NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA VIỆC ĐIỀU CHỈNH ĐẦU PHÂN ÁP ĐẾN ĐẶC TÍNH LÀM VIỆC CỦA RƠLE SO LỆCH KỸ THUẬT SỐ

TẬP ĐOÀN ĐIỆN LỰC VIỆT NAM
TRƯỜNG CAO ĐẲNG ĐIỆN LỰC MIỀN TRUNG
******
NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA VIỆC
ĐIỀU CHỈNH ĐẦU PHÂN ÁP ĐẾN ĐẶC TÍNH
LÀM VIỆC CỦA RƠLE SO LỆCH KỸ THUẬT SỐ
Nhóm tác giả: Lê Thị Kim Nhung
Lê Duy Nhân
Đà Nẵng 11/2014
EVNCEPC
1
NỘI DUNG

Tổng quan

Nâng cao độ nhạy của bảo vệ so lệch

Mô phỏng bảo vệ so lệch máy biến áp

Kết quả và nhận xét
EVNCEPC
2
I. TỔNG QUAN
-
Hiện nay bảo vệ so lệch cho máy biến áp
điện lực có điều áp dưới tải (OLTC) được
chỉnh định cho một nấc phân áp chung nhất
(thường là nấc 9)
-
Không dùng vị trí đầu phân áp vào tính toán
Idiff và Ibias

Bảo vệ sẽ tác động nhầm khi nấc
phân áp ở tại vị trí biên
EVNCEPC
3
II. NÂNG CAO ĐỘ NHẠY CỦA
BẢO VỆ SO LỆCH
2.1 Phương pháp
- Dựa trên việc giám sát vị trí đầu phân áp
- Cho tín hiệu chỉ dẫn đến rơle số để thay đổi
giá trị cài đặt theo vị trí đầu phân áp mới
EVNCEPC
4
2.2 Biểu thức toán học cài đặt vị trí đầu phân áp






−=−=
22
1
1
1
2
2
1
1
1
nN

N
n
I
n
I
n
I
I
d
Dòng so lệch
Dòng so lệch khi
thay đổi đầu
phân áp
II. NÂNG CAO ĐỘ NHẠY CỦA
BẢO VỆ SO LỆCH
[ ]






±−+=
1
'
2
'
1
'
1).(1

N
N
IupIII
md
EVNCEPC
5
Ibias
Idiff
IS1
0.5In
IS2=2In
k1
k2
IS1=0,25
IS2=2
k1=0,25
k2=1
IS1=0,15
IS2=2
k1=0,1
k2=1
II. NÂNG CAO ĐỘ NHẠY CỦA
BẢO VỆ SO LỆCH
2.3 Chọn giá trị cài đặt cho bảo vệ so lệch MBA
EVNCEPC
6
III. MÔ PHỎNG BẢO VỆ SO LỆCH
MÁY BIẾN ÁP
- Máy biến áp:
+ Công suất định mức: 25 MVA

+ Điện áp của các cuộn dây: 115 8x1,875%/23Kv
- CT1 có tỉ số biến: 200/1
- CT2 có tỉ số biến: 1000/1
- Tải: Sđm = 25 MVA
±
EVNCEPC
7
Continuo us
powergui
1 8 0
Vecto r Com p
T ri p sig nal C
T ri p sig nal B
T ri p sig nal A
T ri p signa l
-8
T ap P o s
0
T a p 0
A
B
C
Source
Idif f a
Ibias a
Idif f b
Ibias b
Idif f c
Ibias c
D IF F TR IP

D IFF TR IP A
D IFF TR IP B
D IF F TR IP C
Re lay_d ecision
Vm (pu) Tap
A
B
C
a
b
c
OL T C Regu lati n g T ran sfo rm er
2 5 M V A -1 1 5/2 3 -Y g /Yg
2
Multimeter
M an u a l S witch
3 .5 4 1e-007
L V V o lta ge(pu)
A
B
C
A
B
C
Internal Fault
Id iff & Ib ias
T a pPos
V1_B2
Ip
Is

