Tải bản đầy đủ (.docx) (17 trang)

đề cương điện tử tương tự

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (77.54 KB, 17 trang )

Câu 1: K/n về chất bán dẫn, chất bán dẫn thuần, g.thích sự h.thàh bán
dẫn tạp loại N & nêu các đặc tính dãn điện of bán dẫn tạp loại N
*K/n: Cấu trúc năg lượg of chất rắn tinh thể gồm 3 vùg: // - Vùg hóa trị :
vùg ko thay đổi về năg lượg tươg ứg vs hạt nhân // - Vùg dẫn là vùg có
mức năg lượg nhỏ nhất => khả năg dẫn tốt // - Vùg cấm là vùg ko exist
mức năg lượg nào // =>> Mức năg lượg liên kết là mức năg lượg chênh
lệch giữa vùg hóa trị & vùg dẫn, ký hiệu: đơn vị tính là electron-volt (eV).
Tùy theo g.trị Eg mà chia chất rắn tinh thể thàh 3 loại theo tính dẫn điện
sau: // + Chất cách điện: Eg > 2eV // + Chất bán dẫn thườg: 0 < Eg < 2eV
+ Chất dẫn điện Eg < 0eV // Chất bán dẫn thườg là chất bán dẫn có lẫn
tạp chất, nồg độ tạp chất này ko nh`
// * K/n chất bán dẫn thuần : là
chất bán dẫn tinh khiết k lẫn tạp chất,ko có khả năg dẫn điện.2 chất bán
dẫn điển hình là Si & Ge có =1,12eV, =0,72eV, đều nằm (.) nhóm IVA bảg
tuần hoàn //
*Sự h.thàh chất bán dẫn tạp loại N(HÌNH VẼ):
Khi pha trộn côg nghệ chất bán dẫn thuần (hóa trị 4) vs tạp chất ( hóa trị
5) ( như As,P,…) thì (.) mối liên kết đôi hóa trị of 2 chất bán dẫn thuần vs
tạp chất,mỗi nguyên tử tạp chất sẽ bị dư 1 điện tử ở vòg ngoài ko tham gia
liên kết đối hóa trị nên trở thàh điện tử tự do.Do đó chất bán dẫn tạp loại
N dẫn điện // => Chất bán dẫn tạp loại N dẫn điện theo hạt dẫn đa số là e
tự do mag điện tích âm nên gọi là chất bán dẫn tạp N Nồg độ hạt dẫn đa
số là nồg độ hạt dẫn chủ yếu (.) chất bán dẫn tạp. Nồg độ hạt dẫn đa số (.)
bán dẫn tạp loại N là () tỷ lệ thuận vs nồg độ tạp chất pha trộn // Tuy nhiên
(.) chất bán dẫn thuần ko hoàn toàn tinh khiết nên exist các hạt dẫn mag
điện tích dươg chính là lỗ trốg có nồg độ là () có g.trị rất nhỏ.Như vậy chất
bán dẫn tạp loại N dẫn điện theo hạt dẫn đa số là điện tử tự do vì nồg độ
hạt dẫn đa số lớn hơn rất nh` nồg độ hạt dẫn thiểu số,đây cũg là đk exist
bán dẫn tạp loại N
Câu 2: K/n về chất bán dẫn, chất bán dẫn thuần, g.thích sự h.thàh bán
dẫn tạp loại P & nêu các đặc tính dẫn điện of bán dẫn tạp loại P


*Sự h.thàh chất bán dẫn tạp loại P: khi pha trộn côg nghệ chất bán dẫn
thuần (hóa trị 4) vs tạp chất( hóa trị 3) thì (.) mối liên kết đôi hóa trị of 2
chất bán dẫn thuần vs tạp chất, mỗi nguyên tử tạp chất sẽ bị thiếu 1 điện
tử tự do ở vòg ngoài để tham gia liên kết đôi hóa trị nên dễ nhận điện tử tự
do để trug hòa về điện,trở thàh lỗ trốg tự do mag điện tích dươg.Do đó


bản chất dẫn tạp loại P dẫn điện theo hạt dẫn đa số là lỗ trốg mag điện tích
(+) nên gọi là bán dẫn tạp loại P. // Nồg độ hạt dẫn đa số là nồg độ hạt dẫn
chủ yếu (.) chất bán dẫn tạp.Nồg độ hạt dẫn đa số (.) bán dẫn tạp loại P là
() tỷ lệ thuận vs nồg độ tạp chất pha trộn // Tuy nhiên (.) chất bán dẫn
thuần ko hoàn toàn tinh khiết nên exist các hạt dẫn mag điện tích âm
chính là điện tử tự do có nồg độ là () có g.trị rất nhỏ. Như vật chất bán dẫn
tạp loại P dẫn điện theo hạt dẫn đa số là lỗ trốg vì nồg độ hạt dẫn đa số lớn
hơn rất nh` nồg dộ hạt dẫn thiểu số,đây cũg là đk exist bán dẫn tạp loại P.
Câu 3 K/n về tiếp giáp PN & g.thích q.trình h.thàh tiếp giáp PN
*K/n về tiếp giáp PN: khi cho 2 miếg bán dẫn tạp loại p & n t.xúc côg nghệ
vs nhau sẽ hình thành 1 tiếp giáp P-N (HÌNH VẼ) //
-Ứ.dụg: là cơ sở cấu tạo hầu hết các linh kiện bán dẫn như đi-ốt bán dẫn,
tranzitor // *Q.trình h.thàh tiếp giáp P-N: // - Do sự chênh lệch nồg độ hạt
dẫn đa số ở miền này vs nồg độ hạt dẫn thiểu số ở miền còn lại nên khi đc
t.xúc côg nghệ vs nhau các hạt dẫn xảy ra h.tượg khuếch tán & tái hợp // Điện tử tự do ở miền N sẽ ồ ạt khuếch tán sag miền P để trug hao hay tái
hợp vs lỗ trốg ở miền P, do đó ở vùg tiếp giáp sẽ xảy ra h.tượg : // + Phía
bản N sẽ bị thiếu điện tử tự do nên tích điện dươg // + Phía bản P sẽ bị
thừa điện tử tự do nên tích điện âm // => Như vậy ở vùg tiếp giáp sẽ h.thàh
1 điện trườg hướg từ N sag P gọi là điện trườg t.xúc có t.dụg ngăn cản sự
chuyển độg khuếch tán of điện tử tự do từ bản N sag bản P.Chính vì vậy
mà nó còn đc gọi là hàg rào điện thế. // H.tượg khuếch tán hạt dẫn sẽ chấm
dứt khi trườg t.xúc đủ lớn ở đk chuẩn thì có g.trị như sau : // +Vs bán dẫn
tạp đc chế tạo từ Ge: =0,3V // +Vs bán dẫn đc chế tạo từ Si: =0.6V. // G.trị

