Điện tử học : Mạch phân cực Transistor lưỡng cực nối part 4 pot

5.Hệ số ổn định nhiệt S
Khi nhiệt độ thay đổi, các thông số transistor
thay đổi như sau:
 I
CBO
tăng gaáp đôi khi nhiệt độ tăng lên
10
o
C.[ 8
o
C ( Si); 12
o
C(Ge)].
 tăng gắp đôi khi nhiệt độ tăng 50
o
C ( Si) ;
80
o
C ( Ge).
 V
BE
giảm theo – 2,2mV /
o
C [ -2,5mV /
o
C
(Si); - 1,6mV /
o
C ( Ge) ].
Vậy dòng thu là hàm số:
I

C
= f ( I
CBO
, , V
CE
)


• Sự thay đổi dòng thu cho bởi:
• Các hệ số ổn định nhiệt:
 
, ,
C C C
E
CBO BE
CBO
C BE CBO
I I I
dI V dI d d
I
VB
I V



  
  
  
C
CBO

C
C
BE
I
V
I
S
I
I
S
I
S
V











Hệ số ổn định nhiệt trong mạch phân cực
bằng cầu phân thế và R
E
.
• Ta có:
V

BB
= R
B
I
B
+ V
BE
+ R
E
I
E
= R
B
I
B
+ V
BE
+ R
E
(I
B+
I
C
)
=
= V
BE
+ R
B
I

B
+R
E
I
C
+R
E
I
B
= V
BE
+
(R
B
+R
E
)I
B
+R
E
I
C
(1)
I
C
= + (2).
Thay (2) vào (1):
Hay:
B
I




1
CBO
I


 
1
C
B E CBO E C
BB BE
I
V V
R R I R I

 
 
 

    
 
 
 
 









1
B E C B E CBO E C
BB BE
V V
R R I R R I R I
  
      
•
Sắp xếp lại:
Hay:
Tính được:
Do : nên:
S
I
càng nhoû mạch càng ổn định ( 1- 11), S
I
= 11 là trị số
tối ưu.


 




 

1
1 1
B E
B B B E
C C B O
B E B E
V V R R
I I
R R R R
 
 
  
 
   




 
1
1
C
B E
I
CBO
B E
R R
I
S
I

R R


 

 

 


1
E B
R R

 ?


1
B E
B
I
E
E
R R
R
S
R
R

  











1 1
B C B E CBO
BB BE
E
R
V V
R I R R I
  
      
• Tương tự:
• Vì trong công thức vẫn còn chứa cả ICBO, VCE,
nên ta có thể tính theo cách sau:
Suy ra:
 
1
1
V
B E E
S
R R R




  
 




 
 
2
1
B E B C B O
B B B E
C
B E
V V
R R R I
I
S
R R



  

 






    
1
1
B E
C B E CBO
BB BE
R R
V V
I R R I



 
 
    
 
 




 


2 1
C 2 C 1
2 1

2 C 2
2
C 1
1 1
1 1
1
1
B E B E
B E
B E
R R R R
I I
R R
I
I R R
 
 


 
   
   

   
   
 
 

 
 

 