DSpace at VNU: Xác định hàm lượng một số kim loại nặng trong rau xanh ở Thành phố Hà Nội bằng phương pháp PIXE

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
----------

Phùng Khắc Nam Hồ

XÁC ĐỊNH HÀM LƯỢNG MỘT SỐ KIM LOẠI NẶNG
TRONG RAU XANH Ở THÀNH PHỐ HÀ NỘI
BẰNG PHƯƠNG PHÁP PIXE

Chuyên ngành: Vật l{ nguyên tử
Mã số: 60440106

LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC

NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC
PGS. TS. Bùi Văn Loát


Hà Nội - 2016


LỜI CẢM ƠN

Để hoàn thành Luận văn này, trước tiên em xin tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến PGS. TS. Bùi Văn
Loát, TS. Nguyễn Thế Nghĩa, CN. Bùi Thị Hoa đã tận tình truyền đạt kiến thức, và tạo mọi điều kiện
thuận lợi để em tiến hành thực nghiệm và hoàn thành Luận văn này.
Em chân thành cảm ơn qu{ Thầy Cô trong Bộ môn Vật l{ hạt nhân, qu{ Thầy Cô trong khoa
Vật l{ và Trường Đại học Khoa học Tự nhiên đã tận tình truyền đạt kiến thức trong những năm em
học tập. Với vốn kiến thức được tiếp thu trong quá trình học tập không chỉ là nền tảng cho quá
trình nghiên cứu Luận văn mà còn là hành trang qu{ báu để em bước vào đời một cách vững chắc

và tự tin.
Em cũng xin gửi lời cảm ơn chân thành tới Ban chủ nhiệm Khoa Vật l{, phòng Sau đại học,
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên đã quan tâm, tạo điều kiện giúp đỡ em hoàn thành Luận văn
này.
Qua đây em cũng xin gửi lời cảm ơn tới những nguời thân trong gia đình, bạn bè, đồng
nghiệp đã chia sẻ với em những buồn vui trong cuộc sống, luôn ủng hộ và giúp đỡ em để em thực
hiện tốt Luận văn này.
Cuối cùng em kính chúc qu{ Thầy Cô dồi dào sức khỏe, thành công trong sự nghiệp trồng
nguời cao qu{.
Dù đã có nhiều cố gắng, xong do thời gian hạn chế nên Luận văn khó tránh khỏi những
thiếu xót và hạn chế. Em rất mong nhận đuợc sự chỉ bảo của qu{ Thầy Cô và sự đóng góp { kiến của
tất cả các bạn.
Em xin chân thành cảm ơn !

Hà Nội, ngày 30 tháng 11 năm 2016
Học viên
PHÙNG KHẮC NAM HỒ


MỤC LỤC

MỞ ĐẦU .................................................................................................................... 7
CHƢƠNG 1 - TỔNG QUAN.................................................................................... 8
1.1. Giới thiệu chung về rau xanh ............................................................................8
1.1.1. Đặc điểm rau xanh ..........................................................................................8
1.1.2.Tiêu chí rau an toàn .........................................................................................8
1.1.3. Các yếu tố gây ô nhiễm cho rau .....................................................................9
1.2. Cơ sở lý thuyết của phƣơng pháp phân tích PIXE .......................................10
1.2.1.Tia X đặc trƣng. Cơ chế phát tia X đặc trƣng gây bởi chùm hạt ..............10
1.2.2. Hiệu ứng Auger và hiệu suất huỳnh quang ................................................12

1.2.2.1. Hiệu ứng Auger ........................................................................ 12
1.2.2.2. Hiệu suất huỳnh quang ............................................................. 13
1.2.3. Năng suất hãm ...............................................................................................14
1.2.4. Tiết diện ion hóa ............................................................................................15
1.2.5. Suất lƣợng tia X đặc trƣng ...........................................................................18
1.2.6. Các phƣơng pháp phân tích định lƣợng .....................................................20
1.2.7. Nguồn gốc phông và giới hạn phát hiện ......................................................22

1.2.7.1. Nguồn gốc phông...................................................................... 23
1.2.7.2. Giới hạn phát hiện .................................................................... 25
CHƢƠNG 2 - ĐỐI TƢỢNG VÀ PHƢƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM .............. 26
2.1. Đối tƣợng nghiên cứu.......................................................................................26
2.2. Thiết bị và hệ phân tích PIXE.........................................................................26
2.2.1 Máy gia tốc 5SDH-2 Pelletron.......................................................................26

2.2.1.1. Nguồn ion ................................................................................. 27
2.2.1.2. Buồng gia tốc chính .................................................................. 28
2.2.1.3. Các hệ thống phụ trợ................................................................. 28

i


2.2.2. Buồng phân tích và bố trí thí nghiệm ..........................................................28
2.3. Phân tích mẫu dày bằng kỹ thuật PIXE ........................................................30
2.3.1. Chuẩn bị mẫu ................................................................................................30
2.3.2. Tiến hành phép đo .........................................................................................32
2.3.3. Ghi nhận phổ .................................................................................................32
2.3.4. Phân tích phổ và xử lý số liệu .......................................................................33
CHƢƠNG 3 - KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM ......................................................... 37

3.1. Xác định hệ số chuẩn H ..................................................................................37
3.2. Đánh giá độ chính xác của phƣơng pháp phân tích PIXE mẫu dày
(TTPIXE) .................................................................................................................38
3.3. Đánh giá độ đồng đều mẫu và độ lặp phép đoError!

