Trắc nghiệm kỹ thuật điện tử

1

1.Phát biểu nào sai cho đánh thủng về điện của tiếp xúc P-N
A. Gây phá hỏng diode
B. Dòng điện ngược tăng nhanh nhưng công suất tiêu tán chưa vượt quá giá trị cực đại cho phép
C. Bao gồm đánh thủng thác lũ và đánh thủng xuyên hầm
D. Không gây hư hỏng diode
2.Tên gọi của các loại Diode theo thứ tự từ phải qua trái là :

A. Tunen, Zener, biến dung, chỉnh lưu
B. Tunen, biến dung, zener, chỉnh lưu
C. Zener, tunen, biến dung, chỉnh lưu
D. Tunen, chỉnh lưu, zener, biến dung
3.Diode nào dùng cho mạch ổn áp
A. Tunen
B. Zener
C. Biến dung
D. Chỉnh lưu
4.Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận, dòng điện chạy qua lớp tiếp xúc là do
A. Các hạt dẫn thiểu số khuếch tán qua lớp tiếp xúc tạo nên
B. Các hạt dẫn đa số khuếch tán qua lớp tiếp xúc tạo nên
C. Các hạt dẫn đa số chuyển động trôi dưới tác động của điện trường tiếp xúc tạo nên
D. Cả hạt dẫn thiểu số và đa số chuyển động trôi dưới tác động của điện trường tiếp xúc tạo nên
5.Diode chỉnh lưu khi được phân cực thuận thì
A. Miền nghèo to ra
B. Dòng khuếch tán của hạt dẫn đa số tăng
C. Dòng trôi của hạt dẫn thiểu số tăng
D. Không có gì xảy ra
6.Chuyển động khuếch tán của hạt dẫn
A. Là chuyển động của hạt dẫn khi có sự chênh lệch về nồng độ
B. Là chuyển động của hạt dẫn dưới tác dụng của điện trường

C. Hạt dẫn chuyển từ nơi có nồng độ thấp đến nơi có nồng độ cao
D. Hạt dẫn chuyển từ cực âm sang cực dương của điện trường
7.Khi diode chỉnh lưu phân cực ngược thì dòng điện chạy qua nó là bao nhiêu
A. Rất lớn
B. Tăng tỷ lệ thuận với điện áp phân cực
C. 0.7 mA
D. 0 mA
8.Diode zener là diode sử dụng hiện tượng đánh thủng để
A. Ổn định dòng điện
2

B. Ổn định điện áp
C. Chỉnh lưu
D. Khuếch đại
9.Mạch chỉnh lưu cầu sử dụng mấy Diode
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
10.Nguyên tử silic có bao nhiêu điện tử hóa trị ở lớp vỏ ngòai cùng
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
11 Bán dẫn loại i khi được cung cấp năng lượng thì
A. Không có khả năng dẫn điện
B. Có số điện tử khác với số lỗ trống tùy vào năng lượng kích thích
C. Có số điện tử bằng số lỗ trống
D. Không có hạt dẫn
12.Điện tử là hạt dẫn thiểu số trong chất bán dẫn nào:

A. Thuần khiết.
B. Loại N
C. Loại P
D. Đáp án khác
13.Khi phân cực ngược diode Zener:
A. Diode sẽ tắt
B. Diode có dòng rất lớn đi qua
C. Diode tạo 1 điện áp ổn định trên 2 cực
D. Không thể kết luận được
14.Ion dương là:
A. Nguyên tử mất điện tử.
B. Nguyên tử nhận điện tử
C. Hạt dẫn
D. Nguyên tử trung hòa về điện
15.Lớp tiếp xúc P-N phân cực thuận khi điện áp đặt lên nó có chiều sao cho: …
A. V
P
- V
N
< V
B. V
P
- V
N
> V
C. V
P
- V
N
= V

3

D. Đáp án khác
16.Sự tái hợp hạt dẫn là sự kết hợp của :….
A. Lỗ trống và điện tử
B. Ion dương và ion âm
C. Bán dẫn và tạp chất
D. Câu A và C đều đúng
17.Khi BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại, lớp tiếp xúc phát-nền (J
E
) sẽ
A. Phân cực thuận.
B. Phân cực ngược.
C. Không dẫn điện
D. Hoạt động ở vùng đánh thủng.
18.Khi BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại:
A. I
C
= I
B

