vi
MCăLC
LÝ LCH KHOA
HC
i
LIăCAMăĐOAN ii
LI CMăN iii
TÓM TT iv
MC LC vi
DANH SÁCH CÁC CH VIT TT x
DANH SÁCH CÁC HÌNH xii
DANH SÁCH CÁC BNG xiii
Chngă1 GII THIU 1
1.1. TínhăcpăthităcaăđătƠi 1
1.2. ụănghĩaăkhoaăhcăvƠăthcătinăcaăđătƠi 2
1.3. McătiêuănghiênăcuăcaăđătƠi 2
1.4. ĐiătngăvƠăphmăviănghiênăcu 2
1.4.1. Đi tợng nghiên cu 2
1.4.2. Phm vi nghiên cu 2
1.5. Phngăphápănghiênăcu 3
1.6. Ktăcuăcaălunăvĕn 3
Chngă2 TNG QUAN NGHIÊN CUăĐ TÀI 4
2.1. TngăquanănghiênăcuăcaăđătƠi 4
2.1.1. Tình hình nghiên cu ca đề tài ngoài nớc 4
2.1.2. Tình hình nghiên cu ca đề tài trong nớc 6
2.2. CôngănghăhƠn 7
2.2.1. Mi hàn 7
2.2.2. Các loi khuyết tật hàn 10
2.2.2.1. Thiếu ngấu ( Lack of fusion) 10
2.2.2.2. Khuyết tật rỗ khí/ hc khí 13
2.2.2.3. Khuyết tật nt 16
2.2.2.4. Khuyết tật ngậm xỉ 20
2.3. Cácăphngăphápăkimătraăkhôngăpháăhy 24
2.3.1. Đặc điểm ca kiểm tra không phá huỷ 25
2.3.2. ng dng 26
Chngă3 CăS LÝ THUYT 27
3.1. CăsălỦăthuytăcôngănghăhƠn 27
3.1.1. Phơng pháp hàn điện cực không nóng chy trong môi trng khí bo vệ
là khí trơ (GTAW). 27
3.1.1.1. Khái niệm và nguyên lỦ hot động 27
3.1.1.2. Điện cực hàn GTAW 28
3.1.1.3. Cng độ dòng điện khi hàn GTAW 29
3.1.1.4. Điện áp hồ quang 30
3.1.1.5. Khí bo vệ 31
3.1.1.6. Kim loi điền đầy (rod hàn) 32
3.1.1.7. u, khuyết điểm ca phơng pháp 33
3.1.2. Phơng pháp hàn điện cc nóng chy trong môi trng khí bo vệ
(GMAW). 33
3.1.2.1. Khái niệm và nguyên lỦ hot động 33
3.1.2.2. Dây hàn 34
vii
3.1.2.3. Khí bo vệ 34
3.1.2.4. Thông s hàn 35
3.1.2.5. u điểm và khuyết điểm ca phơng pháp 36
3.1.3. Phơng pháp hàn hồ quang tay 37
3.1.3.1. Khái niệm và nguyên lỦ hot động 37
3.1.3.2. Que hàn 38
3.1.3.3. Cng độ dòng điện hàn 40
3.1.3.4. Điện áp hồ quang 41
3.1.3.5. Tc độ hàn 41
3.1.3.6. Góc độ que hàn 42
3.1.3.7. u, khuyết điểm ca phơng pháp 42
3.1.4. Phơng pháp hàn Hồ quang dới lớp thuc 43
3.1.4.1. Khái niệm và nguyên lỦ hot động 43
3.1.4.2. Cng độ dòng điện và điện áp hàn 43
3.1.4.3. Tc độ hàn 44
3.1.4.4. Đng kính dây hàn 44
3.1.4.5. u, khuyết điểm ca phơng pháp 45
3.1.5. Phơng pháp hàn Dây hàn lõi thuc 45
3.1.5.1. Khái niệm và nguyên lỦ hot động 46
3.1.5.2. Cng độ dòng điện và điện áp hàn 46
3.1.5.3. Tôc đô
̣
câp dây 47
3.1.5.4. Loi cực tính 47
3.1.5.5. Khí bo vệ 48
3.1.5.6. u, khuyết điểm ca phơng pháp 49
3.2. Cácăchiătitămu 49
3.2.1. Định nghĩa 49
3.2.2. Yêu cầu kích thớc hình học ca chi tiết mẫu 50
3.2.3. Hình dng, kích thớc và dung sai các khuyết tật trong chi tiết mẫu 51
3.2.4. Bề mặt mẫu chi tiết 53
3.2.5. Dung sai kích thớc chi tiết mẫu có khuyết tật hàn 53
3.2.6. Vật liệu khi chế to chi tiết mẫu 53
3.2.7. Các khuyết tật trong mẫu chi tiết hàn dùng trong kiểm tra bằng siêu âm 54
3.2.7.1. Loi khuyết tật 54
3.2.7.2. Vị trí khuyết tật 54
3.3. Cácăphngăphápătoăkhuytătt 54
3.3.1. Không ngấu và thiếu ngấu chân 54
3.3.2. Ngậm xỉ (Lag Inclusions) 55
3.3.3. Rỗ khí 55
3.3.4. Nt (Cracks) 55
3.4. CácăphngăphápăkimătraăkhuytăttămiăhƠn 56
3.4.1. Phơng pháp kiểm tra mi hàn bằng siêu âm tổ hợp pha 56
3.4.1.1. Quy trình kiểm tra chung 57
3.4.2. Phơng pháp kiểm tra mi hàn bằng chp nh phóng x 62
3.4.2.1. Kỹ thuật chp nh phóng x 63
3.4.2.2. Gii đoán phim 64
Chngă4 Đ XUT QUY TRÌNH CH TO CHI TIT MU 66
4.1. Đăxutăchiătitămu 66
4.2.1.1. To vết nt bằng ngoi lực 68
viii
4.2.1.2. Cho kim loi ph vào vũng hàn 68
4.2.1.3. Sử dng kết hợp 2 điện cực hàn 69
4.2.1.4. Sử dng điện cực hàn có hàm lợng cac-bon cao 69
4.2.2. Khuyết tật ngậm xỉ 70
4.2.2.1. Cấy xỉ bằng tay 70
4.2.2.2. Cấy xỉ bằng cách nghiêng điện cực 70
4.2.3. To khuyết tật rỗ khí 71
4.2.3.1. Điều chỉnh lu lợng khí bo vệ 71
4.2.3.2. Sử dng điện cực ẩm hoặc h hng 71
4.2.3.3. Sử dng điện cực có độ hút ẩm cao 72
4.2.4. To khuyết tật thiếu ngấu cnh 72
4.2.4.1. Sử dng tấm kim loi che cnh 72
4.2.4.2. Nghiêng điện cực 73
4.3. ĐăxutăquyătrìnhăhƠnăchătoăchiătitămuăcóăkhuytătt. 73
4.3.1. Quy trình hàn chế to chi tiết mẫu có khuyết tật nt. 73
