Giáo trình: Thí nghiệm điện tử công suất ppt

1
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CẦN THƠ
KHOA CÔNG NGHỆ THÔNG TIN & TRUYỀN THÔNG
BỘ MÔN HỆ THỐNG MÁY TÍNH & TRUYỀN THÔNG
GIÁO TRÌNH
THÍ NGHIỆM ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT
BIÊN SOẠN: ĐOÀN HÒA
MINH
2
THÔNG TIN VỀ TÁC GIẢ
PHẠM VI VÀ ĐỐI TƯỢNG SỬ DỤNG CỦA GIÁO TRÌNH
1. THÔNG TIN VỀ TÁC GIẢ
Họ và tên: ĐOÀN HÒA MINH
Sinh năm: 1956
Cơ quan công tác:
Bộ môn: Hệ thống máy tính và truyền thông (HTMT&TT)
(Đã giảng dạy trên 15 năm ở bộ môn Viễn thông & Tự động hóa,
chuyển sang bộ môn HTMT&TT từ 2008)
Khoa: Công nghệ thông tin và truyền thông.
Trường: Đại học Cần Thơ
Địa chỉ email để liên hệ:
2. PHẠM VI VÀ ĐỐI TƯỢNG SỬ DỤNG CỦA GIÁO TRÌNH
 Giáo trình có dùng để tham khảo ở những ngành: Kỹ thuật Điện, Điện tử, Tự
động hóa của các trường đại học kỹ thuật.
 Từ khóa: Linh kiện công suất, chỉnh lưu, ổn áp một chiều, điều khiển công
suất, biến tần gián tiếp, biến tần trực tiếp, lập trình mô phỏng, MATLAB,
PSIM, mạch tạo xung kích.
 Yêu cầu kiến thức trước khi học về môn này: đã học lý thuyết về Điện tử công
suất.
 Chưa xuất bản
3

CHÚ Ý AN TOÀN ĐIỆN
Tất cả các mạch thí nghiệm đều sử dụng trực tiếp nguồn điện xoay chiều 220V. Do đó
khi thực tập sinh viên phải luôn cảnh giác giữ an toàn về người lẫn thiết bị thí nghiệm.
Để bảo đảm an toàn sinh viên phải tuyệt đối chấp hành các qui định sau đây:
1. Không được chạm vào mạch điện khi đã mở nguồn cấp điện.
2. Khi mắc điện xong, phải báo cáo cho cán bộ hướng dẫn kiểm tra, có sự đồng ý của
cán bộ hướng dẫn mới được mở nguồn cấp điện.
3. Khi đo điện áp, dòng điện hoặc xem dạng sóng cần phải:
− Sử dụng đúng giai đo.
− Đặt que đo đúng chỗ, đúng cực.
− Khi xem dạng sóng ở những điểm có điện thế cao phải dùng bộ điện cực
(probe) có giảm áp.
4. Sắp xếp thiết bị và dây dẫn điện ngăn nắp, gọn gàng, thao tác chính xác, tập trung
làm bài, không đùa giỡn.
5. Không được di dời các thiết bị thí nghiệm từ bài này sang bài khác.
6. Khi thực tập xong phải tắt điện, sắp xếp gọn gàng các thiết bị trước khi ra về.
Sinh viên sẽ chịu trách nhiệm về các sự cố và bồi thường thiết bị hư hỏng nếu không
chấp hành đúng các qui định trên.
4
MỤC LỤC
THÔNG TIN VỀ TÁC GIẢ 2
1. THÔNG TIN VỀ TÁC GIẢ 2
2. PHẠM VI VÀ ĐỐI TƯỢNG SỬ DỤNG CỦA GIÁO TRÌNH 2
CHÚ Ý AN TOÀN ĐIỆN 3
MỤC LỤC 4
LỜI NÓI ĐẦU 7
BÀI 1: KHẢO SÁT LINH KIỆN CÔNG SUẤT CƠ BẢN 8
1.1. MỤC ĐÍCH 8
1.2. KIẾN THỨC NỀN 8
1.2.1. BJT công suất:

8 a) Tải đặt ở chân E
8 b) Đặt tải ở chân C
9 c) Điều khiển gián tiếp
9
1.2.2. MOSFET công suất: 10
1.2.3. SCR 10
a. Ký hiệu 10
b. Khi phân cực thuận: 11
c. Khi phân cực nghịch: 11
d. Tóm lại:
11
1.2.4. TRIAC 11
1.3. THỰC HÀNH: 12
1.3.1. BJT: 12
1.3.2. MOSFET 12
1.3.3. SCR 13
A. Mắc mạch như hình sau: (Hình 1.20): 13
B. Mắc mạch như hình sau (Hình 1.21): 13
1.3.4. TRIAC 14
A. Mắc mạch như hình sau (Hình 1.22): 14
B. Mắc mạch như hình sau (Hình 1.23): 14
1.4. THIẾT BỊ: 15
1.5. TÀI LIỆU THAM KHẢO: 15
BÀI 2: MÔ PHỎNG LINH KIỆN CÔNG SUẤT CƠ BẢN 16
2.1. MỤC ĐÍCH 16
5
2.2. NỘI DUNG 16
2.2.1. DIODE: 16
5
2.2.1.1. Mô hình toán học [6]: 16