này còn phụ thuộc vào nồg độ of chất bán dẫn tạp & nhiệt độ m.trườg
Câu 4 Tr.bày t.chất dẫn điện of tiếp giáp PN
-Trạg thái cân = độg of t.xúc P-N sẽ bị thay đổi khi ta đặt 1 điện trườg
ngoài lên 2 đầu of tiếp giáp - ta gọi đó là phân cực cho tiếp giáp // Phân cực
thuận cho tiếp giáp P-N là ta đặt điện trườg ngoài () có cực (+) vào P, cực
(-) vào N (HÌNH VẼ)
Lúc này ta thấy điện trườg ngoài ngược chiều điện trườg t.xúc => hàg rào
điện thế bị thu hẹp => giảm khả năg ngăn cản sự chuyển độg gia tốc of các
hạt dẫn,tức có d.điện thuận chạy qua tiếp giáp P-N. Khi vượt quá g.trị thì
hàg rào điện thế bị biến mất => d.điện thuận sẽ tăg nhah chóg // Phân cực


ngược cho tiếp giáp P-N là ta đặt điện trườg ngoài có cực (+) vào N, cực
(-) vào P như hình vẽ (HÌNH VẼ)
Lúc này điện trườg ngoài cùg chiều vs điện trườg t.xúc =>hàg rào điện thế
mở rộg thêm => gia tăg khả năg ngăn cản sự chuyển độg gia tốc of các hạt
dẫn => ko có d.điện ngược chạy quá tiếp giáp P-N.Tuy nhiên,do exist hạt
dẫn thiểu số bên tiếp giáp P có nồg độ nhỏ => exist d.điện ngược có g.trị
rất nhỏ chạy qua
Câu 5: Tr.bày đđ cấu tạo, ký hiệu, vẽ & g.thích đặc tuyến V-A of Diode
bán dẫn
- Đi-ốt bán dẫn đc cấu tạo trên cơ sở of 1 tiếp giáp P-N,bản cực P đc gắn 1
điện cực gọi là a-nốt (A),bản cực N đc gắn 1 điện cực là ka-tốt (K). Tiếp
giáp P-N of điôt đc h.thàh bỏi 2 loại t.xúc cơ bản: // + Chuyển tiếp mặt :
Diện tích t.xúc 2 đơn tinh thể lớn //
+ Chuyển tiếp điểm: Diện tích t.xúc giữa 2 đơn tinh thể nhỏ( HÌNH VẼ
1) //
Đặc tuyến V-A ofđi-ốt bán dẫn( HÌNH VẼ 2)
-Vùg I gọi là vùg phân cực thuận,khi điện trườgvượt quá g.trị điện trườg
t.xúc Etx thì dòg thuận tăg nhah theo điên trườg (+ ) // - Vùg phân cực

ngược đc chia làm 2 vùg: vùg II là vùg d.điện ngược có g.trị rất nhỏ & tăg
dần theo g.trị điện trườg ngược // - Vùg III là vùg đánh thủg khi g.trị
trườg ngược đạt tới 1 g.trị nào đó,cườg độ điện trườg quá lớn sẽ xảy ra
h.tượg phóg điện giữa 2 điện cực đánh thủg tiếp giáp P-N lúc đó d.điện tăg
mạnh làm hỏg tiếp giáp
Câu 6: Tr.bày đđ cấu tạo, phân loại & ký hiệu oftranzitor lưỡg hạt
Tranzitor lưỡg hạt (BJT) đc cấu tạo bởi 3 miếg bán dẫn tạp # loại ghép xen
kẽ nhau như hình vẽ( HÌNH VẼ) //
*Đđ cấu tạo: // - Lớp bán dẫn tạp bên ngoài có bề dày lớn nhất & nồg độ
tạp chất cao nhất đc gắn 1 điện cực gọi là cực phát có ký hiệu: E // - Lớp
bán dẫn tạp ở giữa có bề dày rất mỏg & nồg độ tạp chất rất thấp đc gắn 1
điện cực gọi là cực gốc ký hiệu B
-Lớp bán dẫn tạp còn lại có bề dày & nồg độ tạp chất trug bình đc gắn 1
điện cực gọi là cực góp ký hiệu C // - H.thàh 2 lớp tiếp giáp P-N là & //
*Phân loại :Vs đđ cấu tạo như vậy tranzitor sẽ có 2 loại PNP & NPN: //Loại PNP đc gọi là tranzitor thuận vs cấu trúc //- Loại NPN đc gọi là
tranzitor ngược vs cấu trúc (HÌNH VẼ 1+2)


Câu 7 Tr.bày ng lý hoạt động of tranzitor lưỡg hạt
- Để tranzitor lưỡg hạt(BJT) làm việc đc như 1 phần tử đ.khiển or khuếch
đại thì :
+ Tiếp giáp ph đc phân cực thuận // + Tiếp giáp đc phân cực ngược
-Vì ng lý làm việc cả 2 loại tranzitor cơ bản đều giốg nhau, chỉ # nhau về
loại hạt dẫn tự do là điện từ (NPN) hay lỗ trốg (PNP) we chỉ xét cụ thể cho
1 loại : ví dụ loại NPN // Ta có mạch cấp nguồn như hình vẽ( HÌNH VẼ)
Dưới t.dụg of điện trườg phân cực thuận hạt dẫn đa số (e) từ miền E sẽ ồ
ạt chuyển độg gia tốc sag miền B tạo thàh d.điện Emicter(). Do miền Baser
có nồg độ tạp chất rất nhỏ nên chỉ có 1 phần rất nhỏ các điện tử từ
Emicter sag tái hợp vs lỗ trốg tạo thàh dòg Baser còn đâu sẽ tập trug tại
tiếp giáp // Mặc dù tiếp giáp đc phân cực ngược but do bề dày of miền

