TRƯỜNG ĐẠI HỌC MỎ ĐỊA CHẤT HÀ NỘI
KHOA CÔNG NGHỆ THÔNG TIN
BÀI TẬP LỚN MÔN:
KIẾN TRÚC MÁY TÍNH
TÌM HIỂU VỀ RAM
(Random Access Memory)
GV hướng dẫn : Th.S Trần Thị Thu
Thúy
Sinh viên thực hiện :
1.Dương Trung Kiên
2.Nguyễn Ngọc Khánh
3.Trần Quyết Tiến
4.Trần Đức Nguyện
1
NỘI DUNG
A. Tổng quan về RAM máy tính
I. RAM là gì?
II. Đặc trưng của RAM máy tính
III. Cấu tạo bên ngoài RAM
IV. Mục đích sử dụng RAM
B. Phân loại RAM máy tính
I. SRAM (Static RAM): RAM tĩnh
II. DRAM (Dynamic RAM): RAM động
III. Các loại DRAM
IV. Một số lỗi về RAM và cách khắc phục
D. Kết luận
E. Tài liệu tham khảo
2
A.Tổng quan về RAM máy tính
3
I.RAM là gì?
- RandomAccessMemorytrongtiếngAnh
-
Làmộtloạibộnhớchínhcủamáytính.
-
Bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiênvìnócóđặctính:thờigianthực
hiệnthaotácđọchoặcghiđốivớimỗiônhớlànhưnhau,cho
dùđangởbấtkỳvịtrínàotrongbộnhớ.MỗiônhớcủaRAM
đềucómộtđịachỉ.Thôngthường,mỗiônhớlàmộtbyte(8bit);
tuynhiênhệthốnglạicóthểđọcrahayghivàonhiềubyte(2,4,
8byte).
4
I.RAM là gì?
5
II.ĐẶC TRƯNG CỦA RAM:
BộnhớRAMcó4đặctrưngsau:
+,Dunglượngbộnhớ:Tổngsốbytecủabộnhớ(nếutínhtheobyte)hoặclàtổngsố
bittrongbộnhớnếutínhtheobit.
+,Tổchứcbộnhớ:Sốônhớvàsốbitchomỗiônhớ
+,Thờigianthâmnhập:Thờigiantừlúcđưarađịachỉcủaônhớđếnlúcđọcđược
nộidungcủaônhớđó.
+,Chukỳbộnhớ:Thờigiangiữahailầnliêntiếpthâmnhậpbộnhớ.
6
III.CẤU TẠO BÊN NGOÀI RAM
-Chíp xử lý : xử lý dữ liệu vào-ra
-SIMM-RAM: Module bộ nhớ
-DIMM-RAM: Module bộ nhớ
-PINS: chân giao tiếp
7
IV.MỤC ĐÍCH CỦA RAM
MáyvitínhsửdụngRAMđểlưu trữ mã chương trình và dữ liệutrong
suốtquátrìnhthựcthi.ĐặctrưngtiêubiểucủaRAMlàcóthểtruycập
vàonhữngvịtríkhácnhautrongbộnhớvàhoàntấttrongkhoảngthời
giantươngtự,ngượclạivớimộtsốkỹthuậtkhác,đòihỏiphảicómột
khoảngthờigiantrìhoãnnhấtđịnh.
8
b.Phân loại ram
9
b.PHÂN LoẠI RAM
Tùy theo công nghệ chế tạo, người ta phân biệt
thành các loại như:
SRAM (Static RAM)
RAM tĩnh
DRAM(DynamicRAM)RAM
động
10
I. SRAM (Static RAM): RAM tĩnh
Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh(SRAMhayRAM tĩnh)làmộtloại
bộnhớsửdụngcôngnghệbándẫn.Từ"tĩnh"nghĩalàbộnhớvẫn
lưudữliệunếucóđiện,khôngnhưRAMđộngcầnđượcnạplại
thườngxuyên.KhôngnênnhầmRAMtĩnhvớibộnhớchỉđọcvà
bộnhớflashvìRAMtĩnhchỉlưuđượcdữliệukhicóđiện.
11
I. SRAM (Static RAM): RAM tĩnh
6 transistor trong một ô nhớ của RAM tĩnh
RAMtĩnhđượcchếtạotheocôngnghệECL(dùngtrong
CMOSvàBiCMOS).Mỗibitnhớgồmcócáccổnglogicvới6
transistorMOS.SRAMlàbộnhớnhanh,việcđọckhônglàm
hủynộidungcủaônhớvàthờigianthâmnhậpbằngchukỳ
củabộnhớ.
12
II .DRAM (Dynamic RAM): RAM động
DRAMđượcphátminhbởitiếnsĩRobertDennardtại
TrungtâmnghiêncứuThomasJ.WatsonIBM
BộnhớDRAMđầutiêncónhiềuđịachỉhàng/cộtlàMostek
MK4096(4096x1)năm1973.