Bookmark

not

defined.
3.4. Kết quả phân tích một số mẫu rau xanh tại Hà NộiError! Bookmark not
defined.
KẾT LUẬN .................................................................. Error! Bookmark not defined.
TÀI LIỆU THAM KHẢO ...................................................................................... 40
PHỤ LỤC ..................................................................... Error! Bookmark not defined.

ii


iii


DANH MỤC ĐỒ THỊ, HÌNH VẼ

Hình 1.1. Sơ đồ tạo lỗ trống (a) và phát xạ tia X đặc trưng (b) do khi bắn phá bởi proton
........................................................................................................................ 6
Hình 1.2. Sơ đồ tia X đặc trưng ................................................................................ 6

Hình 1.3. Quá trình phát electron Auger ................................................................... 7
Hình 1.4. Tiết diện ion hóa của vành K và vành L theo năng lượng ...................... 11

Hình 1.5. Các tiết diện ion hóa vạch K, L (ECPSSR) và M(CPWBA) như hàm của năng lượng ion tới
(E/U) đối với hạt tới là proton. U (keV) là năng lượng biên hấp thụ của nguyên tử bia
............................................................................................. 12
Hình 1.6. Mỗi quan hệ khác nhau giữa diện tích tiết diện chùm tia và mẫu trong PIXE
........................................................................................................................ 14

Hình 1.7. Hình học chung cho phân tích mẫu dày TTPIXE ................................... 15
Hình 1.8. Sự đóng góp tương đối của các bức xạ QFEB, SEB, AB vào phông bức xạ
hãm electron ............................................................................................................ 20
Hình 2.1. Sơ đồ cấu tạo hệ máy gia tốc5SDH-2 Pelletron .................................... 23
Hình 2.2. Sơ đồ bố trí thí nghiệm ............................................................................ 25
Hình 2.3. Buồng phân tích PIXE ............................................................................ 26
Hình 2.4. Cửa sổ ghi nhận số liệu của phần mềm RC43 ........................................ 30
Hình 2.5. Giao diện chương trình GUPIX .............................................................. 31

Hình 3.1. Phổ PIXE đã làm khớp của mẫu chuẩn NIST-611: a) Phổ trong phép chiếu
proton năng lượng thấp; b) Phổ trong phép chiếu proton năng lượng cao
.................................................................................................................................. 37
Hình 3.2. Khuôn đã chứa 4 mẫu của cùng một loại mẫu rau (M6) ......................... 39
Hình 3.3. Hàm lượng các nguyên tố chính trong bốn mẫu M6 và giá trị trung bình qua lần đo thứ
nhất ............................................................................................... 41
Hình 3.4. Hàm lượng các nguyên tố chính trong bốn mẫu M6 và giá trị trung bình qua lần đo thứ hai
..............................................................................................42
Hình 3.5. Hệ số biến thiên hàm lượng các nguyên tố chính trong mẫu M6 qua hai lần đo
....................................................................................................................... 42

iv


Hình 3.6. Hệ số biến thiên hàm lượng các nguyên tố chính qua hai lần đo trong các mẫu: M6-1, M62, M6-3,M6-4 ............................................................................... 43

Hình 3.7. Phổ PIXE sau khi đã làm khớp của mẫu M 1: a) Phổ trong phép đo năng lượng thấp; b) Phổ
trong phép đo năng lượng cao .................................................. 46

v


DANH MỤC BẢNG BIỂU

Bảng 1.1. Các hệ số Bi trong công thức tính hiệu suất huznh quang vạch Kvà vạch L ......10
Bảng 1.2. Các hệ số ai trong công thức (1.16) ........................................................ 13
Bảng 2.1. Thông tin về mẫu đo ............................................................................... 28

Bảng 3.1. File HED vạch K (trong phép chiếu proton năng lượng thấp - 835 keV) .............. 35
Bảng 3.2. File HED vạch K (trong phép chiếu proton năng lượng cao - 2619 keV) ........... 36
Bảng 3.3. File HED vạch L (trong phép chiếu proton năng lượng cao 2619 keV) ............. 36
Bảng 3.4. Kết quả phân tích mẫu chuẩn NIST-611, so sánh với giá trị chuẩn ....... 38
Bảng 3.5. Đánh giá độ đồng đều mẫu thông qua hàm lượng một số nguyên tố chính trong mẫu M6
(đơn vị hàm lượng: ppm) ................................................................ 40
Bảng 3.6. So sánh hàm lượng các nguyên tố chính trong mẫu M6-1 qua hai lần đo (đơn vị hàm
lượng: ppm) ........................................................................................ 44
Bảng 3.7. So sánh hàm lượng các nguyên tố chính trong mẫu M6-2 qua hai lần đo (đơn vị hàm
lượng: ppm) ........................................................................................ 44
Bảng 3.8. So sánh hàm lượng các nguyên tố chính trong mẫu M6-3 qua hai lần đo (đơn vị hàm
lượng: ppm) ........................................................................................ 45
Bảng 3.9. So sánh hàm lượng các nguyên tố chính trong mẫu M6-4 qua hai lần đo (đơn vị hàm
lượng: ppm) ........................................................................................ 45
Bảng 3.10. Kết quả phân tích mẫu M1 ................................................................... 47
Bảng 3.11 . Hàm lượng kim loại nặng trong mẫu rau muống tươi ......................... 48
Bảng 3.12. Hàm lượng kim loại nặng trong mẫu rau cải bắp tươi .......................... 48
Bảng 3.13. Hàm lượng kim loại nặng trong mẫu rau cải xanh tươi ........................ 49

Bảng 3.14. Giá trị RfD cho một số kim loại nặng .................................................. 50
Bảng 3.15. Giá trị HQ đối với rau muống .............................................................. 51
Bảng 3.16. Giá trị HQ đối với rau cải bắp .............................................................. 51
Bảng 3.17. Giá trị HQ đối với rau cải xanh ............................................................ 51

vi


DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT

TT

Từ viết tắt

1

AAS

2

AB

3

AES

4

ICP-MS

5

IRIS

Integrated Risk
Information System

6

FAO

Food
and
Organization of
Nations

7

FWHM

8
9
10

GUPIX
LOD
MCA

11

QFEB

12

PIXE

13
14

PVAC
PWBA

15

RF

16

SEB

17

SNICS

18

TTPIXE

19

US-EPA

20

WHO

Giải thích tiếng Anh

Giải thích tiếng Việt
Phương pháp phổ hấp thụ
Atomic AbsorptionSpectroscopy
nguyên tử
Atomic Bremsstrahlung
Bức xạ hãm nguyên tử
Phương pháp phổ phát xạ
Atomic Emission Spectroscopy
nguyên tử
Inductively Coupled Plasma Mass Phương pháp phổ khối plasma
Spectrometry
cao tần cảm ứng
Hệ thống thông tin rủi ro tích
hợp

