CHƯƠNG 4: TRANSISTOR
1
NỘI DUNG
LỊCH SỬ PHÁT TRIỂN
CẨU TẠO
PHÂN LOẠI
NGUYÊN TẮC HOẠT ĐỘNG
ỨNG DỤNG
CÁC PHƢƠNG PHÁP PHÂN CỰC
2
1. LỊCH SỬ PHÁT TRIỂN
3
4
3.1. CẤU TẠO VÀ KÍ HIỆU
CẤU TẠO: Transistor là linh kiện bán dẫn gồm 2 lớp
tiếp xúc P-N
5
Tuỳ thuộc vào sự sắp xếp của các vùng bán dẫn P-N mà
có 2 loại transistor là NPN và PNP
6
Sơ đồ chân Transistor
7
3.2. Ho¹t ®éng
Tuú theo sù ph©n cùc cho hai líp tiÕp xóc B-E
(JE) vµ B-C (JC), transistor cã 3 chÕ ®é ho¹t
®éng:
- ChÕ ®é khuÕch ®¹i(ChÕ ®é tÝch cùc)
- ChÕ ®é b·o hoµ
- ChÕ ®é c¾t dßng (chÕ ®é ng¾t)
8
3.2.1. chÕ ®é khuÕch ®¹i:
TiÕp xóc B-E ®-îc ph©n cùc thuËn
TiÕp xóc B-C ®-îc ph©n cùc ng-îc
9
XÐt ho¹t ®éng transistor npn ë chÕ ®é khuÕch
®¹i
10
11
3.2.2. Chế độ bão hòa
BJT làm việc ở chế độ bão hòa: lớp tiếp
giáp B-E và B-C đều phân cực thuận;
Khi đó transistor tƣơng đƣơng với 2 diode
phân cực thuận, nên rCE rất nhỏ → UCEsat ͌
0.
Khi T đang hoạt động ở chế độ bão hòa,
nếu ta tăng IB lên thì IC giữ nguyên một giá
trị không đổi và bằng ICsat.
12
3.2.3. Chế độ cắt dòng
Để T hoạt động ở chế độ cắt dòng, cả JE và
JC đều phân cực ngƣợc. Khi đó, rCE rất lớn,
UCE max; IC= 0.
13
3.2.4. Đặc tuyến V-A của transistor.
Đồ thị biểu diễn mối quan hệ giữa dòng điện IC và
điện thế VCE tương ứng với mỗi một giá trị IB nhất
định gọi là đường đặc tuyến của transistor.
IC
IC
RB
Rc
VCE
B
C
VCC
IB
VBB
0
Hình 4.9: Mạch khảo sát đặc tuyến
A
Vùng
bão
hoà
0,7
UCE max
Vùng tích cực
UCE
Vùng đánh thủng
Hình 4.10: Đặc tuyến ra của transistor
14
Họ đặc tuyến V-A của transistor:
15
3.3. Các tham số cơ bản của BJT
3.3.1. Hệ số khuếch đại dòng điện một chiều.
DC
IC
IB
(4.2)
DC thường nằm trong khoảng từ 20 đến 200 hoặc cao
hơn. DC thường được biểu diễn là hFE trong các bảng
tham số tra cứu của transistor.
hFE = DC
IC
Hệ số truyền đạt dòng điện: DC =
(4.4)
IE
DC luôn nhỏ hơn 1 và thường nằm trong khoảng từ 0.95
đến 0.99
16
Dòng điện cực đại : Là dòng điện giới hạn của
transistor, vượt qua dòng giới hạn này Transistor sẽ
bị hỏng.
Điện áp cực đại : Là điện áp giới hạn của
transistor đặt vào cực CE , vượt qua điện áp giới
hạn này Transistor sẽ bị đánh thủng.
Tấn số cắt : Là tần số giới hạn mà Transistor làm
việc bình thường, vượt quá tần số này thì độ
khuyếch đại của Transistor bị giảm .