13
II .DRAM (Dynamic RAM): RAM động
- RAM động dùng kỹ thuật MOS. Mỗi bit nhớ gồm một transistor
và một tụ điện. Việc ghi nhớ dữ liệu dựa và việc duy trì điện tích nạp
vào tụ điện và như vậy việc đọc một bit nhớ làm nội dung bit này bị
hủy. Do vậy sau mỗi lần đọc một ô nhớ, bộ phận điều khiển bộ nhớ
phải viết lại nội dung ô nhớ đó. Chu kỳ bộ nhớ cũng theo đó mà ít
nhất là gấp đôi thời gian thâm nhập ô nhớ
- Bộ nhớ DRAM chậm nhưng rẻ tiền hơn SRAM.
1 transistor và 1 tụ điện trong một ô nhớ của RAM động
14
So Sánh RAM tĩnh và RAM động
RAM động đang được sử dụng rộng rãi hiện nay vì giá thành rẻ
và có khá nhiều tính năng gần bằng RAM động
15
III .Các loại DRAM
16
1.SDRAM ( Synchronous dynamic RAM)
Được gọi là Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ.
SDRAM gồm 3 loại: DDR, DDR2 va DDR3.
17
1.SDRAM ( Synchronous dynamic RAM)
Được gọi là Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ.
SDRAM gồm 3 loại: DDR, DDR2 va DDR3.
Đều dựa trên thiết kế SDRAM
Đặc điểm :
Truyềnđượchaikhốidữliệutrongmộtxung
nhịp
18
a. DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
Thườngđượcgiớichuyênmôngọitắtlà"DDR".Có184chân.DDRSDRAM
làcảitiếncủabộnhớSDRvớitốcđộtruyềntảigấpđôiSDRnhờvàoviệc
truyềntảihailầntrongmộtchukỳbộnhớ.ĐãđượcthaythếbởiDDR2.
DDR-200:CònđượcgọilàPC-1600.100MHzbusvới1600MB/sbandwidth.
DDR-266:CònđượcgọilàPC-2100.133MHzbusvới2100MB/sbandwidth.
DDR-333:CònđượcgọilàPC-2700.166MHzbusvới2667MB/sbandwidth.
DDR-400:CònđượcgọilàPC-3200.200MHzbusvới3200MB/sbandwidth.
19
b.DDR2 SDRAM (Double Data Rate 2 SDRAM)
Thườngđượcgiớichuyênmôngọitắtlà"DDR2".Làthếhệthứ
haicủaDDRvới240chân,lợithếlớnnhấtcủanósovớiDDRlàcó
busspeedcaogấpđôiclockspeed.
DDR2-400:CònđượcgọilàPC2-3200.100MHzclock,200MHzbusvới3200MB/sbandwidth.
DDR2-533:CònđượcgọilàPC2-4200.133MHzclock,266MHzbusvới4267MB/sbandwidth.
DDR2-667:CònđượcgọilàPC2-5300.166MHzclock,333MHzbusvới5333MB/sbandwidth.
DDR2-800:CònđượcgọilàPC2-6400.200MHzclock,400MHzbusvới6400MB/sbandwidth.
20
c.DDR3 SDRAM (Double Data Rate 3 SDRAM)
-Cótốcđộbus800/1066/1333/1600Mhz,
-Sốbitdữliệulà64,
-Điệnthếlà1.5v,
-Tổngsốpinlà240.
Thườngđượcgiớichuyênmôngọitắtlà"DDR3".Làthếhệthứba
củaDDRvới240chân,lợithếlớnnhấtcủanósovớiDDRlàcóbus
speedcaogấpbaclockspeed.
21
SO SÁNH CÁC LOẠI DDR
TỐC ĐỘ:
22
SO SÁNH CÁC LOẠI DDR
ĐIỆN ÁP:
Bộ nhớ DDR3 sẽ tiêu thụ ít điện hơn DDR2, và DDR2 tiêu thụ ít
hơn DDR
BộnhớDDRsửdụngđiện2.5V,DDR2dùngđiện1.8VvàDDR3là
1.5V(mặcdùcácmodulecầnđến1.6Vhoặc1.65Vrấtphổbiến
vànhữngchipchỉyêucầu1.35Vtrongtươnglaicũngkhông
phảilàhiếm)
Mộtsốmodulebộnhớcóthểyêucầuđiệnápcaohơntrong
bảng,nhấtlàkhibộnhớhỗtrợhoạtđộngởtốcđộxungnhịp
caohơntốcđộchínhthức
23
SO SÁNH CÁC LOẠI DDR
THỜI GIAN TRỄ (Column Address
Strobe (CAS) latency, or CL):
Thờigiantrễlàkhoảngthờigianmàmạchđiềukhiểnbộ
nhớphảiđợitừlúcyêucầulấydữliệuchođếnlúcdữ
liệuthựcsựđượcgửitớiđầura
24
SO SÁNH CÁC LOẠI DDR
ĐIỂM ĐẦU CUỐI TRỞ KHÁNG:
VớibộnhớDDR,điểmcuốitrởkhángcóđiệntrởđặttrênbomạch
chủ,còntrongDDR2vàDDR3thìđiểmcuốinàynằmbêntrongchip
bộnhớ ngônngữkỹthuậtgọilàODT(On-DieTerminal)
Mục đích giúp tín hiệu trở nên “sạch hơn “ – ít bị nhiễu hơn do hạn
chế tín hiệu phản xạ tại những diểm đầu cuối
25