Agriculture
Tổ chức Lương thực và Nông
the United
nghiệp Liên Hiệp Quốc

Độ rộng toàn phần tại nửa
chiều cao cực đại

Phần phềm phân tích phổ
Guelph Pixe Group
Limit Of Detection
Giới hạn phát hiện
Multi Channel Analyzer
Máy phân tích đa kênh
Quasi-Free
Electron Bức xạ hãm electron hầu như
Bremsstrahlung
tự do
Phương pháp phân tích phát xạ
Partical Induced X-ray Emission
tia X kích thích bởi chùm hạt
Polyvinyl Acetate
Nhựa polyvinyl axêtát
Plane Wave Born Approximation L{ thuyết gần đúng
Nguồn tạo ion từ dao động cao
Radio Frequency
tần
Secondary
Electron
Bức xạ hãm electron thứ cấp
Bremsstrahlung
Soure of Negative Ions by Cecium Nguồn tạo ion âm bởi phún xạ
Sputtering
Cecium
Phương pháp phân tích mẫu
Thick target Partical Induced Xdày phát xạ tia X kích thích bởi
ray Emission
chùm hạt

Full Width at Hafl Maximum

UnitedStates
Environmental
Protection Agency

Cơ quan bảo vệ Môi trường Mỹ

World Health Organization

Tổ chức y tế thế giới

vii


MỞ ĐẦU

Rau xanh là loại thực phẩm không thể thiếu trong mỗi bữa ăn gia đình của người Việt Nam. Ngày
nay khoa học phát triển đã chứng minh vai trò của rau xanh trong việc chăm sóc, bảo vệ sức khoẻ con
người. Rau xanhlà nguồn cung cấp vitamin, khoáng chất, vi lượng, chất xơ,… cho cơ thể con người. Tuy
nhiên, hiện nay nhiều khu vực trồng rau ở Việt Nam nói chung và ở Thành phố Hà Nội nói riêng đang bị đe
dọa ô nhiễm bởi các chất thải của các nhà máy, xí nghiệp cùng với việc sử dụng phân bón một cách thiếu
khoa học dẫn đến sự ô nhiễm kim loại nặng trong rau xanh, ảnh hưởng đến sức khỏe con người. Các
nguyên tố Cr, Ni, Cu, Pb, Cd,… gây độc hại đối với con người tùy hàm lượng của chúng. Một số khác như
Cu, Fe, Zn, … là những nguyên tố vi lượng cần thiết cho cơ thể con người, tuy nhiên khi hàm lượng của
chúng vượt quá ngưỡng cho phép, chúng bắt đầu gây độc hại. Vì vậy vấn đề rau sạch đã và đang là vấn đề
nóng bỏng được nhiều cơ quan môi trường và xã hội quan tâm. Việc điều tra, đánh giá chất lượng rau
sạch trở nên vô cùng cấp thiết. Một trong các chỉ tiêu sử dụng trong đánh giá độ an toàn của thực phẩm
nói chung và rau sạch nói riêng là chỉ tiêu về hàm lượng kim loại nặng.
Ngày nay có nhiều phương pháp phân tích nguyên tố với độ nhạy, độ chính xác cao như: phương

pháp phổ phát xạ nguyên tử (AES), phương pháp phổ hấp thụ nguyên tử (AAS), phương pháp phổ khối
plasma cao tần cảm ứng (ICP-MS) [2,3+. Tuy nhiên các phương pháp này đều là các phương pháp phân
tích phá hủy mẫu. Phương pháp huznh quang tia X là phương pháp phân tích không phá hủy mẫu nhưng
độ nhạy kém hơn. Kỹ thuật phân tích PIXE là một kỹ thuật mới có độ nhạy cao do phông đóng góp của
bức xạ hãm và tán xạ Compton thấp. Tuy mới chỉ ra đời cách đây vài thập kỷ, phương pháp này đã thể
hiện nhiều ưu việt. Đây là phương pháp phân tích không phá hủy mẫu, có khả năng phát hiện đồng thời
từ 25 đến 30 nguyên tố, độ nhậy cao, với giới hạn phát hiện (LOD) nhỏ hơn 1 ppm tùy từng loại mẫu *12].
Phương pháp PIXE có khả năng ứng dụng trong phân tích mẫu sinh học, mẫu môi trường, nghiên cứu vật
liệu..... Khả năng phát hiện sự có mặt của các nguyên tố có trong mẫu được thông qua việc ghi nhận tia X
đặc trưng phát ra bằng detector tia X với độ nhạy và độ phân giải tốt. Với sự phát triển nhanh chóng của
kỹ thuật, trong những năm gần đây các detector tia X ngày càng đa dạng, có độ phân giải, độ nhạy, hiệu
suất ghi nhận ngày càng được cải thiện, qua đó phương pháp PIXE ngày càng khẳng định được tính ưu
việt của nó trong phân tích hàm lượng các nguyên tố.

8


Vì những l{ do trên, tác giả lựa chọn đề tài: “Xác định hàm lượng một số kim loại nặng trong rau
xanh ở Thành phố Hà Nội bằng phương pháp PIXE”.Mục đích của Luận văn là bước đầu nghiên cứu
phương pháp phân tích các mẫu rau xanh bằng kỹ thuật PIXE tại phòng thí nghiệm máy gia tốc Tandem
Pelletron 5SDH-2 đặt tại Trường Đại học Khoa học tự nhiên (HUS), áp dụng đánh giá mức độ ô nhiễm kim
loại nặng trong rau xanh trên thị trường một số khu vực ở thành phố Hà Nội.
Bố cục của luận văn bao gồm các phần như sau:
-

MỞ ĐẦU

-

CHƯƠNG 1. TỔNG QUAN

-

CHƯƠNG 2. ĐỐI TƯỢNG VÀ PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM

-

CHƯƠNG 3. KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM

-

KẾT LUẬN

-

TÀI LIỆU THAM KHẢO

-

PHỤ LỤC
Luận văn có độ dài 64 trang, trong đó có 20bảng biểu, 20hình vẽ và 25tài liệu tham khảo.

CHƢƠNG 1 - TỔNG QUAN
1.1. Giới thiệu chung về rau xanh
1.1.1. Đặc điểm rau xanh
Rau xanh là cây trồng ngắn ngày có giá trị dinh dưỡng và hiệu quả kinh tế cao nên được trồng và sử
dụng trong đời sống từ xưa tới nay. Do chứa nhiều sinh tố, chất khoáng và chất xơ nên rau xanh rất cần
thiết cho cơ thể con người. Đây là nguồn khoáng chất và vitamin phong phú đối với con người, tuy một số
loại rau xanh không cung cấp nhiều nhiệt lượng nhưng lại cung cấp những sinh tố và chất khoáng không
thể thiếu đối với sức khỏe con người.