baser là rất mỏg,hơn nữa trườg gia tốc có g.trị lớn=+ cho nên các điện tử
vẫn dễ dàg vượt qua tiếp giáp sang miền collector để tạo thàh dòng () //
Khi thay dổi g.trị điện trườg phân cực thuận thì sẽ thay đổi lượg hạt dẫn
chuyển độg từ miền E sag B.Tuy nhiên do miền B có nồg độ rất thấp cho
nên chỉ có 1 phần nhỏ lượng hạt dẫn tạo thàh dòng sẽ thay đổi ko đág kể
=> 1 số lượg lớn hạt dẫn tạo thàh dòg collector // Vậy ng lý làm việc chug
of tranzitor lưỡg hạt (BJT) là dùg d.điện nhỏ để đ.khiển d.điện lớn hay
Câu 8. Vẽ & g.thích họ đặc tuyến ra oftranzitor BJT( loại NPN) mắc kiểu
E chug
Đặc tuyến ra biểu diễn mqh phụ thuộc giữa d.điện ra vs điện áp ra khi
điện áp hay d.điện lối vào / ko đổi: = = const . Họ đặc tuyến ra of
tranzitor mắc EC ( loại NPN) đc mô tả as hình vẽ (HÌNH VẼ ) //
Ứng vs mỗi g.trị of điện áp or d.điện vào ta có 1 đườg đặc tuyến ra, tập
hợp các đườg đặc tuyến ra ta sẽ lập thàh 1 họ đặc tuyến ra. Can chia làm 3
vùg: // - Vùg I: d.điện ra phụ thuộc nh` vào điện áp ra & có tính tuyến
tính, lúc này tranzitor làm việc as 1 điện trở thuần nên thườg ko use.Vùg
này nằm dưới điểm A // - Vùg II : d.điện ra ít phụ thuộc vào điện áp ra mà
chủ yếu phụ thuộc vào d.điện hay điện áp lối vào,tranzitor làm việc as 1
phần tử đ.khiển nên vùg này đc gọi là vùg làm việc.Vùg này nằm giữa A &
B. // - Vùg III nằm ngoài điểm B,khi điện áp ra vượt qúa 1 g.trị giới hạn
nào đó thì d.điện ra tăg nhanh theo điện áp ra làm phá hỏg các tiếp giáp
PN of tranzitor do đó vùg này là vùg đánh thủg


Câu 9+ 10 :Nêu k/n về phân cực cho tranzitor BJT & tr.bày pp phân cực
kiểu định dòg trực tiếp có hồi tiếp d.điện VÀ tr.bày pp phân cực kiểu định
dòg gián tiếp( phân áp) có hồi tiếp d.điện
*K/ n :Phân cực cho tranzitor là x.định ra các g.trị d.điện & điện áp 1 chiều
cụ thể để x.định điểm côg tác tĩnh P // Điểm côg tác tĩnh P đc x.định bởi 1
đườg đặc tuyến ra vs 1 g.trị nhất định of d.điện hay điện áp phân cực. Điểm

côg tác tĩnh P có tọa độ đc x.định = 3 g.trị d.điện & điện áp phân cực tĩnh 1
chiều cụ thể.Tọa độ P[,,]
Mạch điện of pp phân cực kiểu định dòg trực tiếp có hồi tiếp d.điện
(HÌNH VẼ)
Câu 9 :* Tr.bày pp phân cực :Đối vs mạch điện này: Theo định luật
Kỉchoff ta tính đc dòg phân cực L: = + = + (β+ 1)
=[ + β+ 1) ] + => = // Vì tiếp giáp đc phân cực thuận nên có g.trị rất
thấp ( 0,2-0,7V ) tùy thuộc vào loại bán dẫn tạp & tranzitor // Cách tính
d.điện & điện áp còn lại of điểm côg tác tĩnh P : =β
, = (β+1) , =- - =- β – (β+1)
Câu 10: * Tr.bày pp phân cực kiểu định dòg gián tiếp( phân áp) có hồi tiếp
d.điện
Mạch điện of pp phân cực kiểu định dòg gián tiếp( phân áp) có hồi tiếp
d.điện(
HÌNH VẼ)
Sơ đồ tươg đươg Thevenin
= , = // Use sơ đồ tươg đươg Thevenin ta tính đc =. =.
=> = // Vì tiếp giáp đc phân cực thuận nên có g.trị rất thấp (0,2-0,7V) tùy
thuộc vào loại bán dẫn tạp & tranzitor// Các g.trị d.điện & điện áp còn lại
of điểm côg tác tĩnh P: =β , = (β+1)
,=- - =-β – (β+1)
Câu 11: Tr.bày đđ cấu tạo,p.loại & ký hiệu of tranzitor thườg cực cửa tiếp
giáp (JFET)
*Cấu tạo :- Trên 1 khối bán dẫn tạp có nồg độ cao gọi là kênh dẫn ng ta
thườg phủ 1 lớp bán dẫn tạp # loại có nồg độ thấp hơn gọi là vỏ // - Lớp vỏ
đc gắn 1 điện cực gọi là cực cổng có ký hiệu G // - 2 đầu kênh dẫn đc gắn 2
điện cực : // +Cực nguồn có ký hiệu S ( nồg độ cao) // + Cực mág có ký hiệu


