1
Mục lục
Danh mục ký hiệu và chữ viết tắt 4
Danh mục các bảng 8
Danh mục các hình vẽ và đồ thị 9
Mở đầu 12
Chương 1 Tổng quan về COB LED công suất cao và các ứng dụng trong công
nghệ chiếu sáng 16
1.1 Lịch sử phát triển điôt phát quang (LED) 16
1.2 Cơ sở vật lý của LED 17
1.2.1 Sự hình thành chuyển tiếp pn - chuyển tiếp pn ở điều kiện cân bằng 17
1.2.2 Chuyển tiếp pn ở điều kiện không cân bằng 20
1.2.2.1. Chuyển tiếp pn phân cực thuận 20
1.2.2.2 Chuyển tiếp pn phân cực ngược 22
1.3 Tái hợp phát xạ và tái hợp không phát xạ 22
1.3.1 Tái hợp phát xạ 22
1.3.2 Tái hợp không phát xạ 23
1.4 Điôt phát quang (LED) 25
1.4.1 Cấu trúc 25
1.4.2 Nguyên lý hoạt động 26
1.4.3 Vật liệu chế tạo 27
1.4.4 Phương pháp công nghệ chế tạo LED 28
1.4.5 Ảnh hưởng của nhiệt độ đến các thông số của LED 29
1.4.5.1 Ảnh hưởng của nhiệt độ đến điện áp đặt vào 29
1.4.5.2 Ảnh hưởng của nhiệt độ đến quang thông 30
1.4.6 Phổ phát xạ 31
1.5 HPCOBLED (High Power Chip On Board Light Emitting Diode) 32
1.6 Ứng dụng 33
Kết luận chương 34
Chương 2 Nghiên cứu các phương pháp đo quang thông của HPCOBLED 35
2.1 Phép đo bức xạ và phép đo trắc quang 35
2.1.1 Quan hệ giữa phép đo trắc quang và phép đo bức xạ 36
2.1.2 Các định nghĩa, đơn vị trong phép đo bức xạ và phép đo trắc quang 36
2.2 Hệ thống màu tiêu chuẩn CIE 38
2.2.1 Phổ công suất 38
2
2.2.2 Hàm tổng hợp màu 38
2.2.3 Tọa độ màu 40
2.2.4 Không gian màu đồng nhất 41
2.2.5 Trộn màu 42
2.2.6 Nhiệt độ màu CT (Color Temperature) 42
2.2.7 Các nguồn sáng chuẩn theo CIE 44
2.2.7.1 Nguồn sáng chuẩn A 44
2.2.7.2 Nguồn sáng chuẩn D 44
2.2.8 Hệ số hoàn màu (Color Rendering Index - CRI hay ) 45
2.3 Nghiên cứu các phương pháp đo quang thông của HPCOBLED 46
2.3.1 Phương pháp đo quang thông sử dụng quang góc kế - GPM 46
2.3.1.1 Nguyên lý của phương pháp GPM 46
2.3.1.2 Sơ đồ nguyên lý của phương pháp GPM 46
2.3.1.3 Ưu và nhược điểm của phương pháp GPM 47
2.3.2 Phương pháp ISSM 48
2.3.2.1 Nguyên lý của phương pháp ISSM 48
2.3.2.2 Sơ đồ nguyên lý của phương pháp ISSM 49
2.3.2.3 Ưu và nhược điểm của phương pháp ISSM 50
2.3.3 Phương pháp ISPM 51
2.3.3.1 Nguyên lý của phương pháp ISPM 51
2.3.3.2 Sơ đồ nguyên lý của phương pháp ISPM 51
2.3.3.3 Ưu và nhược điểm của phương pháp ISPM 53
Kết luận chương 53
Chương 3 Nghiên cứu thiết kế, chế tạo và xây dựng hệ đo quang thông
HPCOBLED 54
3.1 Phương pháp đo quang thông sử dụng hệ đo quả cầu tích phân kết hợp
thiết bị đo phổ bức xạ và quang kế chuẩn 54
3.1.1 Nguyên lý của phương pháp ISSPM 54
3.1.2 Sơ đồ khối của phương pháp ISSPM 55
3.2 Thiết kế, chế tạo và xây dựng hệ đo 56
3.2.1 Thiết kế quả cầu tích phân 56
3.2.1.1 Các yêu cầu kỹ thuật của quả cầu tích phân 56
3.2.1.2 Xác định phần diện tích mở A
i
trên quả cầu tích phân 56
3.2.1.3 Thiết kế các tấm chắn sáng 57
3.2.2 Chọn đèn chuẩn phổ 59
3.2.3 Chọn thiết bị đo phổ bức xạ 60
3
3.2.4 Chọn quang kế chuẩn 60
3.2.5 Chọn nguồn DC 61
3.2.6 Chọn bộ ổn định nhiệt độ (TEC) 61
3.2.7 Xác định các thiết bị phụ trợ đo kiểm soát nguồn DC 61
3.3 Chế tạo quả cầu tích phân và các bộ phận đi kèm 61
3.3.1 Chế tạo quả cầu tích phân 61
3.3.2 Chế tạo các tấm chắn sáng 62
3.3.3 Lắng đọng lớp phủ phản xạ khuếch tán 62
3.3.3.1 Thực nghiệm 63