1.1.2.Tiêu chí rau an toàn

9


Trong quá trình gieo trồng, để có sản phẩm rau an toàn nhất thiết phải áp dụng các biện pháp kỹ
thuật và sử dụng một số nguyên liệu như nước, phân bón, thuốc phòng trừ sâu bệnh. Trong các nguyên
liệu này kể cả đất trồng đều có chứa những nguyên tố gây ô nhiễm rau và ít nhiều đều để lại một số dư
lượng trên rau sau khi thu hoạch. Trong thực tế hiện nay hầu như không thể có sản phẩm rau sạch với {
nghĩa hoàn toàn không có yếu tố độc hại. Tuy vậy những yếu tố này thực sự chỉ gây độc hại khi chúng để
lại một dư lượng nhất định nào đó trên rau, dưới mức dư lượng này thì không độc hại. Mức dư lượng tối
đa không gây hại tới sức khỏe con người có thể chấp nhận gọi là mức dư lượng cho phép (hoặc ngưỡng
dư lượng giới hạn).
Như vậy những sản phẩm rau không chứa hoặc có chứa dư lượng các yếu tố độc hại nhưng dưới
mức dư lượng cho phép được coi là rau an toàn với sức khỏe con người, nếu trên mức dư lượng cho phép
là rau không an toàn.
Tiêu chuẩn rau an toàn: ngày 19/12/2007 bộ trưởng bộ Y tế đã ra quyết định số 46-2007-QĐ-BYT
về “Quy định giới hạn tối đa ô nhiễm sinh học và hóa học trong thực phẩm” [1]. Trong quyết định này qui
định mức dư lượng cho phép trên sản phẩm rau đối với hàm lượng nitrate, kim loại nặng, vi sinh vật gây
bệnh và thuốc bảo vệ thực vật. Các mức dư lượng cho phép này chủ yếu dựa vào qui định của Tổ chức
lương nông thế giới (FAO) và tổ chức y tế thế giới (WHO). Các cá nhân, tổ chức sản xuất và sử dụng rau
dựa vào các mức dư lượng này để kiểm tra xác định sản phẩm có đạt an toàn hay không.
Ngoài ra trong thực tế rau an toàn còn phải mang tính hấp dẫn về mặt hình thức: rau phải tươi,
không có bụi bẩn, không có triệu chứng bệnh và được đựng trong bao bì sạch sẽ.

1.1.3. Các yếu tố gây ô nhiễm cho rau
Có nhiều yếu tố gây ô nhiễm rau, xong quan trọng nhất phải kể đến các yếu tố sau:
- Dư lượng thuốc bảo vệ thực vật.
- Dư lượng nitrate (NO3-).

- Sinh vật gây bệnh.
- Dư lượng kim loại nặng.
Các kim loại nặng như asen (As), chì (Pb), thủy ngân (Hg), đồng (Cu), kẽm (Zn), thiếc (Sn),… nếu
vượt quá ngưỡng cho phép là những chất có hại cho cơ thể, hạn chế sự phát triển của tế bào và hoạt
động của máu, gây thiếu máu, biến động thân nhiệt, rối loạn tiêu hóa,…
Nguyên nhân gây ô nhiễm kim loại nặng:

10


Trong thuốc bảo vệ thực vật, phân bón NPK có chứa cả một số kim loại nặng. Trong quá trình tưới
tiêu các kim loại nặng này bị rửa trôi xuống ao hồ, sông rạch, thâm nhập vào mạch nước ngầm gây ô
nhiễm nguồn nước tưới rau.
- Nguồn nước thải của thành phố và các khu công nghiệp chứa nhiều kim loại nặng chuyển trực
tiếp vào rau tươi.

1.2. Cơ sở lý thuyết của phương pháp phân tích PIXE
Kỹ thuật phân tích nguyên tố bằng cách đo tia X đặc trưng gây bởi chùm hạt tích điện nặng đã
được biết đến cách đây vài thập kỷ. Từ năm 1962 Van Loef và các cộng sự đã công bố kết quả thực
nghiệm về tạo ra tia X đặc trưng bằng chùm proton năng lượng 100 và 250 keV. Phổ tia X được ghi nhận
bằng ống đếm tỷ lệ chứa khí Xe [13]. Tuy nhiên, do đặc trưng thiết bị đếm độ phân giải bị giới hạn. Năm
1970, bằng thực nghiệm, Johansson và các cộng sự đã khẳng định sự kết hợp sự tạo tia X đặc trưng bằng
chùm proton năng lượng vài MeV và ghi nhận tia X bằng detector bán dẫn là một phương pháp phân tích
đa nguyên tố hữu hiệu [22, 23]. Phương pháp này được gọi là PIXE (Particle Induced X-ray Emission PIXE), và sau đó được phát triển bởi nhiều nhà nghiên cứu, ứng dụng rộng rãi cho các phòng thí nghiệm
máy gia tốc.
Phương pháp phân tích này sử dụng chùm ion có năng lượng vào khoảng từ 0.5 đến 10 MeV/amu
và thường sử dụng detector bán dẫn Si để ghi nhận tia X sinh ra. Hầu hết các nguyên tố từ Na trở đi có thể
được phân tích trong dải năng lượng tia X từ 1 đến 100 keV [11, 12]. Năng lượng của tia X phát ra đặc
trưng cho nguyên tố bị bắn phá bởi chùm ion và số lượng tia X đặc trưng này sẽ tỷ lệ với hàm lượng
nguyên tố. Đây là phương pháp phân tích không phá hủy mẫu, có khả năng phát hiện đồng thời từ 25 đến

30 nguyên tố, độ nhậy cao, với giới hạn phát hiện nhỏ hơn1 ppm tùy từng loại mẫu [12].

