Đồ án môn học điện tử cho công nghệ thông tin

Đồ án Điện tử cho CNTT
Mạch khuếch đại công suất tần số thấp


1
Đồ án môn học
Môn Điện Tử cho Công Nghệ Thông Tin
Đề bài :
Thiết kế mô phỏng bộ khuếch đại công suất (KĐCS ) tần số thấp với
các chỉ tiêu kỹ thuật :
- Công suất cực đại trên tải : P=2W100W . Chọn P=90 W
- Tải ngoài Rt =3,216 . Chọn Rt=10
- Giải thông tần của tín hiệu cần khuếch đại: 20Hz20.000Hz
- Nguồn tín hiệu vào có : Ev=0.1V, Ri=1k
- Hệ số méo phi tuyến nhỏ (<1%),hệ số méo tần số tại tần số 20Hz
M(20Hz) 2 =1.4
- Các chỉ tiêu khác tuỳ chọn .

Thiết kế :

B-ớc 1 : Phân tích và lựa chọn ph-ơng án :
Do yêu cầu thiết kế ,mạch có công suất lớn nên trong mạch phải có một
tầng khuếch đại công suất .
Với dải thông tần rộng từ 2020000Hz và hệ số méo phi tuyến nhỏ (<1%)
ta nên dùng mạch KĐCS đẩy kéo nối tiếp ,dùng nguồn cấp đối xứng ; nh-ng khi
đó hệ số khuếch đạisẽ không cao vì trong mạch có sử dụng hồi tiếp âm ,vì thế để
đạt đ-ợc công suất lớn thì cần phải có thêm khâu khuếch đại điện áp (KĐĐA)
tr-ớc khi cho vào mạch KĐCS .
B-ớc 2 : Xây dựng mô hình :
Vì tầng KĐCS ta sử dụng mạch KĐCS đẩy kéo nối tiếp nên trong mạch có
ít nhất 1 Tranzitor mắc theo sơ đồ lặp Emitơ ,do đó mạch này có hệ số KĐ điện áp

Ku 1 .Tín hiệu vào có biên độ nhỏ ( 0.1V ) ,vì vậy để đạt đ-ợc công suất ra lớn
thì tr-ớc khi cho qua mạch KĐCS ta cần phải KĐ biên độ tín hiệu (tức KĐ điện áp
bằng mạch KĐĐA .
Tín hiệu ra của khâu này sẽ tiếp tục đ-ợc đ-a vào khâu KĐCS . ở khâu
KĐCS , mạch KĐCS đẩy kéo làm việc ở chế độ AB và B nên méo tín hiệu và trôi
rất lớn ,vì vậy để nâng cao biên độ ,đồng thời hạn chế độ trôi ở mức thấp ta dùng
mạch KĐ vi sai ,mục đích để tạo ra 2 đầu vào ,1 đầu tín hiệu vào ,đầu vào còn lại
đ-ợc lấy hồi tiếp âm từ đầu ra của tầng KĐCS ,với cách khắc phục này ta có thể
giảm đ-ợc méo rất nhiều khi mạch KĐCS làm việc ở chế độ AB và B .
Tín hiệu ra của tầng KĐCS có thể lấy trực tiếp ngay trên tải mắc trực tiếp
với đầu ra của mạch KĐCS .
Đồ án Điện tử cho CNTT
Mạch khuếch đại công suất tần số thấp


2
Tóm lại ,mô hình của tầng KĐCS tần số thấp thoả mãn những chỉ tiêu trên
bao gồm 2 khâu cơ bản nh- sau :


Uv Ura


B-ớc 3 : Chọn sơ đồ :
Ta xây dựng mạch có công suất Ptmax=90 W ,Rt=10 ,khi đó ta có :
Ta chọn khâu KĐĐA có Ku1=20 và khâu KĐCS có Ku2=15
Để giảm méo, ta chọn tầng KĐĐA bằng vi mạch thuật toán ( có Kumax =
1000) để khuếch đạivới Ku1 thực tế là 20. Lúc đó Ur1=0.1x20=2V ;tầng này có
hệ số méo
1

