Tải bản đầy đủ (.pdf) (6 trang)

Ăng-ten mảng khe phân cực tròn sử dụng cấu trúc tiếp điện bằng hốc cộng hưởng SIW hoạt động ở băng tần 28 GHz cho các ứng dụng 5G

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (1.26 MB, 6 trang )

Ăng-ten mảng khe phân cực tròn sử dụng cấu trúc
tiếp điện bằng hốc cộng hưởng SIW hoạt động ở
băng tần 28 GHz cho các ứng dụng 5G
Son Ho-Quang1*, Son Xuat Ta1, Kiem Nguyen-Khac1, Chien Dao-Ngoc1,2
Viện Điện tử Viễn thông, Đại học Bách Khoa Hà Nội, Hà Nội, Việt Nam
Trung tâm nghiên cứu và phát triển quốc gia về công nghệ mở, Bộ Khoa học và Công nghệ, Hà Nội, Việt Nam
1

2

,
Tóm tắt— Trong bài báo này, chúng tôi đề xuất một ăng-ten
mảng nhỏ gọn, phân cực tròn, tiếp điện bằng cáp đồng trục ứng
dụng cấu trúc ống dẫn sóng tích hợp trong đế điện môi (SIW) hoạt
động ở dải tần 28 GHz cho các ứng dụng 5G. Ăng-ten bao gồm 1
tấm phát xạ được cấu tạo từ mảng 4 x 4 phần tử bức xạ nhỏ có cấu
trúc hình chữ nhật vát cạnh đặt trên tấm đế điện môi tích hợp
SIW. Để tiếp điện cho mảng các phần tử phát xạ, chúng tôi đã tạo
ra các lỗ khoét dạng thanh chữ nhật trên mặt kim loại của tấm
điện môi SIW. Phân cực tròn được tạo ra nhờ sự lệch pha 90° của
các dòng điện mặt chảy trên bề mặt phần tử phát xạ có cấu trúc
vát cạnh đối xứng. Ăng-ten mảng SIW đề xuất có cấu trúc nhỏ,
gọn, hỗ trợ cả phân cực tròn trái và phân cực tròn phải, thuận lợi
cho việc thu phát sóng trong mạng di động 5G hoạt động ở dải tần
số sóng mi-li-mét. Ăng-ten đề xuất có kích thước tổng thể là 23.8
mm  23.8 mm  2.016 mm (2.22 λo  2.22 λo  0.19 λo tại tần số 28
GHz); băng thông hoạt động tương ứng với |S11| < –10 dB là 1.920
GHz (26.58–28.50 GHz); băng thông phân cực tròn tương ứng với
AR < 3-dB là 3.600 GHz (26.250–29.850 GHz). Tại tần số 28 GHz,
ăng-ten đề xuất có tăng ích 14.83 dBic.
Từ khóa— ăng-ten vi dải, SIW, phân cực tròn, ứng dụng 5G,


sóng mi-li-mét, ăng-ten khe, ăng-ten mảng.

I. GIỚI THIỆU
Trong thời đại ngày nay, nhu cầu sử dụng và truyền dữ liệu
của con người ngày càng lớn, đặc biệt là trong bối cảnh các công
nghệ dữ liệu lớn (big-data), trí tuệ nhân tạo (AI), vạn vật kết nối
(IoT) đang liên tục ra đời và ngày càng phát triển bùng nổ. Lưu
lượng dữ liệu không dây được dự đoán sẽ tăng gấp 1000 lần từ
năm 2010 đến 2020 [1] đặt ra yêu cầu rất cao cho các hệ thống
thông tin thế hệ mới, đặc biệt là công nghệ thông tin di động thế
hệ thứ 5 (5G). Trên thế giới, một số dải tần đã được nghiên cứu
để phân bổ cho 5G được chia làm 2 loại: các dải tần số dưới
6GHz và các dải tần số sóng mi-li-mét. So với các dải tần dưới
6 GHz, các dải tần sóng mi-li-mét như dải tần 24 GHz, 28 GHz,
60 GHz có thể phân bổ được phổ tần rộng hơn gấp nhiều lần, do
đó có thể đáp ứng khả năng truyền tải dữ liệu với tốc độ cực cao
(hàng Gbps) [2]. Chính lợi thế này đã mở ra cơ hội phát triển
nhiều ứng dụng trên dải tần sóng mi-li-mét này, bao gồm: điện
toán phân tán di động; kết nối internet không dây với tốc độ cực
cao; trạm kết nối không dây; và các ứng dụng truyền video độ
phân giải cao không nén, chủ yếu trong các mạng WPAN cá
nhân tầm ngắn [3]. Yêu cầu đặt ra đối với các ăng-ten cho các
thiết bị này là kích thước nhỏ gọn, độ định hướng tốt, độ suy hao