4.3.2. Quy trình hàn chế to chi tiết mẫu có khuyết tật ngậm xỉ. 75
4.3.3. Quy trình hàn chế to chi tiết mẫu có khuyết tật rỗ khí. 76
4.3.4. Quy trình hàn chế to chi tiết mẫu có khuyết tật không ngấu cnh. 78
4.4. PhngăphápăgiaăcôngămuăchunăNavshipsăvƠămuăhiuăchun cho các
sn phm ng 80
4.4.1. Gia công mẫu chuẩn Navships 79
4.4.1.1. Mc đích 79
4.4.1.2. Các yêu cầu đi với chế to mẫu 80
4.4.2. Gia công mẫu hiệu chuẩn cho các sn phẩm ng 81
4.4.2.1. Mc đích 81
4.4.2.2. Các yêu cầu đi với chế to mẫu 81
Chngă5 CH TO THC NGHIM 83
5.1. Cácăchiătitămuăchătoăthcănghim 83
5.1.1. Các chi tiết mẫu có cha khuyết tật hàn 83
5.1.2. Gia công chi tiết mẫu chuẩn( Navships) 84
5.1.2.1. Chọn vật liệu 84
5.1.2.2. Bn vẽ thiết kế mẫu 84
5.1.2.3. Gia công mẫu 84
5.1.2.4. Kiểm tra đánh giá 84
5.1.3. Gia công chi tiết mẫu hiệu chuẩn cho các sn phẩm ng 85
5.1.3.1. Chọn vật liệu 85
5.1.3.2. Bn vẽ thiết kế mẫu 85
5.1.3.3. Gia công mẫu 85
5.1.3.4. Kết qu đánh giá 86
5.2. ChătoăthcănghimăchiătitămuăkhuytăttăviăngăØ60,3ămm 86
5.2.1. Chế to thực nghiệm mẫu khuyết tật rỗ khí và thiếu ngấu cnh 86
5.2.1.1. Chọn vật liệu 86
5.2.1.2. Thiết kế mi ghép và bn vẽ chi tiết mẫu 86
5.2.1.3. To khuyết tật 87
5.2.2. Chế to thực nghiệm mẫu khuyết tật nt và ngậm xỉ. 90
5.2.2.1. Chọn vật liệu 90
5.2.2.2. Thiết kế mi ghép và bn vẽ chi tiết mẫu . 90
5.2.2.3. To khuyết tật 91
ix
5.2.3. Kiểm tra đánh giá 95
5.2.4. Nhận xét 97
5.3. ChătoăthcănghimăchiătitămuăkhuytăttăchoăngăØă101,6ămm 98
5.3.1. Chế to thực nghiệm chi tiết mẫu khuyết tật rỗ khí và thiếu ngấu cnh 98
5.3.1.1. Chọn vật liệu 98
5.3.1.2. Thiết kế mi ghép và bn vẽ chi tiết mẫu . 98
5.3.1.3. To khuyết tật 98
5.3.2. Chế to thực nghiệm mẫu khuyết tật nt và ngậm xỉ. 102
5.3.2.1. Chọn vật liệu 102
5.3.2.2. Thiết kế mi ghép và bn vẽ chi tiết mẫu . 102
5.3.2.3. To khuyết tật 102
5.3.3. Kiểm tra đánh giá 106
5.3.4. Nhận xét 109
5.4. ChătoăthcănghimăchiătitămuăkhuytăttăchoăngăØ152,4ămm. 109
5.4.1. Chế to thực nghiệm chi tiết mẫu khuyết tật nt, rỗ khí và ngậm xỉ 109
5.4.1.1. Chọn vật liệu 109
5.4.1.2. Thiết kế mi ghép và bn vẽ chi tiết mẫu . 109
5.4.1.3. To khuyết tật 110
5.4.2. Kiểm tra đánh giá 114
5.4.3. Nhận xét 116
Chngă6 KT LUN VÀ KIN NGH 117
6.1. Ktălun 117
6.2. Kinăngh 117
TÀI LIU THAM KHO 119
PH LC 1 123
PH LC 2
x
DANHăSỄCHăCỄCăCHăVITăTT
Ting Vit
PGS.TS P
hó Giáo S Tiến Sĩ
TS T
iến Sĩ
LVTN L
uận Văn Tt Nghiệp
GVHD G
ing Viên Hớng Dẫn
GV G
ing Viên
ĐHSPKT Đ
i Học S Phm Kỹ Thuật
TP.HCM T
hành Ph Hồ Chí Minh
QTCN Q
uy Trình Công Nghệ
Ting Anh
DT D
estructive Testing
PA P
hased Array
UT U
trasonic Testing
RF R
adio Frequency
NDT N
on Destructive Testing
NDE N
on Destrictive Evaluation
NDI N
on Destructive Inspection
RT R
adiographic Test
AE A
coustic Emission Testing
LT L
eak Testing
VT V
isual Test
PT P
enetrant Test
MT M
agnetic particle Test
ET E
ddy Current Test
SDH S
ynchronous Digital Hierarchy
API A
merican Petroleum Institute
xi
AWS A
merican Weld Society
DNV D
et Norske Veritas
DAC D
istance Amplitude Correction
TVG T
ime Varied Gain
ECA E
lectronic Components Association
TCG T
ime Corrected Gain
TOFD T
ime Of Flight Diffraction
PA UT P
hased Array Utrasonic Testing
ASME A
merican Society of Mechanical Engineers
ASTM A
merican Society for Testing and Materials
ISO I
nternational Organization of Standardization
IAEA I
nternational Atomic Energy Agency
BINDT T
he British Institute of Non Destructive Testing
TECDOC Tec
hnical Document
GMAW G
as Metal Arc Welding
GTAW G
as Tungsten Arc Welding
SMAW S
hielded Metal Arc Welding
MMAW M
anual Metal Arc Welding
SAW S
ubmerged Arc Welding
FCAW Flux Cored Arc Welding
EDM E
lectrical Discharge Machining
CTWD C
ontact Tip Work Distance
ESO E
lectrical Stick Out
LSAT L
ine Scanning Analysis Technique
P P
orosity
S S
lag inclusion
LF L
ack of Fusion
CR Cracks
xii
DANH SÁCH CÁC HÌNH
HÌNH TRANG
Hình 2.1: Các chi tiết mẫu có khuyết tật hàn trên thị trng 4
