Chương 5:
KHUẾCH
ĐẠI
CÔNG
SUẤT
ÂM TẦN
Khuếch đại công suất tuyến tính âm tần
(Kđại csuất lớp A CE, Kđại csuất ghép
biến áp)
Nội dung
Giới thiệu
Khuếch đại công suất lớp A kiểu chung cực E (common-emitter)
Mạch khuếch đại ghép biến áp
(transformer-coupled)
Khuếch đại công suất đẩy kéo (push-pull)
lớp B
Mục tiêu và các yêu cầu
trong khuếch đại
công suất
Cung cấp đủ công suất cho
tải một cách kinh tế
nhưng vẫn bảo đảm những
cầu như sau:
đặc tính theo yêu
Kích thước.
Trọng lượng.
Điện áp nguồn cung cấp.
Méo dạng
…
nhiều cách để đạt
Người thiết kế phải kết hợp được một thiết kế
tối ưu.
Transistor được sử dụng ở giới hạn của vùng hoạt động
có ích nhưng không gây phá hủy do quá nhiệt.
Phân
Lớp A
+Tuyến tính
+Hiệu suất thấp
loại
khuếch
đại
Lớp AB
+Tuyến tính với kiểu mạch pushpull
+Hiệu suất trung bình
công
suất
Lớp B
Lớp C
+Phi tuyến
+Hiệu suất cao, dùng trong mạch
cao tần
Nội dung
Giới thiệu
Khuếch đại công suất lớp A kiểu chung cực E (common-emitter)
Mạch khuếch đại ghép biến áp
(transformer-coupled)
Khuếch đại công suất đẩy kéo (push-pull)
lớp B
Mạch khuếch đại ghép
kiểu
chung
điện
cực
cảm,
lớp
A
E
Mạch khuếch đại lớp A ghép
Sơ đồ
tương đương
điện cảm chung cực E
Ac load line
vce
=−
ic RL = iL RL ⇒
ic = −
vce
RL
⇒
iC − I CQ = − 1 ( vCE −VCEQ)
Các
đường
tải
Tầm dao động
điện áp
vCE
Tính toán công
suất
Công suất nguồn cung cấp
2
=V
P
≈
I
CC
CC
VCC
R
CQ
L
Công suất truyền đến tải
2
2
I Lm RL
P L=
=
2
2
I Cm RL
2
2
=
P
I CQ RL
L ,max
Công suất
=
2
VCC
2RL
tiêu tán trên cực C
2
P C = P CC
L
=
−P
2
VCC
−
I cm RL
2
RL
Hiệu suất
2
C ,min
P
=
VCC
2
I Cm (VRL /I 2) 1 2I cm I
2
η=
2RL
C ,max
=
CC
CEQ
2
PPL
CQ
=
1
2
CC CQ
CQ
Đường
hyperbol
tiêu
tán
C
Transistor có các thông số quan trọng sau
(được cho bởi nhà sản xuất):
+ Công suất tiêu tán cực đại trên cực C
+ Dòng chịu đựng cực đại
+ Điện áp chịu đựng cực
đại
Trong thiết kế các giá trị này ko được quá giới hạn cho phép (thường
được nhân với 1 hệ số suy giảm).
2VCC ≤ BVCEO
2I CQ ≤ max iC
cực
đại
trên
cực
Đường hyperbol tiêu tán cực đại trên cực
C: ví dụ 1
Đường hyperbol tiêu tán cực đại trên cực
C: ví dụ 2
Nội dung
Giới thiệu
Khuếch đại công suất lớp A kiểu chung cực E (common-emitter)
Mạch khuếch đại ghép biến áp
(transformer-coupled)
Khuếch đại công suất đẩy kéo (push-pull)
lớp B
Mạch
kđại
công
suất
ghép
'
biến
2
RL = N
RL
Điện trở tải RL được phản ánh qua biến áp trở
thành RL’
áp
Các
đường
biến
áp
Đường tải
tải
của
mạch
của mạch kđ ghép biến
kđại
csuất
áp giống như đường
tải mạch kđ ghép cuộn cảm-tụ điện, thay RL bằng RL’
Tính toán công suất giống như tính toán cs mạch kđ ghép cuộn cảm-tụ điện
ghép
Nội dung
Giới thiệu
Khuếch đại công suất lớp A
kiểu
chung
cực E (common-emitter)
Mạch khuếch đại ghép biến
áp
(transformer-coupled)
Khuếch đại công suất đẩy kéo
pull) lớp B
(push-
Khuếch đại đẩy-kéo (Push-pull amp.)
iL = N (iC1 − iC 2 )
Méo xuyên tâm (crossover distortion)
Crossover distortion
Xác
định
iC
v
CE
=−
đường
tải
1
R
v
'
L
CE 2
=V
CC
+ Nv
L
Tính toán công
Công suất
suất
(1)
nguồn cung cấp
1 T/2
∫
PCC = VCC
T
2
=
P
CC ,max
π
CC
[iC (t ) + iC
−T / 2
V
R'
(t )]dt
1
2V
=
π
2
V CC
L
πR '
2=
2
CC
L
VCC I cm
Tính toán công
suất (2)
Hiệu suất
Công suất truyền đến tải
2
I
Lm
P L=
R
L
2
I
2
N R
'
cm
=
2
2
2
=
P
L ,max
2R
CC
η=
VCC
'
1 R' I
P
L
L
=
P
L
Công suất tiêu tán
trên
cực
2
(2 / π )V
2P = P − P =
C
CC
PC ,max
L
=
'
I
V
2
2
≈ 78.5%
cm
'
4
4
R I L cm
−
2
π
1
V
VCC
CC
≈ 0.1
2
2
CC
cm
I
'
khi
I cm
2 VCC
=
'
π
I
cm
=
CC
L cm
π
C
η max =
2
2
V
/R
'
CC
2
L
Sự thay đổi công suất và hiệu suất trong
khuếch đại đẩy kéo lớp B
Khuếch
đại
đẩy
kéo
Phân cực bằng nguồn VBB
=> Mục tiêu: tránh méo xuyên tâm
với
nguồn
Phân cực
phân
bằng bộ chia áp
điện trở
cực
Mạch kđ công suất đối xứng
(complementary
OTL = Output Transformer Less
bổ phụ
symmetry):
OTL
(1)
Mạch
kđ
công
suất
OTL
(2)
+98V
RI
Rl0
CJ
47/60
I
2K7
221(
+
C2
100/60
+
ce
2200/S0
+
INP
~
:
UT
Cl
e
_ _ ~~..-a~1+-~
NPS'.1602
8
ir1
s
R4
IK
100
OTL = Output Transformer
Less
W.OT
L
OHNS
Mạch
OCL = Output
Capacitor Less
kđ
công
suất
OCL