thấp và có giá thành rẻ để dễ dàng tích hợp với các mạch thu
phát sóng điện từ hoạt động ở dải tần sóng mi-li-mét [4].
Các hệ thống phân cực tròn (CP) cho phép việc định hướng
giữa ăng-ten thu và phát linh hoạt hơn, bên cạnh đó hiệu ứng lan
truyền của sóng phân cực tròn CP ít bị ảnh hưởng hơn so với
sóng phân cực tuyến tính (LP). Trong thời gian gần đây, nhiều

ăng-ten phân cực tròn hoạt động ở dải tần sóng mi-li-mét đã
được đề xuất, ví dụ như ăng-ten dạng patch, ăng-ten xoắn ốc,
ăng-ten dạng lưới, ăng-ten khe, ăng-ten aperture [5-10]. Tuy
nhiên, nhiều thiết kế hiện tại có cấu trúc ăng-ten hoặc cấu trúc
tiếp điện phức tạp (ví dụ: sử dụng cấu trúc đa lớp hoặc cấu trúc
tiếp điện sử dụng ống dẫn sóng dạng khe phức tạp) hoặc có hiệu
suất thấp (ví dụ: băng thông phân cực tròn thấp hoặc tăng ích
thấp).
Cấu trúc tiếp điện sử dụng ống dẫn sóng tích hợp trong đế
điện môi (SIW) là giải pháp có độ tổn hao thấp, không có bức
xạ ngược, giá thành rẻ, có cấu trúc phẳng và dễ tích hợp để tiếp
điện cho các ăng-ten vi dải, ăng-ten mảng khe hoạt động ở dải
tần sóng mi-li-mét [5], [11]. Bên cạnh đó, SIW cũng được đánh
giá cao vì các đặc tính rất có lợi bao gồm: tăng ích cao, hiệu suất
bức xạ cao và độ định hướng rất tốt [12], [13]. Nó cũng có thể
làm giảm sóng bề mặt và cải thiện khả năng cách ly của mảng
ăng-ten khi hoạt động ở dải tần sóng mi-li-mét [14].
Trong bài báo này, chúng tôi đề xuất một ăng-ten nhỏ gọn sử
dụng cấu trúc tiếp điện bằng SIW hoạt động ở dải tần 28 GHz
cho các ứng dụng 5G. Ăng-ten đề xuất bao gồm 1 tấm phát xạ
được cấu tạo từ mảng 4 x 4 phần tử bức xạ nhỏ có cấu trúc hình
chữ nhật vát cạnh đặt trên tấm đế điện môi tích hợp SIW. Để tiếp
điện cho các phần tử phát xạ, chúng tôi đã tạo ra các lỗ khoét
dạng thanh chữ nhật trên mặt kim loại của tấm điện môi SIW.
Phân cực tròn được tạo ra nhờ sự lệch pha 90° của các dòng điện
mặt chảy trên bề mặt phần tử phát xạ có cấu trúc vát cạnh đối
xứng. Ăng-ten đề xuất được nghiên cứu, tối ưu, mô phỏng thông
qua phần mềm ANSYS HFSS (ANSYS High-Frequency
Structure Simulator).
II. THIẾT KẾ ĂNG-TEN ĐƠN

A. Cấu trúc ăng-ten
Cấu trúc của ăng-ten đơn được thể hiện tại Hình 1. Ăng-ten
bao gồm một tấm bức xạ, một cấu trúc tiếp điện bằng SIW, một
mặt là tấm kim loại có khoét khe, SMA 50-Ω và 2 tấm đế điện

100


lưỡng cực phát xạ. Để tạo ra phân cực tròn, phần tử bức xạ đặt
ở mặt trên tấm điện môi có hình dạng chữ nhật có kích thước
(DL  DW) được vát đối xứng hai đầu với kích thước vát là w.
Phần tử bức xạ được quay đi một góc α so với trục x để tận dụng
được năng lượng bức xạ lớn nhất hất lên từ khe bức xạ. Cấu trúc
mặt bức xạ được thể hiện tại Hình 2.
DL