D ( nồg độ thấp) // - 1 tiếp giáp P-N đc hình thàh giữa kênh dẫn vs lớp vỏ

màu xám (.) hình vẽ (HÌNH VẼ) //
*P.loại theo cấu tạo : //+ Nếu kênh dẫn là bán dẫn tạp loại N thì vỏ sẽ loại
P. Tranzitor thườg loại này đc gọi là JFET kênh dẫn loại N, ký hiệu as
hình (b) // + Nếu kênh dẫn là bán dẫn loại P thì vỏ sẽ là loại N. Tranzitor
thườg loại này đươc gọi là JFET kênh dẫn loại P, ký hiệu as hình (c)
Câu 12: Tr.bày ng lý hđ of transitor trườg cực cửa tiếp giáp
Để tranzitor trườg JFET làm việc đc thì tiếp giáp P-N ph đc phân cực
ngược & 2 đầu kênh dẫn ph đặt 1 điện trườg thích hợp sao cho hàg rào
điện thế đc mở rộg dẫn từ S tới D.Vì 2 loại JFET # nhau về chất bán dẫn
tạp làm vỏ & kênh dẫn nên ta ph đặt điện trườg phân cực ngược # nhau.
But giốg nhau về đk làm việc nên ta can g.thích cho kênh dẫn loại n
(HÌNH VẼ)
+ Điện trườg phân cực ngược cho tiếp giáp PN là điện áp // + Điện trườg
để tạo d.điện giữa cực mág & cực nguồn là // Vì ko có d.điện chảy qua tiếp
giáp phân cực ngược cho nên d.điện chảy (.) JFET chỉ có 1 là dòg cực mág
cũg là dòg cực nguồn (), = // Do điện áp & đc mắc nối tiếp => điện trườg
ngược sẽ tăg dần từ cực S đến cực D.Dẫn đến JFET bị chai thàh 2 vùg có
t.chất dẫn điện # nhau Vùg hàg rào điện thế :là vùg ko cho phép hạt dẫn
dịch chuyển cho nên gọi là vùg cấm. Vùg cho phép hạt dẫn dịch chuyển để
tạo thàh d.điện gọi là vùg dẫn. // Tổng thể tích 2 vùg này là kênh dẫn =>
ko đổi vs mọi g.trị of điện trườg => sự thay đổi 2 vùg này là ngược
nhau : //+Khi điện trườg thì vùg cấm có g.trị nhỏ nhất => vùg dẫn lớn
nhất => d.điện mág là lớn nhất // + Khi tăg g.trị => hàg rào điện thế mở
rộg => vùg cấm tăg dần => vùg dẫn bị thu hẹp => d.điện mág giảm dần //
+Khi tăg g.trị đến 1 g.trị nào đó => vùg cấm giao nhau ở phía cực D => hạt
dẫn ko thể dịch chuyển qua hàg rào điện thế => d.điện mág.G.trị điện áp
này là g.trị điện áp cắt // Vậy tranzitor trườg JFET làm việc theo ng lý use
điện áp nhỏ k có d.điện để đ.khiển d.điện mág có g.trị lớn
Câu 13: Tr.bày đđ cấu tạo, p.loại & ký hiệu of tranzitor trườg cực cửa
cách ly (IGFET/MOSFET)

*Cấu tạo : Trên 1 khối bán dẫn tạp có nồg độ tạp chất cao gọi là đế,ng ta
tạo ra 2 vùg dẫn tạp # loại có nồg độ cao hơn đế .2 vùg này đc gắn 2 điện


cực gọi là cực nguồn S & cực mág D.Cực đế cũg đc nối ra 1 điện cực //
Giữa 2 điện cực S & D đc nối thôg vs nhau qua kênh dẫn.Nếu kênh dẫn có
sẵn ngay cả khi chế tạo là kênh dẫn có sẵn,còn nếu đc hình thàh sau khi
đặt điện trườg thích hợp thì là kênh dẫn ko có sẵn. //Phía đối diện vs đế
qua kênh dẫn đc đặt 1 điện cực kim loại sao khi đã phủ 1 lớp cách điện
SiO2.Điện cực này đc gọi là cực cổng G // Kênh dẫn thườg đc hình thàh
mag điện tích giốg vs điện tích of hạt dẫn đa số of bán dẫn tạp làm 2 điện
cực S & D.Nên ta có 2 loại kênh dẫn là n or p.Ta cũg có 2 tiếp giáp PN theo
cấu tạo là tiếp giáp P-N có sẵn & ko có sẵn (HÌNH VẼ). //
Do đđ cấu tạo=> chia MOSFET/IGFET thàh 4 loại (HÌNH VẼ)
+ MOSFET/IGFET kênh dẫn có sẵn loại n(a) //+ MOSFET/IGFET kênh
dẫn có sẵn loại p (b) //+ MOSFET/IGFET kênh dẫn ko có sẵn loại n (c) //+
MOSFET/IGFET kênh dẫn ko có sẵn loại p( d)
Câu 14 Tr.bày ng lý hđ of tranzitor trườg cực cửa cách ly
(IGFET/MOSFET)
Ng lý làm việc MOSFET nói chug đều là use điện trườg để đ.khiển dòg
mág có g.trị lớn.Can chia làm nhóm ng lý theo p.loại of MOSFET là kênh
dẫn có sẵn & ko có sẵn,ứg vs nguyên tắchug là các tiếp giáp đc phân cực
ngược // Vs mỗi nhóm, chúg có ng lý làm việc as nhau,chỉ # về chiều of
điện trườg gia tốc & điện trườg đ.khiển.Nên ta can lấy VD cho kênh dẫn
loại n //Vs MOSFET kênh dẫn có sẵn loại n (HÌNH VẼ)
Vì đã có sẵn kênh dẫn nối giữa S & D nên khi có điện trườg sẽ tạo thàh
dòg mág // Nếu >0 thì sẽ thu hút lực điện tử thiểu số từ đế & tăg cườg hạt
dẫn cho kênh dẫn => dòg mág tăg- chế độ làm giàu kênh dẫn // Nếu < 0
thì sẽ đẩy các điện tử tự do ra khỏi kênh dẫn về đế. Lượg hạt dẫn ở kênh
dẫn giảm dần=> Dòg mág giảm - chế độ làm nghèo kênh dẫn.Nếu đạt đến

g.trị nào đó làm kênh dẫn ko còn hạt nhân => dòg mág = 0 thì g.trị đó là
điện áp cắt // As vậy, ng lý chug là dùg điện trườg để đ.khiển d.điện mág
có g.trị lớn
Câu 15: Hồi tiếp (.) các tầg khuếch đại là gì.Hồi tiếp theo quan hệ góc pha
bao gồm có n~ loại nào, nêu ả hưởg & ứ dụg of từng loại hồi tiếp đó
- Hồi tiếp là :trích 1 phần tín hiệu ở đầu ra quay trở về đầu vào of bộ
khuếch đại nhằm cải thiện 1 vải chỉ tiêu chất lượg of 1 vài tham số nào đó
of 1 tần khuếch đại hay of 1 bộ khuếch đại nh` tầg // - Hồi tiếp theo quan