1.2.1.Tia X đặc trƣng. Cơ chế phát tia X đặc trƣng gây bởi chùm hạt
* Tia X đặc trưng
Tia X đặc trưng được C.G.Barkla phát hiện năm 1908 [20]. Tia X đặc trưng
sinh ra là kết quả của quá trình dịch chuyển trạng thái của electron trong nguyên
tử. Năng lượng của tia X đặc trưng cho năng lượng liên kết giữa hai vành
electron trong nguyên tử, do đó, nó đặc trưng cho mỗi nguyên tố.
* Cơ chế phát tia X đặc trưng gây bởi chùm hạt
Khi chùm hạt tích điện (proton) bắn vào bia, chúngsẽ ion hóa các nguyên tử bia bằng tương tác
Culông. Electron ở vành trong của nguyên tử bia bị đẩy ra ngoài và tạo thành lỗ trống. Nguyên tử do đó bị
11


kích thích rồi trở về trạng thái cơ bản thông qua một chuỗi chuyển dịch các electron từ quỹ đạo ngoài vào
lỗ trống vành trong. Mỗi quá trình chuyển dịch kèm theo sự phát tia X đặc trưng với năng lượng bằng với
sự chênh lệch năng lượng liên kết của hai electron quỹ đạo tham gia vào quá trình chuyển dịch. Cơ chế
tạo tia X đặc trưng gây bởi chùm hạt proton được mô tả trong Hình 1.1 [21].

Hình 1.1. Sơ đồ tạo lỗ trống (a) và phát xạ tia X đặc trưng (b) do khi bắn phá bởi proton [21].
Quá trình dịch chuyển electron từ mức năng lượng cao hơn đến mức năng lượng thấp hơn tuân
theo qui tắc chọn lọc sau:Δn≥1, Δl=±1,Δj=0 hoặc ±1, trong đó: n - là số lượng tử chính, có thể nhận các giá
trị nguyên dương 1, 2, 3 ......; l - là số lượng tử mô men góc quỹ đạo, có thể nhận các giá trị 0, 1, 2 ...; j = l
± 1/2 với điều kiện j không âm. Các chuyển mức của điện tử có thể xảy ra cũng như các k{ hiệu của các
vạch phổ đặc trưng thường dùng trong phân tích tia X được mô tả trong Hình 1.2.

12


Hình 1.2. Sơ đồ tia X đặc trưng [21].

1.2.2. Hiệu ứng Auger và hiệu suất huỳnh quang

1.2.2.1. Hiệu ứng Auger
Khi nguyên tử bị kích thích tạo ra lỗ trống trên lớp sâu bên trong, thì nó sẽ sắp xếp lại bằng cách
lấp đầy vị trí trống này bởi một điện tử từ các quỹ đạo cao hơn và giải phóng ra năng lượng dưới dạng
photon. Nếu photon này thoát khỏi nguyên tử thì đó gọi là quá trình phát xạ tia X đặc trưng và photon đó
gọi là tia X đặc trưng của nguyên tử. Nếu photon này bị chính nguyên tử đó hấp thụ và giải phóng ra một
điện tử, thì quá trình này gọi là quá trình chuyển mức không bức xạ hay là hiệu ứng Auger và điện tử phát
ra đó gọi là điện tử Auger. Năng lượng của điện tử Auger đặc trưng cho nguyên tố phát xạ. Hiệu ứng
Auger được minh họa trên Hình 1.3.
Hiệu ứng Auger thường xảy ra đối với nguyên tố nhẹ (Z nhỏ) vì các điện tử trong nguyên tử liên
kết yếu hơn và các photon đặc trưng của nó có năng lượng nhỏ nên dễ bị hấp thụ hơn. Cũng chính vì vậy
mà hiệu ứng thường xảy ra đối với lớp L hơn là lớp K.

Hình 1.3. Quá trình phát electron Auger.

13


1.2.2.2. Hiệu suất huỳnh quang
Xác xuất lỗ trống trong một lớp nguyên tử hay lớp con được lấp đầy thông qua chuyển dịch bức
xạ gọi là hiệu suất huznh quang. Như vậy hiệu suất huznh quang chính bằng tỷ số của số tia X phát ra trên
số lỗ trống ban đầu được tạo thành trong một lớp hay một phân lớp. Theo định nghĩa này thì hiệu suất
huznh quang của lớp K của nguyên tử là [20]:
𝐼

𝜔𝐾 = 𝑛𝐾

(1.1)

𝐾

trong đó: IK là tổng số photon tia X đặc trưng phát ra, nK là số lỗ trống được tạo ra ở lớp K.
Đối với các lớp nguyên tử cao hơn, xác định hiệu suất huznh quang sẽ phức tạp hơn vì hai l{ do:
1) Các lớp trên lớp K có nhiều hơn một phân lớp; hiệu suất huznh quang trung bình phụ thuộc vào
cách thức các lớp bị ion hóa.
2) Chuyển dịch Coster-Kronig xảy ra, đây là chuyển dịch không bức xạ giữa các phân lớp trong
cùng một lớp có cùng số lượng tử chính.
Trong trường hợp không có chuyển dịch Coster-Kronig thì hiệu suất huznh quang của phân lớp i
của lớp có số lượng tử chính là X (X= L, M, …) được cho như sau [20]:
𝐼𝑋

𝜔𝑖𝑋 = 𝑛𝑖𝑋

(1.2)

𝑖

và hiệu xuất huznh quang trung bình 𝜔𝑋 đối với lớp X được xác định như sau:
𝜔𝑋 =

𝑘
𝑋
𝑖=1 𝑁𝑖

𝜔𝑖𝑋

(1.3)

trong đó 𝑁𝑖𝑋 là số lỗ trống tương đối trong phân lớp i của lớp X:
𝑁𝑖𝑋 =

𝑛 𝑖𝑋
𝑘
𝑋
𝑖=1 𝑛 𝑖

,

𝑘
𝑋
𝑖=1 𝑁𝑖

= 1(1.4)

Như vậy để xác định hiệu suất huznh quang trung bình thì sự phân bố lỗ trống ban đầu phải được
biết, nghĩa là chuyển dịch Coster-Kronig không xảy ra.
Trong trường hợp có xảy ra dịch chuyển Coster-Kronig, thì hiệu suất huznh quang trung bình 𝜔𝑋
được xem như là sự kết hợp tuyến tính của các hiệu suất huznh quang phân lớp 𝜔𝑖𝑋 với sự phân bố lỗ
trống đã được xác định bởi dịch chuyển Coster-Kronig:
𝜔𝑋 =