DW

môi Rogers RT5880 (εr = 2.2 và tanδ = 0.0009). Trong tấm đế
điện môi phía dưới, một khoang vuông được tạo ra bằng 4 hàng
lỗ kim loại (vias). Mỗi lỗ kim loại có đường kính D và khoảng
cách giữa 2 lỗ via liên tiếp là P, tổng chiều dài của hàng lỗ kim
loại là Lc xuyên qua đế điện môi có độ dày h = 0.508 mm. Mặt
trên của tấm đế điện môi phía dưới là một tấm kim loại có khoét
khe với kích thước là Ls  Ws để bức xạ sóng điện từ từ cấu trúc
tiếp điện bằng SIW phía dưới lên phần tử bức xạ đặt ở tấm đế
điện môi phía trên. Đầu SMA tiếp điện được đặt ở điểm có tọa
độ (feed_x = -1.2 mm; feed_y= -1.3 mm).

w


Lc

Wc
y
x

Ws
Ls

Wsiw

(a)
Hình.2. Cấu trúc ăng-ten sử dụng phần tử bức xạ là hình chữ nhật vát đối
xứng

D

P

B. Thiết kế ăng-ten
Như chúng ta đã biết, băng thông hoạt động của ăng-ten phụ
thuộc rất lớn vào độ dày cũng như đặc tính của tấm đế điện môi.
Sau khi lựa chọn tấm đế điện môi là Rogers RT5880 để thiết kế,
các kích thước của ăng-ten (kích thước khe bức xạ, kích thước
và khoảng cách lỗ kim loại) được xác định dựa theo tần số hoạt
động như sau.

y
x

feed_y

d1
d2

Giả sử ăng-ten của chúng ta có tần số hoạt động là f, kích
thước khe bức xạ và kích thước bức xạ SIW cũng phải phù hợp
để bức xạ gần với tần số này. Giả sử , 𝑓𝑠𝑙𝑜𝑡 ≅ 𝑓𝑆𝐼𝑊 ≅ 𝑓0 , và kích
thước khe bức xạ (Ls  Ws) sẽ được tính dựa theo công thức dưới
đây:

feed_x

(b)
arrow shaped
patch

h

𝜆0
2
𝜆𝑔
𝑊𝑠 =
20

εr = 2.2

dg

Trong đó: 𝜆0 = 𝑐⁄𝑓 và 𝜆𝑔 =


εr

h

(1)

𝐿𝑠 =

0

slot

(c)
Hình 1. Cấu trúc ăng-ten đơn đề xuất: (a) hình chiếu đứng của lớp khe bức xạ,
(b) hình chiếu đứng của lớp tiếp điện, and (c) hình chiếu bằng của ăng-ten

(2)
1
2
1 2
1
√( ) −(
)
𝜆0
2×𝐿𝑐

Để cấu trúc tiếp điện tích hợp trong đế điện môi SIW hoạt
động, có 2 điều kiện sau phải đáp ứng: 𝐷 < 0.1𝜆0 and 𝑃 < 2𝐷.
Tham số chính 𝑊𝑆𝐼𝑊 là độ rộng của cấu trúc bức xạ SIW có thể

được tính theo công thức dưới đây [15]:

Tấm điện môi phát xạ được đặt phía trên, cách tấm điện môi
SIW một khoảng không khí (dg = 1.2 mm) có tác dụng như một

101


𝑓𝑆𝐼𝑊 =

0.6𝑐

0

(3)

𝑊𝑆𝐼𝑊 √𝜀𝑒𝑓𝑓

-5

Trong đó 𝑐 vận tốc ánh sáng lan truyền trong không gian tự do;
𝜀𝑒𝑓𝑓 = 2𝜀𝑟 ⁄(1 + 𝜀𝑟 ) là hằng số điện môi tương đối khi
tính đến sự có mặt của môi trường điện môi khác giữa khe bức
xạ và mặt đất.

-10

|S11|(dB)

-15


-20

alpha = 34 deg
alpha = 36 deg
alpha = 38 deg
alpha = 40 deg
alpha = 42 deg

-25

C. Khảo sát tham số ăng-ten

-30

Ảnh hưởng của các tham số chính đến băng thông phân cực
tròn AR và hệ số phản xạ S11 đã được chúng tôi nghiên cứu kỹ.
Các kinh nghiệm rút ra trong quá trình mô phỏng, tối ưu rất có
ý nghĩa khi thiết kế ăng-ten có cấu trúc tương đương.

