Malvino-EP-06-Bit

Chương 6
Bipolar Junction
T i t (BJT)Transistor (BJT)
Từ Vựng (1)Từ Vựng (1)
• Active region = miền tích cực
• Base (B) = (miền/cực) nền
•
Bipolar transistor = transistor lưỡng cựcBipolar transistor transistor lưỡng cực
• Breakdwon region = miền đánh thủng
Cll t (C) ( iề / )th (h ó )• Collector (C) = (miền/cực) thu (hay góp)
• Collector diode = diode tạo bởi J
C
• Common base (CB) = nền chung
•
Common collector (CC) = thu chungCommon collector (CC) thu chung
• Common emitter (CE) = phát chung
Từ Vựng (2)Từ Vựng (2)
• Current gain = độ lợi dòngCurrent gain độ lợi dòng
• Curve tracer = máy vẽ đặc tuyến
•
Cutoff region = miềntắtCutoff region miền tắt
• Emitter (E) = (miền/cực) phát
• Emitter diode = diode tạobởiJ• Emitter diode = diode tạo bởi J
E
• H parameter = tham (thông) số hỗn hợp H
(Hybrid)(Hybrid)
• Integrated circuit = vi mạch = mạch tích
hợp=IChợp = IC
Từ Vựng (3)Từ Vựng (3)
• Heat sink = tản nhiệt, giải nhiệtHeat sink tản nhiệt, giải nhiệt
• Junction trasistor = trasistor tiếp xúc

• Power trasistor = trasistor công suất• Power trasistor = trasistor công suất
• Saturation region = miền bão hòa
Slliltit tittíhiệ hỏ• Small-signal trasistor = trasistor tín hiệu nhỏ
• Switching circuit = mạch chuyển mạch, mạch
xung
• Thermal resistance = nhiệt trở
Nội dung chương 6Nội dung chương 6
1. Transistor chưa phân cựcp ự
2. Transistor có phân cực
3. Các dòn
g điện trong transistorg ệ g
4. Mắc E chung (CE)
5. Đặc tuyến ở cực nền
6. Đặc tuyến ở cực thu
7. Xấp xỉ transistor
8. Đọc bảng dữ liệu
9. Troubleshooting
Transistors (Transfer Resistor)
Transistors
Field Effect Transistors
Bipolar transistors
NPN,PNP
Junction-FETs (JFETS) Insulated Gate FET’s
N-channel, P-channel
MOSFETs
Enhancement, Depletion
N-channel P-channelN-channel, P-channel
Giới thiệuvề BJTGiới thiệu về BJT
• BJT = transistor tiếp xúc lưỡng cực = transistor
ố ố ế

p g ự
2 mối nối (hay 2 tiếp xúc)
•Lưỡng cực: do dòng điện chính được tạo bởi 2
hạtdẫn điệntử (-)vàlỗ (+)hạt dẫn điện tử (-) và lỗ (+)
•BJT được phát minh vào năm 1948 do
Bardeen, Brattain và Shockley
ề• BJT là dụng cụ có 3 cực: phát (E), nền (B) và
thu (C).
• Ngườitagọitiếp xúc PN giữaBvàElàJ giữa• Người ta gọi tiếp xúc PN giữa B và E là J
E
, giữa
B và C là J
C
.
• Có 2 loại: NPN và PNP
CấutạovàkýhiệuBJTCấu tạo và ký hiệu BJT
Cấu tạo và ký hiệu BJTạ ý ệ
CC E
NPN
B
E
B
E
P
N
N
+
C
B
E E C

Arrow always points away from base and toward emitter
My pneumonic: No Point iN
N
P
B
C
B
C E
PNP
N
P
+
E E
B
C
Arrow always points away from emitter towards baseArrow always points away from emitter towards base
My pneumonic: Points IN
Bipolar junctionj
transistor (BJT)
• The BJT is a “Si
sandwich”
P
EBC
sandwich
Pnπ (P=p
+
,π=p
-
) or
Npν (N=n

+
, ν=n
-
)
P
n
π
V
EB
V
CB
p ( , )
• BJT action: npn
Forward Active
EB CB
Depletion Region
oadcte
when V
BE
> 0 and
V
BC
< 0
Charge neutral Region
Depletion Region
BC
Schematic representation of pnp
dBJTand npn BJTs
Emitter is heavily doped compared to collector. So, emitter
and collector are not interchangeable.

The base width is small compared to the minority carrier
diffusion length. If the base is much larger, then this will
b h lik bkt b k di dbehave like back-to-back diodes.