𝑘
𝑋
𝑖=1 𝑉𝑖

𝜔𝑖𝑋 ,

𝑘

𝑋
𝑖=1 𝑉𝑖

> 1(1.5)

trong đó 𝑉𝑖𝑋 là số lỗ trống tương đối trong phân lớp i của lớp X sau khi đã đổi vị trí tới mỗi phân lớp bởi
chuyển dịch Coster-Kronig. Các giá trị 𝑉𝑖𝑋 có thể được biểu diễn thông qua số lỗ trống tương đối ban đầu
𝑁𝑖𝑋 và xác xuất thay đổi vị trí của một lỗ trống từ phân lớp Xi tới phân lớp cao hơn Xj nằm trong cùng một
lớp X được k{ hiệu là 𝑓𝑖𝑗𝑋 :
𝑉1𝑋 = 𝑁1𝑋
14


𝑋 𝑋
𝑉2𝑋 = 𝑁2𝑋 + 𝑓12
𝑁1
𝑋 𝑋
𝑋
𝑋 𝑋
𝑉3𝑋 = 𝑁3𝑋 + 𝑓23
𝑁2 + (𝑓13
+ 𝑓12
𝑓23 )𝑁1𝑋 (1.6)

Giữa hiệu suất huznh quang 𝜔𝑖𝑋 , hiệu suất Auger aiX và xác xuất dịch chuyển Coster-Kronig có mỗi
liên hệ như sau:
𝜔𝑖𝑋 + 𝑎𝑖𝑋 +

𝑘
𝑋

𝑖=1 𝑓𝑖𝑗

=1

(1.7)

Hiệu suất Auger trung bình 𝑎𝑋 được cho bởi:
𝑎𝑋 =

𝑘
𝑋
𝑖=1 𝑉𝑖

𝑎𝑖𝑋 (1.8)

Mặc dù về nguyên tắc hiệu suất huznh quang 𝜔𝑘 có thể được tính toán theo l{ thuyết, nhưng
thường sử dụng các dữ liệu thực nghiệm. Bambynek cùng các đồng nghiệp đã lập ra một công thức bán
thực nghiệm để tính toán hiệu suất huznh quang dãy K như sau [21]:
𝜔 𝐾 1/4
1−𝜔 𝐾

=

3
𝑖
𝑖=0 𝐵𝑖 𝑍

(1.9)

trong đó hệ số Bi được chotrong Bảng 1.1.

Đối với hiệu suất huznh quang vạch L, Cohen đã xây dựng một bộ các giá trị hiệu suất huznh
quang hiệu dụng được sử dụng trong PIXE, chúng rất khớp với công thức bán thực nghiệm sau trong vùng
số khối từ 30-96 [21]:
𝜔 𝐿 1/4
1−𝜔 𝐿

=

3
𝑖
𝑖=0 𝐵𝑖 𝑍

(1.10)

trong đó các hệ số Bi cho trong Bảng 1.1.
Bảng 1.1. Các hệ số Bi trong công thức tính hiệu suất huznh quang
vạch K và vạch L [21].

K

L

B0

(3.70 ± 0.52) x 10-2

B1

(3.112 ± 0.044) x 10-2

2.98937 x 10-3

B2

(5.44 ± 0.11) x 10-5

8.91297 x 10-5

B3

- (1.25 ± 0.07) x 10-6

-2.67184 x 10-7

0.17765

1.2.3. Năng suất hãm
Khi chùm proton hay ion nặng bắn vào bia thì năng lượng của chúng nhanh chóng bị tiêu hao do
va chạm không đàn hồi với electron liên kết của nguyên tử bia. Khả năng làm chậm chùm hạt ion tới của
bia được gọi là năng suất hãm. Nó có ảnh hưởng đáng kể trong phân tích PIXE bởi vì nó đo khả năng chùm
hạt ion (tích điện) thâm nhập vào bia.
15


Nếu năng lượng bị mất trên một đơn vị độ dài dịch chuyển trong bia là dE/dx thì năng suất hãm
được tính bằng [20]:
1 𝑑𝐸

𝑆 𝐸 = 𝜌 𝑑𝑥

(1.11)

Trong đó: ρ là mật độ của bia, đơn vị của năng suất hãm thường được sử dụng là keV/g/cm2.
Năng suất hãm đối với hợp chất hoặc các ma trận mẫu phức tạp hơn được tính từ năng suất hãm
của các nguyên tố thành phần theo quy luật cộng của Bragg-Kleemann [20]:
𝑆𝑚𝑎𝑡𝑟 (𝐸) =

𝑛
𝑖=1 𝑤𝑖

𝑆𝑖 (𝐸)(1.12)

trong đó wi, Si(E) tương ứng là hàm lượng và năng suất hãm của nguyên tố thành phần i.
Quãng chạy của chùm hạt được xác định bằng công thức sau [20]:
𝑅

𝑅=

0

𝑑𝑥 =
0

𝑑𝐸
𝐸0 𝑑𝐸/𝑑𝑥

(1.13)

1.2.4. Tiết diện ion hóa
Khi chiếu chùm proton (hạt tích điện nặng) vào bia, chúng tương tác với electron liên kết của

nguyên tử làm bật electron ra khỏi quỹ đạo, kết quả là phát ra tia X đặc trưng. Tiết diện của quá trình này
gọi là tiết diện ion hóa. Nó là xác xuất đo số sự kiện ion hóa xảy ra.
Tiết diện ion hóa của vành thứ i của nguyên tố bia tăng theo năng lượng của chùm hạt proton
(tích điện) chiếu vào bia và đạt giá trị cực đại khi vận tốc của ion tới và vận tốc của electron trên vành điện
tử đang xét có cùng bậc độ lớn. Tiếp tục tăng năng lượng hạt tới thì tiết diện giảm chậm. Sự phụ thuộc
tiết diện ion hóa vào năng lượng hạt bắn phá và nguyên tử số Z của bia được mô tả trong Hình 1.4. Tiết
diện giảm nhanh khi tăng nguyên tử số của bia.