2.2.1.2. Thực hành: 17
2.2.2. TRANSISTOR 17
2.2.2.1. Mô hình toán học [6]: 18
Trong mô hình Ebers-Moll cơ bản (hình 3.c), các dòng điện I
C
, I
B
, I
E
được xác định bởi
các biểu thức sau:
18
2.2.2.2. Thực hành: [1], [3], [7], [8], [9], [10], [11] 19
2.2.3. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 20
2.2.3.1. E-MOSFET transistor [2], [12] 20
2.2.4. THYRISTOR (SCR) [2], [10] 21
2.2.4.1.Các thông số kỹ thuật cơ bản của SCR là: 22
2.2.4.2. Thực hành [1], [3], [6], [7], [8], [9], [10], [11] 22
2.2.5. TRIAC [2], [12] 22
2.2.5.1. Các thông số kỹ thuật cơ bản của TRIAC là: 23
2.2.5.2. Thực hành: 23
2.3. TÀI LIỆU THAM KHẢO: 23
BÀI 3: CHỈNH LƯU MỘT PHA CÓ ĐIỀU KHIỂN 24
3.1. MỤC ĐÍCH 24
3.2. CÁC KIẾN THỨC LIÊN QUAN 24
3.2.1. Sinh viên ôn lại: 24
3.2.2. Sinh viên tìm hiểu và giải thích nguyên tắc hoạt động của mạch tạo xung kích:
24
3.3. THỰC HÀNH: 24
3.3.1. Khảo sát Board mạch tạo xung kích: 24

3.3.2. Khảo sát nguyên tắc điều khiển góc mở: 26
3.3.3. Khảo sát chỉnh lưu cầu dùng 4 diode công suất: 27
3.3.4. Khảo sát chỉnh lưu cầu, bán điều khiển 27
3.3.5. Chỉnh lưu cầu 1 pha điều khiển hoàn toàn
28 a. Mắc tải R ( bóng đèn):
28 b. Mắc tải R-L (gồm
đèn và cuộn cảm nối tiếp): 28
3.4. THIẾT BỊ THÍ NGHIỆM 28
3.5. TÀI LIỆU THAM KHẢO: 29
BÀI 4: LẬP TRÌNH MÔ PHỎNG MẠCH CHỈNH LƯU BẰNG MATLAB 30
4.1. MỤC ĐÍCH 30
4.2. KIẾN THỨC NỀN 30
4.3. THỰC HÀNH 30
6
4.3.1. Chỉnh lưu 3 pha mạch tia không điều khiển 30
a. Chương trình mẫu 1: 31
6
b. Câu hỏi: 33
4.3.2. CHỈNH LƯU 3 PHA MẠCH TIA CÓ ĐIỀU KHIỂN 34
a. Chương trình mẫu 2: 34
b. Câu hỏi: 36
4.4. TÀI LIỆU THAM KHẢO 38
BÀI 5: MÔ PHỎNG MẠCH CHỈNH LƯU MỘT PHA CÓ ĐIỀU KHIỂN BẰNG PSIM 39
5.1. MỤC ĐÍCH: 39
5.2. KIẾN THỨC NỀN: 39
5.3. THỰC HÀNH: 41
5.3.1. Mạch chỉnh lưu điều khiển một pha nửa chu kỳ: 41
5.3.2. Mạch chỉnh lưu điều khiển một pha hai nửa chu kỳ: 42
5.4. TÀI LIỆU THAM KHẢO: 43
BÀI 6: ỔN ÁP MỘT CHIỀU 44

6.1. MỤC ĐÍCH 44
6.2. SƠ LƯỢC VỀ LÝ THUYẾT 44
6.2.1. Ổn áp tuyến tính 44
6.2.2. Ổn áp ngắt mở 45
6.3. PHẦN THỰC HÀNH 47
6.3.1. Ổn áp tuyến tính 47
6.3.2. Ổn áp ngắt mở: 49
6.3.2.1. Vi mạch KA3842 có sơ đồ chân: 50
6.3.2.2. Sinh viên khảo sát mạch và thực hiện các công việc sau: 50
6.4. THIẾT BỊ THÍ NGHIỆM: 51
6.5. TÀI LIỆU THAM KHẢO: 51
BÀI 7: ĐIỀU KHIỂN CÔNG SUẤT AC 52
7.1. MỤC ĐÍCH: 52
7.2. SƠ LƯỢC LÝ THUYẾT: 52
7.3. CÂU HỎI VÀ THỰC HÀNH 53
A. Câu hỏi lý thuyết : 53
B. Câu hỏi thực hành : 54
7.4. THIẾT BỊ THÍ NGHIỆM: 56
7.5. TÀI LIỆU THAM KHẢO: 56
BÀI 8: BIẾN TẦN GIÁN TIẾP 57
8.1. MỤC ĐÍCH 57
8.2. SƠ LƯỢC VỀ LÝ THUYẾT BIẾN TẦN 57
8.2.1. Phân loại 57
8.2.2. Cấu tạo: 57
7
a. Bộ chỉnh lưu và mạch trung gian một chiều: 58
b. Bộ nghịch lưu áp 58
8.2.3. Phương pháp điều khiển bộ nghịch lưu áp :
60 a. Phương pháp điều chế độ rộng sin (sin PWM)
60 b. Phương pháp điều chế độ rộng xung vuông (Square PWM)