B. I
B
= I
C

C. I
C
= I
B

= 0
D. I
B
và I
C
không có mối quan hệ gì
19.19
10
tương đương trong hệ cơ số 2 là :
A. 10111
B. 11001
C. 11011
D. Cả 3 đáp án đều sai
20.Thực hiện phép cộng 2 số sau : 675
16
+ 773
16

A. DE8
16
B.DF8
16

C.DE7
16

D.1448
16
21.Cho mạch sau

4

A. F =
B. F =

B
C. F = A

B
D. F =


22.Theo đại số Boole, =
A. A~.B~.C
B. . .
C. A+B+C
D. + +
23.Bảng chân trị nào xác định trạng thái cổ
A. (c)
B. (a)
C. (d)
D. (b)
24.Giá trị điện áp V
1
là:
I
-
+
R
2

20k
R
1
10k
R
3
30k
R
4
300k
R
6
2.2k
R
7
6.8k
-
+
10 mV
20 mV
30 mV
R
5
4.7k
V
1
V
2

A. 0.9 mV

B. -0.9mV
C. -0.9 V
D. 0.9 V
24.Giá trị dòng điện I là:
5

-
+
R
2
20k
V
o
R
1
10k
R
3
30k
R
4
300k
R
7
6.8k
-
+
10 mV
20 mV
30 mV

R
5
4.7k
40 mV
I
V
1

A. 3 mA
B. 3µA
C. 0
D. Đáp án khác
25.Tầng vào của một bộ khuếch đại thuật toán thường là:
A. Bộ khuếch đại cao tần
B. Bộ khuếch đại vi sai
C. Bộ khuếch đại công suất
D. Bộ khuếch đại sử dụng BJT mắc CC
26.Mạch sau đây là mạch:

A. Mạch tích phân
B. Mạch vi phân
C. Mạch tạo hàm logarit
D. Cả 3 đáp án đều sai
27.Hệ số khuếch đại vòng hở của một bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng có giá trị:
A. 0
B. 1
C. ∞
D. Cả 3 đáp án đều sai
28.BJT là linh kiện điện tử:
6

A. 1 cực tính, gồm 2 tiếp xúc PN, 3 chân.
B. 1 cực tính, gồm 1 tiếp xúc PN, 3 chân.
C. 2 cực tính, gồm 2 tiếp xúc PN, 3 chân.
D. 2 cực tính, gồm 1 tiếp xúc PN, 3 chân.
29.Đặc điểm của miền nền (base) trong cấu tạo của BJT
A. Khác loại với 2 lớp còn lại, rất mỏng và nồng độ hạt dẫn thấp.
B. Cùng loại với 2 lớp còn lại, rất mỏng và nồng độ hạt dẫn thấp.
C. Khác loại với 2 lớp còn lại, độ dày bằng với các miền khác và nồng độ hạt dẫn cao.
D. Cùng loại với 2 lớp còn lại, độ dày bằng với các miền khác và nồng độ hạt dẫn như các miền
khác.
30.Ký hiệu của BJT loại PNP



H1

H2

H3

H4
A. H1
B. H2
C. H3
D. H4
31.Họ đặc tuyến ra của mạch khuếch đại BJT mắc CE:

H1

E
C
7

H2

H3

H4
A. H1.
B. H2.
C. H3.
D. H4.
32.Đơn vị của tham số h
fe
trong mạch tương đương tín hiệu nhỏ dùng BJT mắc CE là
A. 
-1

B. Không đơn vị
C. 
D. A
33.FET và BJT giống nhau ở những điểm nào
A. Cùng là linh kiện điện tử có 3 chân.
B. Cùng là linh kiện điện tử lưỡng cực
C. Cùng được điều khiển bằng điện áp
D. Hoàn toàn khác nhau.
34.Sử dụng mạch bên và trả lời từ câu {<1>} đến câu {<7>}

8

Cho V
CC
= 12V,  = 50, R
B
= 240K, R
C
=
2.2K. Các tụ C  
V L
VCC
RB
C1
RC
C2
V i
Q1
Z oZ i