hệ góc pha giữa tín hiệu hồi tiếp & tín hiệu vào thì hồi tiếp có 2 loại : Nếu
pha of tín hiệu hồi tiếp trùg pha vs tín hiệu vào thì là hồi tiếp dươg,ngược
thì là hồi tiếp âm. // +Hồi tiếp âm: làm giảm hệ số khuếch đại K but tăg
tính ổn định S.Hệ số khuếch đại = (.) đó β-hệ số truyền đạt of khâu hồi
tiếp β = . Độ ổn định = (K,S hệ số khuếch đại & độ ổn định khi chưa có hồi
tiếp) // - As vậy hồi tiếp âm đc dùg (.) mạch khuếch đại tín hiệu ( trừ mạch
dao động tự kích) vì n~ mạch này cần tính ổn định nhiệt cũg as hệ số
khuếch đại & 1 số chỉ tiêu kĩ thuật # // +Hồi tiếp dươg :tăg hệ số khuếch
đại (K) but làm giảm độ ổn định (S).Hệ số khuếch đại = Độ ổn định = //As
vậy hồi tiếp dươg dùg (.) mạch tạo dao động tự kích vì lúc đó cần có độ
mất ổn định cao mới tự dao động đc
Câu 16 Méo tín hiệu (.) các bộ khuếch đại là gì.Có n~ loại méo tín hiệu nào
& nguyên x cũg as hậu quả of méo tín hiệu là gì
*K/n :Méo tín hiệu là sự thể hiện (tham số đ.giá) tính ko trug thực of 1 bộ
khuếch đại. Ngĩa là tín hiệu ra ko thật sự giốg vs tín hiệu vào of nó. // Méo tín hiệu có 2 loại là méo phi tuyến & méo tần số : // + Méo phi
tuyến:là méo do đườg đặc tính biên độ ko tuyến tính.Nguyên x là do các
đườg đặc tính vôn-ampe of các phần tử tạo thàh mạch khuếch đại mà chủ
yếu là tranzitor là các đườg phi tuyến gây ra.Hậu quả là làm cho đườg tín
hiệu ra ko giốg as hình dạg tín hiệu vào. // + Méo tần số là sự suy giảm tần
số do hệ số khuếch đại ko đồg đều (.) giải tần số côg tác.Nguyên x là do use

các phân tử có tham số phụ thuộc vào tần số as cảm khág,dug khág or do
điện cảm & điện dug ký sinh (.) mạch điện cũg as các phần tử # cấu thàh
mạch điện.Hậu quả là làm thu hẹp giải thôg of bộ khuếch đại


C 17:K/n về mạch khuếch đại điện áp,g.thích mạch & nêu t.chất of mạch
điện (.) hình
*K/n về mạch khuếch đại điện áp : Khi mức năg lượg of tín hiệu cần
khuếch đại còn có g.trị rất nhỏ thì v.đề cần care là cần ph nâg biên độ điện
áp tín hiệu lên đủ lớn.Do đó các mạch khuếch đại tín hiệu vào nhỏ là mạch
khuếch đại điện áp. (Hình vẽ mạch )
*G.thích mạch :Hình vẽ là tầg khuếch đại mắc E chug (OE) . (.) đó: // Phần tử khuếch đại là tranzitor T.Vì khì đưa điện áp khuếch đại vào giữa
2 cực B & E => g.trị điện áp thay đổi x.quanh điểm côg tác tĩnh => dòg, ,
cũg thay đổi x.quanh điểm côg tác tĩnh theo ng lý làm việc of tranzitor là
dùg dòg nhỏ để đ.khiển dòg lớn . As vậy tín hiệu ra đã đc khuếch đại về
biên độ // -& là 2 điện trở phân cực kiểu phân áp (định dòg gián tiếp) //là trở tải of tầg khuếch đại // - C1 ghép tín hiệu ở lối vào & phân cách thàh
phần 1 chiều giữa tầg khuếch đại vs tín hiệu vào // - C2 là tụ ghép tín hiệu
ra tải & phân cách thàh phần 1 chiều giữa tầg khuếch đại vs tải
*Các đđ cơ bản: // - Hệ số khuếch đại d.điện & điện áp đều lớn
( = 20 – 100 , = 200 – 5000) // - Điện áp ra ngược pha vs điện áp vào //+Trở
khág vào có g.trị nhỏ (< 50 Ohm) // - Trở khág ra có g.trị lớn gần =
(Kohm)
Câu 18: Nêu tên, g.thích mạch điện & ng lý làm việc of mạch khuếch đại
(.) hình vẽ
* Nêu tên, g.thích mạch điện :Hình vẽ là mạch khuếch đại côg suất đẩy
kéo vì dùg 2 tranzitor làm phần tử khuếch đại.(.) đó: //+2 phần tử khuếch
đại là 2 tranzitor giốg hệt nhau T1 & T2 // +2 điện trở phân cực tạo điểm
côg tác chế độ AB là & //+ Biến áp BA1 có n.vụ đảo pha,tạo ra ở thứ cấp 2
điện áp tín hiệu có biên độ = nhau & ngược pha // + Biến áp BA2 có n.vụ
kết hợp- ghép 2 nửa chu kỳ of tín hiệu từ đầu ra of các phần tử khuếch đại

thàh 1 chu kỳ đầy đủ of tín hiệu trên tải // *Ng lý làm việc : G.thiết ở 2
nửa chu kỳ dươg of tín hiệu vào có điện áp ở nửa trên of thứ cấp biến áp
đảo pha pha dươg & pha âm thì : //+< 0 làm T2 khóa => ko có dòg // + >
0 làm T1 thôg => dòg chảy từ cực dươg of nguồn qua nửa trên of sơ cấp
BA2 tạo nửa chu kỳ dươg of tín hiệu ở thứ cấp để cug cấp cho tải. // Sag
nửa chu kỳ âm thì ngược lại,là pha âm, là pha dươg thì : //+ < 0 làm T1
khóa => ko có dòg //+> 0 làm T2 thôg => có dòg chảy từ cực dươg of


nguồn cug cấp qua nửa cuối of BA2 taọ nên nửa chu kỳ âm of tín hiệu ở
thứ cấp để cug cấp cho tải // => Dù 2 tranzitor thay nhau,mỗi tranzitor chỉ
làm việc (.) 1 nửa chu kỳ (.) 2 nửa chu kỳ tín hiệu of diện áp tín hiệu vào
thì tín hiệu ra vẫn đủ 2 nửa chu kỳ

Câu 19: Nêu tên, g.thích mạch điện & ng lý làm việc of mạch khuếch đại
(.) hình
* Nêu tên, g.thích mạch điện : Hình vẽ là mạch khuếch đại côg suất đẩy
kéo ko dùg biến áp,vì ko use biến áp để đảo pha tín hiệu đầu vào // (.)
đó : // + Các điện trở , , có n.vụ tạo điểm côg tác chế độ B or AB // +2 phần
tử khuếch đại tranzitor T1 & T2 giốg nhau but # loại: 1 tranzitor thuận,1
tranzitor ngược,gọi là cặp thuận ngược //+ Tụ điện C1 để ghép tín hiệu vào
& phân cách thàh phần 1 chiều giữa tầg khuếch đại vs nguồn tín hiệu // +
Tụ điện C2 để ghép tín hiệu ra tải & tạo ra nguồn cug cấp ảo // *Ng lý làm
việc: Ở nửa chu kỳ dươg of tín hiệu vào,các baser of tranzitor đều có điện
thế dươg nên : // + Tiếp giáp of tranzitor 2 phân cực ngược khóa lại => ko
có dòg // + Tiếp giáp of transitor 1 phân cực thuận thôg => có dòg chảy
từ cực dươg of nguồn cug cấp quá tải,đồg thời nạp điện nhanh cho tụ C2
tạo thàh nửa chu kỳ dươg of tín hiệu trên tải // Nửa chu kỳ âm tiếp theo
thì điện thế trên các baser đổi dấu nên : // + Tiếp giáp of transitor 1 phân
cực thuận=> ko có dòg //+ Tiếp giáp of tranzitor 2 phân cực ngược => có