3.3.3.2 Xác định tỉ lệ dung dịch phun 63
3.3.3.3 Khảo sát ảnh hưởng của khoảng cách phun 65
3.3.3.4 Ảnh hưởng của áp suất phun 67
3.3.3.5 Khảo sát ảnh hưởng của chiều dày lớp phủ 69
3.4 Lắp đặt hệ đo VMI-PR-001 71
3.5 Hiệu chuẩn hệ đo VMI-PR-001 73
3.5.1 Các bước thực hiện hiệu chuẩn 73
3.5.2 Đánh giá độ ổn định của hệ đo VMI-PR-001 75
3.6 Quy trình hiệu chuẩn quang thông của HPCOBLED 76
3.6.1 Xác định hệ số hiệu chính k
abs
76
3.6.2 Quy trình đo quang thông 76
3.7 Kết quả hiệu chuẩn quang thông của HPCOBLED 77
3.7.1 Kết quả xác định hệ số k
abs
77
3.7.2 Xác định quang thông của HPCOBED 78
3.7.3 Ước lượng độ không đảm bảo đo 79
3.8 Nghiên cứu tính chất quang điện của HPCOBLED 81
3.8.1 Khảo sát ảnh hưởng dòng I
f
và nhiệt độ đến sự dịch chuyển đỉnh phổ
công suất 81
3.8.2 Ảnh hưởng dòng I
f
và nhiệt độ đến các thông số quang 82
3.8.3 Khảo sát ảnh hưởng dòng nuôi và nhiệt độ đến các thông số màu 86
Kết luận chương 87
Chương 4 Nghiên cứu ảnh hưởng của nhiệt độ đến quang thông của
HPCOBLED. Mô hình HPCOBLED 88
4.1 Mô hình quang thông phụ thuộc nhiệt độ của Mark W.Hodapp 88
4.1.1 Mô hình Mark W.Hodapp 88
4.1.2 Mô hình Mark W.Hodapp không thể sử dụng đối với HPCOBLED 89
4.2 Mô hình HPCOBLED (High Power COB LED Model) 97
4
4.2.1 Giả thiết của mô hình HPCOBLED 98
4.2.2 Mô hình HPCOBLED 98
4.3 Đánh giá độ chính xác của mô hình HPCOBLED 99
4.4 Ứng dụng xác định quang thông của HPCOBLED theo nhiệt độ khi hệ đo
không sử dụng bộ điều khiển nhiệt độ (TEC) 101
4.4.1 Phương pháp xác định quang thông theo mô hình HPCOBLED ở Tc = 25
0
C
102
4.4.2 Chuẩn bị thực nghiệm 102
4.4.3 Thực nghiệm 103
4.4.4 Kết quả thực nghiệm và thảo luận 103
Kết luận chương 104
Kết luận 106
Danh mục các công trình 107
Bản quyền và sáng chế 107
Tài liệu tham khảo 109
Phụ lục 114
Danh mục ký hiệu và chữ viết tắt
Danh mục các ký hiệu
Ký
hiệu
Tên tiếng Anh
Tên tiếng Việt
5
Diffusion electric field
ing khuch tán
Luminous Flux
Quang thông
Radiant intensity
ng bc x
Luminous intensity
sáng
Dng hình hc
Dng hình hc
e
Electron
n t
E
c
Bottom of the conduction band energy
n
E
e
Electron energy
Nng cn t
E
Fn
Fermi level of the semiconductor n
Mc Fermi ca bán dn n
E
Fp
Fermi level of the semiconductor p
Mc Fermi ca bán dn p
E
g
Band gap energy
rng vùng cm
E
h
Hole energy
Nng ca l trng
E
v
Top of the valence band energy
nh vùng hóa tr
h
Planck constant
Hng s Planck
I
f
Foward current
Dòng nuôi
n
Electron density
Nng n t
N
a
Impurity density acceptor
N tp cht acceptor
N
c
The effective density of states of
the conduction band
N trng thái hiu dng trong
vùng dn
N
d
Impurity density donor
N tp cht donor
N
v
The effective density of states of
the valence band
N trng thái hiu dng trong
vùng hoá tr
p
Hole density
Nng l trng
R
a
Color rendering index
H s hoàn màu
R
Auger
Auger recombination rate
T tái hp Auger
R
th j-a
Thermal resistance from junction to to
ambient
Nhit tr t chuyn ti n môi
ng
6
Danh mục các chữ viết tắt
Ký hiệu
Tên tiếng Anh
Tên tiếng Việt
T
a
Ambient temperature
Nhi ng
T
b
Board temperature
Nhi
Tc
Case temperature
Nhi v (hoi vi
HPCOBLED)
T
j
Junction temperature
Nhi chuyn tip
T
sp
Solder point temperature
Nhi m hàn
V
Voltage