60 c. Phương pháp điều chế độ rộng xung tối ưu (Optimum PWM)
61
8.2.4. Giới thiệu về biên tần SIEMENS G110
61 a. Giới thiệu chung
61 b. Sơ lược cấu tạo.
62 c. Sử
dụng 63
8.3. CÂU HỎI VÀ THỰC HÀNH 65
A. Câu hỏi lý thuyết 65
B. Phần thực hành trên bộ biến tần dùng BJT công suất và mạch tạo xung kích dùng vi điều
khiển 89C51. 65
C. Phần thực hành trên bộ biến tần Siemens G110. 66
1. Điều khiển G110 từ các DIN 66
2. Điều khiển G110 từ BOP 66
8.4. THIẾT BỊ THÍ NGHIỆM 67
8.5. TÀI LIỆU THAM KHẢO: 68
BÀI 9: BIẾN TẦN TRỰC TIẾP 69
9.1. MỤC ĐÍCH 69
9.2. SƠ LƯỢC LÝ THUYẾT 69
9.2.1. Mạch công suất: 69
9.2.2. Mạch điều khiển (mạch tạo xung kích): 69
9.3. CÂU HỎI VÀ THỰC HÀNH 71
A. Câu hỏi lý thuyết: 72
B. Câu hỏi thực hành 73
1. Khảo sát mạch tạo xung kích: 73
2. Khảo sát mạch công suất: 73
9.4. THIẾT BỊ THÍ NGHIỆM: 74
9.5. TÀI LIỆU THAM KHẢO: 74
8
LỜI NÓI ĐẦU

Năm 2001, Bộ môn Viễn thông và điều khiển tự động, Khoa Công nghệ
thông tin & truyền thông, Trường Đại học Cần Thơ, đã thực hiện thiết kế lại
các bài thí nghiệm Điện tử công suất. Các bài thí nghiệm này đã được thiết kế
bao gồm thiết bị thí nghiệm và giáo trình, phục vụ cho các chuyên ngành Điện
tử, Viễn thông, Tự động hóa, Kỹ thuật điện,…
Giáo trình thí nghiệm Điện tử công suất được thực hiện lần này là sự bổ sung
và cải tiến giáo trình thí nghiệm Điện tử công suất năm 2001. Giáo trình được
biên soạn gồm 9 bài thực tập cho học phần 2 tín chỉ, thời lượng là 60 tiết thực
tập, mỗi bài được thực hành với thời gian 6 tiết, 6 tiết còn lại dành cho kiểm tra
học phần. Tuy nhiên, ta cũng có thể chọn ra 5 bài cho học phần 1 tín chỉ.
Tôi xin chân thành cám ơn quí thầy cô trong Bộ môn Viễn thông & Kỹ
thuật điều khiển, Khoa Công nghệ thông tin & Truyền thông, hiện nay là Bộ
môn Viễn thông và Bộ môn Tự động hóa, khoa Công nghệ, đã tham gia thực
hiện các bài thí nghiệm năm 2001.
Cảm ơn ThS. Phạm văn Tấn, ThS. Nguyễn Hoàng Dũng, TS. Trần Thanh
Hùng và quí thầy, cô khác đã có nhiều đóng góp để hoàn thành giáo trình này.
Cần Thơ, ngày 18 tháng 2 năm 2009
ĐOÀN HÒA MINH
Bài 1: Khảo sát linh kiện công suất cơ bản
Giáo trình thí nghiệm điện tử công suất Trang 8
BÀI 1: KHẢO SÁT LINH KIỆN CÔNG SUẤT CƠ BẢN
Tham gia thực hiện: KS. Trương Văn Tám
1.1. MỤC ĐÍCH
Khảo sát các linh kiện công suất: BJT, MOSFET, SCR và Triac. Trong lĩnh vực điện
tử công suất, các linh kiện này được dùng như các chuyển mạch (switch). Vì vậy, ta chỉ
khảo sát chúng trong hai chế độ đóng (dẫn) và ngắt (ngưng dẫn), riêng với SCR và Triac
ta sẽ khảo sát thêm các đặc tính cơ bản như điện thế phân cực, dòng kích, góc mỡ (điều
khiển pha)…
Qua bài thực hành này, sinh viên sẽ hiểu rõ hơn nguyên lý hoạt động của các linh kiện
công suất, từ đó, có thể ứng dụng chúng trong thực tế.

1.2. KIẾN THỨC NỀN
Để làm tốt bài thí nghiệm này, sinh viên phải tự ôn tập kiến thức nền trong các giáo
trình lý thuyết đã học. Đây là các linh kiện quen thuộc, nên trong các phần sau đây chỉ
nhắc lại một số vấn đề cơ bản.
1.2.1. BJT công suất:
Về cấu tạo, nguyên lý họat động cơ bản vẫn giống như BJT công suất nhỏ. Sau đây
là các đặc tính riêng của BJT công suất mà ta cần lưu ý:
 Hệ số khuếch đại dòng điện
vài chục).


