Chương 5:
KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT
ÂM TẦN
Khuếch đại công suất tuyến tính âm tần
(Kđại csuất lớp A CE, Kđại csuất ghép biến áp)
Nội dung
Giới thiệu
Khuếch đại công suất lớp A kiểu chung
cực E (common-emitter)
Mạch khuếch đại ghép biến áp
(transformer-coupled)
Khuếch đại công suất đẩy kéo (push-pull)
lớp B
Mục tiêu và các yêu cầu
trong khuếch đại
công suất
Cung cấp đủ công suất cho
tải một cách kinh tế
nhưng vẫn bảo đảm những
cầu như sau:
đặc tính theo yêu
Kích thước.
Trọng lượng.
Điện áp nguồn cung cấp.
Méo dạng
…
nhiều cách để đạt
Người thiết kế phải kết hợp được một thiết kế tối
Transistor được sử dụng ở giới hạn của vùng hoạt động có ích nhưng không gây phá hủy do quá
ưu.
nhiệt.
Phân
Lớp A
+Tuyến tính
+Hiệu suất
thấp
loại
khuếch
Lớp AB
+Tuyến tính với kiểu
mạch push-pull
+Hiệu suất trung bình
đại
công
suất
Lớp B
Lớp C
+Phi tuyến
+Hiệu suất cao, dùng
trong mạch cao tần
Nội dung
Giới thiệu
Khuếch đại công suất lớp A kiểu chung
cực E (common-emitter)
Mạch khuếch đại ghép biến áp
(transformer-coupled)
Khuếch đại công suất đẩy kéo (push-pull)
lớp B
Mạch khuếch đại ghép
kiểu
chung
Mạch khuếch
điện cảm chung
điện
cực
E
đại lớp
A ghép
cảm,
Sơ đồ
lớp
A
tương
đương
cực E
Ac load line
v ce = −i R =c i L R ⇒
L
L
ic = −
vce
R
L
⇒
1
Các
đường
tải
Tầm dao động
điện áp
vCE
Tính toán công
Công suất
suất
nguồn cung cấp
2
=V
P
≈
I
CC
CC
VCC
R
CQ
L
Công suất
truyền đến tải
2
2
I Lm RL
P L=
I Cm RL
=
2
2
2
2
=
P
L ,max
I CQ RL
=
2
Công suất
VCC
2RL
tiêu tán trên cực
C
2
P C = P CC
L
−P
=
2
VCC
−
I cm RL
2
RL
Hiệu
suất
2
C ,min
P
=
VCC
η=
2RL
C ,max
PPL
=
CC
CEQ
2
2
I Cm (VRL /I 2) 1 2I cm I
2
CQ
=
1
2
CC CQ
CQ
Đường
hyperbol
tiêu
tán
C
Transistor có các thông số quan trọng sau
(được cho bởi nhà sản xuất):
+ Công suất tiêu tán cực
đại trên cực C
+ Dòng chịu đựng cực đại
+ Điện áp chịu đựng cực
đại
Trong
thiết kế các giá trị này ko được quá giới hạn cho phép (thường
được nhân với 1 hệ số suy giảm).
2VCC ≤ BVCEO
2I CQ ≤ max iC
cực
đại
trên
cực
Đường hyperbol tiêu tán cực đại trên cực
C: ví dụ 1
Đường hyperbol tiêu tán cực đại trên cực
C: ví dụ 2
Nội dung
Giới thiệu
Khuếch đại công suất lớp A kiểu chung
cực E (common-emitter)
Mạch khuếch đại ghép biến áp
(transformer-coupled)
Khuếch đại công suất đẩy kéo (push-pull)
lớp B
Mạch
kđại
công
suất
ghép
'
biến
áp
2
RL = N
RL
Điện trở tải RL được phản ánh qua biến áp trở
thành RL’
Hoạt động của mạch kđ ghép biến áp giống như mạch kđ ghép cuộn cảm-tụ điện
Các
đường
biến
áp
Đường tải
tải
của
mạch
của mạch kđ ghép biến
kđại
csuất
áp giống như đường
tải mạch kđ ghép cuộn cảm-tụ điện, thay RL bằng RL’
Tính toán công suất giống như tính toán cs mạch kđ ghép cuộn cảm-tụ điện
ghép
Nội dung
Giới thiệu
Khuếch đại công suất lớp A
kiểu
chung
cực E (common-emitter)
Mạch khuếch đại ghép biến
áp
(transformer-coupled)
Khuếch đại công suất đẩy
pull) lớp B
kéo
(push-
Khuếch đại đẩy-kéo (Push-pull amp.)
iL = N (iC1 − iC 2 )
Méo xuyên tâm (crossover distortion)
Crossover distortion
Xác
định
iC
v
CE
=−
đường
tải
1
v
R'
L
CE 2
=V
CC
+ Nv
L
Tính toán công
Công suất
suất
(1)
nguồn cung cấp
1 T/2
∫
PCC = VCC
T
2
=
P
CC ,max
π
V
CC
[iC (t ) + iC
−T / 2
1
2V
=
π
2
V CC
R'
2
=
(t )]dt
L
πR '
2
CC
L
VCC I cm
Tính toán công
suất (2)
Hiệu
Công suất truyền đến tải
2
I
Lm
P L=
R
L
2
I
2
N R
'
cm
=
1 R' I
L
2
2
=
2
=
P
L ,max
VCC
2R
'
trên
2
2P = P − P =
CC
PC ,max
PL
CC
2
=
η
P
L
Công suất tiêu tán
C
suất
cực
η max =
I
2
π
VCC
1 VCC
0.1
≈
=
2
2
L
(2 / π )V
≈ 78.5%
CC cm
2
'
'
khi
I cm
2 VCC
=
'
cm
4
2
R I L cm
−
π I cm
=
CC
L cm
π
C
'
V
2
I
L
CC
4
V
/R
2
'
Sự thay đổi công suất và hiệu suất trong
khuếch đại đẩy kéo lớp B
Khuếch
đại
Phân cực bằng nguồn
đẩy
kéo
VBB
=> Mục tiêu: tránh méo xuyên tâm
với
nguồn
phân
cực
Phân cực bằng bộ chia áp
điện trở
Mạch kđ công suất đối xứng bổ phụ
(complementary
OTL = Output Transformer Less
symmetry):
OTL
(1)
Mạch
kđ
công
suất
OTL
(2)
+98V
R10
CJ
47/60
C2
1
R 11
221(
2K7
+
00/60
+
ce
2200/S0
+
INPUT
~
1_
:ir
s_
~~...a~1+-~
e
IK
Cl
8 OHNS
NPS'.1602
R4
100
OTL = Output Transformer
Less
W.OT
L
Mạch
OCL = Output
Capacitor Less
kđ
công
suất
OCL