ĐÁP án kĩ THUẬT điện

ĐÁP ÁN KĨ THUẬT ĐIỆN – ĐIỆN TỬ (ĐỀ 1 +2)
ĐỀ 1
CÂU 1 (2 điểm)
Định luật K2 phát biểu cho một vòng kín: Đi theo một vòng kín với chiều tùy ý,
tổng đại số các điện áp rơi trên các phần tử bằng không.

∑u = 0

Nếu mạch điện có suất điện động ta có thể tính như
sau:

∑u = ∑e

Khi đó định luật kirhoff 2 phát biểu như sau:
Đi theo một vòng kín, theo một chiều tuỳ ý đã
chọn, tổng đại số các điện áp rơi trên các phần tử bằng
tổng đại số các sức điện động trong vòng.
những sức điện động nào có chiều trùng với chiều đi vòng sẽ mang dấu dương,
ngược lại mang dấu âm.
VD: Xét mạch kín như hình 1.4
R3i3 +

1
∫ i 3 dt
C

- L2

di 2
dt

+ R1i1 = e2 – e1

CÂU 2
a. Các chế độ hoạt động của Transitor (1 điểm)
•

Xét hoạt động của Transistor NPN .

Hình 1.2 Mạch khảo sát về nguyên tắc hoạt động của transistor NPN


Ta cấp một nguồn một chiều UCE vào hai cực C và E trong đó (+) nguồn vào cực C
và (-) nguồn vào cực E.
- Cấp nguồn một chiều UBE đi qua công tắc và trở hạn dòng vào hai cực B và E ,
trong đó cực (+) vào chân B, cực (-) vào chân E.
- Khi công tắc mở , ta thấy rằng, mặc dù hai cực C và E đã được cấp điện nhưng
vẫn không có dòng điện chạy qua mối C E ( lúc này dòng IC = 0 )
Khi công tắc đóng, mối P-N được phân cực thuận do đó có một dòng điện chạy từ
(+) nguồn UBE qua công tắc => qua R hạn dòng => qua mối BE về cực (-) tạo thành
dòng IB
- Ngay khi dòng IB xuất hiện => lập tức cũng có dòng IC chạy qua mối CE làm
bóng đèn phát sáng, và dòng IC mạnh gấp nhiều lần dòng IB
- Như vậy rõ ràng dòng IC hoàn toàn phụ thuộc vào dòng IB và phụ thuộc theo một
công thức .
IC = β.IB
Trong đó

IC là dòng chạy qua mối CE
IB là dòng chạy qua mối BE
β là hệ số khuyếch đại của Transistor

Xét hoạt động của Transistor PNP .
Sự hoạt động của Transistor PNP hoàn toàn tương tự Transistor NPN nhưng cực
tính của các nguồn điện UCE và UBE ngược lại . Dòng IC đi từ E sang C còn dòng IB
đi từ E sang B.
•

b. VBE =0,7v; VCE = 0,5v transitor BJT loại NPN hoạt động ở chế độ: (1điểm)
Khi có điện áp VCE nhưng các điện tử và lỗ trống không thể vượt qua mối
tiếp giáp P-N để tạo thành dòng điện, khi xuất hiện dòng IBE do lớp bán dẫn P tại
cực B rất mỏng và nồng độ pha tạp thấp, vì vậy số điện tử tự do từ lớp bán dẫn N
( cực E ) vượt qua tiếp giáp sang lớp bán dẫn P( cực B ) lớn hơn số lượng lỗ trống


rất nhiều, một phần nhỏ trong số các điện tử đó thế vào lỗ
trống tạo thành dòng IB còn phần lớn số điện tử bị hút về
phía cực C dưới tác dụng của điện áp VCE => tạo thành
dòng ICE chạy qua Transistor.
CÂU 3 (3 điểm)

CÂU 4 (3điểm)


