Tải bản đầy đủ (.pdf) (45 trang)

CHƯƠNG 1 CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (1.04 MB, 45 trang )

CHÖÔNG 1

CAÙC LINH KIEÄN BAÙN DAÃN
1. DIODE COÂNG SUAÁT


CHƯƠNG 1

CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
1.

DIODE CÔNG SUẤT: ĐẶC ĐIỂM



Linh kiện không điều khiển



Có cấu tạo gồm một lớp chuyển tiếp p-n, 2 điện cực ngoài



Phương pháp chế tạo : Khuyếch tán nguyên tử tạp chất
loại p vào một mặt của phiến tinh thể Si loại n



Cực Anode nối với lớp p, Cathode nối với lớp n




Quá trình đóng ngắt : Nếu VAK > 0 (điện áp Anode dương
hơn điện áp Cathode) thì diode dẫn (đóng), ngược lại diode
ngắt


CHƯƠNG 1

CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
1.

DIODE CÔNG SUẤT: ĐẶC ĐIỂM

+ Khả năng điều khiển
dòng điện
(vài A →
vài kA )
+ Khả năng khóa điện
áp
(vài chục V →
vài kV )


CHÖÔNG 1

CAÙC LINH KIEÄN BAÙN DAÃN
1.

DIODE COÂNG SUAÁT : ĐẶC TUYẾN VOLT-AMPÈRE



CHƯƠNG 1

CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
1.

DIODE CÔNG SUẤT: THỜI GIAN PHỤC HỒI TÍNH NGHỊCH

Thời gian cần thiết để diode phục
hồi khả năng chòu áp khoá khi quá
trình dẫn thuận chấm dứt
– phục hồi nhanh
- phục hồi chậm


CHƯƠNG 1

CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
1.

DIODE CÔNG SUẤT: THỜI GIAN PHỤC HỒI TÍNH NGHỊCH

Tính tốn trr để đánh giá khả năng
đóng ngắt với tần số phù hợp.
(Example 2.1 – PE Handbook)

Bài tập : Xem Tutorial 2.1 p.19, 20 PE Handbook


CHÖÔNG 1


CAÙC LINH KIEÄN BAÙN DAÃN
1.

DIODE COÂNG SUAÁT: BẢO VỆ LINH KIỆN

Giá trị dv/dt tra từ thông số kỹ thuật
của linh kiện.


CHÖÔNG 1

CAÙC LINH KIEÄN BAÙN DAÃN
1.

DIODE COÂNG SUAÁT: ĐỊNH MỨC LINH KIỆN

Xem ví dụ 2.2 p.18 PE Handbook
Định mức áp : VRRM – giá trị áp ngược tức thời lớn nhất trên diode
Định mức dòng : IAV – giá trị trung bình dòng qua diode


CHƯƠNG 1

CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
2. TRANSISTOR CÔNG SUẤT
- Linh kiện điều khiển bằng dòng và có ba cực
ngoài: Collector (C) , Emitter (E) và cổng
điều khiển Base (B).
+ Mạch công suất nối giữa 2 cực C và E

+ Xung điều khiển cấp vào giữa 2 cực B và E
- Transistor vận hành như một khóa đóng cắt
bán dẫn
- BJT công suất được đònh mức đến 1200V và
400A. Chúng thường được sử dụng trong các
bộ biến đổi vận hành đến 10kHz.


CHÖÔNG 1

CAÙC LINH KIEÄN BAÙN DAÃN
2. TRANSISTOR COÂNG SUAÁT :ĐẶC TUYẾN VOLT-AMPÈRE


CHÖÔNG 1

CAÙC LINH KIEÄN BAÙN DAÃN
2. TRANSISTOR COÂNG SUAÁT : ĐẶC TÍNH ĐỘNG


CHÖÔNG 1

CAÙC LINH KIEÄN BAÙN DAÃN
2. TRANSISTOR COÂNG SUAÁT : MẠCH BẢO VỆ


CHÖÔNG 1

CAÙC LINH KIEÄN BAÙN DAÃN
2. TRANSISTOR COÂNG SUAÁT : MẠCH KÍCH

VCC

R6

D2

C

1

2

R5

2

3 CHỨC NĂNG :

D1

Q4
TX1

1

R4

C2

C1


C3

Q2

E

A
R2

R8

GND

Q3

R3

- KHUẾCH ĐẠI
- TẠO DẠNG XUNG ĐIỀU
KHIỂN TỐI ƯU

R7

Q1

R1

-CÁCH LY ĐIỆN



CHÖÔNG 1

CAÙC LINH KIEÄN BAÙN DAÃN
2. TRANSISTOR DARLINGTON

Điều khiển dòng công suất IC bằng dòng
điều khiển IB trị số thấp.
hFE= IC/IB


CHÖÔNG 1

CAÙC LINH KIEÄN BAÙN DAÃN
3. MOSFET COÂNG SUAÁT- ĐẶC ĐIỂM


CHÖÔNG 1

CAÙC LINH KIEÄN BAÙN DAÃN
3. MOSFET COÂNG SUAÁT- ĐẶC ĐIỂM

Sử dụng trong các bộ nguồn, bộ biến đổi DCDC, bộ điều khiển động cơ...


CHƯƠNG 1

CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
3. MOSFET CÔNG SUẤT- ĐẶC ĐIỂM


+ Linh kiện điều khiển bằng
áp. Điện áp gate-source VGS
đủ lớn sẽ đóng MOSFET.
+ VDS > 0 và VGS > 0 ⇒ ON
VGS≤ 0 ⇒ OFF


CHƯƠNG 1

CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
3. MOSFET CÔNG SUẤT - ĐẶC ĐIỂM

+ MOSFET có cấu trúc diode
ngược ký sinh .


CHƯƠNG 1

CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
3. MOSFET CÔNG SUẤT- ĐẶC ĐIỂM

+ Công suất tổn hao nhiệt ở
trạng thái đóng của MOSFET
cao hơn BJT. MOSFET điện
áp thấp sẽ có điện trở lúc dẫn
RDS(on) nhỏ hơn 0.1Ω, tuy
nhiên các MOSFET cao áp có
điện trở dẫn lên đến vài Ω.
+ Đònh mức MOSFET khoảng
1000V và 50A.



CHÖÔNG 1

CAÙC LINH KIEÄN BAÙN DAÃN
3. MOSFET COÂNG SUAÁT - Đặc tuyến Volt- Ampere


CHƯƠNG 1

CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
3. MOSFET CÔNG SUẤT - Đặc tính động

MOSFET đóng cắt nhanh và
được sử dụng trong các bộ biến
đổi vận hành với tần số đến
100kHz và hơn.


CHÖÔNG 1

CAÙC LINH KIEÄN BAÙN DAÃN
3. MOSFET COÂNG SUAÁT - Mạch kích


CHÖÔNG 1

CAÙC LINH KIEÄN BAÙN DAÃN
4. TRANSISTOR IGBT



CHÖÔNG 1

CAÙC LINH KIEÄN BAÙN DAÃN
4. TRANSISTOR IGBT


CHƯƠNG 1

CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
4. TRANSISTOR IGBT

- VCE > 0 và VGE > 0 ⇒ ON
VGE≤ 0 ⇒ OFF

-Không có khả năng khóa áp ngược
giá trò lớn hơn 10V
-Đònh mức IGBT áp U <= 1200 V,
dòng I <= 1 KA
-Tần số đóng ngắt cao hơn so với BJT
nhưng thấp hơn MOSFET
-IJBT có thể làm việc với tần số đóng
cắt lên đến 20kHz


×