=0 và hệ số méo tần số M1(20Hz) < 1.4 .
Tầng KĐCS đại đ-ợc chọn có
2
<1% là tầng KĐCS đại có chất l-ợng cao,
do đó ta chọn mạch KĐCS đại theo kiểu đẩy kéo nối tiếp nguồn đối xứng. Có
Uv2=Ur1=2V,hệ số méo tần số M2(20Hz)=1.
Để dải thông tần rộng, và méo M(20Hz) nhỏ, ta cần ghép tầng với càng ít tụ
càng tốt.
B-ớc 4 : Phân tích , thiết kế và tính toán :
I. Khâu KĐCS :
1.Phân tích :
Ta chọn khâu KĐCS gồm một tầng khuếch đại vi sai và một tầng Khuếch
đại đẩy kéo mắc theo sơ đồ Darlinton có bù nhiệt bằng Diode . Sơ đồ nguyên lý
nh- sau :

KĐĐA KĐCS
300
1.0
30
42,4210.90.22max
)(3
10
30
3010.90.maxmax
2




Uv

Ur
Ku
VUrUr
A
Rt
Ur
Ir
VRtPtUr
Rt
Ur
Pt
Đồ án Điện tử cho CNTT
Mạch khuếch đại công suất tần số thấp


3

Sơ đồ nguyên lý khâu KĐCS .
Mạch KĐCS đ-ợc mắc theo sơ đồ đẩy kéo nối tiếp dùng Tranzitor bù (T
khác loại) ,điện áp đầu vào đ-ợc lấy từ đầu ra của tầng kích thích Q5 ,các
Tranzitor Q1,Q2,Q3,Q4 đ-ợc kích thích bởi Tranzitor Q10 .
Các Tranzitor Q1,Q2 và Q3,Q4 đ-ợc mắc thành các Tranzitor Darlinton để
tăng trở kháng vào của mạch khuếch đại .Tổ hợp Q3,Q4 tạo thành mạch
Darlington bù ,làm việc nh- một Tranzitor pnp .
Các Diode D1,D2,D3 đ-ợc dùng để bù điện áp U
BE
của Q1 ,Q2 và Q3Q4
đồng thời cũng có tác dụng bù nhiệt .
Các điện trở R3,R4 dùng để phân cực cho các Tranzitor Q2,Q4 làm việc ở
chế độ AB và Q1 , Q3 làm việc ở chế độ B .Khi đó để chống méo quá độ ,dòng I

o

phải đ-ợc chọn trong khoảng (520)mA ; Các điện trở R1,R2 là các điện trở bảo
vệ quá dòng ,nh-ng các điện trở này làm giảm thiểu công suất ,vì vậy chúng phải
đ-ợc chọn để công suất giảm không quá 5% ,do đó phải chọn
R1=R20.05Rt=0.05x10=0.5().
Các điện trở R12,R13 là các điện trở phân áp để lấy một phần điện áp ra hồi
tiếp về tầng KĐ vi sai .
Đồ án Điện tử cho CNTT
Mạch khuếch đại công suất tần số thấp


4
Tầng KĐ vi sai đ-ợc mắc theo sơ đồ có g-ơng dòng điện, Q7 đ-ợc mắc
thành diode thực hiện chức năng tải động của tầng , nhờ vậy ta có hệ số KĐ vi sai
K
vs
lớn hơn .
Q11 đ-ợc mắc để tạo ra dòng ổn định cung cấp dòng I
E
cho tầng KĐ vi sai
làm việc . Tín hiệu ra ở tầng KĐ vi sai đ-ợc lấy trên colector của Q9 ,và đ-ợc kích
thích qua Q5 tr-ớc khi đ-a vào tầng KĐCS cuối cùng .
Các Tranzitor Q10 và Q11 đ-ợc mắc theo sơ đồ Emitơ chung và đ-ợc phân
cực bằng dòng cố định nhờ diode Zener D
z
. Dz đ-ợc chọn có trị số càng nhỏ càng
tốt ,trong khoảng (25)V .
2. Tính toán chi tiết :
a. Nguồn cung cấp : Ecc đ-ợc chọn sao cho Uramax=(0.40.8)Ecc.