Công suất cực đại : Khi hoat động Transistor tiêu
tán một công xuất P = UCE . ICE nếu công suất này
vượt quá công suất cực đại của Transistor thì
Transistor sẽ bị hỏng .
17
PNP transistors
Code
Struc
ture
Case
style
IC
max.
VCE
max
.
hFE
min.
Ptot
max.
Category
(typical use)
Possible
substitutes
BC17
7
PNP
TO18
100
mA
45V
125
300mW
Audio, low power
BC477
BC17
8
PNP
TO18
200
mA
25V
120
600mW
General purpose, low
power
BC478
BC17
9
PNP
TO18
200
mA
20V
180
600mW
Audio (low noise), low
power
BC47
7
PNP
TO18
150
mA
80V
125
360mW
Audio, low power
BC177
BC47
8
PNP
TO18
150
mA
40V
125
360mW
General purpose, low
power
BC178
TIP32
A
PNP
TO220
3A
60V
25
40W
General purpose,
high power
TIP32C
TIP32
C
PNP
TO220
3A
100
V
10
40W
General purpose,
high power
TIP32A
18
NPN transistors
Code
Stru
ctur
e
Case
style
IC
max.
VCE
max.
hFE
min
.
Ptot
max.
Category
(typical use)
Possible
substitutes
BC107
NPN
TO18
100mA
45V
110
300mW
Audio, low power
BC182 BC547
BC108
NPN
TO18
100mA
20V
110
300mW
General purpose, low
power
BC108C BC183
BC548
BC108C
NPN
TO18
100mA
20V
420
600mW
General purpose, low
power
BC109
NPN
TO18
200mA
20V
200
300mW
Audio (low noise), low
power
BC184 BC549
BC182
NPN
TO92C
100mA
50V
100
350mW
General purpose, low power
BC107 BC182L
BC182L
NPN
TO92A
100mA
50V
100
350mW
General purpose, low power
BC107 BC182
BC547B
NPN
TO92C
100mA
45V
200
500mW
Audio, low power
BC107B
BC548B
NPN
TO92C
100mA
30V
220
500mW
General purpose, low power
BC108B
BC549B
NPN
TO92C
100mA
30V
240
625mW
Audio (low noise), low power
BC109
2N3053
NPN
TO39
700mA
40V
50
500mW
General purpose, low power
BFY51
BFY51
NPN
TO39
1A
30V
40
800mW
General purpose, medium power
BC639
BC639
NPN
TO92A
1A
80V
40
800mW
General purpose, medium power
BFY51
TIP29A
NPN
TO220
1A
60V
40
30W
General purpose, high power
19
3.4. Các cách mắc BJT
Tuỳ vào cách đƣa tín hiệu vào và cách lấy
tín hiệu ra mà chia thành 3 cách mắc:
Mạch EC
Mạch BC
Mạch CC
20
Mạch EC
IC
IB
Ur
Uv
IE
(a)
21
Mạch CC
IE
E
IB
B
Ur
Uv
IC
C
(a)
22
Mạch BC
22V
56K
6,8K
10F
IC
IE
+
C
E
Uv
UBE = 0,7V
= 99; r0=
UR
Ur
IB
+
50F
B
+
8,2K
1,5K
10F
UV
(a)
H×nh 9
23
3.4. Các họ đặc tuyến
Đặc tuyến vào là quan hÖ gi÷a dßng ®iÖn vµo biÕn
thiªn theo ®iÖn ¸p vµo khi ®iÖn ¸p ra gi÷ kh«ng ®æi.
§Æc tuyÕn ra lµ quan hÖ gi÷a dßng ®iÖn ra biÕn thiªn
theo ®iÖn ¸p ra khi dßng ®iÖn vµo gi÷ kh«ng ®æi.
§Æc tuyÕn truyÒn ®¹t lµ quan hÖ gi÷a dßng ®iÖn ra
biÕn thiªn theo dßng ®iÖn vµo khi ®iÖn ¸p ra gi÷
kh«ng ®æi.
24
3.4.1. Mắc theo
-Đặc tuyến vào:
kiểu CB:
25