Hình 2.2: Chi tiết mẫu chuẩn Navship trên thị trng 6
Hình 2.3: Một s chi tiết mẫu hiệu chuẩn trên thị trng 6
Hình 2.4: Một s chi tiết mẫu có khuyết tật hàn trên thị trng 6
Hình 2.5: Mi hàn giáp mi 8
Hình 2.6: Mi hàn góc 8
Hình 2.7: Mi hàn bẻ g 8
Hình 2.8: Mi hàn điểm 9
Hình 2.9: Mi hàn phc hợp 9
Hình 2.10. Khuyết tật trên bề mặt và trong mi hàn 10
Hình 2.11: Khuyết tật thiếu ngấu cnh 11
Hình 2.12: Khuyết tật thiếu ngấu giữa các lớp 12
Hình 2.13: Khuyết tật thiếu ngấu chân 12
Hình 2.14: Các dng khuyết tật rỗ khí 13
Hình 2.15: Rỗ khí bên trong mi hàn 14
Hình 2.16: Lỗ sâu (Worm holes) 14
Hình 2.17: Rỗ khí trên bề mặt mi hàn 15
Hình 2.18: Rỗ khí rãnh hồ quang 15
Hình 2.19: Vùng nh hỡng nhiệt HAZ 17
Hình 2.20: Các vị trí thng xuất hiện vết nt dọc 17
Hình 2.21: Vị trí thng xuất hiện các vết nt dọc 18
Hình 2.22: Các vị trí thng xuất hiện vết nt ngang 18
Hình 2.23: Vị trí các vết nt ngang 18
Hình 2.24: Các vị trí thng xuất hiện vết nt tia 19
Hình 2.25: Vị trí vết nt rãnh hồ quang 19
xiii
Hình 2.26: Nt cắt lớp chân mi hàn 20
Hình 2.27: Ngậm xỉ bên trong đng hàn 20
Hình 2.28: Ngậm xỉ bên trên đng hàn 20
Hình 2.29: Các vị trí thng xuất hiện khuyết tật ngậm xỉ 21
Hình 2.30: Ngậm xỉ từ thuc hàn nóng chy trên phim chp nh phóng x 22
Hình 2.31: Ngậm xỉ từ thuc hàn 22
Hình 2.32: Ngậm xỉ từ các Ôxít trên phim Chp nh phóng x 23
Hình 2.33: Ngậm xỉ từ Tungsteen trên phim chp nh phóng x 23
Hình 2.34: Ngậm xỉ từ đồng trên phim Chp nh phóng x 24
Hình 2.35: Các phơng pháp kiểm tra NDT 25
Hình 3.1: Thiết bị hàn GTAW 28
Hình 3.2: Phân loi theo vch màu trên điện cực hàn GTAW 29
Hình 3.3. Thiết bị hàn GMAW. 33
Hình 3.4: Máy hàn SMAW và các ph kiện liên quan[6] 37
Hình 3.5: Nguyên lý hình thành mi hàn 38
Hình 3.6: Cấu to điện cực hàn SMAW 39
Hình 3.7. Đng đặc tính von-ampe 41
Hình 3.8: Nguyên lý hình thành mi hàn 43
Hình 3.9: Sự nh hng ca điện áp 44
Hình 3.10: Sự nh hng đến độ ngấu ca đng kính dây 45
Hình 3.11: Nguyên lý hình thành mi hàn trong hàn FCAW 46
Hình 3.12: Mi quan hệ giữa tc độ cấp dây và dòng điện 47
Hình 3.13: nh hng ca cực tính trong hàn FCAW 47
Hình 3.14: Độ dài điện cực và Stick out 48
Hình 3.15: Các chi tiết mẫu có khuyết tật hàn ca công ty Sonaspection 50
Hình 3.16: Độ rộng vùng quét ti thiểu 51
Hình 3.16: Kích thớc khuyết tật hàn 52
Hình 3.17: Một s chi tiết mẫu có khuyết tật hàn thng sử dng trên thị trng 52
Hình 3.18: Kích thớc chi tiết mẫu có khuyết tật hàn 53
xiv
Hình 3.19: Biến tử đầu dò tổ hợp pha 56
Hình 3.20: Biểu đồ dng khi ca thiết bị 57
Hình 3.21: Mẫu chuẩn V1 59
Hình 3.22: Mẫu chuẩn Navships 59
Hình 3.23: Thớc đo 59
Hình 3.24: Máy tính cá nhân 59
Hình 3.25: Vùng dịch chuyển đầu dò 60
Hình 3.26: Sơ đồ nguyên lý kiểm tra chp nh phóng x 63
Hình 3.27: Chp nh các mi hàn 63
Hình 3.28: Chp mi hàn đng ng 64
Hình 4.1: D là vị trí xuất hiện khuyết tật thiếu ngấu cnh 66
Hình 4.2: Thiết kế chi tiết mẫu 66
Hình 4.3: Chuẩn bị mi ghép V đơn 67
Hình 4.4: Hình nh vết nt dng bẻ gãy 68
Hình 4.5: Kết qu vết nt to ra từ việc thêm đon đồng vào mi hàn 69
Hình 4.6: Vết nt hình thành khi hàn điện cực bằng gang 70
Hình 4.7: Phay rãnh to hóc cha xỉ 70
Hình 4.8: To hc cha xỉ bằng kỹ thuật điều chỉnh góc nghiên điện cực 71
Hình 4.9: Rỗ khí do thiếu khí bo vệ 71
Hình 4.10: Rỗ khí với kỹ thuật hàn hồ quang gián đon 72
Hình 4.11: Sử dng tắm kim loi chèn to khuyết tật 73
Hình 4.12: Nghiêng điện cực to khuyết tật 73
Hình 4.13: thiết kế mi ghép V đơn 74
Hình 4.14: Kỹ thuật hàn to khuyết tật nt 75
Hình 4.15: thiết kế mi ghép V đơn 75
Hình 4.16: Kỹ thuật to khuyết tật 76
Hình 4.17: thiết kế mi ghép kiểu V đơn 77
Hình 4.18: Kỹ thuật to khuyết tật rỗ khí 78
Hình 4.19: thiết kế mi ghép V đơn 78
xv
Hình 4.20: Kỹ thuật hàn to khuyết tật thiếu ngấu cnh 79
Hình 5.1: Mẫu chuẩn Navships sau khi gia công 84
Hình 5.2: Kết qu siêu âm tổ hợp pha 85
Hình 5.3: Các mẫu hiệu chỉnh cho ng sau khi gia công 86
Hình 5.4: Kết qu siêu âm tổ hợp pha 86