Chọn Uramax=0.8Ecc ,mà Uramax=42,4V
Ecc=53V
Biên độ dòng ra cực đại là:
)(24,4
10
4,42max
max A
Rt
Ur
Ir

b. Chọn Tranzitor.
Q1, Q3 là 2 Tranzitor liên hợp . Yêu cầu: Ucmax >2Ecc
Icmax >Ir max.
Kết hợp điều kiện trên, ta chọn Ic max=6A
Ucmax=150V

1
=
3
=20
fgh=1000KHz
Q2,Q4 là hai tranzitor liên hợp .Ta có
)(212.0
20
24,4
1
max
)4,2max( A
Ir

QQIc


Vậy Q2, Q4 đ-ợc chọn với các thông số nh- sau: Ucmax=150V
Icmax =0,5 A.

2
=
4
=100.
fgh=1000KHz.
Q5 chọn sao cho Icmax>Icmax(Q2)/
2
=0.5(A)/100=5 mA. Vậy chọn Q5
có Icmax=10mA,
5
=50 .
Q6Q11 chọn là các tranzitor nhỏ có o=100 và Ucmax=150V.
Các Tranzitor có U
BE
=0.7V; Các Diode chọn là Diode silic có U
D
=0.7V
Đồ án Điện tử cho CNTT
Mạch khuếch đại công suất tần số thấp


5

c. Tính toán các chế độ phân cực :

Để chống trôi nhiệt, chọn chế độ làm việc của Q2,Q4 là chế độ AB có phân
cực.Q1,Q3 chọn ở chế độ B không có dòng.
Chọn Io=7mA
Vì Q2,Q4 là các Tranzitor liên hợp nên U
R3R4
=2U
BE(Q2,Q4)
=2x0.7=1.4(V);
Do đó ta có
)100(R4R3200
)(7
4.143
43
43
UR3R4



mAIo
RUR
RR
RR
Io

Từ Q5Q11 đều chọn làm việc ở chế độ A.
Chọn dòng qua R8 : I
1
1.5Ira
(Q5)

Ta có Ira
(Q5)
=

Do đó ,

chọn I
1
= 3mA
Khi đó tính đ-ợc
)(433
10.3
3.1
10.3
7.02
1
U-Uz
8
33
BE(Q10)




I
R

Để xác định R7 ,ta chọn dòng qua Dz càng nhỏ càng tốt ,trong khoảng
(25)mA . Ta chọn : I

Dz
=2mA ,khi đó tính đ-ợc :
)(5,25
)(2
48
)(2
253
U-(-Ecc)-0
7
Dz


k
mAmAI
R
Dz

R6,R9 đ-ợc chọn trong khoảng (1300) ,ta chọn R6=50; R9=100.
Để tính R10,ta cần chọn dòng I
2
qua Tranzitor Q11,I
2
đ-ợc chọn trong
khoảng (12)mA ,ta chọn I
2
=1.3 mA , khi đó ta có :
)(1
10.3.1
3.1
10.3.1

7.02
2
U-Uz
10
33
BE(Q11)




k
I
R

R11 đ-ợc chọn bằng tải của tầng tr-ớc để chống trôi nhiệt ,chọn càng bé
càng tốt ,trong khoảng (111)k ,ta chọn R11=1k.
Xác định R12,R13 :
Các Tranzitor Q1Q4 mắc theo sơ đồ Emitơ nên
Ku
cs
=Ku(Q1,Q2,Q3,Q4)=1.
Q6,Q7 đ-ợc mắc theo g-ơng dòng điện ,t-ơng đ-ơng một điện trở rất nhỏ
nên Ku
vi sai
tăng lên đáng kể ,khoảng vài chục lần .
Q5 có 5=50 do đó Ku
Q5
khoảng vài trăm lần .
)(5.1
10020

3
3.1
mA
x
Ir


Đồ án Điện tử cho CNTT
Mạch khuếch đại công suất tần số thấp


6
Do vậy hệ số khuếch đại điện áp của khâu KĐCS sẽ là :
Ku=Kvs.Ku
(Q5)
.Ku
cs
>>1;
Khi có phản hồi âm điện áp từ đầu ra của tầng về tầng KĐVS qua 2 điện
trở phân áp R12 và R13 ,ta có :
15
1
15
1
.1
)(