-35
23

25

24

27

26


28

29

29.5

30.0

Frequency [GHz]

(a)
7

Theo Hình 3(a) và 3(b), có thể thấy khi chiều dài phần tử bức
xạ DL tăng lên, tần số cộng hưởng của ăng-ten có xu hướng giảm
xuống, trong khi đó tần số phân cực tròn lại có xu hướng chuyển
dịch lên. Góc quay “alpha” cũng ảnh hưởng khá lớn đến tần số
hoạt động của ăng-ten theo khảo sát tại Hình 4(a) và 4(b).

alpha = 34 deg
alpha = 36 deg
alpha = 38 deg
alpha = 40 deg
alpha = 42 deg

6

Axial Ratio (dB)


5

Kích thước của hốc cộng hưởng SIW cũng ảnh hưởng rất lớn
đến khả năng phối hợp và phân cực tròn của ăng-ten. Khi khoảng
cách giữa các lỗ via “P” tăng lên, tần số cộng hưởng của SIW
giảm xuống, băng thông ăng-ten tăng lên nhưng tỷ số S11 và phân
cực tròn của ăng-ten giảm xuống như trình bày ở Hình 5(a) và
5(b).

4

3

2

1

0
27.0

27.5

28.0

0

29.0

(b)


-5

Hình. 4. Ảnh hưởng của góc quay alpha tới (a) |S11| và (b) giá trị AR.

-10

0

-15

|S11|(dB)

-20
-25

-10

-30
-35

-45

|S11|(dB)

Dl=3.5mm
Dl=3.54mm
Dl=3.6mm
Dl=3.66mm
Dl=3.7mm


-40

-50
-55

23

24

25

26

27

28

-20

-30
P = 0.8 mm
P = 0.82 mm
P = 0.84 mm
P = 0.86 mm
P = 0.88 mm
P = 0.9 mm

-40

29


Freque ncy [GHz]
-50

(a)

21

22

23

24

25

Dl=3.5mm
Dl=3.54mm
Dl=3.6mm
Dl=3.66mm
Dl=3.7mm

5

4

27

28


29

30

(a)
7
P = 0.8 mm
P = 0.82 mm
P = 0.84 mm
P = 0.86 mm
P = 0.88 mm
P = 0.9 mm

6

5

Axial Ratio (dB)

3

2

1

0
27.0

26


Frequency [GHz]

6

Axial Ratio(dB)

28.5

Frequency [GHz]

4

3

2

1

27.5

28.0

28.5

29.0

29.5

30.0
0

27.0

Frequency [GHz]

27.5

28.0

28.5

29.0

29.5

30.0

Frequency [GHz]

(b)

(b)

Hình 3. Tác động của tham số DL đến (a) |S11|, và (b) giá trị AR

Hình. 5. Ảnh hưởng của khoảng cách P giữa 2 vias tới (a) |S11|, và (b) giá trị
AR

102



Sau khi xác định được các tham số ảnh hưởng đến đặc tính
ăng-ten, chúng tôi điều chỉnh, tối ưu các kích thước ăng-ten
bằng phần mềm mô phỏng HFSS. Ăng-ten đơn đạt được với các
kích thước tối ưu như liệt kết ở Bảng I dưới đây.

xOz
yOz

0
10

330

30

0
300

BẢNG I. CÁC KÍCH THƯỚC CỦA ĂNG-TEN ĐƠN TỐI ƯU
P
D
h
Lc
Ls
Ws
w

0.86 mm
0.36 mm
0.508 mm

10.88 mm
4.3 mm
0.97 mm
0.5 mm

DL
DW
feed_x
feed_y
alpha
dg

60

-10

3.6 mm
1.2 mm
-1.2 mm
-1.3 mm
38°
1.2 mm

-20
270

90

-20
-10

240

120

0

D. Kết quả mô phỏng đặc tính ăng-ten đơn

210

10

150
180

Các đặc tính bức xạ của ăng-ten đơn tối ưu sử dụng cấu trúc
tiếp điện SIW được mô tả như Hình 6 – 8 dưới đây. Băng thông
đạt được là 5.096 GHz (23.278–28.374 GHz), bao trùm băng
28 GHz đã được phân bổ cho 5G (27.5–28.35 GHz). Có thể thấy
băng thông phân cực tròn đạt được cũng rất tốt trong đoạn băng
tần hoạt động như Hình 7. Băng thông phân cực tròn tương ứng
với tỷ số AR < 3 dB là 27.412–29.800 GHz (2388 MHz), tần số
trung tâm của băng thông phân cực tròn là 28.0 GHz (AR =
0.359 dB). Tăng ích ăng-ten đạt đến 7.04 dBic trong băng tần
hoạt động.

