Tải bản đầy đủ (.pdf) (4 trang)

DE THI VA ĐAP AN DIEN TU THONG TIN TT CKC

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (305.06 KB, 4 trang )

BỘ CÔNG THƯƠNG
TRƯỜNG CĐKT CAO THẮNG
Khoa: Điện Tử– Tin Học

ĐỀ THI HỌC KỲ 1 - LỚP: CĐĐTTT11A&B
MÔN THI: ĐIỆN TỬ TT
THỜI GIAN: 75

Ngày thi: 12/1/2013

Lần 2

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------Câu 1 (4đ): Cho mạch điện như trên hình 1:

Hình 1
Biết: β=200, VBE = 0.7V, RB1= 80K, RB2=20K, RS = 100, RC=4K, RL= 1K, RE=1K, CC1 có giá
trị rất lớn, CC2=4µF, CE=150µF , Vcc = 20V.
a) Tính toán phân cực DC.
b) Xác định AV(s) (ở tần số thấp)
c) Vẽ đáp ứng biên độ
Câu 2 (3.5đ): Bộ khuếch đại công suất như hình 2 được phân cực tại ICQ = 0.5A. Bỏ qua
điện trở biến áp, biến áp có n:1 = 5:1, RL=10Ω.

Hình 2

Page 1 of 4


a) Độ dốc của đường tải AC, DC là bao nhiêu?
b) Giá trị đỉnh (biên độ) cực đại của điện áp collector khi không bị sái dạng?
c) Công suất cực đại phân phối trên tải trong điều kiện câu b?


d) Hiệu suất bộ khuếch đại trong điều kiện câu b?
Câu 3 (2.5đ): Cho mạch điện như trên hình 3. Biết cuộn RFC có điện cảm vô cùng lớn,
các tụ C1, C2 có điện dung vô cùng lớn. Điện thế nguồn Vcc = 40V, công suất ngõ ra P1 =
20W, RA= 75Ω. Nguồn tín hiệu vào có tần số f0=100MhZ.
a) Vẽ mạch phối hợp trở kháng ngõ ra.
b) Tính L và C của mạch phối hợp trở kháng. Xem như điện thế VCEsat không đáng kể.

Hình 3
------------------------ HẾT--------------------------(CHÚ Ý: Sinh viên được sử dụng 1 tờ A4 chép tay)
Khoa ĐT - TH

GV ra đề

Nguyễn Phú Quới

Page 2 of 4


ĐÁP ÁN ĐTTT 11A,B
Câu 1: (4,0 đ)
a. Tính tốn phân cực DC
Rb  R B1 // R B 2  16 K

VCC
R B 2  4V
R B1  R B 2
V BB  V
25
 1.64k


 3.1mA => hie 
Rb
I CQ
 Re

V BB 
I CQ

(0.5 điểm)



b. Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ tần số thấp
Ri

(1 điểm)

hie
Cc2

100
Vs

1.64K
Rb1

Rb2

80K


Re*
200K

ic

Rc

4uF

RL

Ce*

20K

4K

1K

0.75uF

Rb  R B1 // R B 2  16 K
Re*  Re .h fe  200 K
C e* 

Ce
 0.75F
h fe

Tính độ lợi Av ( s)  v L / vi


1

 zi  R * C *  6.67rad / s

e e
C e* 
1
 
 82.3rad / s
pi

[( Ri // Rb  hie ) // Re* ]C e*
 zC  0

CC 2 
1
 pC  [ R  R ]C  50rad / s
C
L
C

vL
RL
s
s
Av ( s) 
 Ai .
vS
Ri  Rb // hie s  4.76 s  25

RC
Rb
RL
s  6.67 s
s  6.67 s
 h fe .
.
 91.4
RC  R L Rb  hie Ri  Rb // hie s  82.3 s  50
s  82.3 s  50
c. Vẽ biểu đồ Bode của Ai ( ) ở tần số thấp

|Ai(s)|dB
39.2
34.8
29.7

6.67

50

82.3

Page 3 of 4

(0.5 điểm)

(0.5 điểm)

(0.5 điểm)

(1 điểm)


Caõu 2: (3,5 ủ)
a. dc ng ti AC: R AC n 2 .RL 250 RL/

(0.5 ủieồm)
(0.5 ủieồm)

dc ng ti DC: RDC 0
b. Giỏ tr cc i ca in ỏp collector khi khụng b sỏi dng:

V VCEsat
25

iCm min I CQ , CC
min 0.5;
0.1A
R
250


AC


c. Cụng sut cc i phõn phi trờn ti:
1 2 / 1 2
PL, ac .i Lm
.RL .iCm .RL/ 0.5.0.12.250 1.25W
2

2
d. Coõng suaỏt cung cp bi ngun:
PCC VCC .I CQ 25.0.5 12.5W
Hieọu suaỏt

(1.0 ủieồm)

(0.5 ủieồm)
(0,5 ủieồm)
(0,5 ủieồm)



PL, ac
PCC

100% 10%

Caõu 3: (2,5 ủ)
(V VCEsat ) 2
Req CC
40
2 P1

(0.5 im)

L
Req
40


C

RA
75

(0,5 ủieồm)

Z in Req jL

1
RA
R jR A2 C
jC
Z out

A
1
1 jR AC 1 ( R AC ) 2
RA
jC
RA

1 ( R C ) 2 Req C 19.85 pF

A

2
R AC
L L 59.55nH
1 ( R AC ) 2

RA .

Page 4 of 4

(0,5 ủieồm)

(1 ủieồm)



×