ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ
PHẠM QUỐC THỊNH
THIẾT KẾ CHẾ TẠO CẢM BIẾN
DÒNG CHẢY DỰA TRÊN NGUYÊN LÝ KIỂU TỤ VÀ KIỂU
ÁP TRỞ
Ngành: Công nghệ Điện tử - Viễn thông
Chuyên ngành: Kỹ thuật điện tử
Mã số: 60 52 70
LUẬN VĂN THẠC SĨ CÔNG NGHỆ ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG
NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS.TS. CHỬ ĐỨC TRÌNH
Hà Nội – Năm 2013
iv
MỤC LỤC
DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU THUẬT NGỮ VÀ CHỮ VIẾT TẮT vi
DANH MỤC CÁC BẢNG vii
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ viii
MỞ ĐẦU xi
Chương 1 - GIỚI THIỆU CHUNG 1
1.1. Gii thiu chung v vi lng dng 1
1.2. Tng quan v c xut 2
1.2.1. Cm bin tr 2
1.2.2. Cm bin kiu t n 3
1.3. T chc ca lu 4
Chương 2 - CẢM BIẾN ĐIỆN DUNG 5
m v n dung 5
2.2. Ca cm bin dung 6
2.3. c hong ca mt cm bin dung 8
2.4. Mn dung 8
Chương 3 - CẢM BIẾN ÁP ĐIỆN TRỞ 12
3.1. Gii thiu chung v n tr 12
3.2. ng dng ca hiu n tr trong MEMS 14
3.3. Thit k cm bin tr 16
3.3.1. Gii thiu chung 16
3.3.2. Thit k cm bin tr 16
3.3.3. Ch to 19
3.4. Kt qu 20
Chương 4 - HỆ THỐNG CẢM BIẾN DÒNG CHẢY DỰA TRÊN NGUYÊN LÝ
KIỂU TỤ 24
n ca cm bin dung thit k 24
4.2. H thng lock-in cho cm bin kiu t 25
4.3. C xut cho mu ra cm bin 28
4.4. Thit k cm bin kiu t trong MEMS 30
ch to 30
v
m bin kiu t n thit k v 31
4.4.3. Kt qu 33
4.5. Thit k cm bing dc l 33
4.5.1. Thit k mu ra cho cm bin 34
4.5.2. Tn cc cho cm bin 35
4.5.3. Th nghim biy kiu t thit k 37
KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN 42
TÀI LIỆU THAM KHẢO 44
vi
DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU THUẬT NGỮ VÀ CHỮ VIẾT TẮT
AC
Alternating Current
u
ASIC
Application Specific Integrated
Circuit
Mng
CMOS
Complementary Metal Oxide
Semiconductor
CMOS
DC
Direct Current
t chiu
FEA
Finite Element Analysis
n t hu hn
FEM
Finite Element Method
n t hu
hn
IC
Integrated Circuit
Mp
LPF
Low Pass Filter
B lp
MEMS
Micro Electro Mechanical
Systems
H thn t
PCB
Printed Circuit Board
Bng mch in
PLL
Phase Locked Loop
RIE
Reactive ion etching
n ng
SEM
Scanning Electron Microscope
n t
SNR
Signal-to-noise ratio
T s u p
SOC
System On Chip
H th
SOI
Silicon On Insulator
vii
DANH MỤC CÁC BẢNG
Bng 4-c ca cm bin thit k 30
viii
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ
- hai h th 1
- Vi h thng phn c thc hi ng mch vi l
c ca h th
3
) [10] 1
a cm bin n tr u in
2
a cm bi
mc cht lng c 10-12pl [12,13] 3
- n dung gi 5
- (a) T 2 cc (b) t ba cc 6
- Mt t n phn cc song song 6
- Mt cm bin m (Omega engineering, INC,
Stamford, CT06907 USA,) 7
- t mt cm bin mn 8
- n dung dm bin kho 8
- S dng mt mn tr truyn (Transimpedance amplifier)
n 9
- n phn h 10
- a mt t n vi sai 10
- c thay i ca mn tr i ng xut theo chiu dc [17] 12
