Tải bản đầy đủ (.pdf) (11 trang)

Giáo trình tổng hợp các cách để phân biệt các loại tích hợp trong mạch phần 4 potx

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (272.29 KB, 11 trang )

Và sơ đồ mạch in mặt dưới:

















Sơ đồ mạch in mặt trên:










Sơ đồ bố trí linh kiện:












Trong đó các transistor và điện trở được tính toán như sau:
Q
1
, Q
2
làm việc ở chế độ bảo hòa, điện áp V
CE
có thể chòu được là V
pp
(khi
Transistor ngưng dẫn).
Để đồng nhất trong tính toán chọn Q
1
, Q
2
là C1815 có các thông số sau:
V
BE
bảo hoà: V
BE sat

= 0,8V.
V
CE
bảo hòa: V
CE sat
= 0,2 V.
Hệ số khuếch đại bảo hòa:  sat =30.
Tính I
C1:

11
2,0
1
C
PP
C
CESATPP
C
R
V
R
VV
I





Chọn R
C1

= 4,7 k.



K
V
I
PP
C
7,4
2,0
1

Nếu V
pp
= 12,5V thì:
 
mAI
C
6,2
7,4
2,05,12
1




Nếu V
pp
= 21V thì:

 
mAI
C
4,4
7,4
2,021
1



Tính R
B1
:
Ta coự:
sat
I
I
C
B

1
1


sat
I
R
VV
C
B

BESATCC

1
1






1
1
C
BEsatCCB
I
sat
VVR




k
I
R
C
B
1
1
30
8,05

Neỏu V
pp
= 12,5V thỡ



KR
B
48
6,2
302,4
1

Neỏu V
pp
= 21V thỡ



KR
B
6,28
4,4
302,4
1

Vaọy choùn R
B1
= 27 K
Tớnh I

C2
:
Ta coự:
2
2
C
CEsatPP
C
R
VV
I


Choùn R
C2
= 4,7K thỡ



K
V
I
PP
C
7,4
2,0
2

Neỏu V
pp

= 12,5V thỡ

mA
K
I
C
6,2
7,4
2,05,12
2





Neỏu V
pp
= 21V thỡ

mA
K
I
C
4,4
7,4
2,021
2





Tớnh R
B2
:
Ta coự:
sat
I
I
C
B

2
2


sat
I
RR
VVV
C
CB
BEsatCCpp

2
12








2
12
C
BEsatCCPPCB
I
sat
VVVRR



Neỏu V
pp
= 12,5V thỡ


mA
RR
CB
6,2
30
8,055,12
12







K
mA
R
B
7,4
6,2
307,6
2




 KR
B
6,727,43,77
2

Nếu V
pp
= 21V thì
 
 
mA
RR
CB
4,4
30
8,0521
12


 
 


 K
mA
R
B
7,4
4,4
302,15
2




 KR
B
9,987,46,103
2

Vậy chọn R
B2
= 68 (K)
Sơ đồ nguyên lý mạch chuyển đổi điện áp lập trình:
CHƯƠNG IV: THIẾT KẾ PHẦN MỀM
GIỚI THIỆU:
Để phần cứng của mạch ghi đọc EPROM hoạt động cần phải có phần mềm
điều khiển nó. phần mềm điều khiển có thể viết bằng ngôn ngữ pascal, ngôn ngữ
Assembly.v.v.

Ở đề tài này, vì card ghi đọc EPROM được giao tiếp với kit vi xử lý nên phần
mềm được viết với ngôn ngữ máy.
SƠ ĐỒ KHỐI:
Để card ghi đọc EPROM hoạt động đúng chức năng của nó thì phần mềm
điều khiển phải hội đủ những yêu cầu đề ra. ở đề tài này chỉ quan tâm đến các
phần mềm sau:
- Kiểm tra sạch EPROM.
- Ghi dữ liệu lên EPROM.
- Đọc dữ liệu trên EPROM.
- Kiểm tra dữ liệu đã ghi lên EPROM với dữ liệu cần ghi.
II.1. SƠ ĐỒ KHỐI PHẦN KIỂM TRA “SẠCH”
EPROM:

Begin

Ktaïo 8255

HL

ÑCÑO

DE

ÑCCO


Xuaát Ñchæ

Ñieàu khieån


A

Data

HL=DE

(A) = FF

End

HL = DE

Hieån Thò

Call Tastd

= 15 ?

Hieån Thò

INXRHL



Ñ

Ñ

Ñ


Ñ

S

S

S

II.2. SƠ ĐỒ KHỐI PHẦN ĐỌC DỮ LIỆU TỪ
EPROM:


Đ

KTạo 8255

HL

ĐCĐ

DE

ĐCC

Xuất đòa ch


Xuất điều khiển

A


Data

Hiển thò

Begin

HL = ĐCĐ

HL = DE

Call Tastd

= 12 ?

End

Call Tastd

HL =DE

= 12 ?

Call Tastd

INXHL

DCXHL

= 15 ?



KTạo 8255

HL

ĐCĐE
DE

ĐCĐA

Xuất đòa chỉ

Điều khiển

A  (DE)
Begin

(A) = (B)

HL = BC

Hiển Thò

End

HL = DE

= 15 ?


BC

ĐCCA

B

(HL)

Hthò Error

Call Tastd

INR DE

INR HL

Đ

S

S

Đ

II.3. SƠ ĐỒ KHỐI PHẦN
KIỂM TRA DỮ LIỆU


LDA 8323
ANI F0

CA(RRC4)

LDA 8322,ANI 0F

A(RLC4) ORA C
STA 8322

LDA 8323,ANI 0F
8323

RLC4,ORA
B
Begin

83F8 0D
83F9

0C

83FA

0D

83FB

0A

8322 00
8323


00

HThò2dcdA 0000

Call Tast D

A = 00?

RET

=12

B

A

ANI 0F

LÖU

Ñ

Ñ

II.4. SÔ ÑOÀ KHOÁI NHAÄP ÑÒA CHÆ ÑAÀU RAM

LDA 8323

ANI F0
CA(RRC4)


LDA 8322,ANI 0F
A(RLC4) ORA C
STA 8322

LDA 8323,ANI 0F

8323

RLC4,ORAB
Begin

83F8 0D
83F9

0C

83FA  0C
83FB

0A

8322

00

8323

00


HThò2dcdA 0000

Call Tast D

A = 00?

RET

=12

BA
ANI 0F

LÖU

Ñ

Ñ

II.5. SÔ ÑOÀ KHOÁI NHAÄP ÑÒA CHÆ CUOÁI RAM

×