Kỹ thuật điện tử
Kỹ thuật điện tử
Nguyễn Duy Nhật Viễn
Chương 3
Chương 3
BJT và ứng dụng
BJT và ứng dụng
Nội dung
Nội dung
Cấu tạo BJT
Các tham số của BJT
Phân cực cho BJT
Mạch khuếch đại dùng BJT
Phương pháp ghép các tầng khuếch đại
Mạch khuếch đại công suất
Cấu tạo BJT
Cấu tạo BJT
BJT (Bipolar Junction Transistors)
BJT (Bipolar Junction Transistors)
Cho 3 lớp bán dẫn tiếp xúc công nghệ liên tiếp
nhau.
Các cực E: Emitter, B: Base, C: Collector.
Điện áp giữa các cực dùng để điều khiển dòng
điện.
Hai loại BJT
Hai loại BJT
NPN
NPN
PNP
PNP
n
n
p
p
n
n
E
B
C
p
p
n
n
p
p
E
B
C
Cấu tạo Cấu tạo
B
C
E
Ký hiệu
B
C
E
Ký hiệu
Nguyên lý hoạt động
Nguyên lý hoạt động
Xét BJT NPN
N P N
R
E
R
C
E
E
E
C
E=E
E
+E
C
E
E
E
C
I
C
I
B
I
E
E C
B
Nguyên lý hoạt động
Nguyên lý hoạt động
Từ hình vẽ:
I
E
= I
B
+ I
C
Định nghĩa hệ số truyền đạt dòng điện:
α = I
C
/I
E.
ĐỊnh nghĩa hệ số khuếch đại dòng điện:
β = I
C
/ I
B.
Như vậy,
β = I
C
/ (I
E
–I
C
) = α /(1- α);
α = β/ (β+1).
Do đó,
I
C
= α I
E
;
I
B
= (1-α) I
E;
β ≈ 100 với các BJT công suất nhỏ.
Chiều dòng, áp của các BJT
Chiều dòng, áp của các BJT
B
B
C
C
E
E
I
I
E
E
I
I
C
C
I
I
B
B
-
-
+
+
V
V
BE
BE
V
V
BC
BC
+
+
-
-
+
+
-
-
V
V
CE
CE
B
B
C
C
E
E
I
I
E
E
I
I
C
C
I
I
B
B
-
-
+
+
V
V
EB
EB
V
V
CB
CB
+
+
-
-
+
+
-
-
V
V
EC
EC
npn
npn
I
I
E
E
= I
= I
B
B
+ I
+ I
C
C
V
V
CE
CE
= -V
= -V
BC
BC
+ V
+ V
BE
BE
pnp
pnp
I
I
E
E
= I
= I
B
B
+ I
+ I
C
C
V
V
EC
EC
= V
= V
EB
EB
- V
- V
CB
CB
Ví dụ
Ví dụ
Cho BJT như hình vẽ.
Với IB = 50 µ A , IC = 1 mA
Tìm: IE , và α
Giải:
IE = IB + IC = 0.05 mA + 1 mA = 1.05 mA
= IC / IB = 1 mA / 0.05 mA = 20
α = IC / IE = 1 mA / 1.05 mA = 0.95238
α còn có thể tính theo .
α = = 20 = 0.95238
+ 1 21
+
+
_
_
+
+
_
_
I
I
C
C
I
I
E
E
I
I
B
B
E
E
B
B
C
C
V
V
CB
CB
V
V
BE
BE
Đặc tuyến tĩnh của BJT
Đặc tuyến tĩnh của BJT
Giữ giá trị I
B
không đổi, thay đổi E
C
, xác định I
C
, ta có:
I
C
=f(U
CE
)
I
B
=const
V
mA
µA
E
C
E
B
R
B
R
C
Q
U
CE
I
B
I
C
U
U
CE
CE
I
I
C
C
Vùng tích
Vùng tích
cực
cực
I
I
B
B
Vùng bão hòa
Vùng bão hòa
Vùng cắt I
Vùng cắt I
B
B
= 0
= 0
Các tham số của
Các tham số của
BJT
BJT
BJT như một mạng 4 cực
BJT như một mạng 4 cực
Xét BJT NPN, mắc theo kiểu E-C
Tham số trở kháng z
Tham số trở kháng z
ik
ik
Hệ phương trình:
U
1
=z
11
I
1
+z
12
I
2
.