B
BKuB
Ku

phKu

Mặt khác
1312
13
RR
R
B


. R12 đ-ợc chọn trong khoảng (3.310)k ,ta chọn
R12=10k ,tính đ-ợc R13=714 .
II. Khâu KĐĐA :
Đối với khâu KĐĐA ,ta dùng mạch KĐ đảo ,mắc theo sơ đồ nh- sau :

Sơ đồ nguyên lý khâu KĐĐA
Nguồn vào có Uv=0.1V,tần số chọn bằng 1kHz, điện trở trong Ri=1k .
Trong đó R
0
đ-ợc chọn sao cho R
0
<10k ,(2.25.6)k .Ta chọn
R
0
=3,5k ,khi đó do mạch mắc theo sơ đồ khuếch đại đảo nên ta có :
Do đó để Ku=20 ,thì R
ht
=20x(Ri+R
0
)=90(k);

Để hệ số méo M1(20Hz)<1.4 ,ta chọn C=1F .


0RRi
Rht
Ku


Đồ án Điện tử cho CNTT
Mạch khuếch đại công suất tần số thấp


7
B-ớc 5 : Mắc mạch và nhận xét kết quả :
Với các giá trị chọn và tính toán đ-ợc nh- trên , ta có sơ đồ nguyên lý của
tầng khuếch đại công suất tần số thấp và đồ thị biểu diễn kết quả dạng sóng ra so
với sóng vào nh- sau :
Nhận xét kết quả :
Kết quả có thể thấy trên hình dạng sóng của máy hiện sóng
OscilloScope ,tín hiệu ra và tín hiệu vào có pha ng-ợc nhau (do qua bộ KĐĐA
dùng vi mạch mắc theo sơ đồ mạch KĐ đảo ) ,biên độ ra cực đại thấy đ-ợc trên
OscilloScope đúng bằng 40V= Urmax nh- tính toán lý thuyết .
Biên độ tín hiệu ra quan sát thấy trên Vônkế ,có số chỉ Ur=29.64 V(vì
vônkế cho các giá trị hiệu dụng ,tức bằng
2
maxUr
,xấp xỉ với tính toán là 30V ;
Dòng qua tải đ-ợc cho bởi Ampekế ,có số chỉ Ir=2.97 A (đây cũng là giá trị hiệu
dụng) ,cũng gần đúng với kết quả tính toán lý thuyết là 3 A ,công suất thu đ-ợc
khi đó sẽ là Pt=Ur x Ir = 29.94x2.97 99.7 (W) ,sai lệch với công suất thiết kế là

0.3W ,có thể chấp nhận đ-ợc .
Các giá trị của điện thế và dòng điện khác có thể đo trực tiếp trên
mạch ,nhận thấy cúng khá chính xác với tính toán và chọn trong phần phân tích
trên .
Tuy nhiên trong thực tế ,các giá trị điện trở và các linh kiện bán dẫn có các
thông số phụ thuộc vào nhiệt độ phức tạp hơn nên trong mạch thực tế cần phải có
biện pháp khắc phục để có đ-ợc kết quả ổn định .

§å ¸n §iÖn tö cho CNTT
M¹ch khuÕch ®¹i c«ng suÊt tÇn sè thÊp


8
S¬ ®å nguyªn lý cña tÇng KhuÕch ®¹i c«ng suÊt tÊn sè thÊp ,c«ng suÊt 100 W


D¹ng sãng ra vµ sãng vµo trªn OscilloScope
Chó thÝch : ®-êng mµu xanh lµ d¹ng sãng vµo ,®-êng mµu ®á lµ d¹ng sãng ra .

Đồ án Điện tử cho CNTT
Mạch khuếch đại công suất tần số thấp


9

Sơ đồ chi tiết mạch Khuếch đại Công suất tần số thấp .

Một số chú ý :
Trong mạch có tạo một số th- viện riêng cho mạch này ,trong đó cơ bản là thay đổi điện
áp U

BE
=0.7V của các Tranzitor (giá trị mặc định trong th- viện Default là 0.75V) cho phù hợp
với kết quả tính toán ;Diode Dz cũng đ-ợc thay đổi giá trị U
Dz
=2V . Trong mạch còn có thêm
bộ Oscilloscope để so sánh tín hiệu vào-ra ,nh-ng do lỗi phần mềm nên không đ-a hình vào
văn bản đ-ợc ,mong thầy thông cảm !