BỘ NHỚ TÀI LIỆU ĐIỆN TỬ SỐ

CHƯƠNG 5: BỘ NHỚ
Câu 1: Phát biểu nào sau đây SAI đối với RAM động:
A. Thông tin ghi dưới dạng điện tích nạp cho tụ điện
B. Thông tin ghi dưới dạng đốt các cầu chì
C. Cần phải làm tươi để nội dung không bị rò rỉ
D. Giá thành rẻ hơn RAM tĩnh
Câu 2: ROM là:
A. Bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên
B. Bộ nhớ chỉ đọc
C. Bộ nhớ có nội dung bị mất khi không cấp nguồn
D. Mảng logic lập trình được
Câu 3: RAM tĩnh là loại bộ nhớ:
A. Ma trận nhớ gồm nhiều Flip-Flop
B. Phải làm tươi để nội dung không bị rò rỉ
C. Thông tin ghi dưới dạng đốt các cầu chì
D. Là loại bộ nhớ chỉ đọc
Câu 4: Phát biểu nào không đúng với RAM:
A. Là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên
B. Là bộ nhớ có nội dung bị mất đi khi mất điện
C. Có hai loại thông dụng là RAM tĩnh và RAM động
D. Nội dung không bao giờ mất đi
Câu 5: EEPROM là:
A.
Bộ nhớ có thể xoá và ghi lại vô hạn
B.
Bộ nhớ xoá được bằng tia cực tím
C.
Bộ nhớ xoá được bằng điện
D.

Bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên

Câu 6: Bộ nhớ ROM là bộ nhớ:

a.
b.
c.
d.

Bộ nhớ từ
Bộ nhớ quang
Bộ nhớ bán dẫn
Bộ nhớ ngoài

Câu 7: Phân loại theo khả năng ghi đọc của bộ nhớ thì bộ nhớ RAM là bộ nhớ:

a. Chỉ có thể đọc thông tin từ chúng mà không thể ghi thông tin ra chúng


b. Vừa có thể đọc thông tin vừa có thể ghi thông tin ra chúng
c. Chỉ có thể đọc thông tin cần tìm khi đọc lướt qua các thông tin đứng trước nó
d. Chỉ có thể ghi thông tin
Câu 8: Thao tác đọc/ghi gọi là:

a.
b.
c.
d.

Tổ chức bộ nhớ
Sự truy nhập bộ nhớ

Phân câp bộ nhớ
Phân chia bộ nhớ

Câu 9: Muốn xóa toàn bộ nội dung của EPROM dùng:

a.
b.
c.
d.

Cầu chì
Điện
Tia cực tím
Tia hồng ngoại

Câu 10: So với bộ nhớ ROM thì bộ nhớ RAM có đặc điểm:

a.
b.
c.
d.

Tốc độ thấp hơn
Dung lượng lớn hơn
Giá thành rẻ hơn
Tuổi thọ cao hơn

Câu 11: So với bộ nhớ ngoài thì bộ nhớ trong có đặc điểm:

a.

b.
c.
d.

Tốc độ nhanh hơn
Dung lượng nhỏ hơn
Được thiết kế bằng vật liệu từ tính và quang học
Dung lượng lớn hơn.
Câu 12: RAM là:
a. Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên
b. Bộ nhớ chỉ đọc
c. Nội dung không bao giờ mất
d. Chỉ có thể ghi dữ liệu một lần
Câu 13: Khi mất điện (tắt nguồn) dữ liệu trong RAM:
a. Không bị mất
b. Bị mất
c. Có thể bị mất hoặc không tùy loại RAM
d. Có thể bị mất hay không tùy thời gian mất điện
Câu 14: Thông tin trong bộ nhớ được lưu trữ ở dạng:


a.
b.
c.
d.

Bát phân
Nhị phân
Thập phân
Hecxa

Câu 15: ROM là bộ nhớ mà:

a.
b.
c.
d.

Dữ liệu không bị mất khi mất nguồn nuôi
Dữ liệu bị mất khi mất nguồn nuôi
Dữ liệu bị mất khi mà vẫn còn nguồn nuôi
Dữ liệu chỉ lưu được một thời gian khi mất nguồn nuôi
Câu 16: Thông tin trong bộ nhớ được lưu trữ ở dạng:
A. Bát phân
B. Nhị phân
Câu 17: DRAM là:

C. Thập phân
D. Hexa

A. RAM tĩnh
B. Bộ nhớ chỉ đọc
Câu 18: SRAM là:

C. RAM động
D. Bộ nhớ chỉ viết

A. RAM tĩnh
B. Bộ nhớ chỉ đọc
Câu 19: DRAM là loại bộ nhớ:

C. RAM động
D. Bộ nhớ chỉ viết

A. Truy cập rất nhanh
B. Truy cập ngâu nhiên
Câu 20: SRAM là loại bộ nhớ:

C. Truy cập chậm
D. Cả A,B,C đều sai

A. Không lưu dữ liệu
C. Có thể bị mất dữ liệu khi có nguồn
B. Chỉ lưu dữ liệu khi có nguồn điện nuôi
cung cấp
D. Lưu một phần dữ liệu khi mất điện
Câu 21: Cấu tạo của một ô nhớ DRAM gồm có:
A. Một transistor trường MOS và 1 diode
B. Một transistor trường MOS và 1 tụ điện
C. Một transistor lưỡng cực và 1 tụ điện
D. Một transistor trường MOS và 1 trigơ
Câu 22: Linh kiện lưu giữ bít thông tin của DRAM là:
A. Ttrigơ
B. Tụ điện

C. Diode
D. Transistor


Câu 22: Linh kiện lưu giữ bít thông tin của SRAM là:
A. Ttrigơ

C. Diode
B. Tụ điện
D. Transistor
Câu 23: DRAM được chế tạo bằng cách sử dụng công nghệ:
A. Lưỡng cực
C. MOS
B. Lưỡng cực và MOS
D. Tất cả đều sai
Câu 24: Thời gian truy nhập của bộ nhớ lưỡng cực so với bộ nhớ MOS là:
A. Lâu hơn
C. Nhanh hơn
B. Bằng nhau
D. Tất cả đều sai
Câu 25: Thời gian truy nhập của chip ROM hiện nay so với các chip RAM là:
A. Lâu hơn
B. Bằng nhau

C. Nhanh hơn
D. Tất cả đều sai