- Minh ha s bin dng vt lii: Mt lc theo chia
thanh dn ti bin dng trong hai trc trc giao [18] 13
- Minh ha b m bit vng [16] 14
- mch cu Wheatstone trong c 15
- c cm bin ca thit b xut: 16
- Cm bing cho thy s ca ng suc theo
ng x theo stsut t mt i cmng 17
- Kt qu ng FEA minh ha mi quan h gia tp trung ng su
b mcu . Nhng
tp trung ng sun tr l 18
- Bn v v n tr t ni ca 19
ix
- ch to cm bin tr [11] 20
- Hnh thit b ch tnh
cm bin [11]. 20
thit lp cho [11] 21
- S bii tr c qua [11] 21
- Mi quan h gia t sut cht l dng
[11] 22
- S bii tr t cht l 22
- : a) Mt ct qua ca m
mt ny; b) Mn c
(b) [13] 24
- ca h thng khui lock-in [13] 26
H thng khui lock-u ra cho cm bin t 27
- mt c chopper ( ng b (V
sync
) cho gii
u ch)[13] 29
- mu 29
6 - a cm bi xut vc ct
ct d 30
- nh ca cm bin thit k sau khi ch to [13] 31
- Thit lng cm bi[13] 31
- u ra sau khi giu cht
i kho n gia hai tr y
32
- u ra ca cm binh c chp li trong khi to mt
git [13] 33
- Ngun cho board mch cm bin 34
- mch bng mch cm bin thit k 34
Bng mch cm binh (3D) 35
- Cm bin t vn cc bng mch 35
- Cm bin t c to b ch in hai lp 36
- c thit k u cn thit 36
- ng dn cht lo ln cc cm bin 37
x
18 - thit lng 37
- Thit lng thc t 38
- Kt ni xi lanh cung cc vi bng mch cm bin 38
- a) Xung sin t n b) Xung sin 39
- u ra b khuc;
c 39
- u sau khi qua b khui lock-in 40
- u sau khi qua b khui lock-in vng hc di chuyn
chm 40
xi
MỞ ĐẦU
H thn t p hm biu ch
c m nhng vi nhi trong
i vic s dng mt vi mu khin. Mt thit b
t th vi nhu ch
cm bin mong mun. H th cn vi ngun cung c
x u nh.
u so vi ngun gc c
ng n. V, to ra nhng cc nh y
c o ra nhng b cm bin
cu chc ng dng rc sng.
h thng hong nhanh, y, r kh t hp
phc tp.
Thit b MEMS xut ng minh s hu d c
vi lng, , y sinh hc, hc, truy,
d liu, hin th quang hc, v.v. cm bi t ti
y th t b MEMS m
u cn rt nhiu nhn
vi s n ca MEMS, mc mc m a hn nhi
c vi lng (Microfluidic).
gii hin nay, nhin v vi
l t trong nh
C y hiu qu ca cao dthay th
ng k dng to ra nhng
bc nh su. Trong y t, viu khin to ra nhng git vi
lng vi t ng dng rt ln, vic lnh nn
d ng ti c vi l
th t ta cht lng t t vi lng nhng
theo cu s d.
Vi nh, t k ch to cm
biy du t (Design and fabrication of
flow sensors based on capacitive and piezoresistive principles).
Trong lu, i dung nghiu v t qu c
ct qu
cm biy du t.
xut cng d thng
n vt th l trong mao d ht
kim loi trong dv.v.
1
1. Chương 1 - GIỚI THIỆU CHUNG
1.1. Giới thiệu chung về vi lỏng và ứng dụng
n c ng dng nhic
vi lng. Vic s d i ta c
g to ra mt h thng th lnh dng thu nh. Mt lo
thit b th y trong nhng cu vi l
ng dng [1], hay mt s [2-7].
thit b vi lp mt cm bin dng cht vi
thng hay b u khi
chy [8]. ai h thng vi l
1.1 - hai h th [8]
Mt h thng phc tm m m, van, cm biy
vi trn tt h th[9]. , mt h thng vi lng s
dm bing c th hin trong H
1.2 [10].
