Bài tập kỹ thuật điện tử

1

2

Lưu ý:


 Mổi sinh viên hãy tự làm bài tập trực tiếp vào phần trắng trong tập này (khổ
giấy A4). Không sao chép bài giải của
người
khác.


 Tài liệu tham khảo:
- [Dư

Quang Bình] - Bài giảng Kỷ thuật điện tử, (2000).
- [Rizzoni G] - Principles and Applications of Electrical Engineering, (2004).

Khi cần liên hệ: Thầy Dư

Quang Bình, 0905894666, hoặc: Email:
binhduquang@.gmail.com

 Thời hạn hoàn thành và nộp bài tập: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
tại bm: Kỹ th uậ t Điện tử, Khoa Điện tử-Viễn thông, Trường Đại học Bách
Khoa Đà Nẵng – 54 Nguyễn
Lương
Bằng, Quận Liên Chiểu, Tp Đà Nẵng. (không
chấp nhận sự chậm trể).

3

Chương 1: Vật liệu bán dẫn và diode



 Vật liệu bán dẫn có độ dẫn điện thuộc trong khoảng giữa độ dẫn điện của các chất dẫn điện và
các chất cách điện. Đặc tính độ dẫn điện của vật liệu bán dẫn làm cho các vật liệu bán dẫn rất
hữu ích trong việc chế tạo nhiều cấu kiện điện tử để có biểu hiện đặc tuyến i-v phi tuyến. Trong
số các cấu kiện bán dẫn thì diode là một trong các cấu kiện thông dụng nhất.
 Diode bán dẫn hoạt động giống như một van dẫn điện theo một chiều, cho phép dòng điện chảy
chỉ khi được phân cực thuận. Mặc dù hoạt động của diode được mô tả theo phương trình hàm mủ
nhưng ta có thể xét gần đúng hoạt động của diode bằng các mô hình mạch đơn giản. Mô hình
mạch đơn giản nhất là xem diode như một ngắn mạch hoặc hở mạch (mô hình đóng-mở hay mô
hình lý tưởng). Mô hình lý tưởng có thể được mở rộng để bao gồm cả nguồn điện áp ngưỡng
(thường từ 0,2 V đến 0,7 V), đó là tương ứng với thế hiệu tiếp giáp tại tiếp giáp của diode. Mô
hình thực tế chi tiết hơn là mô hình diode chi tiết sẽ tính cả các ảnh hưởng của điện trở thuận của
diode. Bằng các mô hình mạch của diode ta có thể phân tích các mạch diode sử dụng trong kỹ
thuật phân tích mạch DC và AC đã được khảo sát trong chương.
 Một trong những đặc tính quan trọng nhất của diode bán dẫn là sự chỉnh lưu, tức là cho phép
chuyển đổi các mức điện áp và dòng điện AC thành các mức điện áp và dòng điện DC. Các mạch
chỉnh lưu bằng diode có thể là kiểu bán kỳ hay có thể là kiểu toàn kỳ. Các bộ chỉnh lưu toàn kỳ
có thể cấu trúc theo dạng mạch hai diode thông dụng hoặc mạch cầu. Các mạch chỉnh lưu bằng

diode là bộ phận chỉnh của các bộ nguồn cung cấp DC và thường được sử dụng kết hợp với các
tụ lọc để nhận được dạng sóng điện áp DC tương đối bằng phẳng. Ngoài việc chỉnh lưu và lọc
cũng cần phải ổn định mức điện áp ra của nguồn cung cấp DC; các diode Zener sẽ thực hiện
nhiệm vụ ổn định điện áp bằng cách giữ mức điện áp không đổi khi mức điện áp phân cực ngược
vượt trên mức điện áp Zener.
 Ngoài các ứng dụng làm nguồn cung cấp, các diode còn được sử dụng trong nhiều mạch xử lý tín
hiệu và điều hòa tín hiệu. Trong đó có mạch xén bằng diode, mạch tách sóng bằng diode, và
mạch ghim đã được khảo sát trong chương. Hơn nửa, do các đặc tính của vật liệu bán dẫn cũng
bị tác dụng bởi cường độ sáng nên một số loại diode được gọi là photodiode, có ứng dụng làm
các mạch tách quang [light detector], pin mặt trời [solar cell], hay các diode phát-quang [LED].


