dòg do tụ điện C2 phóg điện tích dươg do đc nạp (.) nửa chu kỳ trước.Dòg
này chảy từ má dươg về má âm of tụ C2,có chiều ngược chiều d.điện đã
nạp ở nửa chu kỳ trước nên trên tải có nửa chu kỳ còn lại of tín hiệu // =>
Mỗi tranzitor chỉ làm việc (.) 1 nửa chu kỳ of tín hiệu vào sog trên tải vẫn
đầy đủ 2 nửa chu kỳ of tín hiệu
Câu 32 : K/n về ổn định điện áp, g.thích & ng lý làm việc of mạch ổn định
(.) hình vẽ.
(hình vẽ)
* K/n về ổn định điện áp :Ổn định điện áp là giữ cho điện áp trên tải ko
cho dù điện áp đầu vào or tải thay đổi.Đây là mạch điện ổn áp bù nối tiếp


dùg tranzitor // Theo sơ đồ thì T1 là tranzitor côg suất lớn làm n.vụ of
phần tử thực hiện,chịu sự điều khiển cử T2 làm n.vụ so sánh & khuếch đại
sai lệch.Mạch ổn áp tham số gồm & làm n.vụ tạo điện áp chuồn ở cực E
of T2. Nhóm R2,R3, VR là mạch phân áp để lấy mẫu of điện áp trên áp //
*Ng lý làm việc: G.thiết do 1 nguyên x nào đó làm cho điện áp trên tải tăg
lên thì ta có == tăg lên,tức tăg.(.) khi đó do có mạch ổn áp tham số làm
cho ko đổi nên =- tăg lên,tranzitor T2 dẫn dòg nh` hơn làm giảm =- ↑ . Từ
đó ta có theo g.thiết sẽ làm giảm mạnh điện áp of T1 dẫn dến nội trở T1
tăg lên kéo cho điện áp ra giảm về giá trị ổn định.Chiết áp VR để đặt điện
áp ra // Nhược điểm of mạch ổn áp bù nối tiếp là use tranzitor là phạm vi
ổn áp hẹp.Khi nhiệt độ thay đổi sẽ làm thay đổi dòg chảy qua tranzitor
nên cũg bị thay đổi theo

Câu 20 Vẽ & g.thích sơ đồ khối cấu trúc & ký hiệu of vi mạch khuếch đại
thuật toán, nêu có g.thích n~ đặc tính cơ bản of vi mạch khuếch đại thuật
toán
*Sơ đồ khối (HÌNH VẼ)
*Cấu trúc of bộ khuếch đại thuật toán bao gồm 2 tầg khuếch đại vi sai đầu

vào,&i tầg khuếch đại ghép trực tiếp & tầg khuếch đại mắc collector chug
ở đầu ra để đc trở khág ra nhỏ // Bộ khuếch đại thuật toán là 1 bộ khuếch
đại 1 chiều( ghép trực tiếp) đc use (.) các thuật toán biến đổi cho nên đc gọi
theo ứ.dụg là khuếch đại thuật toán.
*Ký hiệu of mạch KĐTT(HÌNH 2):
-Mạch gồm 2 lối vào & 1 lối ra (.) đó: //+ Lối vào đồg pha (+) có điện áp ra
đồg pha điện áp vào / // + Lối vào đảo pha (-) có điện áp ra đảo pha vs điện
áp vào: // +Chênh lệch điện áp lối vào= - // + Điện áp lối ra
*Đđ : // +Theo cấu trúc đầu vào là tầg khuếch đại trực tiếp => = - = 0 =>
hệ số khuếch đại vô cùg lớn // + Tầg đầu vào dùg tầg khuếch đại vi sai nên
ko có dòg đầu vào +Tầg đàu ra dùg tầg khuếch đại mắc collector chug nên
trở khág nhỏ


Câu 21:Vẽ mạch&c.minh ứ.dụg of vi mạch khuếch đại thuật toán làm bộ
khuếch đại đảo
*Mạch điện bộ khuếch đại đảo(HÌNH VẼ)
Gồm: + Điện áp vào đưa tới lối vào đảo pha thôg qua điện trở R1 // + Điện
áp cửa vào đồg pha = 0( nối mát) // + Điện áp hồi tiếp âm đc lấy thôg qua
điện trở // Do đđ of bộ khuếch đại thuật toán nên chênh lệch điện áp lối
vào: = - = 0 mà = 0 => =0.Vậy d.điện chạy qua điện trở R1: = // D.điện
chạy qua điện trở hồi tiếp : =- // Do đđ bộ khuếch đại thuật toán nên = 0
nên có:
= => = - =>hệ số khuếch đại điện áp of bộ khuếch đại đảo:
= = - (dấu – nghĩa là đảo )
Câu 22. Vẽ mạch & chứg minh ứg dụng of vi mạch khuếch đại làm bộ vi
phân đảo
*Mạch khuếch đại vi phân đảo( HÌNH VẼ)
Gồm: + Điện áp lối vào đc đưa vào lối vào đảo thôg qua tụ C //+ Điện áp
hồi tiếp âm đc lấy thôg qua R // Do đđ of bộ khuếch đại thuật toán nên

chênh lệch điện áp lối vào: = - = 0 mà =0=>=0 // Vậy d.điện chạy qua tụ
điện C: = C & d.điện hồi tiếp = // Do đđ bộ KĐTT nên = 0 nên ta có =
=>
C = => = - RC = - τ (.) đó τ = RC là hằg số vi phân
Câu 23:Vẽ mạch & chứg minh ứg dụng of vi mạch khuếch đại làm bộ tích
phân đảo
*Mạch khuếch đại tích phân đảo (HÌNH VẼ)
Gồm: + Điện áp lối vào đc đưa vào lối vào đảo qua điện trở R // +Hồi tiếp
âm đc lấy thôg qua tụ C // Do đđ of bộ KĐTT nên chênh lệch điện áp lối
vào = - =0 mà = 0 =>=0 // Vậy d.điện chạy qua điện trở R: =/R & d.điện
hồi tiếp
= // Do đđ bộ KĐTT nên = 0 nên ta có = =>
= /R =>= ∫ dt = ∫dt (.) đó là tần số
Câu 24 Vẽ mạch & chứg minh ứg dụng of vi mạch khuếch đại làm bộ cộng
đảo
*Mạch khuếch đại cộng đảo(HÌNH VẼ)