n áp
Frequency
Tn s
e
Radiant flux
ng bc x
Solid angle
Góc khi
Spectral sensitivity of the human eye
functions
H
7
B
Blue
Màu xanh da tri
CCT
Correlated Color Temperature
CGPM
General Conference on Weights
and Measures
CIE
International Commission on
Illumination (Commission
sáng
CMFs
Color matching functions
CNC
Computerized Numerically
Controlled
u khin bng máy tính
COB
Chip On Board
Chip tích h
CRI
Color Rendering Index
H s hoàn màu
CT
Color Temperature
Nhi màu
DC
DC supply
Ngun DC
DE
Droop effect
Hiu
EL
Electroluminescence
n hunh quang
EMS
Electromagnetic Spectrum
G
Green
Màu xanh lá cây
GPM
Goniophotometer Methhod
HPCOBLED
High Power Chip On Board
Light Emitting Diode
COBLED công sut cao
IR
Infra Red
IS
Integrating Sphere
ISPM
Integrating Sphere Photometer
Method
ISSM
Integrating Sphere
Spectroradiometer Method
ISSPM
Integrating Sphere
Spectroradiometer Photometer
8
Method
và
K
Kelvin
Nhi Kelvin
LED
Light Emitting Diode
MOCVD
Metal Organic Chemical Vapor
Deposition
L ng hóa hc t p
ch
NIST
National Institute of Standards
and Technology (USA)
gia (USA)
NMIs
National Metrology Instituties
Các Ving quc gia
SSL
Solid State Lighting
Ngun sáng rn
R
Red
TEC
Thermo Electric Cooler
B làm lnh
UV
Ultra Violet
Danh mục các bảng
Bng 1.1 Tóm tc ca LED t các vt liu bán dn [49] 28
9
Bng 2.1 c x c quang [16]. 37
Bng 3.1 Các hóa cht s dng trong quy trình lng lp phn x khuch tán 63
Bng 3.2 T l hp phn dung dch phun dùng lng lp phn x khuch tán. 64
Bng 3.3 Các thông s công ngh s d kho sát ng ca khong cách phun.65
Bng 3.4 Các thông s công ngh s d kho sát ng ca áp sut phun. 67
Bng 3.5 Các thông s công ngh ca lp ph phn x khuch tán có chiu dày khác nhau.69
Bng 3.6 Quang thông cn ph nh trên h VMI-PR-001. 74
Bng 3.7 Giá tr quang thông cn ph các th 76
Bng 3.8 Kt qu i vn ph (SCL-1400-E120). 78
Bng 3.9 Kt qu a HPCOBLED (216A, S/N: 033). 78
Bng 3.10 Kt qu nh quang thông ca HPCOBLED (216A, S/N: 033). 79
Bng 3.11 m bu chun HPCOBLED. 79
Bng 4.1 Kt qu kho sát s ph thuc quang thông vào nhi i vi HPCOBLED
90
Bng 4.2 Giá tr quang thông ca các HPCOBLED tính theo mô hình Mark (4.2). 92
B chênh lch nhi a các HPCOBLED. 97
Bng 4.4 S suy gim công sut ca các HPCOBLED theo nhi Tc. 99
Bng 4.5 Quang thông c tn nhit. 103
Bng 4.6 Quang thông ca các HPCOBLED ti nhi Tc=25 0C theo mô hình
HPCOBLED. 104
Danh mục các hình vẽ và đồ thị
10
Hình 1.1 Quá trình phát trin LED [78]. 16
Hình 1.2 S hình thành chuyn tip pn. 17
Hình 1.3 Gi ng ca chuyn tip pn u kin cân bng nhit [25]. 18
Hình 1. 4 Gi ng ca chuyn tip pn phân cc thun. 20
c tuyn I-V ca chuyn tic làm t các vt liu bán dn khác nhau. 21
Hình 1. 6 Gi ng chuyn tip pn phân cc. 22
Hình 1.7 Tái hn t - l trng [28]. 23
Hình 1.8 Các quá trình tái hp cn t và l trng 24
Hình 1.9 Quá trình tái hp cn t - l trng trong mng tinh th [28] 25
Hình 1.10 Cu trúc 25
Hình 1.11 Quá trình tái hp cn t - l trng phát x photon 26
Hình 1.12 Gi biu dic sóng ca ánh sáng phát x trong khoc sóng
m ca các hp cht A
III
B
V
[70]. 27
Hình 1.13 mô t nguyên lý c [61]. 29
th s ph thung bc x vào dòng I
f
[9]. 31
th biu din phân b n t và l trng trong 32
Hình 1.16 Cu trúc ca mn hình 33
Hình 1.17 Hình nh các sn phc to ra t HPCOBLED [39,45,46].