=

I
C
I

B
của BJT công suất thường khá nhỏ (khoảng
 Khi dùng BJT như một chuyển mạch, các điểm cần quan tâm là: thời gian chuyển
mạch (thời gian chuyển từ trạng thái dẫn bão hòa sang trạng thái ngưng dẫn và
ngược lại) càng ngắn càng tốt; ở trạng thái đóng, mạch kích phải tạo dòng I
B
đủ
lớn (trong thực tế I
B
lớn từ 2 đến 5 lần I
BSAT
) để bảo đảm BJT dẫn điện tốt. Tất
nhiên, ta phải thiết kế sao cho BJT hoạt động không vượt quá các định mức.

 BJT là lọai linh kiện công suất có thể kích ngắt.
Ví dụ:
a) Tải đặt ở chân E (Hình 1.1)
- Khi SW ở vị trí 1 (nối mass), BJT ngưng dẫn (ngắt):
R
=

V
CE
→

∞
CE
I
C
BJT như một SW ở vị trí hở (OFF, ) và V
o
= 0, I
L
= 0.
- Khi SW ở vị trí 2, BJT chuyển sang trạng thái dẫn : R =
V
CE
CE
I
C
Khi BJT dẫn bảo hòa (V
CE
≈ 0, thực tế từ 0.1V → 0.2V) thì R
CE

≈ 0 (BJT như một
SW đóng mạch - ON), V
0
≈
V
i
I
C
# I
L
I
L
V
i
V
o
R
L
R
B


SW
2

 1
B+
Hình 1.1
- Việc điều khiển như trên có bất lợi là B+ phải lớn hơn V
CC

nếu không thì BJT
không bão hòa tuyệt đối (phải phân cực thuận cả nối BC và BE).
Để cải thiện ta có thể:
b) Đặt tải ở chân C (Hình 1.2)
-
c) Điều khiển gián tiếp (Hình 1.3):
* R
3
nối B+ ⇒ Q
3
, Q
2
, Q
1
dẫn bảo hòa, SW ở trạng thái ON
* R
3
nối mass ⇒ Q
3
, Q
2
, Q
1
ngưng, SW ở trạng thái OFF
Trong hai trường hợp trên B+ chỉ cần khoảng vài volt
1.2.2. MOSFET công suất:
 Bài thí nghiệm này khảo sát MOSFET loại tăng (E-MOSFET) chế tạo dưới dạng
V-MOSFET (Vertical MOSFET) hay D-MOSFET (Double-diffused MOSFET)
 MOSFET kênh N dẫn khi V
GS

> V
GS(th)
> 0 và V
DS
> 0.
 MOSFET kênh P dẫn khi V
GS
< V
GS(th)
< 0 và V
DS
< 0.
 Ở MOSFET kênh N do V
GS
> 0 nên tải thường phải mắc ở cực D khi sử dụng
MOSFET như một chuyển mạch (Hình 1.4).
 MOSFET có ưu diểm là khi bão hòa là V
DS
xuống rất thấp nên công suất tiêu tán
bên trong (dưới dạng nhiệt) nhỏ hơn nhiều so với BJT
 Chú ý: BJT được điều khiển bằng dòng điện I
B,
còn FET thì được điều khiển
bằng điện áp V
GS
và điện áp này tùy thuộc FET nên phải thật cẩn thận tránh để
I
D
vượt quá I
DMAX

mà FET có thể chịu được.
1.2.3. SCR
a. Ký hiệu (Hình 1.5)
b. Khi phân cực thuận: V
A
>V
K
(Hình 1.6)
- SCR không dẫn điện khi V
AK
còn nhỏ, khi tăng V
AK
(bằng cách tăng V
AA
) đến
trị số V
BO
(điện thế quay về) thì SCR chuyển sang trạng thái dẫn, lúc này V
AK
giảm
xuống còn khoảng 0.7V và hoạt động như Diode chỉnh lưu. Điện áp V
BO
thường khá lớn
(từ vài chục volt đến vài trăm volt tùy SCR).
- Thực tế người ta thường tạo dòng kích I
G
để SCR có thể dẫn điện ngay mà
không chờ điện thế cao. Dòng kích I
G
tối thiểu và tối đa tùy thuộc vào mỗi SCR nhưng

nói chung các dòng này càng lớn (từ vài mA đến vài chục mA) khi SCR có công suất
càng lớn.
- Khi SCR đã dẫn, nếu ta bỏ dòng kích thì SCR vẫn tiếp tục dẫn điện (không thể
tắt SCR bằng cực cổng).
c. Khi phân cực nghịch: V
A
<V
K
SCR không dẫn điện cho dù có dòng kích I
G
d. Tóm lại: SCR chỉ dẫn điện một chiều từ Anode sang Cathode khi có dòng kích I
G
thích hợp.
1.2.4. TRIAC

Ký hiệu (Hình 1.7)
T
2
(đầu
cuối)
I
G
G
(Ga
t
e)
VT
1
T
2

T
1
(đầu cuối)
Hình 1.7

Triac còn được gọi là SCR lưỡng hướng.