U
2
=z
21
I
1
+z
22
I
2
.
Ở dạng ma trận:
U
1
z
11
z
12
I
2
.
U
2
z
21
z
22
I
2
.
z
11
=U
1 ,
z
12
=U
1 ,
I
1
I
2
=0 I
2
I
1
=0
z
21
=U
2 ,
z
22
=U
2 ,
I
1
I
2
=0 I
2
I
1
=0
z
11
: Trở kháng vào của
BJT khi hở mạch ngõ ra.
z
12
: Trở kháng ngược của
BJT khi hở mạch ngõ
vào.
z
21
: Trở kháng thuận của
BJT khi hở mạch ngõ ra.
z
22
: Trở kháng ra của BJT
khi hở mạch ngõ vào.
Tham số dẫn nạp y
Tham số dẫn nạp y
ik
ik
Hệ phương trình:
I
1
=y
11
U
1
+y
12
U
2
.
I
2
=y
21
U
1
+y
22
U
2
.
Ở dạng ma trận:
I
1
y
11
y
12
U
2
.
I
2
y
21
y
22
U
2
.
y
11
= I
1 ,
y
12
=I
1 ,
U
1
U
2
=0 U
2
U
1
=0
y
21
= I
2 ,
y
22
= I
2 ,
U
1
U
2
=0 U
2
U
1
=0
y
11
: Dẫn nạp vào của BJT
khi ngắn mạch ngõ ra.
y
12
: Dẫn nạp ngược của
BJT khi ngắn mạch ngõ
vào.
y
21
: Dẫn nạp thuận của
BJT khi ngắn mạch ngõ
ra.
y
22
: Dẫn nạp ra của BJT
khi ngắn mạch ngõ vào.
Tham số hỗn hợp h
Tham số hỗn hợp h
ik
ik
Hệ phương trình:
U
1
=h
11
I
1
+h
12
U
2
.
I
2
=h
21
I
1
+h
22
U
2
.
Ở dạng ma trận:
U
1
h
11
h
12
I
2
.
I
2
h
21
h
22
U
2
.
h
11
=U
1 ,
h
12
=U
1 ,
I
1
U
2
=0 U
2
I
1
=0
h
21
=I
2 ,
h
22
=I
2 ,
I
1
U
2
=0 U
2
I
1
=0
h
11
: Trở kháng vào của
BJT khi ngắn mạch ngõ
ra.
h
12
: Hệ số hồi tiếp điện áp
của BJT khi hở mạch ngõ
vào.
h
21
: Hệ số khuếch đại
dòng điện của BJT khi
ngắn mạch ngõ ra.
h
22
: Dẫn nạp ra của BJT
khi hở mạch ngõ vào.
Phân cực cho BJT
Phân cực cho BJT
Phân cực cho BJT
Phân cực cho BJT
Cung cấp điện áp một chiều cho các cực của
BJT.
Xác định chế độ họat động tĩnh của BJT.
Chú ý khi phân cực cho chế độ khuếch đại:
Tiếp xúc B-E được phân cực thuận.
Tiếp xúc B-C được phân cực ngược.
Vì tiếp xúc B-E như một diode, nên để phân cực
cho BJT, yêu cầu V
BE
≥Vγ.
