET ở ñây giới
hạn ở chỗ tìm
các
ñiều kiện phân cực, các trị số của linh kiện thụ
ñộng ñể có ñược ñộ lợi ñiện thế
mong muốn.
Thí dụ: Thiết kế mạch khuếch ñại phân cực tự ñộng dùng
JFET như
hình
3.31 sao cho ñộ lợi ñiện thế bằng
10.
R
G
nên chọn khá lớn ñể không làm giảm tổng trở vào của
mạch. Thí dụ
ta
có thể chọn R
G
= 10MΩ.
BÀI TẬP CUỐI CHƯƠNG
12
***********
**
B
à


i
1: Xác ñịnh I
D
, V
DS
, V
D
và V
S
của mạch hình
3.32
B
à
i
2: Ở mạch hình 3.33, cho V
DS
= 8v. Xác ñịnh I
D
, V
D
, V
S
,
V
GS
.
Bài 3: Hãy thiết kế một mạch phân cực tự ñộng dùng JFET

I
DSS

=8mA;
V
GS(off)
=-6v và ñiểm ñiều hành Q ở I
DQ
= 4mA
với nguồn cung cấp V
DD
= +14v.
Chọn
R
D
=
3R
S
.
B
à
i
4: Thiết kế một mạch phân cực bằng cầu chia ñiện thế
dùng
DE-MOSFET
với I
DSS
= 10mA, V
GS(off)
= -4v có ñiểm ñiều
hành Q ở I
DQ
= 2.5mA và dùng nguồn

cấp
ñiện V
DD
=24v. Chọn
V
G
=4v và R
D
=2.5R
S
với R
1
=22MΩ.
B
à
i
5: Tính Z
i
, Z
0
và A
V
của mạch ñiện hình
3.34
B
à
i
6: Xác ñịnh giá trị của R
D
và R

S
trong mạch ñiện hình 3.35
khi ñược phân cực ở V
GSQ
= 1/2V
GS(off)

V
D
S
Q
=
1
/
2
V
D
D
.
Tính
ñ

l
ợi
ñ
i
ện
th
ế
t

r
o
ng
tr
ư
ờng
h

p

y
.
B
à
i
7: Thiết kế mạch khuếch ñại dùng JFET có dạng như
hình 3.36, sao cho ñộ lợi ñiện thế là 8. Ðể
giới
hạn bước thiết
kế, cho V
GSQ
gần trị số tối ña của gm, thí dụ như ở
V
GS(off)
/4.
B
à
i
8: Thiết kế mạch khuếch ñại dùng JFET có dạng hình
3.37 sao cho ñộ lợi ñiện thế bằng 5.

Chọn
V
GSQ
=V
GS(off)
/4.




×