1.2 - Vi h thng phn c thc hing mch vi lng (
c ca h th,,3cm
3
) [10]
Cm bic s dt ni vi lc to
ngay ng ti hiu sut ca cm bin
2
. u ti cm bim nhn
nhm b quan
trng quynh s
Trong y t, vic t p rt quan
trng trong vic lu. n cht th
ng cu ln lc bmt tm lt li nh n mc ch ng
cu lt cht thi lc ln hi vt cht thi
nh hn hng c p theo bt.
Mng dng rt ln y trong thc t vic ki
t ln gii quyt.
1.2. Tổng quan về cấu trúc đề xuất
1.2.1. Cảm biến áp điện trở
Cm bin tr t t[11]
u thit k ch tm bin bi
t ng cht l ra cc
c ca cm bin. Mt xung lc to ra bi thit b truyn gn
n cng v o ra mt cht lng
n tr t mt c, dc theo
ming l , bin dng bi s i
cht lng ng ti . T th h ng
t cht lng c phun ra tng v ng.
H1.3 a cm bin tr u in
ng cht l
thc hin.
. C
3
.
1.2.2. Cảm biến kiểu tụ điện
xu t
ng ca mt khum b
mt mc in hay mc mu ra ca
cm bin kt hp vi thua cht l c s d d
cht lng trong suo git .
1.4 a cm bin dung cho
c cht lng c 10-12pl [12,13]
tm bin phi gii quyt
hin s n dung ca cm bin trong kho
n dung cm bin nh, tr cao, mu ra
nh n t, nhiu nhiu ng cn dung
ng yu t i h i ca cm bin, i vic
thit k u khi vi cm bin loi
thng mn t n hay mt h thng
cm bin v thit k, c ch to ng dng trong
nhiu h thng .
T ngkt qu
MEMS, cm biy kiu t ng d
c l c t, v t lng
n . i nhng hn ch v
thit b , ch dng li vi
kh m bi nhng s li c t thc nghim
nghim.
4
1.3. Tổ chức của luận văn
Trong luu t thit k to loi
cm biu t t nhu v c
hai loi cm bin tr m bi thc
hin trong MEMS.
ni dung t, ca mt
cm bin dung, nh cm bi thc hic mt
cm bin kiu t. M
uyu
tm biy kiu t4.
ng dng ca hiu n tr, ng dng
ct k, ch ti cm bic MEMS.
tng ca mt cm bin tr cho
c hin.
y v n t cho cm bin dung,
ng cho cm bin m bin
n dung ng, ng dt lch nh
ch t cm
biy kiu t cho ng dc ln
trin khai d.
Trong phn kt lun n: y nhng ph c ca
lu n tip theo.
5
2. Chương 2 - CẢM BIẾN ĐIỆN DUNG
2.1. Khái niệm về điện dung
T n t linh kin t th ng to bi hai b mt dn
i ch n th ti hai b mt, t mt s
xut hin u.
1746 b (i hc Leiden Leidsche fles).
ra b [14].
.
N to ra mt s bt k n cn
dung gin cc [15]:
ji
ij
ij
VV
Q
C
(2.1)
ij
n dung gin c
ij
n cc i
u vn ci n th V
i
- V
j
(V
i
, V
j
n
th n cc i, j).
.
2.1- n dung gi
. khc phcn t t
n hai cc, t n nhiu cc
t hai c
ho chp nhc. gim ng ca
, bao quanh n cc, n dung gia
c lp vi v a tt c , ngoi tr
cn ca n cc.
6
2.2 - (a) T 2 cc (b) t ba cc
n ba c, C
x
n dung trc tip gin cc hot
ng). Khi ng bo v c s dngn dung c lp
vi v a tt c ngoi tr trong vo v.
ng hp ch n cc, n dung ph thu c,
dng, kho cng gin cc.
nh, n dung gia hai n cc t. , ,
ch p vi cn. P phn t hu hn (FEM)
c s d t gi xp x.
2.2. Cấu trúc của cảm biến điện dung
Cn nht ca mt cm bin n dung hai tm phng song song
vi i din nhau A gia hai bn t d ( 2.3).
2.3 - Mt t n phn cc song song
Khi d nh iu so vc xp x
d
A
C
r 0
(2.2)
0
ng s
0
= 8,85 10
-12
F/m
r
hng s i ca gin cc.
c (2.2) ch vi u kin nh. u loi t
nhau n dung ng A hay
-->