4

1.1 Trong vật liệu bán dẫn, điện tích thực bằng 0, điều này cần phải có mật độ điện tích dương cần
bằng với mật độ điện tích âm. Cả hai loại hạt tải điện (điện tử và lỗ trống tự do) và các nguyên tử
tạp chất bị ion hóa có điện tích bằng về độ lớn điện tích của một điện tử. Do vậy, phương trình
trung hòa về điện tích (CNE – charge neutrality equation) là:
0
o d o a
p N n N

   

trong đó:
n
0

=
nồng độ hạt tải điện tích âm ở trạng thái cân bằng
p
0

=
nồng độ hạt tải điện tích dương ở trạng thái cân bằng
a
N


=
nồng độ chất nhận [acceptor] bị ion hóa
d
N


=
nồng độ chất cho [donor] bị ion hóa
Phương trình tích hạt tải điện (CPE – carrier product equation) phát biểu rằng, khi một chất bán
dẫn được pha tạp thì tích của nồng độ hạt tải điện vẫn không đổi:
n
o
p
o
= hằng số
đối với silicon thuần tại T = 300 K:
Constant = n
io
p
io
=
2
2 2 9 20
33
11
6,35 10 10
cm cm
io io
np

   



Vật liệu bán dẫn dạng-n hay –p là tùy thuộc vào nồng độ tạp chất donor hay acceptor lớn hay

không. Phần lớn các nguyên tử tạp chất bị ion hóa tại nhiệt độ phòng. Nếu silicon thuần được
pha tạp:

17
3
1
10
cm
Aa
NN


; N
D
= 0
Hãy xác định:
a. Đây là bán dẫn tạp dạng-p hay –n?
b. Hạt tải điện đa số và thiểu số là loại nào?
c. Nồng độ hạt tải điện đa số và thiểu số.

1.2 Nếu silicon thuần được pha tạp:
17
3
1
10
cm
Aa
NN


;
18
3
1
5 10
cm
Dd
NN

  

Hãy xác định:
a. Đây là bán dẫn tạp dạng-p hay –n?
b. Hạt tải điện đa số và thiểu số là loại nào?
c. Nồng độ hạt tải điện đa số và thiểu số.




5

1.3 Hãy mô tả vi cấu trúc của các loại vật liệu bán dẫn. Ba loại thông dụng nhất được sử dụng là loại
vật liệu bán dẫn nào?





1.4 Hãy giải thích nhiệt năng làm phát sinh các hạt tải điện trong chất bán dẫn và nhiệt độ sẽ hạn chế
hoạt động của cấu kiện bán dẫn như thế nào.





1.5 Hãy mô tả các đặc tính của các tạp chất cho [donor], chất nhận [acceptor] và ảnh hưởng của
chúng đến nồng độ của các hạt tải điện trong vật liệu bán dẫn.





1.6 Mô tả sơ lược hoạt động của các hạt tải điện và các nguyên tử tạp chất được ion hóa ở lân cận
tiếp giáp pn của cấu kiện bán dẫn để tạo nên rào thế có khuynh hướng chặn các hạt tải điện di
chuyển ngang qua tiếp giáp.




1.7 Hình 5.41 thể hiện đặc tuyến của một diode. Loại

vật liệu bán dẫn nào được dùng trong chế tạo
diode? Giải thích.








1.8 Sử dụng đặc tuyến ở hình 5.41 để xác định điện trở
của diode khi (a)
F
= 0,65 VV
và (b)
F
= 4 mAI
.








6

1.9 Số liệu sau được cho là đo trên một diode tín hiệu:

Hãy vẽ đặc tuyến và sử dụng đặc tuyến để xác định:
(a) Dòng thuận khi
F
= 350 mVV
;
(b) Điện áp thuận khi
F
=15 mAI
.



1.10 Một diode có số hiệu là ‘BZY88C9V1’. Đây là loại diode gì ? Điện áp định mức của diode?
Cho biết một ứng dụng của diode.