ĐỀ 2
CÂU 1 (2 điểm)
Cách nối dây hình tam giác (∆)
* Cách nối
Muốn nối hình tam giác, ta lấy đầu pha này nối với cuối pha kia. Ví dụ A nối với Z;
B nối với X; C nối với Y (hình 2.6) Cách nối tam giác không có dây trung tính.
* Các quan hệ giữa đại lượng dây và pha khi đối xứng

Khi giải mạch điện nối tam giác ta thường quen quy ước: chiều dương dòng điện
các pha Ip của nguồn ngược chiều quay kim đồng
hồ, chiều dương dòng điện pha của tải cùng chiều
quay kim đồng hồ (hình 2.6)


Các đại lượng dây và pha được ký hiệu trên hình 2.6a.
- Quan hệ giữa điện áp dây và điện áp pha

Hình 2.6

Nhìn vào mạch điện nối tam giác ta thấy:Ud = Up
- Quan hệ giữa dòng điện dây và dòng điện pha
áp dụng định luật Kiêcshôp 1 tại các nút ta có:
•

Tại nút A:

•

•

Tại nút B:

•

•

(2-5a)

•

I B = I BC − I CA
•

Tại nút C:

•

I A = I AB − I CA

(2-5b)

•

I C = I CA − I BC

(2-5c)

Dòng điện IA, IB, IC chạy trên các dây pha từ nguồn điện đến tải là dòng điện
dây Id. Dòng điện IAB, IBC, ICA chạy trong các pha là dòng điện pha, lệch pha với
•

•

điện áp

•

U AB U BC U CA

,

,

một góc ϕ (hình 2.6b) Để vẽ dòng điện dây I A, IB, IC ta dựa

vào phương trình (2-4) Vectơ IAB cộng với vectơ (-ICA) ta có vectơ IA; Qúa trình
tương tự ta vẽ IB, IC.
CÂU 2
a. Cấu tạo của Transistor lưỡng cực thuận (1 điểm)
Transistor lưỡng cực thuận gồm ba lớp bán dẫn ghép
theo thứ tự NPN hình thành hai mối tiếp giáp P-N , về
diện cấu tạo Transistor tương đương với hai Diode đấu
chiều nhau .

với nhau
phương
ngược


Ba lớp bán dẫn được nối ra thành ba cực , lớp giữa gọi là cực gốc ký hiệu là B
( Base), lớp bán dẫn B rất mỏng và có nồng độ tạp chất thấp.
Cấu tạo Transistor thuận
Hai lớp bán dẫn bên ngoài được nối ra thành cực phát (Emitter) viết tắt là E, và cực
thu hay cực góp ( Collector ) viết tắt là C, vùng bán dẫn E và C có cùng loại bán
dẫn (loại N hay P ) nhưng có kích thước và nồng độ tạp chất khác nhau nên không
hoán vị cho nhau được.
b. VBE =0,7v; VCE = 0,5v transitor BJT loại NPN hoạt động ở chế độ (1điểm)
Khi có điện áp VCE nhưng các điện tử và lỗ trống

không thể vượt qua mối tiếp giáp P-N để tạo thành dòng
điện, khi xuất hiện dòng IBE do lớp bán dẫn P tại cực B rất
mỏng và nồng độ pha tạp thấp, vì vậy số điện tử tự do từ
lớp bán dẫn N ( cực E ) vượt qua tiếp giáp sang lớp bán
dẫn P( cực B ) lớn hơn số lượng lỗ trống rất nhiều, một
phần nhỏ trong số các điện tử đó thế vào lỗ trống tạo thành
dòng IB còn phần lớn số điện tử bị hút về phía cực C dưới tác dụng của điện áp VCE
=> tạo thành dòng ICE chạy qua Transistor.
CÂU 3 (3điểm)


CÂU 4 (3điểm)
a. Xác định các giá trị


b. Xác định và vẽ sơ đồ tải xoay chiều