(a)
xOz
yOz


0
10

330

30

0

300

60

-10
-20
270

90

-20
0

-10
240

-5

120

0


|S11|(dB)

-10

210

10

150
180

-15

(b)
Hình. 8. Cấu trúc bức xạ của ăng-ten đề xuất tại tần số: (a) 27.5 GHz, và (b)
28.35 GHz

-20

-25

III. THIẾT KẾ ĂNG-TEN MẢNG
-30
22

23

24


25

26

27

28

29

30

Frequency [GHz]

Hình. 6. Kết quả mô phỏng tham số |S11| của ăng-ten đơn đề xuất.
6

9.0

6.0

3

4.5

Gain (dBic)

Axial Ratio (dB)

7.5


3.0

A. Cấu trúc ăng-ten
Cấu trúc của ăng-ten mảng được thể hiện tại Hình 9. Ăngten bao gồm 2 tấm đế điện môi làm bằng vật liệu Rogers
RT5880 (εr = 2.2, tanδ = 0.0009) có độ dày h = 0.508 mm (20
mils). Tấm đế điện môi phía dưới có đục các hàng lỗ vias tạo
thành cấu trúc hốc cộng hưởng SIW. Mỗi lỗ kim loại có đường
kính D và khoảng cách giữa 2 lỗ via liên tiếp là P, tổng chiều
dài của hàng lỗ kim loại là Lc xuyên qua đế điện môi có độ dày
h = 0.508 mm. Mặt dưới của tấm đế điện môi này là mặt phẳng
đất (GND), phía trên là một tấm kim loại có khoét khe với kích
thước là Ls  Ws để bức xạ sóng điện từ từ cấu trúc tiếp điện
bằng SIW phía dưới lên phần tử bức xạ đặt ở tấm đế điện môi
phía trên. Đầu SMA tiếp điện được đặt ở điểm có tọa độ (feed_x
= -1.2 mm; feed_y= -1.3 mm).
Radiation
element

1.5
h

0
27.0

27.5

28.0

28.5


29.0

29.5

0.0
30.0

dg

εr = 2.2
εr

h

Frequency [GHz]

Hình. 7. Kết quả mô phỏng tỷ số trục AR và tăng ích của ăng-ten đề xuất

(a)

103

slot


tấm điện môi được sắp xếp tại tâm của mỗi sóng đứng để năng
lượng bức xạ qua là lớn nhất. Hai sóng đứng liên tiếp ở 2 hàng
gần nhau được sắp xếp để cách nhau một khoảng là một nửa
bước sóng để có độ lệch pha là 180°.


Lc

S_l

C. Khảo sát tham số ăng-ten

patch_axis

S_w

alpha

Tương tự như đối với ăng-ten đơn, các kích thước ảnh hưởng
lớn nhất đến các tham số phát xạ của ăng-ten là chiều dài phần
tử bức xạ DL, góc quay “alpha”, khoảng cách giữa các lỗ vias
“P”. Sau quá trình mô phỏng, tối ưu như đã thực hiện đối với
ăng-ten đơn, chúng tôi đã đạt được ăng-ten phân cực tròn đảm
bảo các tiêu chí bức xạ đã đặt ra với các kích thước đã được tối
ưu như bảng II dưới đây.

y
Wc

x

BẢNG II. CÁC KÍCH THƯỚC CỦA ĂNG-TEN MẢNG TỐI ƯU
P
D
h

Lc
Ls
Ws
w

(b)
D
P

1.04 mm
0.7 mm
0.508 mm
20.8 mm
4.8 mm
0.97 mm
0.5 mm

DL
DW
feed_x
feed_y
alpha
dg

3.54 mm
1.2 mm
-2.12 mm
1.9 mm
135°
1 mm


feed_x

d1
feed_y

d2 y

IV. KẾT QUẢ MÔ PHỎNG VÀ THẢO LUẬN
x

(c)
Hình. 9. Cấu trúc của ăng-ten mảng đề xuất: (a) hình chiếu bằng của ăng-ten,
(b) hình chiếu đứng của lớp khe bức xạ, (c) hình chiếu đứng của lớp tiếp điện.