Khi V
T2
>V
T1
, Triac dẫn điện từ T
2
sang T
1
khi kích bằng dòng cổng I
G
dương
(V
GT1
>0)

Khi V
T1
>V
T2
, Triac dẫn điện từ T
1
sang T
2

khi kích bằng dòng cổng âm.

Khi Triac V
T2T1
# 0,7V
Như vậy Triac dùng trong điện xoay chiều thuận lợi hơn SCR. Cũng như SCR, dòng
cổng tối thiểu và tối đa cũng tuỳ thuộc vào mỗi Triac.
R
1.3. THỰC HÀNH:
1.3.1. BJT:
Ta khảo sát một công tắc điện tử dùng BJT. Mạch thực hành như hình sau (Hình 1.8):
a) Bật SW về vị trí mass. Đo điện thế của các chân Q
1
, Q
2
, Q
3
. Giải thích kết quả.
b) Bật SW về vị trí +5V. Lập lại câu 1.
c) Bật SW về vị trí +5V. Đo V
suy ra I ( I #
V
0
) của Q
0 C C 1
L
d) Bật SW về vị trí +5V. Đo V
CE
suy ra R
CE

của Q
1
1.3.2. MOSFET:
Mạch thực tập có dạng (Hình 1.19):
V
i
47K
Tải
v
i
470
∧
/5W
V
D
V
R
10K
R
G
47∧
47K
0.33∧
Hình 1.19
a) Đo V
D
chỉnh V
R
xác định điện thế thềm V
GS

(th)
b) Đo V
D
chỉnh V
R
đến khi MOSFET bảo hòa. Xác định thị số tối thiểu của V
GS
làm FET bảo hòa. Suy ra I
DSAT
.
So sánh V
DS(SAT)
với V
CESAT
của BJT. Nhận xét.
1.3.3. SCR
A. Mắc mạch như hình sau: (Hình 1.20):
a) Lần lượt bật SW về vị trí 1, 2, 3 quan sát led (được mắc song song với tải, khi
SCR dẫn led cháy sáng). Giải thích kết quả.
b) Đặt SW về vị trí 2 quan sát tải, xong bật về vị trí 1. Nhận xét giải thích.
c) Đổi cực của nguồn V
i
, lập lại câu a, giải thích kết quả.
B. Mắc mạch như hình sau (Hình 1.21):
a) Chỉnh V
R
quan sát tải. Giải thích.
b) Chỉnh V
R
, dùng dao dộng nghiệm quan sát điện áp hai đầu tải, vẽ lại dạng

sóng ở một vị trí nào đó của V
R
khi SCR dẫn. Giải thích.
c) Tại sao bán kỳ âm SCR không dẫn.
d) Chức năng của diode D
1
.
e) Làm cách nào để tăng công suất của SCR trong mạch điện xoay chiều?
Hình 1.21
1.3.4. TRIAC
A. Mắc mạch như hình sau (Hình 1.22):
a. Lần lượt bật SW về vị trí 1, 2, 3 quan sát led và giải thích kết quả.
b. Đặt SW về vị trí 2 quan sát tải, xong bật về vị trí 1. Nhận xét giải thích.
c. Đổi cực của nguồn V
I
, lập lại câu a và b, giải thích kết quả.
B. Mắc mạch như hình sau (Hình 1.23):
2,2K
∼
50K
V
R
Tải
47∧
Hình 1.23
a. Giải thích nguyên tắc hoạt động của mạch (nêu rõ chức năng các linh kiện
trong mạch điều khiển pha).
b. Chỉnh V
R
, quan sát tải, vẽ lại dạng sóng hai đầu tải.

c. Thử nêu vài ứng dụng của mạch này.
1.4. THIẾT BỊ:
1. 01 Mạch thí nghiệm (board lớn).
2. 01 oscilloscope
3. 01 VOM
1.5. TÀI LIỆU THAM KHẢO:
[1]. Các bài giảng và giáo trình ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT – Bộ Môn Viễn Thông & Kỹ
thuật Điều khiển - Khoa công Nghệ Thông Tin & Truyền thông – ĐHCT.
[2]. TRƯƠNG VĂN TÁM - LINH KIỆN ĐIỆN TỬ – Giáo trình – Bộ Môn Viễn
Thông & Tự Động Hóa - Khoa công Nghệ Thông Tin & Truyền thông – ĐHCT – 2001.
[3]. TRƯƠNG VĂN TÁM - MẠCH ĐIỆN TỬ – Giáo trình – Bộ Môn Viễn Thông &
Tự Động Hóa - Khoa công Nghệ Thông Tin & Truyền thông – ĐHCT – 2001.
Bi 2: Mụ phng linh kin cụng sut c bn
A
P
N
K
BI 2: Mễ PHNG LINH KIN CễNG SUT C BN
2.1. MC CH
c tớnh hot ng ca linh kin c mụ t mt cỏch rừ rng nht thụng qua c
tuyn ca nú. c tuyn ca cỏc linh kin in t ch ph thuc vo loi linh kin m
khụng ph thuc vo cụng sut ca nú v chỳng ta cng ó bit trong cỏc mụn lý thuyt
linh kin in t v in t cụng sut. c tuyn ca mt linh kin cú th xõy dng t
thc nghim hoc v ra t mụ hỡnh toỏn hc ca nú. Tuy rng linh kin cụng sut hot
ng ch yu hai ch ngt (ngng dn) v úng (dn bóo hũa), nhng vic v c
tuyn ca linh kin giỳp cho sinh viờn nm c c tớnh hot ng ca linh kin, t ú
s dng chỳng tt hn trong cỏc mch cụng sut. Vỡ vy, ni dung ch yu ca bi ny l
v c tuyn ca cỏc linh kin in t c bn t cỏc mụ hỡnh toỏn hc ca nú, vi s tr
giỳp ca mỏy tớnh. Bi thc tp ny cũn giỳp cho sinh viờn nm c cỏc nguyờn tc c
bn ca vic mụ phng linh kin hay mch in t bng mỏy vi tớnh.