Hình 5.5: Thiết kế mi ghép V đơn và vị trí khuyết tật dự kiến 87
Hình 5.6: Vị trí hàn đính và xử lý mi hàn đính 87
Hình 5.7: Hàn lớp th nhất 88
Hình 5.8: Hàn lớp đắp to khuyết tật rỗ khí 89
Hình 5.9: Hàn lớp đắp to khuyết tật 89
Hình 5.10: Góc độ que hàn khi hàn SMAW 90
Hình 5.11: Hàn lớp ph 90
Hình 5.12: Thiết kế mi ghép V đơn và vị trí khuyết tật dự kiến 91
Hình 5.13: Vị trí hàn đính và xử lý mi hàn đính 92
Hình 5.14: Hàn chế to khuyết tật nt 93
Hình 5.15: Hàn vị trí còn li ca lớp hàn th nhất 93
Hình 5.16: Hàn lớp đắp to khuyết tật 94
Hình 5.17: Góc độ que hàn khi hàn SMAW 94
Hình 5.18: Hàn lớp ph 94
Hình 5.19: Các chi tiết cha khuyết tật 95
Hình 5.20: Các khuyết tật hàn trên phim chp nh phóng x 96
Hình 5.21: Các khuyết tật hàn bằng kiểm tra siêu âm tổ hợp pha 96
Hình 5.22: Các khuyết tật hàn trên phim chp nh phóng x 97
Hình 5.23: Các khuyết tật hàn bằng kiểm tra siêu âm tổ hợp pha 97
Hình 5.24: Thiết kế mi ghép V đơn và vị trí khuyết tật dự kiến 98
Hình 5.25: Vị trí hàn đính và xử lý mi hàn đính 99
Hình 5.26: Hàn lớp th nhất 99
Hình 5.27: Hàn lớp đắp to khuyết tật rỗ khí 101
Hình 5.28: Hàn lớp đắp to khuyết tật 101
xvi
Hình 5.29: Góc độ que hàn khi hàn SMAW 101
Hình 5.30: Hàn lớp ph 102
Hình 5.31: Thiết kế mi ghép V đơn và vị trí khuyết tật dự kiến 102
Hình 5.32: Vị trí hàn đính và xử lý mi hàn đính 103
Hình 5.33: Hàn chế to khuyết tật nt 104
Hình 5.34: Hàn vị trí còn li ca lớp hàn th nhất 105
Hình 5.35: Hàn lớp đắp to khuyết tật 105
Hình 5.36: Góc độ que hàn khi hàn SMAW 106
Hình 5.37: Hàn lớp ph 106
Hình 5.38: Các chi tiết cha khuyết tật 107
Hình 5.39: Các khuyết tật hàn trên phim chp nh phóng x 108
Hình 5.40: Các khuyết tật hàn bằng kiểm tra siêu âm tổ hợp pha 108
Hình 5.41: Các khuyết tật hàn trên phim chp nh phóng x 108
Hình 5.42: Các khuyết tật hàn bằng kiểm tra siêu âm tổ hợp pha 109
Hình 5.43: Thiết kế mi ghép V đơn và vị trí khuyết tật dự kiến 110
Hình 5.44: Vị trí hàn đính và xử lý mi hàn đính 110
Hình 5.45: Hàn chế to khuyết tật nt 111
Hình 5.46: Hàn vị trí còn li ca lớp hàn th nhất 112
Hình 5.47: Hàn lớp đắp to khuyết tật rỗ khí 112
Hình 5.48: Hàn lớp đắp to khuyết tật 114
Hình 5.49: Góc độ que hàn khi hàn SMAW 114
Hình 5.50: Hàn lớp ph 114
Hình 5.51: Các chi tiết cha khuyết tật 115
Hình 5.52: Các khuyết tật hàn trên phim chp nh phóng x 116
Hình 5.53: Các khuyết tật hàn bằng kiểm tra siêu âm tổ hợp pha 116
xvii
DANHăSỄCHăCỄCăBNG
BNG TRANG
Bng 2.1: Mi quan hệ giữa mi hàn và mi ghép 9
Bng 3.1: Thành phần hóa học ca các điện cực vônfram 28
Bng 3.2: Phân loi theo vch màu trên điện cực hàn GTAW 29
Bng 3.3: Lựa chọn đng kính điện cực và dòng điện hàn 30
Bng 3.4: Thành phần các chất hóa học trong argon 32
Bng 3.5: Phân loi ký hiệu que hàn theo AWS 40
Bng 3.6: hiệu chỉnh chế độ hàn trong hàn FCAW 46
Bng 3.7: Một vài kích thớc chi tiết mẫu đang đợc sử dng trên thị trng 52
Bng 4.1: Thông tin vật liệu cơ bn 67
Bng 4.2: Thành phần hóa học ca thép ASTM A106 Grade B 67
Bng 4.3: Thông tin vật liệu tiêu hao 67
Bng 4.4: Các kí hiệu ca thép theo tiêu chuẩn 80
Bng 4.5:Thành phần hoá học ca thép C45 theo tiêu chuẩn ISO 80
Bng 4.6: Thông tin vật liệu cơ bn 81
Bng 4.7: Thành phần hóa học ca thép ASTM A106 Grade B 81
Bng 5.1: Các chi tiết mẫu cha khuyết tật 83
Bng 5.2: Chế độ hàn to khuyết tật và hàn đắp 88
Bng 5.3: Chế độ hàn cho lớp th nhất 92
Bng 5.4: Kết qu đo các chi tiết mẫu 95
Bng 5.5: Chế độ hàn to khuyết tật và hàn đắp 100
Bng 5.6: Chế độ hàn cho lớp th nhất 104
Bng 5.7: Kết qu đo các chi tiết mẫu 107
Bng 5.8: Chế độ hàn cho lớp th nhất 111
Bng 5.9: Chế độ hàn to khuyết tật và hàn đắp 112
Bng 5.10: Kết qu đo các chi tiết mẫu 115
xviii
1
Chngă1
GIIăTHIU
Nền khoa học kỹ thuật trên thế giới đang phát triển một các nhanh chóng nhất là
các nớc phát triển nh Hoa Kỳ, Nhật Bn, Nga… Sự phát triển ca khoa học kỹ thuật
đư đem li những diện mo mới cho cuộc sng con ngi và những công trình phc v
cho nhu cầu ca con ngi.