1.11 Một LED được sử dụng làm chỉ thị

mức nguồn cung cấp 5 V. Nếu LED
có điện áp thuận định mức là 2 V, và
dòng định mức là 12 mA, hãy xác
định trị số cần thiết của điện trở mắc
nối tiếp.



1.12 Tính điện áp v
L
ở mạch hình P1.7,
trong đó D là diode lý tưởng. Sử
dụng các trị số của
v
S
< ; và > 0.











F
(V)V

F
(mA)I

0,0
0,0
0,1
0,05
0,2
0,02
0,3
1,2
0,4
3,6
0,5
6,5
0,6
10,1
0,7
13,8
7

1.13 Cho diode ở mạch hình P1.9 yêu cầu mức dòng nhỏ nhất là 1 mA trên mức dòng khuỷu ở đặc
tuyến i-v của diode.
a. Trị số điện trở của R để thiết lập mức dòng 5 mA trong mạch cần phải bằng bao nhiêu ?
b. Với trị số của R đã xác định được ở phần (a), trị số nhỏ nhất để điện áp E có thể bị giảm xuống
và vẫn duy trì mức dòng của diode trên mức dòng khuỷu là bao nhiêu ? Sử dụng diode có:
V

= 0,7 V.

1.14 Mạch ở hình P1.10 có nguồn cung cấp sóng sin 50
Vrms. Sử dụng mô hình diode thực tế cho diode.
a. Mức dòng thuận lớn nhất là bao nhiêu ?
b. Hãy tính mức điện áp ngược đỉnh (PIV) trên diode ?








1.15 Hãy xác định diode nào được phân cực thuận và diode nào được phân cực ngược trong từng
mạch ở hình P8.11.



1.16 Hãy xác định khoảng
trị số điện áp V
in

để
diode D
1
trong mạch
hình P1.12, phân cực
thuận. Giả thiết các
diode lý tưởng.



8

1.17 Hãy xác định các
diode trong mạch ở
hình P1.13, diode nào
được phân cực thuận
và phân cực ngược.
Giả sử sụt áp trên mỗi
diode được phân cực
thuận là 0,7 V, hãy
tính mức điện áp đầu
ra.

1.18 Diode trong mạch ở hình P1.15, được chế tạo từ silicon và có:
/
( 1)
DT
vV
DS
i I e
, trong đó tại T = 300 K; I
S
= 250 x 10
-12
A;
26mV
T
kT
V
q

;
v
S
= 4,2 V + 110 cos(

t) mV;

= 377 rad/s; R = 7 k.
Sử dụng sự chồng chập hãy xác định thông số DC hay mức dòng tại điểm-Q của diode:
a. Sử dụng mô hình diode thực tế

b. Sử dụng cách giải theo đặc tuyến của mạch (tức phương trình đường tải DC) và đặc tuyến của
diode (phương trình diode).





















9

1.19 Nếu diode trong mạch hình P1.15, là được chế tạo từ silicon và có:
/
( 1)
DT
vV

DS
i I e
; trong đó tại T = 300 K; I
S
= 2,030 x 10
-15
A;
26mV
T
kT
V
q

;
v
S
= 5,3 V + 7 cos(

t) mV;

= 377 rad/s; R = 4,6 k.
Sử dụng sự chồng chập và mô hình thực tế của diode, hãy xác định thông số DC hay mức dòng
tại điểm-Q của diode.

1.20 Diode trong mạch ở
hình P1.20, được chế
tạo từ silicon và mạch
có: R = 2,2 k; V
S2
=
3 V. Hãy xác định trị
số nhỏ nhất của V
S1
để
diode dẫn có mức
dòng đáng kể.