2.2. NI DUNG
2.2.1. DIODE:
c tuyn biu din s ph thuc ca dũng in I [A] qua diode vo in ỏp V[V]
gia anode A v cathode K ca diode.
Qui c: chiu dng ca I l chiu t anode n cathode, tng ng vi chiu
dng ca in ỏp hng v anode. Hỡnh 2.1 mụ t cu to (a) v ký hiu ca diode (b) .
A
I
+
V
Phaõn cửùc thuaọn:
U > 0, I > 0
Phaõn c
ử
ùc
nghũch: U < 0, I < 0
K
(a)
(b)
Hỡnh 2.1
2.2.1.1. Mụ hỡnh toỏn hc [6]:



V


kT
I
=

I
S

exp

V


1

vi
V
t
=
e
c gi l nhit in th.


t
Trong ú: I
S
l dũng in r; T l nhit tuyt i; e = 1,59.10
-19
Coulomb;
v k = 1.38.10
-23
(hng s Boltzmann).
I
S
= 1,2mA i vi diode Germanium.

I
S
= 0,2nA i vi diode Silicon.
nhit bỡnh thng T = 300
0
K, V
t
= 0,026 Volt
Khi phân cực thuận, dòng điện qua diode tăng nhanh, vì thế phải hạn chế dòng điện
qua diode để nó không bị đánh thủng. Khi diode dẫn diện, điện áp phân cực thuận V=0,3
Volts đối với diode Ge và V=0,7 Volts đối với diode Si. Do đó, V/V
t
> 10 và exp(V/V
t
)
>>1.


V

Suy ra:
I ≈ I
S
exp
 

V
t

Công thức trên chỉ đúng khi dòng điện qua mối nối khá lớn. Với dòng điện nhỏ (vài

mA trở xuống) dòng điện qua diode là:
I ≈ I
s
[exp(V/V
t
)-1]
Trong đó: =1 đối với diode Ge, =2 đối với diode Si
Trong thí nghiệm, mạch phân cực để vẽ đặc tuyến của diode như sau:
2.2.1.2. Thực hành:
1) Dự vào mô hình toán học, hãy viết chương trình vẽ đặc tuyến I-V của diode bằng
ngôn ngữ MATLAB (hoặc ngôn ngữ tuỳ ý) với V biến thiên từ -10V đến 0.7V
cho diode Si ở nhiệt độ bình thường. Chạy thử chương trình và so sánh kết quả
mô phỏng được với đặc tuyến lý thuyết đã học. Dựa vào đặc tuyến vẽ được, hãy
ghi lại các đại lượng: I
S
khi phân cực ngược và V khi phân cực thuận. [1], [6]
2) Dùng phần mềm Multisim V6.20 hoặc 5.12 (Electronics WorkBench) để vẽ đặc
tuyến của diode và so sánh với kết quả ở câu 1. [3], [7], [8], [9] Cho nhận xét.
2.2.2. TRANSISTOR
Cấu tạo, ký hiệu và mạch tương đương Ebers-Moll của transistor NPN lần lượt được
trình bày trong hình 2.2 (a), (b), (c).


C
I
C
C
N
C
B

P
B
N
E
E
B

V
BE
(I
CS
)
I
B

(I
ES
)
I
F
I
CC
I
EC
(a)

(b)
(c)
E
Hình 2.2

2.2.2.1. Mô hình toán học [6]:
Trong mô hình Ebers-Moll cơ bản (hình 3.c), các dòng điện I
C
, I
B
, I
E
được xác
định bởi các biểu thức sau:
I
c
= 〈
F
I
ES
[exp (V
BE
/V
t
)-1]-I
CS
[exp(V
BC
/V
t
)-1]
I
E
= -I
ES

[exp(V
BE
/V
t
)-1]+I
S
[exp (V
BCV
/v
t
)-1]
I
B
= -(I
C
+I
E
)
Trong đó:
I
ES
: dòng điện bảo hòa ngược của diode B-E
I
CS
: dòng điện bảo hòa ngược của diode B-C
〈
F
và
〈
R

lần lượt là độ lợi dòng điện thuận và ngược
BJT cực nền chung.
ở chế độ tín hiệu lớn của
Hai nguồn dòng điện I
CC
và I
EC
được điều khiển bởi I
F
và I
R
như sau:
I
F
=I
CC
/〈
F
I
R
=I
EC
/