34
Hình 2.1 Ph bc x n t vùng kh kin [42]. 35
nhy ca mi V() 35
Hình 2.3 ,,) [16]. 39
Hình 2.4 40
Hình 2.5 Gi t màu CIE 1931 [16]. 40
Hình 2.6 [16]. 43
Hình 2.7 [7,16]. 44
Hình 2.8 45
Hình 2.9 nguyên lý c 47
49
Hình 2. 11 Dng hình h 50
nguyên lý c ISPM. 52
Hình 2.13 Dng hình h 52
Hình 3. khi h 55
Hình 3.2 V c tm chn sáng 1 57
11
c và v trí tm chn sáng 2 58
c và v trí tm chn sáng 3 58
Hình 3.5 Bn v tng th qu cng kính d = 1 m. 59
Hình 3.6 Hàm ph nhi f
1
ca quang k chun [62, 81]. 60
Hình 3.7 Bán c 62
Hình 3.8 Ph phn x khuch tán vi t l hp phn dung dch phun khác nhau 64
Hình 3.9 Ph phn x khuch tán vi khong cách phun khác nhau 66
Hình 3.10 nh chp hình thái b mt ca lp ph vi khong cách phun khác nhau 67
Hình 3.11 Ph phn x vi áp sut phun khác nhau 68
Hình 3.12 nh hình thái b mt ca lp ph các áp sut phun khác nhau 69
Hình 3.13 Ph phn x vi chiu dày lp ph khác nhau 70
Hình 3.14 Quy trình công ngh lng lp ph phn x khuch tán t vt liu BaSO
4
. 71
Hình 3.15 Bán qu cu tích phân sau khi lng lp phn x khuch tán. 71
Hình 3.16 H VMI-PR-001 sau khi hoàn thành lt. 72
Hình 3.17 V trí ln ph bên trong qu cu tích phân. 73
Hình 3.18 Kt qu hiu chun ph công sut. 74
Hình 3.19 Kt qu nh h th. 75
Hình 3.20 nh HPc g tn nhit TECMount 284. 77
Hình 3.21 Ph công sut ca HPCOBLED, (216A, S/N: 033). 79
th s ph thuc ca ph công sut vào nhi và dòng I
f
82
Tc ca HPCOBLED. 82
th ph thuc ca quang thông vào nhi Tc ti các giá tr dòng I
f .
83
Hình 3.25 th ph thuc ca công sut quang vào nhi Tc ti các giá tr dòng I
f.
83
th ph thuc cn áp theo nhi Tc ti các giá tr dòng I
f
84
th ph thuc ca công sut tiêu tán vào nhi Tc ti các giá tr dòng I
f
85
th ph thuc ca hiu su
v
vào nhi Tc ti các giá tr I
f
85
Hình 3.29 S i t màu (x,y) theo nhi Tc. 86
th ph thuc ca nhi T
c
. 86
Hình 4.1 Cu trúc ca mt LED ri rn hình 88
m nhi (a) và mô hình nhit tr ca LED (b) 89
th ph thuc ca quang thông vào nhi ca các HPCOBLED 91
th s ph thuc ca quang thông vào nhi cnh
theo mô hình Mark (4.2). 91
Hình 4.5 S suy gim quang thông khi nhi i vi các HPCOBLED 93
12
Hình 4.6 nh phân b nhit ca các HPCOBLED ti Tc = 25
0
C 94
Hình 4.7 Phân b nhit ca các HPCOBLED ti Tc = 55
0
C 95
Hình 4.8 Phân b nhit ca các HPCOBLED ti T
c
= 85
0
C 96
mt ct ngang ca mt HPCOBLED 97
t tr ca HPCOBLED (b). 98
th ph thuc ca quang thông vào nhi ca các HPCOBLED so sánh
gia giá tr thc nghim và giá tr tính theo mô hình HPCOBLED 100
th so sánh kt qu thc nghim, kt qu theo mô hình HPCOBLED 101
Hình 4.13 nh HPCOBLED g tn nhit 103
Mở đầu
,
13
là
-IEA),
và
[41]
hu
[3].
là tìm
u
.
