Bài giảng cận lâm sàng trong tim mạch học

CẬN LÂM SÀNG TRONG
TIM MẠCH HỌC
Ths. Đoàn thị Tuyết Ngân


Mục tiêu



Trình bày chỉ đị nh của các CLS trong bệnh lý tim mạch.
Mô tả các bất thườ ng thườ ng gặp trên
 ECG
 X quang
 ECHO tim


ĐIỆN TIM


Khái niệm



là một đồ thị ghi những điện thế do tim sinh ra
Lợi ích lâm sàng của điện tâm đồ
 ghi được ngay, không chảy máu, rẻ tiền và rất linh hoạt
 phát hiện các loạn nhịp, rối loạn dẫn truyền và thiếu máu
cơ tim
 phát hiện những rối loạn chuyển hoá đe dọa tính mạng như
tăng kali huyết hoặc những ca tăng khả năng bị chết đột
ngột do tim như HC QT dài.

Các chuyển đạo điện tâm đồ


Các chuyển đạ o trên mặt phẳng trán
 Các chuyển đạo chuẩn: DI, DII, DIII
 Các chuyển đạo đơn cực chi: aVR, aVL, aVF


Chuyển đạo trên mặt phẳng trán


Chuyển đạo trên mặt phẳng ngang
chuyển đạo trước tim







V1: LS IV ngay sát bờ phải xươ ng ức
V2: LS IV ngay sát bờ trái xươ ng ức
V4: LS V đườ ng giữa đòn
V3: giữa vị trí điện cực V2 và V4
V5:ngang V4 trên đườ ng nách trướ c trái
V6: ngang V4 trên đườ ng nách giữa trái

Chuyển đạo trên mặt phẳng ngang


Các chuyển đạo khác


Mục đích đặ c biệt:
 Cđ trước tim phải: đánh giá DTP hay NM thất phải
 Cđ V7, V8, V9: xác định NMCT thành sau thực
 Cđ thực quản: phát hiện hoạt động nhĩ
 Cách đặt điện cực riêng (3 hoặc 5 điện cực) của máy sốc
điện hay monitor


Phân tích điện tâm đồ






Phân tích điện tâm đồ cần toàn diện và tỉ mỉ: tuổi, giới, lâm
sàng + các cận lâm sàng khác
Cần xem điện tim có đạ t chuẩn hóa và yêu cầu kỹ thuật trướ c
khi phân tích
Lỗi kỹ thuật cần lưu ý
 Mắc nhầm tay ≠tim sang phải
 Hình ảnh giả

Các bước phân tích điện tâm đồ



Nhịp
Tần số












Nhịp tim đều
Nhịp tim không đều

Trục điện học của tim
Sóng P
Thời gian PR
Phức bộ QRS
Đoạn ST
Sóng T
Sóng U
Khoảng QT



Kết luận:





Hội chứng về nhịp
Hội chứng về hình dạng sóng

Bàn luận:


Những bất thường trên điện tâm đồ







Tim to và phì đạ i
Block nhánh
Hội chứng kích thích sớm
Nhồi máu cơ tim
Suy độ ng mạch vành
Ảnh hưởng của những yếu tố chuyển hoá và thuốc

Nhịp



Nhịp xoang:








mỗi QRS có sóng P đi trước
hình dạng và trục sóng P bình thường
khoảng PR hằng định và bình thường
khoảng P-P đều hoặc hơi không đều
nhịp xoang bình thường tần số từ 60-100/p

Nếu không phải nhịp xoang cần xác đị nh loại LN


Tần số


Nhịp tim đề u:
 HR = 60/RR (s)
 300/ số ô lớn
 Thước đo



Nhịp tim không đề u :
 Đếm số chu chuyển tim trong 6s x 10 (5s x 12)


Trục điện học của tim



Phương pháp vectơ
Phươ ng pháp ¼


TĂNG GÁNH CÁC BUỒNG NHĨ


Tăng gánh (dày) các buồng nhĩ


Dày nhĩ trái: Sóng P






Dày nhĩ phải





rộng> 0,11s (DI, V5, V6)
2 đỉnh có móc ở II
V1 dạng 2 pha: pha âm 1mm, > 0,04s
Sóng P > 0.25mV (0.3mV) nhọn, đối xứng ở II, III, aVF
Thời gian sóng P bình thường

Dày 2 nhĩ



Sóng P vừa rộng, vừa cao, 2 đỉnh/có móc ở chuyển đạo D
hoặc trước tim
Sóng P 2 pha ở V1 cả 2 pha đều tăng biên độ (pha dương >
0.2mV) và rộng (pha âm > 0,04s, sâu 0.1mV)


TĂNG GÁNH THẤT


Dày hay phì đại thất


Dày thất trái:
 Tiêu chuẩn Sokolow- Lyon
 Sóng S ở chuyển đạo V1 + RV5
 hoặc V6 > 3.5mV hoặc
 RV5 hoặc V6 > 26mm

 Tiêu chuẩn điện thế Cornell
 Phụ nữ: sóng R ở aVL + sóng S ở V3 > 2.0mV
 Nam:
sóng R ở aVL + sóng S ở V3 > 2.8mV


Romhilt- Estes
H ệ th ống thang đi ểm Romhilt- Estes
Đi ểm
1. R (S) ở bất kỳ CĐ chi ≥ 2,0mV hoặc
S ở V1 hoặcV2, hoặc R ở V5 hoặc V6 ≥ 3,0mV
3
2. Tăng gánh thất trái
Đoạn ST và sóng T trái chiều phức bộ QRS
+ không có sử dụng digitalis
3
+ có sử dụng digitalis
3. DNT: Pha âm P V1 ≥ 0,1mV, ≥0,04s
4. Trục chuyển trái ≥ - 300
+ QRS ≥ 0,09s
+ Nhánh nội điện ở V5, V6 ≥ 0,05s
T ổng:
Xác đị nh DTT = 5đ,
Có khả năng DTT = 4đ
Độ chuyên biệt 95%, nhạy cảm 50%

1
3
2
1

1
13


DÀY THẤT TRÁI

BN nữ 69 tuổi
Tiêu chuẩn (+):
Cornell= 30mm(>20)
Sokolow lyon= 41mm(>35)
ST chênh xuống T âm


Dày thất phải





R cao ở V1, V2, V3R (0.7mV)
R/S V1 > 1 (R > 0.5mV)
Sokolow- Lyon: RV1 + SV5 hoặc V6 > 1.1mV
Côn g th ức Butler- Leggett


MỘT SỐ TIÊU CHUẨN DTP


Công thức Butler- Leggett

Hướng

phía trước (A)

Biên độ R hoặc R’ cao
nhất ở V1 hoặc
V2

bên phải (R)

trái sau (PL)

S sâu nhất ở
DI hoặc V6

S ở V1

Công thức DTP: A + R - PL ≥ 0,7mV


DÀY THẤT PHẢI





RV1=1.5mV (>0.7)
Sokolow- Lyon: RV1
+ SV5=4.3mV(>
1.1mV)

Công thức ButlerLeggett=35mV (≥ 0,7)


DÀY 2 THẤT


Dạng đẳ ng pha lớn ở V3,V4 (Katz Wachtel)



Dày thất trái + trục lệch phải (>1000)



HC S nông (SV1 nông, SV2 sâu rõ rệt)



Dày thất trái + R cao ở CĐ trướ c tim phải



P của DNT + với bất kỳ biểu hiện DTP