R
I
CC
=
〈
F

I
ES
[exp(V
BC
/V
t
)-1]=
〈
F
I
F
I
EC
=
〈
R
I
CS
[exp(V
BC
/V
t
)-1]=
〈
R
I
R
Ta có: 〈
F
I

ES
= 〈
R
I
CS
= I
S
(dòng bảo hòa của BJT)
Suy ra:
I
F
=I
S
/〈
R
[exp(V
BE
/V
t
)-1]
I
R
=I
S
/〈
R
[exp(V
BC
/V
t

)-1]
I
EC
=I
S
[exp(V
BC
/V
t
)-1]
I
CC
=I
S
[exp(V
BE
/V
t
)-1]
Dựa vào kết quả này, ta có thể biểu diễn transistor theo mô hình vận chuyển
(transport model) như trong hình 2.3.a .


C

C
I
C
I
C

V
BC
I
B
B

V
BE
I
EC
/〈
R
(I
S
/〈
R
)




(I
S
/〈
F
)
I
CC
/〈
F

I
CC
I
EC
I
EC
/
R
I
B
I
CC
/
F

(I
S
/
F
)
(a)
I
E

E
Hình 2.3
I
E


(b)
E
Nói chung các tham số
〈
F
và
〈
R
thường không được dùng để mô hình hóa
transistor, người ta thay thế bằng các tham số thân thiện hơn, đó là:

F
=〈
F
/(1-〈
F
) và 
R
=〈
R
/(1-〈
R
)

F
và 
R
lần lượt là độ lợi dòng điện thuận và độ lợi dòng điện ngược của
transistor mắc cực E chung. Mô hình Ebers-Moll có thể được thay đổi bằng cách thay thế
I

CC
và I
EC
bởi một nguồn dòng duy nhất có biểu thức như sau:
I
CT
= I
CC
– I
EC
= I
S
[exp(V
BE
/V
T
) - exp(V
BC
/V
T
)]
Mô hình này được trình bày trong hình 2.3.b.
2.2.2.2. Thực hành: [1], [3], [7], [8], [9], [10], [11]
1) Dựa vào mô hình toán học, hãy viết chương trình vẽ đặc tuyến ngõ vào với V
BE
biến thiên từ 0 đến 0.7V của BJT loại Silicon bằng ngôn ngữ MATLAB (hoặc
ngôn ngữ tuỳ ý), ở nhiệt độ bình thường. Chạy thử chương trình và so sánh kết
quả mô phỏng được với đặc tuyến lý thuyết đã học.
2) Dự vào mô hình toán học, hãy viết chương trình vẽ đặc tuyến ngõ ra với V
CE

biến thiên từ 0 đến 24V của BJT loại Silicon bằng ngôn ngữ MATLAB (hoặc
ngôn ngữ tuỳ ý), ở nhiệt độ bình thường. Chạy thử chương trình và so sánh kết
quả mô phỏng được với đặc tuyến lý thuyết đã học.
3) Dự vào mô hình toán học, hãy viết chương trình vẽ đặc tuyến truyền của BJT
loại Silicon bằng ngôn ngữ MATLAB (hoặc ngôn ngữ tuỳ ý), ở nhiệt độ bình
thường, với V
CE
biến thiên từ 0 đến 24V và V
BE
biến thiên từ 0 đến 0.7V .
Chạy thử chương trình và so sánh kết quả mô phỏng được với đặc tuyến lý thuyết
đã học.
4) Dùng phần mềm Multisim V6.20 hoặc 5.12 (Electronics WorkBench) để vẽ đặc
tuyến ngõ vào và đặc tuyến ngõ ra của BJT, so sánh với kết quả ở câu 1, câu 2 và
câu 3. Cho nhận xét.
Gợi ý:
Dựa vào mô hinh cấu trúc này ta tìm được:
I
C
= I
S
(V
BE
/V
t
)-exp(V
BC
/V
t
)]-I

S
/
R
[exp(V
BC
/V
t
)-1]
I
B
= I
S
/
R
[exp(V
BC
/V
t
)-1]+ I
S
/
R
[exp(V
BE
/V
t
)-1]
I
E
=I

S
[(V
BE
/V
t
)-exp(V
BC
/V
t
)]-I
S
/
R
[exp(V
BE
/V
t
)-1]
Phương trình đặc tuyến ngỏ vào của transistor:
I
B
=f(V
BE
)|V
CE
I
B
= I
S
/

R
[exp(V
BC
/V
t
)-1]+ I
S
/
R
[exp(V
BE
/V
t
)-
1] Thay V
BC
=V
BE
-V
CE
, suy ra:
I
B
= I
S
/

R
[exp(V
BC

/V
t
)-1]+ I
S
/

R
{exp(V
BE-
-V
CE
)/V
t
]-1}
Phương trình đặc tuyến ngỏ ra của transistor:
I
C
=f(V
CE
)|I
B
I
C
= I
S
(V
BE
/V
t
)-exp(V