1.21 Hãy thiết kế mạch chỉnh lưu cầu toàn kỳ cho một bộ nguồn cung cấp. Biến giảm áp đã được chọn
sẵn. Biến áp cung cấp mức điện áp 12 V rms đến mạch chỉnh lưu. Bộ chỉnh lưu toàn kỳ thể hiện
ở mạch hình P1.24.
a. Nếu các diode có mức điện áp ngưỡng là 0,6 V, vẽ dạng sóng điện áp nguồn đầu vào, v
S
(t); và
dạng sóng điện áp ra, v
L
(t); và cho biết diode nào dẫn và diode nào ngưng dẫn trong các chu
kỳ phù hợp của v
S
(t). Tần số của nguồn là 50 Hz.
b. Nếu R
L
= 1 000  và tụ điện được mắc song song với R
L

để lọc có trị số là 8 µF, vẽ dạng sóng
điện áp đầu ra, v
L
(t).
c. Lặp lại câu (b), với tụ có điện dung là 100 µF.

















10

1.22 Trong bộ nguồn chỉnh lưu toàn kỳ như thể hiện ở hình
P1.25, các diode có số hiệu là 1N4001 có thông số điện áp
ngược đỉnh (PIV) là 25 V. Các diode được chế tạo từ
silicon.
n = 0,05883; C = 80 µF; R
L

= 1 k
V
line
= 170 cos (377t) V
a. Hãy xác định mức điện áp ngược đỉnh thực tế trên mỗi diode
b. Hãy giải thích tại sao các diode đó phù hợp hoặc không
phù hợp với các thông số đã cho.






1.23 Các diode trong bộ nguồn DC toàn kỳ như mạch ở hình P1.25, đều là silicon. Nếu:
I
L
= 5 mA; V
L
= 10 V; V
r
= 20% = 2 V; V
line
= 170 cos (

t) V

= 377 rad/s
Hãy xác định các giá trị của:
a. Tỷ số các cuộn dây, n.
b. Trị số của tụ điện, C.

1.24 Trong mạch ở hình P1.25: I
L
= 600 mA; V
L
= 50 V; V
r
= 4 V; C = 1000 µF;
v
S1
(t) = v
S2
(t) = V
S0
cos (

t) V

= 377 rad/s. Các diode đều là silicon. Nếu thông số công suất
của một trong các diode bị vượt quá và diode bị nổ hay hở mạch, hãy xác định các giá trị mới
của điện áp ra DC hay điện áp trên tải và điện áp gợn:

1.25 Trong bộ nguồn chỉnh lưu toàn kỳ như thể hiện ở
hình P1.31, các diode là 1N4001 có thông số điện
áp ngược đỉnh (PIV) là 50 V. Các diode được chế
tạo từ silicon. V
line
= 170 cos (377t) V;
n = 0,2941; C = 700 µF; R
L
= 2,5 k
a. Xác định điện áp ngược đỉnh thực tế trên mỗi diode.
b. Hãy giải thích tại sao các diode đó phù hợp hoặc
không phù hợp với các thông số đã cho.





11

1.26 Trong bộ nguồn chỉnh lưu toàn kỳ như thể hiện ở hình P1.31, các diode là 1N4001 có thông số
điện áp ngược đỉnh (PIV) là 10 V. Các diode được chế tạo từ silicon.
V
line
= 156 cos (377t) V; n = 0,04231; V
r
= 0,2 V; I
L
= 2,5 mA; V
L

= 5,1 V;
a. Xác định mức điện áp ngược đỉnh thực tế trên mỗi diode
b. Hãy giải thích tại sao các diode đó phù hợp hoặc không phù hợp với các thông số đã cho.

















1.27 Hãy xác định trị số
nhỏ nhất của R
L
trong
mạch ở hình P1.37, để
cho mức điện áp ra
duy trì ở mức 5,6 V.

1.28 Hãy xác định trị số nhỏ nhất và trị số lớn nhất để điện trở mắc nối tiếp có thể có trong mạch ổn
định mà điện áp đầu ra của mạch là 25 V, điện áp vào của mạch thay đổi từ 35 V đến 40 V, và
mức dòng tải lớn nhất của mạch ổn định là 75 mA. Diode Zener sử dụng trong mạch có thông số
dòng lớn nhất là 250 mA.