16


Hình 1.4. Tiết diện ion hóa của vành K và vành L theo năng lượng *20].
Để tính toán tiết diện ion hóa  I người ta sử dụng một số l{ thuyết, điển hình là l{ thuyết ECPSSR
được đề xuất bởi Brandt and Lapicki [24,25+ dựa trên l{ thuyết gần đúng PWBA (Plane wave Born
approximation) kết hợp với các hiệu chỉnh năng lượng mất mát (E), hiệu ứng độ lệch culông (C), hiệu ứng
phân cực và liên kết trong khuôn khổ gần đúng PSS (Perturbed stationary states approximation), và các
hiệu chỉnh tương đối tính (R). L{ thuyết này được cho là l{ thuyết thành công nhất dùng trong tính toán
tiết diện ion hóa gây bởi ion nhẹ của lớp K và L đối với hầu hết các nguyên tố bia.
Dựa trên l{ thuyết PWBA thì tiết diện ion hóa đối với một lỗ trống ở lớp vỏ trong cùng tỉ lệ với
bình phương nguyên tử số của chùm ion tới Z12 tại một năng lượng tới xác định và đối với một bia nhất
định. Từ đó ta có thể ước lượng được tiết diện ion hóa của chùm ion tới nặng hơn bằng cách nhân kết
quả tính toán tiết diện ion hóa đối với chùm proton (tại một giá trị E1/M1 hay v nhất định) với Z12 . Ví dụ
đối với Deuterium, Helium là hạt tới ta có biểu thức sau [12]:

 D   p ( E1 / 2)

(1.14)

 He  4 p ( E1 / 4)

(1.15)

Đối với năng lượng ion tới nhỏ (<2MeV/amu) thì tính toán này sẽ không thật chính xác vì các hiệu
chỉnh khác nhau được áp dụng cho l{ thuyết PWBA để thu được l{ thuyết ECPSSR. Các giá trị tiết diện ion
hóa cụ thể đối với lớp K, tổng lớp L (theo l{ thuyết ECPSSR), đối với tổng lớp M (theo l{ thuyết CPWAB)
được nêu trong tài liệu tham khảo [7]. Từ các dữ liệu đó có thể xây dựng được hàm khớp một cách chính
xác mối quan hệ giữa tiết diện ion hóa với năng lượng hạt tới và bia khác nhau.

17


Hình 1.5. Các tiết diện ion hóa vạch K, L (ECPSSR) và M(CPWBA) như hàm của năng lượng ion tới (E/U) đối
với hạt tới là proton. U (keV) là năng lượng
biên hấp thụ của nguyên tử bia [12].
Hình 1.5 là đồ thị mô tả phép khớp các dữ liệu tiết diện ion hóa đối với lớp K,tổng lớp L (theo l{
thuyết ECPSSR) và đối với tổng lớp M (theo l{ thuyết CPWBA)của chùm proton tới trên các bia có Z2 khác
nhau. Các giá trị tiết diện ion hóa được nhân với bình phương năng lượng biên hấp thụ của các lớp K, L, M
(đơn vị keV), và được biểu diễn theo đơn vị là barn.keV2. Năng lượng proton được chia cho năng lượng
biên hấp thụ và có đơn vị là MeV/keV.
Hàm khớp đa thực bậc 5 tương ứng sử dụng các hệ số ai như sau:
ln 𝐸 2 𝜎 𝐼 =

ai ln⁡
(𝐸1 /𝐸(𝑘𝑒𝑉))

Các hệ số ai được cho ở Bảng 1.2.
Bảng 1.2. Các hệ số ai trong công thức (1.16) [12]

18

(1.16)


Phép khớp này được thực hiện với năng lượng ion trong khoảng 1trị l{ thuyết ECPSSR nhỏ hơn 10%.

Tính toán ECPSSR đã được so sánh với giá trị thực nghiệm và cho

thấy sự phù hợp rất tốt. Ngoài ra, để tăng tính chính xác trong các chương trình phân tích phổ PIXE người
ta còn có thể đưa thêm các tỉ lệ giữa giá trị tính được bằng ECPSSR và thực nghiệm vào trong tính toán.

1.2.5. Suất lƣợng tia X đặc trƣng
Trong phân tích PIXE có hai trường hợp đơn giản nhất, đó là trường hợp mẫu rất mỏng có thể bỏ
qua sự suy giảm năng lượng chùm hạt bắn phá khi nó truyền qua mẫu, và trường hợp thứ hai là mẫu dày
mà có thể dừng toàn bộ năng lượng chùm tia trong mẫu. Trong trường hợp đầu suất lượng của tia X đặc
trưng của nguyên tố nào đó trong mẫu sẽ được xác định thông qua tiết diện tại năng lượng proton tới E0,
trong khi đó ở trường hợp hai là tích phân trên toàn bộ năng lượng proton từ E0 xuống tới 0.
* Mẫu mỏng:
Một mẫu được xác định là mỏng tùy thuộc vào năng lượng chùm proton tới và ma trận thực tế
của bia mẫu, mà làm suy giảm cả năng lượng proton và tia X đặc trưng trên đường tới bề mặt mẫu.
Có hai trường hợp chiếu mẫu như được mô tả trên Hình 1.6. Trường hợp đầu, mẫu film cơ bản
đồng đều rất mỏng khối lượng M(Z) được chiếu bao phủ bởi chùm proton có cường độ phân bố đồng đều
trên diện tích tiết diện S, khi đó suất lượng tia X đặc trưng Kα hoặc Lα khi Np proton xuyên qua mẫu là [21]:
𝑌0 𝑍 =

𝑁𝑝 𝑀(𝑍) 𝜎𝑍 (𝐸0 )𝜔 𝑍 𝑏𝑍𝛼 𝜀 𝑍 𝑁𝑎𝑣
𝑆

𝐴𝑍

(1.17)

trong đó: Z và AZ là nguyên tử số và khối lượng của nguyên tố, σZ(E0) là tiết diện ion hóa của proton năng
lượng E0, ωZ là hiệu suất huznh quang vạch K hoặc L, bZ là hệ số phân nhánh của vạch chính trong dãy các
vạch phổ tia X nhất định (ví dụ vạch 𝐾𝛼 trong dãy K), ԑZ là hiệu suất ghi tuyệt đối và Nav là số Avogadro. Chỉ
số dưới 0 để chỉ mẫu mỏng đến mức năng lượng proton là không đổi khi truyền trong vật liệu bia.