Trong sự phát triển đó có, công nghệ kiểm tra không phá huỷ (NDT) là một
công nghệ thiết yếu và không thể thiếu ca các ngành công nghiệp. Kiểm tra không
phá hy bao gồm các phơng pháp dùng để phát hiện các h hi, khuyết tật, kiểm tra
đánh giá tính toàn vẹn ca vật liệu, kết cấu, chi tiết hoặc để xác định các đặc trng ca
đi tợng mà không làm nh hng đến kh năng sử dng ca đi tợng kiểm tra.
nớc ta công nghệ kiểm tra không phá huỷ còn mới và kỹ thuật viên kiểm tra
bằng phơng pháp này đang còn hn chế. Và việc đào to kỹ thuật viện chuyên nghiệp
đòi hi trang thiết bị phc v cho đào to.Với yêu cầu về trang thiết bị phi có các mẫu
chuẩn, mẫu cha các loi khuyết tật hàn để phc v cho đào to và hiệu chuẩn thiết bị.
Hiện nay các mẫu đợc bán với giá thành cao và cha có công ty, tổ chc nào trong
nớc chế to mẫu theo đúng tiêu chuẩn quc tế về đào to kỹ thuật viên bằng phơng
pháp NDT.
Khuyết tật hàn trong các mi hàn ca đng ng gây nh hng nghiêm trọng
đến chất lợng kết cấu hàn cũng nh quá trình làm việc ca chúng. Ngoài ra, theo các
qui định về an toàn hot động trong các ngành công nghiệp hoá dầu, dầu khí, … cần
thực hiện kiểm tra định kỳ chất lợng các mi hàn bằng các phơng pháp NDT.
1.1. Tính cp thit caăđ tài
Cùng với sự phát triển không ngừng ca khoa học kỹ thuật ngày càng cao thì
chất lợng sn phẩm cũng đợc coi là một trong những yêu cầu để đánh giá kỹ thuật
và công nghệ. Sn phấm chất lợng tt không những trong khâu chế to mà sau quá
trình hot động, kiểm tra sửa chữa vẫn đm bo đợc các tiêu chuẩn về chất lợng. Có
rất nhiều sn phẩm, công trình yêu cầu phi đm bo chất lợng, trong đó có chất
lợng mi hàn quyết định độ an toàn, giá trị và tuổi thọ ca sn phẩm, công trình công
nghiệp. Về việc phơng pháp kiểm tra khuyết tật mi hàn yêu cầu đội ngũ kỹ thuật
viên có kiến thc chuyên môn và tay nghề.
Trong phơng pháp kiểm tra khuyết tật mi hàn bằng phơng pháp không phá
hy ngoài việc phi đầu t thiết bị, các doanh nghiệp đào to và nghiên cu phi đầu
2
t chi tiết mẫu chuẩn và mẫu có khuyết tật hàn, các chi tiết mẫu này có giá thành rất
cao. Nghiên cu chế to mẫu chi tiết hàn trong nớc nhằm góp phần gim chi phí đầu
t cho việc đào to kỹ thuật viên kiểm tra khuyết tật mi hàn thực sự là một yêu cầu
cấp thiết đi với nớc ta hiện nay.
Nhằm gii quyết phần nào vấn đề trên, đề tài ―Nghiên cứu chế tạo mẫu phục
vụ đào tạo kỹ thuật viên kiểm tra bằng phương pháp NDT (chụp ảnh phóng xạ và
siêu âm tổ hợp pha)” đợc triển khai nghiên cu và chế to trong thực tế.
1.2. ụănghĩaăkhoaăhc và thc tin caăđ tài
- Ý nghĩa khoa học: Đề tài góp phần vào việc xây dựng quy trình chế to các mẫu
sử dng trong việc đào to kỹ thuật viên kiểm tra không phá hy ti các trng
học và công ty.
- ụ nghĩa thực tiễn:
+ Chế to các mẫu phc v đào to kỹ thuật viên kiểm tra không phá huỷ
(NDT).
+ Xây dựng quy trình chế to mẫu.
1.3. Mc tiêu nghiên cu caăđ tài
Nghiên cu khuyết tật hàn thng gặp phi trong thực tiễn chế to kết cấu hàn.
Nghiên cu và xây dựng qui trình hàn chế to chi tiết mẫu có khuyết tật hàn.