, công
(Solid State Lighting - SSL)
4,11,28,35,36,38,39,51,65,75
on Board Light-
[17,27,30,39,45,46,52,66,69,73,76].
cá
.
f
[6,9,17,31,36,44,52,55,56,64,69,81,85-89].
LED nói chung và HPCOBLED
nói riêng.
,
các HPCOBLED .
Q
là,
HPCOBLED, các 25
0
C và
m
chính xác và
14
Nghiên cứu, phát triển phương pháp đo quang thông HPCOBLED
(High Power Chip On Board Light Emitting Diode) và ứng dụng trong điều kiện thực.
Mục đích nghiên cứu của luận án
1.
2. HPCOBLED
xác cao.
3.
(
%).
4. .
5.
thông vào nhi.
6. BLED
HPCOBLED
Đối tượng và phạm vi nghiên cứu của luận án
1. PCOBLED và x
:
T 1 m có hình
và 4; l
4
.
L
.
.
2.
f
các HPCOBLED.
3.
4. N
5
0
Phương pháp nghiên cứu
Ý nghĩa khoa học và thực tiễn
Ý nghĩa khoa học
P
n.
C
(380 ÷ 780)
15
thành công
N
Tc
0
trên
Cooler-TEC).
Ý nghĩa thực tiễn
HPCOBLED ( VMI-PR-001)
K
-PR-001.
0
trên VMI-PR-001 không
(TEC) .
Kết cấu của luận án
Mô hình HPCOBLED.
16
Chương 1
Tổng quan về COB LED công suất cao và các ứng dụng trong
công nghệ chiếu sáng
1.1 Lịch sử phát triển điôt phát quang (LED)
Hình 1.1 Quá trình phát triển LED [78].
T hình 1.1 có th thy, quá trình phát trin LED có các mc phát trin quan trng sau
- c nghiên cu phát trin trên
hin hunh quang (electroluminescence - EL) do H.J.Round phát hin ra vào
ông nghiên cu vt liu SiC [28,66,70,73].
c tìm ra các bán dn hp cht nhóm A
III
B
V
ra kh n
trong ng dng hiu n trong công ngh LED [25,26,28,73,82].
u tiên các nhà khoa h to thành công LED có ánh sáng màu
bng lp bán d GaAs. Cùng trong thi gian
n th GaAs bng GaP thì LED cho hiu sut phát
[28].
i vào nu thp k 1960 và tip tc phát trin trong
nhng thp k 1970 và 1980 [28,33,65,70,73].
ng s to thành công LED phát quang trong vùng UV
và xanh da tri vi hiu suc khong ~ vt liu GaN [51].
Th
1965
100
10
1
0.1
Hiu sut phát quang , lm/W
1970
1975
1980
1985
1990
1995
2000
2005
2010
nh quang
t
Edison
17
to thành công LED phát quang màu xanh lá cây t bán
dt hiu sut khong ~ 10% [66,75,77].
Có th thy, vic ch to thành công các LED phát ra các , xanh da tri và
xanh hu ht ph màu sc mà mi có th cm nhc.
ng, s phát trin c vt liu InGaN là ti ch to
LED ánh sáng trng. Tht vi Nhc nhn gii
ng Công ngh thiên niên k (Millennium Technology) cho phát minh LED ánh sáng
trng [75,77].
v
v
~ 140 lm/W [39,45,48].
1.2 Cơ sở vật lý của LED
1.2.1 Sự hình thành chuyển tiếp pn - chuyển tiếp pn ở điều kiện cân bằng
Mt chuyn tip pn (còn gi là chuyn tin t - l trng) s hình thành nu trong
mt tinh th bán dn thun nht, bng m a nhn
c hai min bán dn, mt min pha tp acceptor (min p) và mt min tip xúc vi nó
pha tp donor (min n). Ranh gii tip xúc ca hai mic gi là tip xúc công
ngh hay là tip xúc luyn kim [5,8].
Tht vy, hãy xem xét bc tranh hình thành mt chuyn tip pn trên hình 1.2.
Hình 1.2 Sự hình thành chuyển tiếp pn.
D dàng thy rng, min p (có nhiu l trng) tip xúc vi min n (có nhin t), s
dn vùng lân cn tip xúc công ngh xut hin mt chênh lch n các ht ti.
Các l trng s khuch tán t min p sang mic ln t s khuch tán
t min n sang min p. Quá trình khuch tán này s phá v s trung hòa v n các min
trên và s phá v này s xut hin gn tip xúc công ngh. Kt qu là, min p s xut
hin các nguyên t b n tích âm, còn min n xut hin các nguyên t b
n hình thành mn tích không gian hai phía
tip xúc công ngh.