VabcB 2
T a p P os
Is
Ip
V1_B2
Fau lt Characteristic
Cu rre nt 2
i1
i2
i3
i4
i5
i6
Angle(D eg)
Tap
Idif f a
Ibias a
Idif f b
Ibias b
Idif f c
Ibias c
Calculation Idiff & Ib i as
IoutIa
Ib
Ic
Ia'
Ib'
Ic '
CT 2
IoutIa

Ib
Ic
Ia'
Ib'
Ic '
CT1
A
B
C
a
b
c
C B2
A
B
C
a
b
c
C B1
A
B
C
a
b
c
B2
A
B
C

a
b
c
B 1
abc
Mag
Pha se
3-Phase
Sequence Analyzer
A
B
C
Load
A
B
C
A
B
C
External Fault
<s ignal1>
<s ignal2>
<s ignal3>
<s ignal1>
<s ignal2>
<s ignal3>
Khối
MBA
Khối tính
Idiff và Ibias

Khối
Relay_decision
III. MÔ PHỎNG BẢO VỆ SO LỆCH
MÁY BIẾN ÁP
EVNCEPC
8
Mô
phỏng
Rơle so lệch MBA được cài đặt
(IS1 = 0,25; IS2 = 2; k1 = 0,25; k2 = 1)
Rơle so lệch MBA được cài đặt (IS1 =
0,15; IS2 = 2; k1 = 0,1; k2 = 1) không
phản hồi vị trí đầu phân áp về rơle
Rơle so lệch MBA được cài đặt (IS1 =
0,15; IS2 = 2; k1 = 0,1; k2 = 1) phản hồi
vị trí đầu phân áp về rơle
III. MÔ PHỎNG BẢO VỆ SO LỆCH
MÁY BIẾN ÁP
EVNCEPC
9
III. MÔ PHỎNG BẢO VỆ SO LỆCH
MÁY BIẾN ÁP
Bảng 1: Thống kê tình trạng làm việc của bảo vệ so lệch
EVNCEPC
Các
trường
hơp
Tải định mức
Ngắn mạch
ngoài

Sự cố máy biến áp
Điện trở ngắn
mạch 30
Điện trở ngắn
mạch 100
Nấc 0 Nấc -8 Nấc 0 Nấc -8 Nấc 0 Nấc -8 Nấc 0 Nấc -8
Trường
hợp 1
Đúng Đúng Đúng Đúng Đúng Đúng Sai Sai
Trường
hợp 2
Đúng Sai Đúng Đúng Đúng Đúng Đúng Đúng
Trường
hợp 3
Đúng Đúng Đúng Đúng Đúng Đúng Đúng Đúng
10
IV. ĐÁNH GIÁ KẾT QUẢ
•
Kết quả mô phỏng cho thấy bảo vệ so lệch MBA làm việc
chính xác khi có sự phản hồi vị trí đầu phân áp (giá trị cài đặt
IS1 = 0,15; IS2 = 2; k1 = 0,1; k2 = 1)
•
Nếu ứng dụng phương pháp này vào thực tế, bảo vệ so lệch kỹ
thuật số có thể cách ly được sự cố chạm đất và ngắn mạch giữa
các vòng dây của MBA mà không cần sử dụng thêm bảo vệ
chống chạm đất. Điều này làm giảm chi phí đầu tư, chi phí vận
hành - bảo dưỡng hệ thống bảo vệ các MBA có OLTC
EVNCEPC
11
XIN CẢM ƠN

SỰ CHÚ Ý LẮNG NGHE
CỦA QUÝ ĐẠI BIỂU!
12
PHỤ LỤC
LƯU ĐỒ THUẬT TOÁN VÀ
ĐỒ THỊ MÔ PHỎNG
13
NhËp I ,I ,k ,k
I , I
S1 S2
1 2
S1
diff
bias
I
diff
> I
bias
k
1
+
S1
I
I
bias
>
S2
I
I
diff

> I
bias
k
2
-
S1
I
(k -k )
2
1
S2
I
+
Y
Y
N N
Y
N
TRIP
NO TRIP
14
15
16
17