12

1.29 Trong mạch ổn định điện áp đơn giản như ở hình P1.40, R cần phải duy trì mức dòng của diode
Zener trong phạm vi các giới hạn quy định của diode đối với tất cả các giá trị của điện áp nguồn,
dòng tải, và điện áp của diode Zener. Hãy tìm trị số nhỏ nhất và lớn nhất của R có thể sử dụng.
V
Z
= 5 V ± 10%; r
Z
= 15 ; i
Z min

= 3,5 mA; i
Z max
= 65 mA; V
S
= 12 V ± 3 V; I
L
= 70 ± 20 mA.

















1.30 Trong mạch ổn định điện áp đơn giản như ở hình P1.40, R cần phải duy trì mức dòng của diode
Zener trong phạm vi các giới hạn quy định của diode đối với tất cả các giá trị của điện áp nguồn,
dòng tải, và điện áp của diode Zener. Nếu:
V
Z
= 12 V ± 10%; r

Z
= 9 ; i
Z min
= 3,25 mA; i
Z max
= 80 mA; V
S
= 25 V ± 1,5 V;
I
L
= 31,5 ± 21,5 mA. Hãy xác định trị số nhỏ nhất và lớn nhất của R có thể sử dụng.









13


14


15

16

Chương 2: Transistor và mạch khuyếch đại



 Các transistor đều là các cấu kiện điện tử ba điện cực được chế tạo từ các chất bán dẫn, đó là các

cấu kiện có thể dùng làm các bộ khuyếch đại tuyến tính và các bộ chuyển mạch.
 Transistor tiếp giáp bipolar (BJT) hoạt động như một nguồn dòng điện được điểu khiển bằng
dòng điện, sự khuyếch đại dòng base nhỏ bằng một hệ số khoảng từ 20 đến 200. Nguyên lý hoạt
động của BJT có thể giải thích dựa trên các họ đặc tuyến i-v base-emitter và collector của cấu
kiện. Các mô hình mạch tuyến tính tín hiệu-lớn có thể có được bằng cách xét transistor như một
nguồn dòng điện được điều khiển.
 Các transistor hiệu ứng trường (các FET) có thể được phân loại thành ba họ chính: các MOSFET
tăng cường; các MOSFET nghèo; và các JFET. Tất cả các FET hoạt động giống như các nguồn
dòng được điều khiển bằng điện áp. Họ đặc tuyến i-v của FET về bản chất đều là phi tuyến, được
đặc trưng bằng sự phụ thuộc bậc hai của dòng máng vào điện áp cổng. Các phương trình phi
tuyến để giải thích các họ đặc tuyến máng của FET có thể được tóm tắt dưới dạng tập hợp các
đặc tuyến chung cho mỗi loại.


Các công thức quan trọng

Hệ số khuyếch đại điện áp:
out
v
in
v
A
v


Hệ số khuyếch đại dòng điện:
out
i
in
i

A
i


Hệ số khuyếch đại công suất:
out
p
in
P
A
P


p v i
A A A

Hệ số khuyếch đại khi có hồi tiếp âm:
v
v
1
A
G
A




Hệ số khuyếch đại (khi
v
A

rất lớn):
1
G



Hệ số khuyếch đại vòng kín:
loo vp
GA



Trở kháng vào (emitter-chung):
'
be
b
e ie
v
rh
i





Tỷ số truyền đạt dòng thuận (emitter-chung):
c
e
b
f fe

i
h
i






17

2.1 Hãy cho biết các đặc điểm của mỗi transistor có số hiệu ghi trên vỏ như sau:
(a) AF117
(b) BC184


(c) BD131
(d) BF180


2.2 Một transistor hoạt động với dòng collector là 2,5 A và dòng base là 125 mA. Hãy xác định giá
trị dòng emitter và hệ số khuyếch đại dòng emitter-chung tĩnh,

.



2.3 Một transistor hoạt động với dòng collector là 98 m A và dòng emitter là 103 mA. Hãy xác định
giá trị dòng base và giá trị tĩnh của hệ số khuyếch đại dòng emitter-chung.

2.4 BJT được sử dụng làm mạch điều khiển mà trong đó có dòng base là 12 mA. Nếu tải yêu cầu
mức dòng là 200 mA, hãy xác định giá trị nhỏ nhất của hệ số khuyếch đại dòng emitter-chung
yêu cầu.