Chế to thử nghiệm chi tiết mẫu phc v đào to kỹ thuật viên kiểm tra khuyết
tật hàn bằng phơng pháp NDT (Chp nh phóng x và siêu âm tổ hợp pha).
1.4. Điătng và phm vi nghiên cu
1.4.1. Điătng nghiên cu
Đề tài nghiên cu các khuyết tật thng xuất hiện trong các mi hàn là: khuyết
tật ngậm xỉ (slag inclusions), thiếu ngấu (lack of fusion), rỗ khí (porosity) và nt
(cracks) [4, 7].
Đề tài tập trung nghiên cu chế to mẫu hiệu chuẩn, mẫu cha khuyết tật hàn và
sử dng phơng pháp kiểm tra khuyết tật mi hàn bằng chp nh phóng x và siêu âm
tổ hợp pha.
1.4.2. Phm vi nghiên cu
Qui trình công nghệ hàn chế to chi tiết mẫu cho các khuyết tật ngậm xỉ, thiếu
ngấu, rỗ khí và nt với mi hàn giáp mi ng.
Nghiên cu chế to thử nghiệm chi tiết mẫu với vật liệu là thép carbon nh:
ASTM A106, C45 [15].
Kích thớc đng kính ng: 26mm, 43mm, 72mm, 120mm và có độ dày:
6.7mm, 7.4mm, 8.8mm, 12mm cho mẫu hiệu chuẩn các sn phẩm ng [13,14].
3
Kích thớng đng kính 60.3 mm, 101.6 mm, 152.4 mm và độ dày 8.5 mm,
10.5mm, 13mm cho các mẫu cha khuyết tật hàn.[14]
Phơng pháp kiểm tra khuyết tật hàn bằng siêu âm tổ hợp pha và chp nh
phóng x.
1.5. Phngăphápănghiênăcu
Nghiên cu lý thuyết về phơng pháp kiểm tra, quy trình hàn, vật liệu hàn và
phơng pháp to ra khuyết tật từ đó chế to mẫu theo yêu cầu. Qua việc thực nghiệm
to các mẫu từ đó đề xuất phơng pháp chế to mẫu chuẩn, mẫu hiệu chỉnh và mẫu
cha khuyết tật hàn. Từ các mẫu ta dùng hai phơng pháp kiểm tra để phát hiện
khuyết tật qua đó đánh giá hiệu qu ng dng ca quy trình công nghệ vào chế to
mẫu.
1.6. Kt cu ca lunăvĕn
Kết cấu luận văn tốt nghiệp gồm 6 chương:
Chơng 1 trình bày giới thiệu, tính cấp thiết và lỦ do hình thành đề tài, Ủ nghĩa
khoa học và thực tiễn, mc tiêu nghiên cu, đi tợng, phm vi và giới hn ca đề tài,
phơng pháp nghiên cu, kết cấu ca luận văn tt nghiệp.
Chơng 2 trình bày tổng quan về các vấn đề liên quan đến đề tài nghiên cu.
Chơng 3 trình bày cơ s lỦ thuyết để gii quyết vấn đề.
Chơng 4 trình bày đề xuất quy trình chế to mẫu
Chơng 5 trình bày chế to thực nghiệm.
Chơng 6 trình bày kết luận và kiến nghị để phát triển đề tài.
4
Chngă2
TNGăQUANăNGHIểNăCUăĐăTÀI
2.1. Tng quan nghiên cu caăđ tài
2.1.1. Tình hình nghiên cu caăđ tƠiăngoƠiănc
Trên thế giới đư có một s công trình nghiên cu về đề tài này, các công trình
nghiên cu đư đợc ng dng trong việc sn xuất các chi tiết mẫu phc v trong
nghiên cu và thơng mi. Nhiều công ty đợc thành lập chỉ chuyên sn xuất các chi
tiết mẫu phc v cho nghiên cu và đào to nh: công ty Sonaspection có văn phòng
s 23 Ladies Walk Caton Road. Lancaster LA1 3NX. England. Công ty FlawTech,
Inc, 4486 Raceway Dr concord, NC 28027 USA [24] Dới đây là một s công trình
nghiên cu đư công b.
Công trình nghiên cu và báo cáo khoa học ―Manufacturing of welded joints
with realistic defects‖ ca Marcello Consonni năm 2011 ti Telford, Vơng quc
Anh[9]. Báo cáo công b một s phơng pháp hàn to lỗi chi tiết mẫu dùng trong đào
to kiểm tra không phá hy, u điểm ca công trình là nêu ra đợc các phơng pháp
để to ra một s khuyết tật mi hàn với phơng pháp hàn GTAW và SMAW, kh năng
điều khiển kích thớc khuyết tật khá chính xác. Tuy nhiên công trình không nghiên
cu sâu rộng vào kiểm tra bằng phơng pháp siêu âm, các khuyết tật rỗ khí và dng
nt đng trong công trình thì rất khó phát hiện bằng phơng pháp siêu âm [9].
Hình 2.1: Các chi tiết mẫu có khuyết tật hàn trên thị trng [24]
Công trình nghiên cu ca Lucas W ―Making defective welds for Sizewell 'B',
Welding & Metal fabrication‖ tháng 3 năm 1992 [37]. Đề tài tập trung vào các phơng
pháp, nghiên cu các nguyên nhân và đề xuất các phơng pháp tổng quát để có đợc
5
các khuyết tật mi hàn nh mong mun, thuộc size B phc v trong các lò nớc sôi
điện ht nhân. Tuy nhiên đề tài không đa ra bất kỳ qui trình hay phơng pháp c thể
để chế to ra một khuyết tật.
Công trình ―Guidebook for the Fabrication of Non-Destructive Testing (NDT)
Test Specimens‖ ca Cơ quan Năng Lợng Nguyên tử Quc tế (IAEA)[22], đây là
một trong những công trình nghiên cu và đề xuất khá đầy đ về cách thc chế to
một khuyết tật ―c Ủ‖. Trong đó tài liệu nêu rõ các tiêu chuẩn cần phi có khi tiến hành
chế to một khuyết tật mi hàn c Ủ. Tuy nhiên công trình cũng không nêu một qui
trình c thể nào cho việc chế to khuyết tật.