19


Hình 1.6. Mỗi quan hệ khác nhau giữa diện tích tiết diện chùm tia
và mẫu trong PIXE [21]
Trong trường hợp sau, chùm tia chỉ chiếu một phần diện tích của mẫu (diện tích S), kết quả ta vẫn
thu được biểu thức như trên mặc dù được biểu diễn thông qua khối lượng trên một đơn vị diện tích:
𝑀𝑎 𝑍 = 𝑀(𝑍)/𝑆

(1.18)

Độ nhạy của bia mỏng k(Z):
𝑘 𝑍 =

𝜎𝑍 (𝐸0 )𝜔 𝑍 𝑏𝑍𝛼 𝜀 𝑍 𝑁𝑎𝑣
𝐴𝑍

(1.19)

Đơn vị của k(Z) là số tia X trên proton (hoặc trên đơn vị điện tích proton, thường là micro hoặc
nano cu lông) trên µg/cm2. Khi đó phương trình (1.17) trở thành:
𝑌0 𝑍 = 𝑘 𝑍 𝑁𝑝 𝑀𝑎 𝑍
* Mẫu dày

Hình học chung cho phân tích mẫu dày như được mô tả trong Hình 1.7

20

(1.20)


Hình 1.7. Hình học chung cho phân tích mẫu dày TTPIXE [21]
Bỏ qua đóng góp của bức xạ huznh quang thứ cấp (F), suất lượng tia X đặc trưng Kα của một
nguyên tố cụ thể phân bố đồng đều trong mẫu dày được tính như sau [21]:
𝑌 𝑍 =

𝑁𝑎𝑣 𝜔 𝑍 𝑏𝑍𝛼 𝜀 𝑍 𝑁𝑝 𝐶𝑍
𝐴𝑍

0 𝜎𝑍 𝐸 𝑇𝑍 (𝐸)
𝑑𝐸
𝐸0
𝑆(𝐸)

(1.21)

trong đó năng suất hãm của ma trận mẫu S(E) được tính toán bằng cách sử dụng quy tắc Bragg đối với sự
kết hợp tuyến tính các thành phần hãm năng lượng. CZ là hàm lượng nguyên tố Z trong mẫu. Đại lượng
TZ(E) là hệ số đặc trưng cho quá trình photon truyền trong mẫu tương tác với ma trận mẫu, hệ số này
được tính như sau:
𝑇𝑍 𝐸 = exp⁡ −

𝐸 𝑑𝐸
𝜇

𝑐𝑜𝑠𝛼
𝜌 𝑍 𝑠𝑖𝑛 𝜃𝑇 0 𝐸0 𝑆(𝐸)

(1.22)

Hệ số suy giảm µ/ρ đối với tia X của nguyên tố Z trong ma trận mẫu có thể tính được, giống như
S(E), bằng cách lấy tổng theo toàn bộ thành phần ma trận mẫu.

1.2.6. Các phƣơng pháp phân tích định lƣợng
Bia trong phân tích PIXE thường chia làm 2 loại chính là bia mỏng và bia dày. Tùy từng loại mẫu ta
dùng các phương pháp định lượng khác nhau.
Từ các phương trình (1.17) và (1.21), mối quan hệ suất lượng tia X đặc trưng và hàm lượng
nguyên tố tương ứng được biểu diễn như sau:
𝑌 𝑍 = 𝐻𝐶𝑍 𝑌𝑙𝑡 𝑍 𝑄𝜀𝑍 𝑡𝑍
trong đó:
21

(1.23)


Ylt(Z) là suất lượng tia X đặc trưng trên đơn vị điện tích chùm tia, trên đơn vị hàm lượng, trên đơn
vị góc khối.
CZ là hàm lượng nguyên tố nguyên tử số Z trong mẫu.
tZlà hệ số truyền qua của fin lọc đặt giữa bia và detector.
𝑄
𝑒

Q là điện tích tổng cộng chùm tia chiếu mẫu. (𝑁𝑝 = , e là điện tích electron).
H là hệ số hiệu chỉnh hệ đo.

a) Mẫu mỏng
* Phương pháp chuẩn trong
Đối với phương pháp chuẩn trong, chất chuẩn đã biết hàm lượng (khối lượng chất trên một đơn
vị diện tích) sẽ được thêm vào trong mẫu đo, chất chuẩn này thường phải không có mặt trong mẫu đó,
thường người ta chọn các nguyên tố đất hiếm như Y hay Ru . Dựa vào công thức (1.23), hàm lượng của
chất cần đo sẽ được tính như sau:
𝐶𝑍𝑚 =

𝑌𝑍𝑚
𝑌 𝑠𝑡

𝑌𝑙𝑡𝑠𝑡
𝑌𝑙𝑡𝑚

ԑ𝑠𝑡 𝑡 𝑠𝑡
𝑚
ԑ𝑚
𝑍 𝑡𝑍

𝐶 𝑠𝑡

(1.24)

𝑚
Với 𝐶𝑍𝑚 , 𝑌𝑍𝑚 , 𝑌𝑙𝑡𝑚 , ԑ𝑚
𝑍 và 𝑡𝑍 lần lượt là hàm lượng nguyên tố Z, suất lượng tia X đặc trưng, suất lượng tia X

tính trên đơn vị điện tích chùm tia trên đơn vị hàm lượng nguyên tố trên đơn vị góc khối, hiệu suất ghi
của detector, hiệu suất truyền qua của tấm lọc đối với tia X đặc trưng phát ra của nguyên tố Z cần đo.
Tương tự đối với các thành phần 𝐶 𝑠𝑡 , 𝑌 𝑠𝑡 , 𝑌𝑙𝑡𝑠𝑡 , ԑ𝑍𝑠𝑡 và 𝑡 𝑠𝑡 của chất chuẩn trong.

Vì chất chuẩn trong được đo trong cùng một điều kiện với các chất cần đo trong mẫu nên phương
pháp này có thể loại bỏ sai số hệ thống của các giá trịQ, Ω.
* Phương pháp chuẩn ngoài
Vì bia mỏng nên sự mất mát năng lượng của chùm tia và sự suy giảm của tia X là không đáng kể,
ảnh hưởng của yếu tố ma trận có thể bỏ qua. Hệ thống phân tích PIXE có thể được chuẩn bằng sử dụng
mẫu chuẩn mỏng bằng cách xây dựng đường cong độ nhạy (mối liên hệ giữa cường độ của vạch Kα hoặc
Lα như hàm của Z). Đường cong này bao gồm tất cả các thông số vật l{ liên quan đến điều kiện thực
nghiệm và detector. Do vậy, độ chính xác của phương pháp phụ thuộc vào sự chính xác của mẫu chuẩn và
việc khớp đỉnh.
Mẫu cần đo và mẫu chuẩn được đo trong cùng điều kiện. Dựa vào đường cong độ nhạy để tính
toán hàm lượng của các chất trong mẫu đo.
b) Mẫu dày
22