2.5 Một transistor NPN dùng để hoạt động với
CE
=10 VV
,
C
= 50 mAI
, và
B
= 400 AI

. BJT nào
trong số các transistor được liệt kê ở bảng 5.10 là thích hợp nhất để sử dụng trong ứng dụng đó?

18

2.6 Một transistor được sử dụng để lắp trong bộ khuyếch đại tuyến tính. Transistor có

max là 250
và

min là 220, mạch phân cực phải được lắp để có giá trị tĩnh của dòng collector là 2 mA. Hãy
xác định giá trị của dòng phân cực base và độ thay đổi của dòng ra (dòng collector) theo độ thay
đổi 5 µA ở dòng vào (dòng base).









2.7 Đặc tuyến truyền đạt của một transistor NPN thể hiện ở hình 5.42. Hãy sử dụng đặc tuyến này
để xác định:
(a)
C
I
khi
B
50 μAI 

(b)

DC

khi
B
50 μAI 

(c)
ac

khi
C
75 mAI 

19

2.8 Đặc tuyến ra của một transistor NPN thể hiện ở hình 5.00. Hãy sử dụng đặc tuyến này để xác
định:
(a)
C
I
khi
B CE
100 μA va = 4 VIV

(b)
CE
V

khi
BC
40 μA va = 5 mAII

(c)
B
I
khi
C CE
7 mA va = 6 VIV









2.9 Đối với mỗi transistor ở hình P2.1, hãy xác định các tiếp giáp BE và BC nào là được phân cực
thuận và phân cực ngược, và xác định vùng làm việc của mỗi transistor.

20

2.10 Hãy xác định vùng làm việc của các transistor sau:
a. npn, V
BE
= 0,8 V; V
CE
= 0,4 V. b. npn, V
CB
= 1,4 V; V
CE
= 2,1 V.
c. pnp, V
CB
= 0,9 V; V
CE
= 0,4 V. d. pnp, V
BE
= - 1,2 V; V
CB
= 0,6 V

2.11 Cho mạch ở hình
P2.3, hãy xác định
điểm làm việc của
transistor. Giả sử BJT
là cấu kiện silicon có

= 100. Transistor
làm việc ở vùng nào ?







2.12 Các mức dòng emitter và dòng base của một transistor pnp là 6 mA và 0,1 mA tương ứng. Điện
áp trên các tiếp giáp emitter-base và collector-base tương ứng là 0,65 V và 7,3 V. Tính:
a. V
CE
.
b. I
C
.
c. Tổng công suất tiêu tán ở transistor được xác định theo: P = V
CE
I
C
+ V
BE
I

B
.









2.13 Cho mạch như ở hình
P2.5, hãy xác định
dòng emitter và điện
áp collector-base. Cho
BJT có V

= 0,6 V.








21

2.14 Cho mạch như ở hình
P2.6, hãy xác định

điểm làm việc của
transistor. Transistor
có
V

= 0,6 V; và

=
150. Transistor làm
việc ở vùng nào ?











2.15 Cho mạch như ở hình
P2.7, hãy xác định
dòng emitter và điện
áp collector-base. Cho
BJT có V

= - 0,6 V
trên tiếp giáp BE.

2.16 Nếu điện trở emitter ở bài tập 2.7 (hình P2.7) bị thay đổi trị số thành 22 k, thì điểm làm việc
của BJT sẽ thay đổi như thế nào ?








22

2.17 Họ đặc tuyến collector của một transistor như ở hình P2.9.
a. Hãy xác định tỷ số I
C
/ I
B
tại V
CE

= 10 V, và I
B
= 100 µA; 200 µA; và 600 µA.
b. Sự tiêu tán công suất collector cho phép lớn nhất là 0,5 W tại I
B
= 500 µA. Xác định V
CE
.
[Gợi ý: Công suất tiêu tán tại collector có thể chấp nhận xấp xỉ bằng tích của dòng điện và điện
áp collector: P = I
C
V
CE
. Trong đó, P là độ tiêu tán công suất cho phép trên transistor; I
C
là dòng
collector tĩnh; V
CE
là điện áp collector-emitter tại điểm làm việc.]