Công trình ―ENIQ recommended practice 5: guidelines for the design of test
pieces and conduct of test piece trials issue 1‖ca Trung tâm nghiên cu hỗn hợp
thuộc Viện vật liệu nâng cao DG-JRC, y ban Châu Âu, xuất bn tháng 2 năm
1999[27]. Đây là một tài liệu hớng dẫn về cách chuẩn bị và chế to một khuyết tật
tùy theo tiêu chuẩn áp dng cho mỗi nớc, tài liệu chỉ trình bày chung về vấn đề làm
thế nào để thực hiện chuẩn bị và chế to mẫu theo dng lý thuyết áp dng, tài liệu
không nói về thực hiện chế to mẫu nh thế nào, cách thực hiện ra sao.
Ngoài những công trình đư nêu, trên thế giới cũng có nhiều công trình nghiên
cu về lĩnh vực khuyết tật mi hàn và các kỹ thuật kiểm tra khuyết tật mi hàn bằng
phơng pháp không phá hy (NDT-Non destructive testing) nh: Crutzen S; Lemaitre
P; ―Iacono I Realistic defects suitable for ISI (in service inspection) capability
evaluation and qualification‖[25] phc v trong việc kiểm tra đánh giá trình độ chuyên
môn trong ngành đóng tàu, ht nhân và bồn áp lực ti Thy Điển năm 1996. Báo cáo
ca Neundorf B; Csapo G; Erhard A ―Optimising the NDT (nondestructive testing) of
boiling water reactors by using realistic flaws in the cladding.‖, ti hội nghị Châu Âu
về kiểm tra không phá hy ti Đc tháng 10 năm 1998[26]. Công trình ca Virkkunen
I; Kempainen M; Ostermeyer H; Paussu R ―Grown cracks for NDT development and
qualification‖ công trình nghiên cu phát triển các vết nt phc v trong đào to kiểm
tra không phá hy (NDT)[35]. Công trình ca Söderstrand H ―Guidelines for the
Design of Test Pieces and Conduct of Test Piece Trials (ISSUE 2)‖[28] là một tài liệu
hớng dẫn về thiết kế mẫu chi tiết hàn bị khuyết tật, phù hợp theo tiêu chuẩn ca từng
quc gia ti các nớc Châu Âu.
6
Hình 2.2: Chi tiết mẫu chuẩn Navship trên thị trng [38]
Hình 2.3: Một s chi tiết mẫu hiệu chuẩn trên thị trng [38]
Hình 2.4: Một s chi tiết mẫu có khuyết tật hàn trên thị trng [24]
2.1.2. Tình hình nghiên cu caăđ tƠiătrongănc
Trong nớc cha có công trình nghiên cu hay bài báo nào về mẫu chi tiết hàn
có khuyết tật. Qua kho sát các công trình nghiên cu trong và ngoài nớc chúng ta có
thể kết luận một s vấn đề sau:
- Đây là lĩnh vực nghiên cu đang đợc quan tâm hiện nay.
- Trong nớc cha có công trình nào đợc công b về lĩnh vực này.
Các công trình ngoài nớc tuy đư đợc nghiên cu và có công b, nhng cha
có công trình nào trình bày về qui trình công nghệ chế to các chi tiết mẫu có khuyết
7
tật hàn. Ch yếu là đề cập đến các yêu cầu hớng chế to mẫu và phơng pháp kiểm
tra khuyết tật, thng là sử dng các phơng pháp NDT.
2.2. Công ngh hàn
Trong sn xuất cơ khí, công nghệ hàn đợc sử dng hết sc phổ biến đợc dùng
để chế to các kết cấu kim loi. Bằng phơng pháp hàn có thể chế to những kết cấu
phc tp từ những chi tiết đơn gin. Có thể hàn đợc thép với thép, gang với gang,
những kim loi có tính chất khác nhau nh gang với thép hoặc kim loi đen với kim
loi mầu. Hàn giúp tiết kiệm kim loi ( so với tán, hàn tiết kiệm 10- 20%; với đúc tiết
kiệm tới 60% kim loi…). Hàn giúp gim thi gian chế to, độ bền, độ kín cao, kh
năng cơ khí tự động hóa cao.
2.2.1. Mi hàn
Hàn là phơng pháp ni hai hay nhiều chi tiết kim loi thành một mà không thể
tháo ri đợc bằng cách nung nóng chúng ti vùng tiếp xúc đến trng thái nóng chy
hay dẻo, sau đó không dùng áp lực hoặc dùng áp lực để ép chi tiết hàn dính chặt với
nhau. Khi hàn nóng chy, kim loi bị nóng chy, sau đó kết tinh hoàn toàn to thành
mi hàn. Khi hàn áp lực, kim loi đợc nung đến trng thái dẻo, sau đó đợc ép để to
nên mi liên kết kim loi và tăng kh năng thẩm thấu, khếch tán ca các phần tử vật
chất giữa hai mặt chi tiết cần hàn làm cho các chi tiết liên kết chặt với nhau to thành
mi hàn.[6]
Phân loi mi hàn ph thuộc vào dng mi ghép và mi hàn đó thuộc mi hàn
ngấu hoàn toàn (Complete Joint Penetration-CJP) hay ngấu một phần (Partial Joint
Penetration-PJP). Tiêu chuẩn chia các loi mi hàn thành các dng sau:
- Mi hàn giáp mi
(a)
(b)
8
Hình 2.5: Mi hàn giáp mi[20]
(c)
- Mi hàn góc
(a)
(b)
Hình 2.6: Mi hàn góc[20]
(c)
- Mi hàn bẻ g
Hình 2.7: Mi hàn bẻ g[20]
- Mi hàn nút
Hình 2.7: Mi hàn bẻ g[20]
9
- Mi hàn điểm
Hình 2.8: Mi hàn điểm[20]
- Mi hàn phc hợp
(a)
(b)
(c)
(d)
Hình 2.9: Mi hàn phc hợp[20]
Để làm rõ sự quan hệ giữa mi hàn và loi mi ghép ta có thể tham kho bng
sau:
Bng 2.1: Mi quan hệ giữa mi hàn và mi ghép [12]
Loi mi ghép
(Joint types)
Loi mi hàn (Weld types)
Giáp
mi
(Butt)
Góc
(Fillet)
Nút
(Flug)
Điểm
(Spot)
Bẻ g
(Edge)
Giáp mi (Butt)
X
X
Chữ T (Tee)
X
X
Góc ngoài (Corner)
X
X
Chồng mí (Lap)
X
X
X
Bẻ g (Edge)
X
10
Trong các phơng pháp hàn hồ quang làm kim loi đến trng thái nóng chy, hồ
quang hàn sẽ làm nóng chy kim loi cơ bn, kim loi điền đầy và thuc bo vệ vũng
hàn. Vì vậy kim loi mi hàn, kim loi cơ bn sẽ tri qua hàng lot các phn ng hóa
học gây trớc khi mi hàn đợc hình thành. Các thay đổi này gây ra hàng lot thay đổi
tế vi và hình dáng ca mi ghép hàn khi đông đặc, có những sự thay đổi là lợi cho ni
ghép hàn nhng cũng có những thay đổi làm gim kh năng làm việc ca mi hàn khi
sử dng.