Gồm: + Các điện áp vào đc đưa vào lối vào đảo thôg qua các điện trở tươg
ứg // + Hồi tiếp âm đc lấy thôg qua điện trở hồi tiếp // Do đđ of bộ KĐTT
nên chênh lệch điện áp lối vào = - = 0 mà = 0 => = 0 // Vậy d.điện chạy
qua điện trở : = // Do bộ ĐKTT làm việc (.) vùg tuyến tính nên thỏa mãn
ng lý xếp chồg : = = ++…+ // Vs bộ khuếch đại đảo = - [] //Để trở thàh bộ
cộg đảo :
R1 = R2 = …= Rn = Rht ta có = [] =
Câu 25 Vẽ mạch & chứg minh ứg dụng of vi phân khuếch đại làm bộ trừ
tín hiệu
*Mạch khuếch đại làm bộ trừ tín hiệu
Kết hợp cả bộ khuếch đại đảo & bộ khuếch đại ko trên cùg 1 bộ KĐTT we
có 1 bộ trừ tín hiệu( HÌNH VẼ) /

*Mạch khuếch đại làm bộ trừ tín hiệu bao gồm : + Điện áp vào 1 đưa vào
lối vào ko đảo thông qua điện trở R2 và 1 lấy 1 lối ra nối mát thôg qua
điện trở R3. Điện áp vào 2 đưa vào lối vào đảo thôg qua điện trở R1 // +
Hồi tiếp âm đc lấy thôg qua điện trở Rht // Đđ bộ khuếch đại là kết hợp cả
2 bộ khuếch đại đảo và ko đảo // Theo b.thức tính K của bộ KĐ đảo,ko đảo
và bộ KĐTT làm việc (.) vùg tuyến tính nên ta có bt tính theo hệ số KĐ: //
+ Vs bộ khuếch đại đảo: = // +Vs bộ khuếch đại ko đảo: = ( 1+ = (1+ )
//Để trở thành bộ trừ thì R1 = Rht & R2 = R3 ta có = & =
=+ =-

Câu 26: tr.bày ng lý tạo dao độg điều hòa tự kích
Ng lý chug để tạo dao độg điều hòa tự kích là use 1 bộ khuếch đại có hồi
tiếp khi thỏa mãn đk cần & đủ // Sơ đồ khối of bộ khuếch đại có hồi tiếp vs
các tham số liên quan là (HÌNH VẼ)
Bao gồm 2 khâu: Khuếch đại & hồi tiếp // K-hệ số khuếch đại of khâu
khuếch đại


- góc dịch pha of khâu khuếch đại // β-hệ số truyền đạt of khâu hồi tiếp // góc dịch pha of khâu hồi tiếp // Đk cần: tổg góc dịch pha of cả khâu
khuếch đại ph đúg = nguyên lên 360 : += n2π // Ngĩa là tín hiệu hồi tiếp ph
trùg pha vs tín hiệu vào. Như vậy ph dùg hồi tiếp dươg // Đk đủ: Biên độ
of tín hiệu hồi tiếp ph ít nhất = biên độ tín hiệu đầu vào of bộ khuếch đại,
≥ & chia làm 2 phần : + (.) q.trình quá độ of mạch thì đk biên độ là: > // +
(.) q.trình xác lập of mạch thì đk biên độ là = //Ta có : K = & β = do đó ta
có : = . = K .β Vậy đk biên độ sẽ là k.β > 1
Câu 27: Nêu tên & đđ of các loại mạch tạo dao độg điều hòa đã học
- Mạch dao độg điều hòa use khug dao độg LC. Đđ: Mạch LC làm việc ở
dải tần số cao, hệ số phẩm chất ko cao,độ chính xác & độ ổn định tần số ra
ko ổn định,thấp & khả năg thay đổi tần số of dao độg lối ra cao,phụ thuộc
vào g.trị of LC: f =

- Mạch dao độg điều hòa use RC. Đđ: Mạch RC làm việc ở dải tần số thấp
(âm tần) khả năg thay đổi tần số ra phụ thuộc vào g.trị điện trở & tụ điện
& N: số khâu RC = // - Mạch tạo dao độg điều hòa thạch anh. Đđ: Mạch
thạch anh có tần số cao,độ chính xác & ổn định tần số ra cao & khả năg
thay đổi tần số of dao độg lối ra là ko thể mà chỉ có 1 g.trị x.định khi đc tạo
ra. // - Mạch tạo dao độg điều hòa kiểu tổg hợp tần số:Mạch tổg hợp là sự
kết hợp giữa mạch use khug dao độg LC & mạch dao độg thạch anh để có
3 thế mạnh về tần số là:tần số cao,độ ổn định & độ ch.xác cao of mạch dao
độg thạch a & khả năg thay đổi tần số of dao độg lối ra of khug dao độg
LC
Câu 28 Vẽ sơ đồ khối of nguồn chỉnh lưu & g.thích chức năg từng khối
(HÌNH VẼ)
Chức năg of từ khối: // 1) Khối biến áp : có chức năg biến đổi điện áp
xoay chiều từ lưới điện côg nghiệp về g.trị thích hợp vs điện áp of nguồn 1
chiều cug cấp cho các mạch điện từ.Ngoài ra nó còn có t.dụg cách ly vs
lưới điện,đảm bảo an toàn cho ng use 2) Khối chỉnh lưu: có chức năg biến
đổi điện áp xuay chiều sau biến áp về điện áp 1 chiều cần thiết cho máy
biến áp.Mạch lọc san = có chức năg san = điện áp sau chỉnh lưu đảm bảo
độ = phẳg of điện áp 1 chiều cug cấp cho các mạch điện từ // 3) Khối ổn
áp : Để ổn định điện áp ra 1chiều ,ở 1 số thiết bị, mạch ổn áp sẽ chug cho