2.18 Cho mạch như ở hình
P2.10, giả sử cả hai
transistor đều được
chế tạo từ silicon có


= 100. Hãy xác định:
a. I
C1
, V
C1
, V
CE1
.
b. I
C2
, V
C2
, V
CE2
.

2.19 Sử dụng các thông số
của transistor npn
2N3904 để xác định
điểm làm việc (I
CQ
,
V
CEQ
) của transistor ở
mạch hình P2.11. Trị
số của

tại điểm làm
việc này là bao nhiêu?


23

2.20 Cho mạch như ở hình P2.12, hãy kiểm chứng rằng transistor hoạt động ở vùng bảo hòa bằng cách
tính tỷ số của dòng collector đối với dòng base. [gợi ý: Hãy tham khảo mô hình BJT tương ứng ở
hình 2.22, V

= 0.6 V; V

SAT
= 0,2 V].















2.21 Mạch ở hình
P2.13, có điện
áp V
E
= 1 V.
Nếu transistor
có V

= 0,6 V,
hãy xác định:
V
B
; I

B
; I
E
; I
C
;

; và

.






2.22 Mạch ở hình P2.14, là tầng khuyếch đại emitter-chung. Hãy
xác định đại lượng tương đương Thévenin cho phần mạch
gồm R
1
; R
2
; và V
CC
theo các đầu điện cực của R
2
. Vẽ lại
mạch theo cách sử dụng tương đương Thévenin.
Trong đó: V
CC

= 20 V;

= 130; R
1
= 1,8 M; R
2
= 300 k;
R
C
= 3 k; R
E
= 1 k; R
L
= 1 k; R
S
= 0,6 k;
v
S
= 1 cos (6,28 x 10
3
t) mV.

24

2.23 Mạch thể hiện ở hình P2.14, là một tầng khuyếch
đại emitter-chung được thực hiện bằng transistor
silicon npn. Hãy xác định V
CEQ
và vùng làm việc
của BJT. Trong đó:
V
CC
= 15 V;

= 100; R
1
= 68 k;
R
2
= 11,7 k; R
C
= 200 ; R
E
= 200 ;
R
L
= 1,5 k;
R
S
= 0,9 k; v

S
= 1 cos (6,28 x 10
3
t) mV.
















2.24 Mạch thể hiện ở hình P2.14, là một tầng khuyếch
đại emitter-chung được thực hiện bằng transistor
silicon npn. Hãy xác định V
CEQ
và vùng làm việc
của BJT. Trong đó:
V
CC
= 15 V;


= 100; R
1
= 68 k; R
2
= 11,7 k;
R
C
= 4 k; R
E
= 200 ;
R
L
= 1,5 k; R
S
= 0,9 k; v
S
= 1 cos (6,28 x 10
3
t) mV.

25

2.25 Mạch thể hiện ở hình P2.17, là một tầng khuyếch đại
collector-chung (cũng được gọi là tầng lặp lại emitter) được
thực hiện bằng transistor silicon npn. Hãy xác định V
CEQ
tại
vùng làm việc DC hay điểm Q. Trong đó: V
CC
= 12 V;

=
130; R
1
= 82 k; R
2
= 22 k; R
S
= 0,7 k; R
E
= 0,5 k; R
L

= 16 k.
















2.26 Mạch thể hiện ở hình P2.18, là một tầng khuyếch đại
emitter-chung được thực hiện bằng transistor silicon npn và
hai nguồn cung cấp điện áp DC (một nguồn dương và một
nguồn âm) thay cho một nguồn. Mạch phân cực DC được
kết nối đến base gồm một điện trở. Hãy xác định V
CEQ
và
vùng làm việc của BJT. Trong đó: V
CC
= 12 V; V
EE
= 4 V;


= 100; R
B
= 100 k; R
C
= 3 k; R
E
= 3 k;
R
L
= 6 k; R
S
= 0,6 k; v
S
= 1 cos (6,28 x 10
3
t) mV
.