Hãy xét mt chuyn ti nhi ion hóa, các ht dn
xut hin do s ion hóa tp cht. Vì vy, có th n t trong bán dn loi
Bán dn n
n t
Bán dn p
L trng
Tip xúc công ngh
Vùng n tích
không gian
18
n cân bng n tp cht donor và n l trng trong bán dn loi p cân bng nng
tp chy, n cn t và l trc biu din
theo biu thc sau [5,8,25].
n = N
d
(1.1)
p = N
a
(1.2)
d
là n tp cht donor và N
a
là n tp cht acceptor.
Ngoài các ht dn, trong bán dn tp cht còn cha các ht dn thiu s (các ht
dn), nói cách khác, trong bán dn loi n có cha mt s l trng vi nng
p
n
và trong bán dn loi p có cha mt s n t vi n n
p
. N ht ti trong
mt cht bán dn bt k có th nh t nh lut khng hiu dc
biu din theo biu thc sau [8,25]:
(1.3)
vi n
i
là n ht ti trong bán dn thunh cùng mu
kin nhi.
Nu n tp cht N
d
và N
a
bng nhau thì hai min tích không gian hai phía
ca tip xúc công ngh s rng bng nhau, có tr s n tích cân bng và chúng to
thành mt vùng nghèo.
Khi chuyn tip pn u kin cân bng, hình thành mn th còn gi là th khuch
tán V
bi
ng vi nó là hàng rào th có giá tr bng eV
bi
n tích.
S n tích không gian lân cn tip xúc công ngh s làm xut hin mt
ng ging khuch tánng này có chiu chng li quá trình
khuch tán cn t t bán dn loi n sang bán dn loi p và ca l trng t bán dn loi p
sang bán dn loi n.
D E
Fn
E
Fp
này d
m
trên hình 1.3.
Hình 1.3 Giản đồ năng lượng của chuyển tiếp pn ở điều kiện cân bằng nhiệt [25].
T hình 1.3, có th nh th khuch tán theo biu thc sau:
(1.4)
n
p
e
Fp
E
Fp
E
v
E
c
E
Fi
eV
bi
e
Fn
E
Fn
E
v
E
c
E
Fi
diff
19
nhi ion hóa, n n t trong bán dn n u kin cân bng n
o
c xác
nh theo biu thc sau [25]:
(1.5)
vi Nc là nng trng thái hiu dng trong vùng dn, E
F
ng Fermi, E
i
là
ng Fermi ca bán dn thun, k là hng s Boltzmann, T là nhi (Kelvin)
T , chúng ta có th nh th
Fn
trong bán dn loi n theo biu thc sau [25]:
(1.6)
Thay biu thc (1.6) vào biu thc (1.5) có th nh c n n t u kin
cân bng trong bán dn lo
(1.7)
Thay biu thc (1.1) vào biu thc (1.7), th
nh theo biu thc sau:
(1.8)
, trong bán dn loi p, n l trng u kin cân bng p
o
nh
theo biu thc sau:
(1.9)
a
là n tp cht acceptor.
và th
Fp
trong vùng bán dn lonh theo biu thc sau:
(1.10)
hay là:
(1.11)
Cui cùng, thay biu thc (1.8) và biu thc (1.11) vào biu thc (1.4), chúng ta có th
c th khuch tán ca mt chuyn tip pn u kin cân bng:
(1.12)
u kin cân bng, liên h gia chiu dày vùng n tích không gian trong các vùng bán
dn loi n và loc biu din theo biu thc sau [25]:
(1.13)
T các biu thc (1.13) và (1.12), chúng ta có th c các chin
tích không gian trong bán dn loi n và loi p ca chuyn tip pn [25]:
(1.14)
và
(1.15)
20
D dàng thy rng, chin tích không gian ca chuyn tic xác
tng các chin tích không gian trong bán dn loi n và loi p,
hay là:
L = L
n
+L
p
(1.16)
Thay các biu thc (1.14) và (1.15) vào biu thc (1.16), chi n tích
không gian ca chuyn tinh theo biu thc sau:
(1.17)
là hng s n môi ca bán dn.
Hình 1.3, y:
eV
bi
- E
g
(E
C
- E
F
) ( E
F
- E
V
) = 0 (1.18)
D dàng thy rng, tng hp bán dn có n pha tp cao s dn chênh
lch các mng E
C
, E
V
và mc Fermi tr so vng
vùng cm. Hay là E
C
- E
F
<< E
g
min n và E
F
- E
V
<< E
g
min p.