B. Cơ chế bức xạ
Tiếp điện của ăng-ten được đưa vào tại đầu vào của cáp đồng
trục. Sóng lan truyền trong hốc cộng hưởng SIW có phân bố
điện trường tại tần số 28 GHz như Hình 10.

Các đặc tính bức xạ của ăng-ten mảng sử dụng cấu trúc tiếp
điện SIW đề xuất được mô tả như Hình 11 – 13 dưới đây. Băng
thông đạt được là 1.920 GHz (26.58–28.50 GHz), bao trùm băng
28 GHz đã được phân bổ cho 5G (27.5–28.35 GHz). Có thể thấy
băng thông phân cực tròn đạt được cũng rất tốt trong đoạn băng
tần hoạt động như Hình 12. Băng thông phân cực tròn tương ứng
với tỷ số AR < 3 dB là 26.25–29.85 GHz (3600 MHz), tần số
trung tâm của băng thông phân cực tròn là 28.15 GHz (AR =
1.58 dB). Tăng ích ăng-ten đạt đến 14.87 dBic trong băng tần
hoạt động.

Hình 13 cho thấy ăng-ten đề xuất có búp sóng khá rộng và
có cấu trúc bức xạ tương đối đều trong cả mặt phẳng x-z và y-z.
Ở tần số 27.5 GHz, ăng-ten đạt tăng ích 14.77 dBic và góc nửa
công suất tương ứng với mặt phẳng x-z, y-z lần lượt là 27° và
34°. Ở tần số 28.35 GHz, ăng-ten đạt tăng ích 14.46 dBic và góc
nửa công suất tương ứng với mặt phẳng x-z, y-z lần lượt là 25°
và 39°
0

|S11|(dB)

-5

-10

-15

-20

Hình. 10. Phân bố điện trường trong hốc cộng hưởng SIW

Nhìn vào phân bố điện trường này, có thể thấy có 4 x 4 đỉnh
sóng đứng đã được hình thành trong hốc cộng hưởng SIW. Dựa
trên các phân bố đỉnh sóng đứng này, các khe ở mặt trên của

-25
26.0

26.5


27.0

27.5

28.0

28.5

Frequency [GHz]

Hình. 11. Kết quả mô phỏng |S11| của ăng-ten đề xuất.

104

29.0

29.5

30.0


6

xạ có khoét cạnh đối xứng và quay góc phù hợp so với khe bức
xạ để tạo ra phân cực tròn CP. Ăng-ten đề xuất có kích thước
tổng thể là 23.8 mm  23.8 mm  2.016 mm (2.22 λo  2.22 λo
 0.19 λo tại tần số 28 GHz); băng thông hoạt động tương ứng
với |S11| < –10 dB là 1.920 GHz (26.58–28.50 GHz);băng thông
phân cực tròn tương ứng với AR < 3-dB là 3.600 GHz (26.250–
29.850 GHz). Với thiết kế nhỏ gọn, tiếp điện đơn giản, phối hợp

trở kháng tốt, băng thông phân cực tròn lớn, ăng-ten đề xuất có
thể áp dụng rộng rãi cho các ứng dụng 5G hoạt động ở băng tần
28 GHz.

15

3

9

Gain (dBic)

Axial Ratio (dB)

12

6

TÀI LIỆU THAM CHIẾU
0
26.0

26.5

27.0

27.5

28.0


28.5

29.0

29.5

3
30.0

[1]

Frequency[GHz]

[2]

Hình. 12. Kết quả mô phỏng tỷ số AR và tăng ích của ăng-ten đề xuất,
xOz
yOz

0
20

330

30

[3]

10


[4]

0

300

60

-10

[5]

-20
270

90

-20

[6]

-10
0

240

120

[7]


10
210

20

150
180

[8]

(a)

330

[9]

xOz
yOz

0
20

30

[10]

10
0

300


60

-10

[11]

-20
270

90

-20

[12]

