mạch khuếch đại điện tử tương tự

CÁC
MẠCH
KHUẾCH
ĐẠI
SỬ DỤNG
TRANZITO


Ứng dụng
quan trọng
nhất của
Trazito

Sử dụng nó trong các
mạch để làm tăng cường
độ điện áp hay dòng điện
của tín hiệu mà thường
gọi là mạch khuếch đại


CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI SỬ
DỤNG TRANZITO

KHUẾCH ĐẠI DÙNG
TRANZITO LƯỠNG CỰC

KHUẾCH ĐẠI DÙNG
TRANZITO TRƯỜNG
(FET)

- KHUẾCH ĐẠI CÔNG SuẤT

- KHUẾCH ĐẠI TÍN HiỆU BiẾN THIÊN CHẬM


I. KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANZITO LƯỠNG CỰC
-Có nhiều phương pháp để phân tích các sơ đồ của một
tầng khuếch đại, nhưng với tín hiệu nhỏ
người ta thường hay dùng sơ đồ tương đương để phân
tích.
-Sau đây chúng ta sẽ phân tích tầng khuếch đại dùng
transistor lưỡng cực theo ba cách mắc mạch: Emitơ
chung, Colectơ chung, và Bazơ chung


Tầng khuếch đại (EC)

Điện trở vào của tầng: RV=R1// R2 // rV ; rV= rB + (1+β).rE.
Hệ số khuếch đại dòng điện:  Ki  . Rc // Rt
Rt

ậy tầng EC có hệ số khuếch đại dòng tương đối lớn, và nếu
C>> Rt thì nó gần bằng hệ số khuếch đại β của tranzito.
Hệ số khuếch đại điện áp:
Rc // Rt
(dấu trừ thể hiện sự đảo pha)
Ku   .
Rn  Rv

Hệ số khuếch đại công suất 

n khoảng từ (0,2

Kp 

Pr
 Ku.Ki
Pv


3
5).10
 lần+ Điện trở ra của tầng. Rr=RC //


Vì rC(E) >> RC nên Rr = RC.
Tầng EC có hệ số khuếch đại điện áp và dòng
điện lớn nên thường được sử dụng nhiều.

Tầng khuếch đại Emitơ
chung


Tầng khuếch đại Colectơ chung

trở vào của tầng: RV ≈ R1 // R2 // (1+β).(RE // Rt)
ọn bộ phân áp đầu vào R1, R2 lớn thì điện trở vào sẽ lớn.
iên khi đó không thể bỏ qua điện trở rC(E) mắc song song với mạch vào, nên điện
hải tính:
RV = R1 // R2 // [(1+β).(RE // Rt) ]//rE(E)
ở vào lớn là một trong những ưu điểm quan trọng của tầng C chung, dùng làm tầ
i nguồn tín hiệu có điện trở trong lớn. Rv RE // Rt

Ki (1   ) .
ố khuếch đại dòng điện:

ố khuếch đại điện áp:

rv

Ku (1   )

Rt

RE // Rt
Rn  Rv

>> Rn và gần đúng RV ≈ (1+β).(RE + Rt) thì Ku≈ 1.
ậy tầng khuếch đại C chung để khuếch đại công suất tín hiệu trong khi giữ nguyê
p của nó.
1 nên hệ số khuếch đại Kp xấp xỉ bằng Ki về trị số.
trở ra của tầng: 
//[rE+(rB+Rn//R1//R2)/(1+β)]=RE//rE


n trở ra của tầng: 

rở ra của tầng nhỏ cỡ (1 50). Nó được dùng để phối hợp mạ
tầng khuếch đại với tải có điện trở nhỏ, khi đó tầng C chung
ầng ra của bộ khuếch đại có vai trò như một tầng khuếch đạ
đơn chế độ A không có biến áp ra.

a)Sơ đồ khuếch đại CC b)Sơ đồ tương

xoay chiều


Tầng khuếch đại cực B chung (BC)
Các phần tử R1, R2, RE dùng để xác định chế độ tĩnh IE.
Các phần tử còn lại cũng có chức năng giống sơ đồ mạch EC.
+ Điện trở vào: RV = RE //[rE + ( 1─ α)rB]
Điện trở vào của tầng được xác định chủ yếu bằng điện trở rE vào
khoảng (1050).
Điện trở vào nhỏ là nhược điểm cơ bản của tầng BC vì tầng đó sẽ
là tải lớn đối với
nguồn tín hiêụ vào.
+ Hệ số khuếch đại dòng của tầng: 
Rc // Rt

Ki 

+ Hệ số khuếch đại điện áp: 

Rt

Rc // Rt
Ku 
Rn  Rv


+ Điện trở ra của tầng: Rr = RC // rC(E) ≈ RC .
Cần chú ý rằng đặc tuyến tĩnh của tranzito mắc BC có độ tuyến tính lớn nên
tranzito c
ó thể dùng với điện áp cực C lớn hơn sơ đồ EC.

Chính vì vậy tầng khuếch đại BC được dùng khi cần có điện áp ở đầu ra lớn.

a) Sơ đồ khuếch đại BC b) Sơ đồ tương xoay
chiều


II KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANZITO TRƯỜNG

yên lý xây dựng tầng khuếch đại dùng tranzito trường cũng g
ng dùng tranzito lưỡng cực. Điểm khác nhau là tranzito trườn
hiển bằng điện áp.
họn chế độ tĩnh của tầng dùng tranzito trường cần đưa tới đầ
ực cửa G) một điện áp một chiều có giá trị và cực tính cần th
sơ đồ nguồn chung (SC), cực máng chung (DC) và cực cổng
(GC) về nguyên lý mạch cũng tương tự.
chú ý thêm một số đặc điểm của mạch khuếch đại dùng tran
g là các mạch này thường có hệ số khuếch đại nhỏ hơn so vớ
to lưỡng cực, tuy nhiên độ ổn định và tránh nhiễu lại tốt hơn.