Hay là, th khuch tán s gn b ng vùng c n tích e. Th
khuch tán này có th ng V
th
c nh theo biu
thc sau [25]:
V
bi
th
g
/e (1.19)
1.2.2 Chuyển tiếp pn ở điều kiện không cân bằng
1.2.2.1. Chuyển tiếp pn phân cực thuận
t mn áp V
f
vào chuyn tip pn vi ct lên bán dn p và cc âm
t lên bán dn n, ta nói rng chuyn tip pc phân cc thuu kin cân
bng ca chuyn tip pn s b phá v. ng ht vào s suy
gim mng V
f
và bng (V
bi
- V
f
), ng vi chiu cao rào th là e(V
bi
- V
f
).
Gi ng ca chuyn tip pn u kin phân cc thuc biu din trên
hình 1.4.
Hình 1. 4 Giản đồ năng lượng của chuyển tiếp pn phân cực thuận.
diff
ng khuch tán
eV
a
E(V
bi
- V
f
)
n
E
Fp
E
v
p
E
c
E
Fi
E
Fn
diff
E
v
E
c
E
Fi
21
y, biu thc (1.17) có th c biu din li sau [25]:
(1.20)
D dàng thy rng, chin tích không gian ca chuyn tip gidn
n dòng các ht tn qua chuyn tip pn s
ng hp phân cc thu- n áp (I-V) ca chuyn tip p
c Schockley mô t theo biu thc sau [25,28,70]:
(1.21)
I
S
là dòng bão hòa và nh theo biu thc sau:
(1.22)
tn tích mt ct ngang ca chuyn tip pn, D
n
và D
p
là các h s khuch
tán cn t và l trng,
và
là thi gian sng cn t và l trng.
u kin phân cc thun khi n áp phân cc thun là ln, hay là V >> kT thì
)
. Kt hp vi biu thI-V ca chuyn tip pn
c biu din theo biu thc sau:
(1.23)
-V ca các vt liu bán dn khác nhau ti nhi T = 300 c biu din trên
hình 1.5.
Hình 1. 5 Đặc tuyến I-V của chuyển tiếp pn được làm từ các vật liệu bán dẫn khác nhau.
T hình 1.5, d dàng nhn thy, ng vi mi mt loi vt liu bán dn khác nhau có
ng khác nhau.
n áp (V)
Dòng (mA)
22
1.2.2.2 Chuyển tiếp pn phân cực ngược
Nt lên chuyn tip pn mc V
R
t lên trên bán
dn n và ct lên bán dn p, ta nói chuyn tip pn phân cc.
ng hp này, có th thng ngoài cùng ching khuch
tán và ng tng cng s dn chiu cao rào th i vi các ht d
bên mng eV
R
. Gi ng chuyn tip pn phân cc
biu din trên hình 1.6 .
Hình 1. 6 Giản đồ năng lượng chuyển tiếp pn phân cực ngược.
t
(1.24)
hay
(1.25)
R
c.
y, khi chuyn tip pn phân cc thì chin tích không gian
ng hp này, theo biu thc (1.17) nh chin tích không
gian c vit l:
(1.26)
1.3 Tái hợp phát xạ và tái hợp không phát xạ
Trong cht bán dn t và l trng có th tái hp và quá trình này có th phát x
hoc không phát x. Trong thc t, c hai quá trình tái hp phát x và không phát x luôn
ng thi tn ti vi các linh kin phát quang rn, cn phi t
trình tái hp phát x và gim thiu quá trình tái hp không phát x.
1.3.1 Tái hợp phát xạ
u kin cân bng, m ht tnh lut tác dng khng [28]. Tuy
nhiên, trong bán dn s tn ti các ht ti hoc s chiu sáng hoc dòng
diff
n
E
Fp
E
v
p
E
c
E
Fi
E
Fn
eV
R
eV
t
e
Fn
E
v
E
c
E
Fi
23
nuôi. Các ht t tham gia vào quá trình tái hp khi có mn t trong
vùng dn n gn vi l trng trong vùng hóa tr. Trong quá trình tái hn t - l trng
kt hp to thành mt cp và mng c gii phóng. Ví d, mn
t nh x vùng dn có th tái hp vi mt l trng nh x nh
vùng hóa tr (hình 1.7). n s suy gim n ht t mô
t cho s suy gim n ht tm t tái h
bit, xác sut tái hp cn t - l trng t l vi n cp (hoc
y, R s t l vi tích n n t và l trng hay là R pn và R có th xác
nh theo biu thc sau [28]:
(1.25)
s tái hp.
Hình 1.7 Tái hợp điện tử - lỗ trống [28].
i vi các bán dn vùng cm thn t t nh x gn có th tái
hp trc tip vi các l trnh x gnh vùng hóa tr và quá trình này dn phát x
photon. c li các bán dn vùng cm xiên, do các ht tng ng khác nhau
nên xác sut xy ra quá trình tái hp trc tip là rt nh và quá trình này s tng
mng tinh th. Vì vy, tái hp không phát x nhìn chung là tái hp
không mong mui vi linh kin phát quang do hai nguyên nhân: cp ht ti b m
khi không có ánh sáng phát ra và cu trúc tinh th b nóng lên.