BC
/V
t
)]-I
S
/
R
[exp(V
BC
/V
t
)-1]
Thực tế V
BE
<<-V
t
, suy ra:
I
C
=I
S
exp(V
BE
/V
t
)
Phương trình đặc tuyến truyền của transistor:
I
C
=f(V

BE
)|V
CE
I
C
= I
S
(V
BE
/V
t
)-exp(V
BC
/V
t
)]-I
S
/
R
[exp(V
BC
/V
t
)-1]
Thay V
BC
=V
BE
-V
CE

ta được:
I
C
= I
S
{(V
BE
/V
t
)-exp[(V
BE
-V
CE
)/V
t
]}-I
S
/

R
{exp[(V
BE
-V
CE
)/V
t
]-1}
2.2.3. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
MOSFET có 2 loại: loại hiếm (DE-MOSFET: Depletion-type MOSFET) và loại
tăng (E-MOSFET: Enhancement-type MOSFET).

Trong bài thực hành này ta chỉ khảo sát loại tăng (E-MOSFET)
2.2.3.1. E-MOSFET transistor [2], [12]
 Cấu tạo căn bản
E-MOSFET có hai loại: loại kênh N và loại kênh P.
Mô hình 2.4 mô tả cấu tạo, ký hiệu và hình dạng của hai loại E-MOSFET kênh N
và kênh P.
 Hoạt động
Hình 2.4
Khi V
GS
<0, do không có thông lộ nối liền giữa hai vùng thoát và nguồn, nên mặc dù
có nguồn điện thế V
DS
áp vào hại cực thoát và nguồn, điện tử cũng không thễ di chuyển
nên không có dòng thoát I
D
(I
D
=0) lúc này chỉ có một dòng rỉ rất nhỏ chạy qua.
Khi V
GS
>0 một điện trường được tạo ra ở vùng cổng. Do cổng mang điện tích
dương nên hút các điện tử trong nền P
_
(là hạt tải điện thiểu số ) đến tập trung ở mặt đối
diện của vùng cổng. Khi V
GS
đủ lớn, lực hút mạnh các điện tử đến tập trung nhiều và tạo
thành một thông lộ tạm thời nối liền giữa hai vùng nguồn S và thoát D. Điện thế V
GS

mà
từ đó dòng điện thoát I
D
bắt đầu tăng được gọi là điện thế thềm cổng nguồn V
GS
(th). Khi
V
GS
tăng lớn hơn V
GS
(th), dòng điện thoát I
D
tiếp tục tăng nhanh.
.
Dòng điện thoát I
D
được xác định theo từng điều kiện sau:
I
D
=0 ,V
GS
<V
th
I
D
=[V
GS
-V
th
-(V

DS
/2)]V
DS
,V
GS
>V
th
and V
GS
-V
DS
>V
th
I
D
=(

/2)(V
GS
-V
th
)
2
,V
GS
>V
th
and V
GS
-V

DS
<=V
th
Với

=k
P
(W/L) gọi là tham số độ hỗ dẫn
 Thực hành [1], [3], [6], [7], [8], [9], [10], [11]
1) Xây dựng mô hình toán học, viết chương trình vẽ đặc tuyến ngõ ra của MOSFET
kênh N bằng ngôn ngữ MATLAB (hoặc ngôn ngữ tuỳ ý), ở nhiệt độ bình
thường, với V
DS
biến thiên từ 0 đến 24V và V
GS
= -2V; -1V; 0V; 1V; 2V; 3V;
4V; 5V; 6V. Chạy thử chương trình và so sánh kết quả mô phỏng được với đặc
tuyến lý thuyết đã học.
2) Xây dựng mô hình toán học, viết chương trình vẽ đặc tuyến truyền của
MOSFET kênh N bằng ngôn ngữ MATLAB (hoặc ngôn ngữ tuỳ ý), ở nhiệt độ
bình thường, với V
GS
biến thiên từ 0 đến 10V và V
DS
= 24V. Chạy thử chương
trình và so sánh kết quả mô phỏng được với đặc tuyến lý thuyết đã học.
3) Dùng phần mềm Multisim V6.20 hoặc 5.12 (Electronics WorkBench) để vẽ đặc
tuyến ngõ ra và đặc tuyến truyền của MOSFET, so sánh với kết quả ở câu 1 và
câu 2. Cho nhận xét.
2.2.4. THYRISTOR (SCR) [2], [10]

SCR vàTriac là các linh kiện điều khiển không thể kích ngắt. Công dụng quan trọng
của nó là điều khiển công suất trên tải. Trong trường hợp này chúng đóng vai trò như
một khóa điện tử, nên chỉ có 2 trạng thái dẫn (đóng) và khóa (ngắt). SCR điều khiển công
suất DC, TRIAC điều khiển công suất AC. Tuy nhiên, ta cũng có thể dùng 2 SCR hoặc
kết hợp SCR với một số Diode để điều khiển công suất AC.
Cấu tạo, ký hiệu, hình dạng thực tế và đặc tuyến vào – ra của SCR được trình bày
trong hình 2.5.
Hình 2.5
Ta thấy, SCR chỉ dẫn điện một chiều.
- Kích đóng (mở): V
AK
> 0, I
G
> 0