cả nguồn cug cấp lấy từ các nguồn 1 chiều dự phòng (.) trườg hợp nguồn
chỉnh lưu bị sự cố
Câu 29 :Vẽ,g.thích ng lý làm việc & đđ of mạch chỉnh lưu 1 pha 2 nửa chu
kỳ có điểm trug tính
(HÌNH VẼ)
Biến áp có cuộn thứ cấp có điểm giữa nối vs điểm chug vs điểm có điện thế
0V of mạch. Chức năg để tạo ra 2 nửa điện áp nc pha nhau & . Đồg thời
use 2 điốt D1& D2 để thay phiên nhau work (.) mỗi nửa chu kỳ of

d.điện.Rt điện trở đặc trưg cho tải *Ng lý làm việc: ở nửa chu kỳ dươg of
điện áp vào,nếu g.thiết > 0 thì ta có > 0 &< 0, do đó: : // +< 0,điốt D2 khóa
do phân cực ngược // + >0, điốt D1 thôg ,có d.điện thuận chảy từ điểm A
qua D1,qua tải về đến điểm “0” tạo nên 1 nửa chu kỳ of điện áp trên tải có
chiều // Sag nửa chu kỳ âm,điện áp xuay chiều đổi chiều.Do đó,D1 bị phân
cực ngược,khóa lại .D2 phân cực thuận nên có dòg thuận chảy từ điểm B
qua D2,qua tải về đến điểm “0” tạo nửa chu kỳ còn lại trên tải
- Như vậy (.) 2 nửa chu kỳ điốt thay phiên nhau làm việc (.) từng nửa chu
kỳ.Tuy nhiên cả 2 dòg chảy đều đi theo 1 hướng nất định. Theo đồ thị time
thì điện áp sau chỉnh lưu là liên tục,ko bị gián đoạn.Trên tải luôn exsit điện
áp 1c (.) cả 2 nửa chu kỳ of điện áp xoay chiều . // - Đđ of mạch chỉnh lưu
này: // +Có hiệu suất use nguồn điện cao // + Y.cầu điểm “0” of cuộn thứ
cấp biến áp ph tuyệt đối cân xứg về cả điện áp cảm ứg & cả nội trợ.Nếu ko
sẽ giảm chất lượg nguồn cấp 1c đầu ra // + Bắt buộc use máy biến áp dẫn
đến hạn chế cug cấp nguồn điện cho các thiết bị có côg suất lớn
Câu 30: Vẽ g.thích ng lý làm việc & đđ of mạch chỉnh lưu cầu 1 pha
(HÌNH VẼ)
Ng lý làm việc: + G.sử ở nửa chu kỳ dươg of điện áp xuay chiều > 0,điểm
A có điện thế dươg hơn điểm B nên các điốt D1 & D3 phân cực ngược nên
khóa lại.D2 & D4 phân cực thuận nên thôg & có dòg thuận chảy từ A qua
D2,qua tải Rt & qua D4 về B
D.điện chảy qua tải từ điểm a về điểm b // + Sag nửa chu kỳ âm thì <
0,điểm A có điện thế âm hơn điểm B nên các điốt D2 & D4 phân cực ngược
nên khóa lại. D1 & D3 phân cực thuận nên thôg & có dòg thuận chảy từ B
qua D3 đến tải quá D1 & trở về điểm A // Như vậy ở cả 2 nửa chu kỳ of
điện áp đầu vào đều có d.điện chảy qua Rt theo 1 hướg từ a về b.Theo đồ


thị time thì điện áp sau chỉnh lưu là liên tục,ko bị gián đoạn. Trên tải luôn
exsit điện áp 1c (.) cả 2 nửa chu kỳ of điện áp xc.Nên để đảm bảo tính đối

xứg of mạch thì cả 4 điốt ph hoàn toàn giốg nhau //- Đđ of mạch chỉnh lưu
cầu : + Có hiệu suất use nguồn điện cao //+ Cuộn thứ cấp biến thế giảm 1
nửa làm cho biến thế nhỏ gọn hơn or ko cần thiết ph use biến thế // + Điện
áp ngược đặt lên mỗi điốt cũg giảm 2 lần // +Mạch có thể cấp nguồn có
côg suất lớn

Câu 31 : Mạch lọc săn phẳg là gì, cón~ loại mạch lộc san phẳng nào & nêu
đđ of mỗi loại mạch lọc
Ta có hệ số đập mạch: // : biên độ thành phần hài lớn nhất/ /: g.trị trug
bình of d.điện hay điện áp trên tải // - Tính đc : // +Đối vs mạch chỉnh nửa
chu kỳ, =1,58 // + Đối vs mạch chỉnh 2 nửa chu kỳ, = 0.667 // Như vậy hệ
số đập mạch can dùg để đ.giá chất lượg of nguồn cấp 1 chiều.Chất lượg of
nguồn cấp 1c sẽ tỷ lệ nghịch vs hệ số đập mạch // Để nguồn sau chỉnh lưu
có thể cug cấp đc cho các mạch điện từ hđ we ph use các mạch lọc nhằm
m.đích giảm thiểu hệ số đập mạch cho điện áp & d.điện đầu ra of các
mạch chỉnh lưu// Có 2 dạg mạch lọc nguồn cơ bản là : +Lọc nguồn = điện
dug: Ta use 1 tụ điện C mắc sog sog vs tải.Hệ số đập mạch of bộ lọc điện
dug đc x.định : // Theo đó,t.dụg lọc càg rõ rệt khi C& có g.trị lớn nên
thích hợp vs tải có côg suất vừa & nhỏ.Vs bộ chỉnh lưu d.điện côg
nghiệp(50/60 Hz) trị số of tụ C phụ thuộc & thườg có g.trị từ vài μF đến
vài chục nghìn μF,tức là phụ thuộc vào côg suất tiêu thụ of mạch hay thiết
bị use.Khi tần số nguồn xoay chiều càg tăng thì g.trị of C ko cần thiết ph
quá lớn & can tăg đc khả năg cấp nguồn cho tải có côg suất lớn hơn // +
Lọc nguồn = điện cảm: Ta use cuộn cảm
( cuồn chặn) mắc nối tiếp vs tải. Hệ số đập mạch of bộ lọc điện cảm đc
x.định : // Theo đó t.dụg of bộ lọc & tăg khi càg nhỏ.Vì vậy bộ lọc điện
cảm thích hợp cho mạch có nguồn côg suất vừa & nhỏ.Tuy nhiên ph hạn
chế use bộ lọc điện cảm vì điện trở thuần of cuộn dây mắc nối tiếp vs dòg
tải lớn sẽ gây tổn hao làm giảm hiệu suất nguồn chỉnh lưu





×