1.3.2 Tái hợp không phát xạ
Quá trình tái hp cn t - l trng mà không có s phát x c gi là
tái hp không phát x. ng hp này, n t c chuyn thành các
ng mng tinh th c gi là n t s c
chuyng nhit.
Có nhi gii thích quá trình tái hp không phát x. Nguyên nhân ch
yu là do có s sai hng cu trúc tinh th và ngoài ra, có th do tái hp mc sâu.
M tái hp không phát x quan trp Auger [28,70]. Trong quá
ng sinh ra bi tái hp cn t - l trc gii phóng bng cách
kích thích mt n t dch chuyn hoc kích thích l trng
dch chuyn xung hp này, các ht tc kích
thích bi phonon và mt dng gn bng
n honh vùng hóa tr.
T tái hp Auger R
Auger
c biu din bi các biu th28]:
(1.26)
(1.27)
n t
L trng
E
C
E
V
24
p
và C
n
ng là các h s Auger ca l trn t.
Có th thy, tái hp Auger t l v ht ti bi vì quá trình này cn
hai ht ti cùng loi dy, có th thy, quá trình th nht xy ra các bán dn loi
p do có nhiu l trng (biu thc 1.26) và quá trình th hai xy ra các bán dn loi n do
có nhin t (biu thc 1.27).
Trong quá trình tái hp Auger, do s sai khác cng vùng dn và
vùng hóa tr nên các h s C
p
và C
n
là không ging nhau. Trong hp gii hn kích
thích cao, tc là khi các ht tc kích thích có n t ti cân bng,
biu thc mô t t tái hnh l [28]:
(1.28)
c gi là h s Auger.
Biu thc (1.28) cho thy, quá trình tái hp Auger s làm suy gim hiu sut phát quang
ca vt liu. Nguyên nhân là do t tái hp R
Auger
t l vi l ht ti.
H s ng trong khong (10
-28
÷ 10
-29
) cm
6
i vi các bán dn hp
cht A
III
B
V
[28].
C biu ding
cn t và l trng theo hàm s E(k) và có dng parabol gn cc tr (Hình 1.8). Do
cu trúc và phân b nguyên t khác nhau trong tinh th nên các trng ca
n t trong vùng dn và l trng trong vùng hóa tr phân b có các cc tr khác nhau
trong không gian E(k).
Hình 1.8 Các quá trình tái hợp cặp điện tử và lỗ trống
a) Quá trình tái hợp thẳng (tái hợp trực tiếp)
b) Quá trình tái hợp xiên (tái hợp gián tiếp).
Nc ting vùng dn nm k = 0 và cng vùng hóa tr
y ra k = 0 thì s chuyn dn t là thng hay trc tip (hình 1.8a). Khi các
ci vùng hóa tr và cc tiu vùng dn không nm cùng giá tr k, thì s chuyn di
n t s là xiên (hay là gián tip) (hình 1.8b) và s chuyn di này không theo quy tc
chn l = 0. Vì vy, quá trình tái hp này cn phi có s tham gia ca ht th 3,
m bo quy tc bng hay quy tc chn l
) (a)
(b)
Vùng dn
Phát x photon
Bán dn vùng cm
thng
Bán dn vùng cm xiên
Phát x phonon
Vùng dn
Vùng hóa tr
Vùng hóa tr
25
Có th quan sát các quá trình tái hp phát x và tái hp không phát x u din
Hình 1.9 mô t quá trình tái hp cp n t - l trng trong mng
tinh th. Có th thy, quá trình tái hp cn t - l trng phát x photon (hình 1.9a) và
không phát x mà chuyn thành ng mng tinh th (hình 1.9b).
Hình 1.9 Quá trình tái hợp cặp điện tử - lỗ trống trong mạng tinh thể [28]
a) Quá trình tái hợp phát xạ ra photon
b) Quá trình tái hợp không phát xạ hình thành dao động mạng.
1.4 Điôt phát quang (LED)
Có th thy, m bn cht là mt chuyn tip pt mt
n áp thun thì chuyn tip pn s phát sáng. Theo các thông báo ca các tác gi trong
[28,70], hu hi là các chuyn tip pn có n pha tp cao kiu
t ngng photon phát ra xp x bng vùng c E
g
.
1.4.1 Cấu trúc
Mt cn hình ca LED c biu din trên hình 1.10.
Hình 1.10 Cấu trúc LED và sơ đồ tương đương
a) Cấu trúc, b) Sơ đồ tương đương.
n t
in t
L trng
(a) (b)
GaN (p)
Vùng hong
GaN (n)
GaN (lm)
Sapphia
a)
b)