Đối với BJT Ge: Vγ~0.3V
Đối với BJT Si: Vγ~0.6V
Đường tải tĩnh và điểm làm
Đường tải tĩnh và điểm làm
việc tĩnh của BJT
việc tĩnh của BJT
Đường tải tĩnh được vẽ
trên đặc tuyến tĩnh của
BJT. Quan hệ: I
C
=f(U
CE
).
Điểm làm việc tĩnh nằm
trên đường tải tĩnh ứng
với khi không có tín hiệu
vào (xác định chế độ
phân cực cho BJT).
Điểm làm việc tĩnh nằm
càng gần trung tâm KL
càng ổn định.
L
K
I
B
=0
I
B
=max
Phân cực bằng dòng cố định
Phân cực bằng dòng cố định
Xét phân cực cho BJT NPN
Áp dụng KLV cho vòng I:
I
B
=(V
B
-U
BE
)/R
B
.
Áp dụng KLV cho vòng II:
U
CE
=V
CC-
I
C
R
C
.
I
Phân cực bằng dòng cố định
Phân cực bằng dòng cố định
Xác định điểm làm việc
tĩnh:
Phương trình tải tĩnh:
V
CC
=I
C
R
C
+U
CE
.
Là phương trình đường
thẳng.
U
CE
=0, I
C
=V
CC
/R
C
.
I
C
=0, U
CE
=V
CC.
Điểm làm việc tĩnh:
Giao điểm giữa đường tải
tĩnh với đặc tuyến BJT của
dòng I
B
phân cực.
Phân cực bằng dòng cố định
Phân cực bằng dòng cố định
Tính ổn định nhiệt
Khi nhiệt độ tăng, IC tăng, điểm làm
việc di chuyển từ A sang A’. BJT dẫn
càng mạnh, nhiệt độ trong BJT càng
tăng, càng làm IC tăng lên nữa.
Nếu không tản nhiệt ra môi trường,
điểm làm việc có thể sang A’’ và tiếp
tục.
Vị trí điểm làm việc thay đổi, tín hiệu
ra bị méo.
Trường hợp xấu nhất có thể làm
hỏng BJT.
A
A’
A’’
U
CEA
U
CE
I
C
I
CA
I
CA’
I
CA’’
Phân cực bằng dòng cố định
Phân cực bằng dòng cố định
Ví dụ
Cho mạch như hình
vẽ, với V
BB
=5V,
R
BB
=107.5kΩ, β=100,
R
CC
=1kΩ, Vγ=0.6V,
V
CC
=10V.
Tìm I
B
, I
C
, V
CE
và công
suất tiêu tán của BJT.
Xác định điểm làm
việc tĩnh của BJT.
Phân cực bằng dòng cố định
Phân cực bằng dòng cố định
Tìm I
B
, I
C
, V
CE
và công suất tiêu tán của BJT.
Để BJT họat động ở chế độ khuếch đại, chọn
UBE=Vγ
Áp dụng KLV cho nhánh B-E
I
B
=(V
BB
-U
BE
)/R
BB
~40µA.
I
C
= βI
B
=4mA
Áp dụng KLV cho nhánh C-E:
U
CE
=V
CC
-I
C
R
C
=6V
Công suất tiêu tán BJT:
P=U
CE
.I
C
=24mW.
Phân cực bằng dòng cố định
Phân cực bằng dòng cố định
Xác định điểm làm việc tĩnh:
Phương trình tải tĩnh:
V
CC
=I
C
R
CC
+U
CE
.
Là phương trình đường thẳng.
U
CE
=0, I
C
=V
CC
/R
CC
=10mA.
I
C
=0, U
CE
=V
CC
=10V.
Điểm làm việc tĩnh:
Giao điểm giữa đường tải tĩnh với đặc tuyến BJT của dòng IB
phân cực (40µ).
Điểm làm việc nằm gần giữa đường tải tĩnh, mạch tương đối
ổn định.
Ic(mA)
U
CE
(V)
10
10
A(6V,4mA)
6
40µA
4