(<1>) Xác định dòng I
B

A. -49.55A
B. 47.08A
C. 50A
D. -47.08A
(<2>) Xác định áp V
BE

A. 1.05V
B. 12V
C. 0V
D. 0.7V
(<3>) Xác định áp V
C
(áp tại cực C của BJT)
A. 6.83V
B. 12V
C. 0.7V
D. -6.13V
(<4>) Xác định mạch tương đương tín hiệu nhỏ
Z i
RB
V i
ib
V L
hf e ib
hie RC
Z o

H1
hf e ib
Z o
RB
Z i
V i
hie RC
V L

ib

9

H2
V i
RC
hf e ib
Z i Z o
hieRB
V L
ib

H3
Z i
V L
hie
Z o
ib
hf e ib
V i
RC
RB

H4
A. H1
B. H2
C. H3
D. H4
(<5>) Xác định độ lợi áp

A.
ie
cfe
v
h
Rh
A 

B.
ie
cfe
v
h
Rh
A 

C.
Bie
cfe
v
Rh
Rh
A
//


D.
Bie
cfe
v

Rh
Rh
A
//


(<6>) Xác định trở kháng vào
A.
Bi
RZ 

B.
iei
hZ 

C.
Biei
RhZ //

D.
Biei
RhZ 

(<7>) Mạch được phân cực kiểu gì
10

A. Phân cực kiểu phâ
B. n áp
B. Phân cực kiểu hồi tiếp từ cực C
C. Phân cực dùng tín hiệu vào V

i

D. Phân cực định sẵn
Tìm phát biểu sai cho cuộn dây:
A. Cho dòng 1 chiều đi qua dễ dàng.
B. Tích phóng năng lượng từ trường
C. Dòng xoay chiều đi qua tùy thuộc vào tần số tín hiệu.
D. Không cho dòng 1 chiều đi qua.
Bốn tụ điện giống nhau có điện dung C ghép song song với nhau thì điện dung tương đương có
giá trị:
A. C
tđ
= C/4.
B. C
tđ
= 2C.
C. C
tđ
=C/2.
D. C
tđ
= 4C.
Định luật Kirchhoff II (về điện áp):
A.Tổng đại số các suất điện động của nguồn điện bằng 2 lần độ giảm của điện thế trên từng đoạn
mạch của một vòng kín.
B. Tổng đại số các suất điện động của nguồn điện không bằng độ giảm của điện thế trên từng
đoạn mạch của một vòng kín.
C. Tổng đại số các điện áp trên các phần tử dọc theo tất cả các nhánh trong một vòng khác 0.
D. Tổng đại số các điện áp trên các phần tử dọc theo tất cả các nhánh trong một vòng bằng 0.
Dòng điện…….

A. Là dòng các điện tích chuyển dịch có hướng.
B. Là dòng dịch chuyển của các điện tích
C.Là dòng dịch chuyển của ánh sáng.
D. Tất cả các câu trên đều đúng.
Sử dụng mạch bên và trả lời từ câu {<1>} đến câu {<4>}
11

Cho sơ đồ mạch và tín hiệu ngõ
vào Vi như hình vẽ.
Diode là lý tưởng

3V
R
D
Vi
Vo
0
Vi (V)
7
-7
t

(<1>) Xác định điều kiện để Diode dẫn điện

A.
VVi 3

B.
VVi 3

C.
VVi 3

D.
VVi 3

(<2>) Xác định tín hiệu ngõ ra V
o
khi Diode dẫn điện

A.
VV
o
0

B.
VV
o
3

C.
VV
o
3

D.
io
VV 

(<3>) Xác định dạng tín hiệu ngõ ra Vo

Vo (V)
t
3
7

H1
H2
0
Vo (V)
-7
t
3

12

-3
Vo (V)
7
t

H3
H4
Vo (V)
-7
t
-3

A. H1
B.H2
C.H3

D.H4
(<4>) Đây là mạch ứng dụng nào:
A.Mạch xén dưới
C.Mạch xén trên
B.Mạch ghim điện áp
D.Cả 3 câu trên đều sai
Xác định tín hiệu ngõ ra V
o
cho mạch điện
sau
Vo
Si
I
D
+6V
1,2k
3,9k
R2
R1

A.
VV
O
75,4

B.
VV
O
7.0

C.
0
O
V

D.
VV
O
75,4