Các thay đổi không mong mun làm gim kh năng làm việc ca mi hàn đợc
gọi là khuyết tật hàn, các khuyết tật này có thể là sự thay đổi gây ra sự bất liên tc
trong mi hàn nh: ngậm xỉ, không ngấu, thiếu ngấu, rỗ khí, nt, cháy chân vv hoặc
có thể là khuyết tật làm thay đổi hình dng ngoi quan ca mi ghép hàn nh: mi hàn
bị lệch cnh, sự không đồng phẳng ca mi ghép, chy tràn, cháy thng vv Những
khuyết tật này có thể đợc nhìn thấy trực tiếp bằng mắt nhng cũng có những khuyết
tật không thể nhìn thấy trực tiếp bằng mắt.
2.2.2. CácăloiăkhuytăttăhƠn
2.2.2.1. Thiuănguă(ăLack of fusion)
Mi hàn thiếu ngấu là hiện tợng kim loi mi hàn và kim loi cơ bn (basic
metal) hoặc giữa các kim loi mi hàn các lớp không liên kết li với nhau. Đây là
loi khuyết tật nghiêm trọng trong liên kết hàn. Ngoài nh hng không tt nh rỗ khí
và ngậm xỉ, nó còn là nguyên nhân chính dẫn đến các vết nt gây phá hy liên kết khi
làm việc. Theo tiêu chuẩn BS EN ISO 6520-1[35] phân chia các khuyết tật thiếu ngấu
thành các dng sau:
- Thiếu ngấu cnh (Lack of sidewall fusion)
Hình 2.10. Khuyết tật trên bề mặt và trong mi hàn[22]
Trên bề mặt
Trên bề mặt
Trong mi hàn
11
- Thiếu ngấu giữa các lớp (Lack of inter-run fusion)
- Thiếu ngấu chân (Lack of root fusion)
a. Thiuănguăcnh
Là hiện tợng kim loi mi hàn thiếu liên kết với cnh mép vát kim loi cơ bn.
Khuyết tật này có thể đợc nhìn thấy trực tiếp (trên mi hàn) bằng mắt hoặc không
nhìn thấy trực tiếp đợc bằng mắt (trong mi hàn). Khuyết tật đợc phát hiện trên
phim Chp nh phóng x bằng vùng màu đen thẳng liên tc hoặc đt đon hai bên
mép vát mi hàn. Kỹ thuật siêu âm màu sẽ cho thấy khuyết tật nằm bên cnh mép vát,
với một mặt là đng thẳng đều, mặt bên cho biên dng không đều.
a) Vị trí thng xuất hiện khuyết tật
b) Phát hiện khuyết tật bằng Chp nh
phóng x
Hình 2.11: Khuyết tật thiếu ngấu cnh [24]
Nguyên nhân:
- Nhiệt độ vào (heat input) thấp
- Kim loi chy tràn lên trớc vũng hàn
- Vật hàn bị bẩn
- Điều chỉnh cuộn cm tăng quá cao trong dng chuyển dịch khi hàn GMAW.
b. Thiuănguăgiaăcácălp
Là hiện tợng kim loi mi hàn giữa lớp hàn trớc không liên kết với kim loi
mi hàn lớp hàn sau trong mi hàn nhiều lớp, chiều cao rưnh thiếu ngấu quá lớn
cũng dễ dẫn đến hiện tợng bẫy xỉ trong rưnh thiếu ngấu và to nên khuyết tật ngậm xỉ
và không thấu (hình 2.12). Khuyết tật này rất dễ phát hiện bằng đầu dò siêu âm sóng
thẳng với gai sóng tơng tự khuyết tật thiếu ngấu cnh với đng biên dng thẳng.
Vị trí khuyết tật
12
a) Vị trí khuyết tật
b) Phát hiện khuyết tật bằng Chp nh phóng x
Hình 2.12: Khuyết tật thiếu ngấu giữa các lớp [24]
Nguyên nhân:
- Cng độ dòng điện hồ quang thấp
- Tc độ hàn quá nhanh
- Vị trí đng hàn bị lệch
c. Thiuănguăchân
Là hiện tợng kim loi mi hàn lớp chân (root) không liên kết với cnh mép
vát ca chi tiết hàn, khuyết tật này thng để li một vết đen thẳng trên phim chp nh
phóng x, khuyết tật có thể xuất hiện một bên hoặc hai bên cnh mi hàn lớp chân,
phơng pháp siêu âm cũng dễ dàng phát hiện khuyết tật này bằng đầu dò góc với dng
sóng tơng tự nh nt chân mi hàn (hình 2.13).
a)Vị trí khuyết tật
b) Phát hiện khuyết tật bằng chp nh
phóng x
Hình 2.13: Khuyết tật thiếu ngấu chân [24]
Nguyên nhân:
- Nhiệt độ đầu vào thấp
- Điện cực quá lớn
- Hàn sai thao tác, khe h và mặt phẳng đáy quá lớn, góc độ điện cực sai…
- Chi tiết bị lệch
Vị trí khuyết tật