-10
0

240

120

[13]
10
20

210

150

180

[14]

(b)
Hình. 13. Cấu trúc bức xạ của ăng-ten đề xuất: (a) 27.5 GHz, và (b) 28.35 GHz
[15]

V. KẾT LUẬN
Trong bài báo này, chúng tôi đã nghiên cứu, thiết kế một ăngten mảng, tiếp điện bằng cáp đồng trục sử dụng nguyên lý bức
xạ ống dẫn sóng tích hợp trong đế điện môi SIW hoạt động ở dải
tần 28 GHz cho các ứng dụng 5G. Ăng-ten sử dụng phần tử bức

105

B. Raaf et aI., "Vision for beyond 4G broadband radio systems," Proc.
IEEE 22nd Int. Symp. PIMRC, Sep. 2011, pp. 2369-2373.
T. S. Rappaport, J. Murdock, and F. Gutierrez, "State of the art in 60 GHz
integrated circuits and systems for wireless communications," Proc.
IEEE, vol. 99, no. 8, pp. 1390-1436, Aug. 2011.
H.K. Lau, "High-speed short-range systems for wireless personal area
networks," Wireless Telecommunications Symp., Prague, Czech
Republic, Apr. 2009, pp. 1-4.
L. Li et aI., "Design of 60GHz RF transceiver in CMOS: Challenges and
recent advances," Communications, China, vol. II, no. 6, pp.32-4I, Jun.
2014.
A. B. Guntupalli and K. Wu, "60-GHz Circularly Polarized Antenna
Array Made in Low-Cost Fabrication Process," IEEE Antennas Wireless
Propag. Lett., vol. 13, pp. 864-867,2014.
C. Liu, Y-X. Guo, X. Bao, and S.-Q. Xiao, "60-GHz LTCC integrated

circularly polarized helical antenna array," IEEE Trans. Antennas
Propag., vol. 60, no. 3, pp. 1329-1335, Mar. 2012.
B. Zhang, Y P. Zhang, D. Titz, F. Ferrero, and C. Luxey, "A
circularlypolarized array antenna using linearly-polarized sub grid arrays
for highly-integrated 60-GHz radio," IEEE Trans. Antennas Propag., vol.
61, no. I, pp. 436-439, Jan. 2013.
H. Nematollahi, H. Boutayeb, and K. Wu, "Millimeter-wave
circularlypolarized traveling-wave substrate integrated waveguide
antennas," Proc. of the 2009 European Microwave Conference (EuMC),
pp. 1555-1558,2009.
A. D. Nesic and D. A. Nesic, "Printed planar 8x8 array antenna with
circular polarization for millimeter-wave application," IEEE Antennas
Wireless Propag. Lett., vol. 11, pp. 744-747, 2012.
Y Miura, J. Hirokawa, M. Ando, K. Igarashi, and G. Yoshida, "A high
efficiency circularly-polarized aperture array antenna with a
corporatefeed circuit in the 60GHz band," IEICE Trans. Electron., vol.94,
no.l0, pp.1618-1625, Oct. 2011.
D. F. Guan, Z. P. Qian, Y. S. Zhang, and Y. Cai, “A novel SIW slot
antenna array based on broadband power divider,” in Proc.International
Symposium on Antennas and Propagation (ISAP), 2013, Nanjing, China,
pp.601-604.
Y. Lang, S. W. Qu, and J. X. Chen, “Wideband circularly polarized
substrate integrated cavity-backed antenna array,” IEEE Antennas Wirel.
Propagat. Lett., vol. 13, pp. 1513-1516, Aug. 2014.
Y. J. Li and K. M. Luk, “Low-cost high-gain and broadband
substrateintegrated-waveguide-fed patch antenna array for 60-GHz
Band,” IEEE Trans. Antennas Propagat., vol. 62, pp. 5531-5538, Nov.
2014.
Y. Li, Z. N. Chen, X. M. Qing, et al., “Axial ratio bandwidth enhancement
of 60-GHz substrate integrated waveguide-fed circularly polarized LTCC

antenna array,” IEEE Trans. Antennas Propagat., vol. 60, pp. 4619-4626,
Oct. 2012.
Rao, J. S. and B. N. Das, “Impedance characteristics of transverse slots in
the ground plane of a stripline,” Proc. IEE, Vol. 125, No. 1, 29–32, Jan.
1978.



×