Tải bản đầy đủ (.pdf) (10 trang)

Nghiên cứu xây dựng hệ thống kiểm tra thiết bị ổn định trở kháng đường dây nguồn sử dụng trong các phép thử nghiệm tương thích điện từ trường thuộc tiêu chuẩn quân sự MIL-STD 461

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (2.84 MB, 10 trang )

Nghiên cứu xây dựng hệ thống kiểm tra thiết bị
ổn định trở kháng đường dây nguồn sử dụng
trong các phép thử nghiệm tương thích điện từ
trường thuộc tiêu chuẩn quân sự MIL-STD 461
∗ Cục

Nguyễn Tất Nam∗

Tiêu chuẩn - Đo lường - Chất lượng/Bộ Tổng Tham mưu.
Email: {namnguyentat}@gmail.com

Tóm tắt—Để đảm bảo tính pháp lý của các trang bị đo
lường trong quá trình sử dụng, giảm thiểu chi phí kiểm
định/hiệu chuẩn do các đơn vị đo lường trong Quân đội
chưa kiểm định được thiết bị/mạng ổn định trở kháng
đường dây nguồn (LISN: Line Impedance Stabilisation
Network), tối thiểu hóa thời gian thực hiện, tác giả đề
xuất giải pháp kiểm tra/kiểm định thiết bị LISN sử dụng
trong các phép đo phát xạ từ trường, phát xạ nhiễu dẫn
đường dây nguồn và các phép thử nghiệm miễn nhiễm
nhiễu dẫn thuộc tiêu chuẩn quân sự MIL-STD 461 và tiêu
chuẩn về tương thích điện từ trường dùng trong lĩnh vực
thương mại. Kết quả nghiên cứu của bài báo đã đề xuất
được hệ thống có khả năng kiểm tra một cách bán tự động
thiết bị LISN có dải tần hoạt động từ 10 kHz đến 10 MHz.
Ngoài ra, kết quả nghiên cứu đã đưa ra được các công
thức đặc trưng về mối quan hệ giữa trở kháng, suy hao
đặt vào và tần số của LISN, hỗ trợ việc tính toán lượng
nhiễu vô tuyến xuất hiện trên dây trung tính (N:Neutral)
và dây lửa (L:Line) trong quá trình thử nghiệm thiết bị
của bài thử nghiệm phát xạ nhiễu dẫn đường dây nguồn.


Từ khóa—LISN, tương thích điện từ trường, vô tuyến,
Matlab.

I. GIỚI THIỆU

Impedance Stabilisation Network) là thành phần chính
trong các phép thử nghiệm phát xạ nhiễu dẫn (CE101,
CE102) khi thiết bị cần kiểm tra sử dụng cáp nguồn AC.
Ngoài ra, một số ứng dụng liên quan đến mạch nguồn
DC và đóng vai trò như một mạng ghép tín hiệu nhiễu
vào nguồn trong các phép thử miễn nhiễm nhiễu dẫn và
miễn nhiễm bức xạ phát như CS101 (miễn nhiễm nhiễu
dẫn đường dây nguồn, dải tần từ 30 Hz đến 150 kHz),
CS114 (miễn nhiễm nhiễu dẫn chèn qua các loại cáp, dải
tần từ 10 kHz đến 200 MHz), CS115 (miễn nhiễm nhiễu
dần chèn qua cáp và dây nguồn với xung kích thích),
CS116 (miễn nhiễm nhiễu dẫn đối với cáp và dây nguồn
với tín hiệu nhiễu quá độ hình sin tắt dần, dải tần từ 10
kHz đến 100 MHz) và RS103 (miễn nhiễm bức xạ điện
trường, dải tần từ 2 MHz đến 18 GHz) thuộc MIL-STD
461.
Một số tính năng chính của LISN trong các phép thử
nghiệm EMC như sau:




Các phép thử nghiệm tương thích điện từ trường
(EMC: Electro-Magnetic Compatibility) thuộc tiêu
chuẩn thương mại hay quân sự đều được chia thành 4

nhóm phép thử nghiệm:
• Nhóm phép thử nghiệm phát xạ nhiễu dẫn;
• Nhóm phép thử nghiệm miễn nhiễm nhiễu dẫn;
• Nhóm phép thử nghiệm phát xạ bức xạ;
• Nhóm phép thử nghiệm miễn nhiễm bức xạ.
Trong đó các phép thử nghiệm liên quan đến nhiễu dẫn
lại được chia theo các loại cáp liên quan: cáp nguồn
AC, cáp nguồn DC, cáp truyền dữ liệu, cáp điều khiển
và cáp truyền tín hiệu cân bằng và không cân bằng.
Thiết bị ổn định trở kháng đường dây nguồn (LISN: Line

58





Truyền tải nguồn cho các thiết bị kiểm tra trong
thử nghiệm EMC;
Cách ly nhiễu trên đường dây nguồn vào với phép
thử nghiệm;
Dẫn tín hiệu nhiễu sinh ra từ thiết bị thử trong phép
thử nghiệm đến máy phân tích phổ/máy thu đo;
Cung cấp một trở kháng xác định đối với tín hiệu
nhiễu từ cổng nguồn ra (cổng nguồn cấp cho EUT)
của LISN, trở kháng này độc lập với trở kháng của
nguồn chính (nguồn đầu vào) của LISN.

Để minh họa cho vai trò của LISN, có thể xem sơ đồ
khối thực tế của phần thực hiện thử nghiệm trong phép

thử nghiệm CS101 có sử dụng thiết bị LISN được mô
tả như trong Hình 1.
Hiện nay, Phòng đo EMC thuộc Trung tâm Giám định
Chất lượng sử dụng 04 thiết bị ổn định trở kháng đường


%LӃQ iS
FiFK O\

0i\ KLӋQ VyQJ $*,/(17
'62;$

1

0ҥQJ GӏFK SKD
62/$5 

2

%ӝ NKXӃFK ÿҥL kP WҫQ %5<6721
%667352

0i\ SKiW WtQ KLӋX
$*,/(17 $

BRYSTON

Agilent

SST

POWER

%LӃQ iS FiFK O\ kP WҫQ
62/$5 $

LISN

+LJK

LISN

5HWXUQ

EUT
7ө [X\rQ  ȝ) 62/$5
5

1JXӗQ YjR

Hình 1. Sơ đồ khối thử nghiệm miễn nhiễm nhiễu dẫn trên đường dây nguồn AC theo MIL-STD 461.
Bảng I
THIẾT BỊ ỔN ĐỊNH TRỞ KHÁNG ĐƯỜNG DÂY NGUỒN HIỆN CÓ TẠI
PHÒNG THỬ NGHIỆM EMC/TRUNG TÂM GIÁM ĐỊNH CHẤT LƯỢNG
TT
1
2
3
4

Tên thiết bị

Thiết bị ổn định trở kháng
đường dây nguồn (LISN)
Thiết bị ổn định trở kháng
đường dây nguồn (LISN)
Thiết bị ổn định trở kháng
đường dây nguồn (LISN)
Thiết bị ổn định trở kháng
đường dây nguồn (LISN)

Kiểu

Số hiệu

EM-7825-3

106

EM-7825-3

107

EM-7825-3

108

EM-7825-3

109

dây nguồn như thống kê trong Bảng I. Tuy nhiên theo

khảo sát của tác giả, các cơ sở đo lường trong và ngoài
Quân đội chưa kiểm định hoặc hiệu chuẩn được các
thiết bị này. Để thực hiện việc kiểm định hoặc hiệu
chuẩn phải đưa thiết bị sang nước ngoài, dẫn đến sẽ mất
nhiều thời gian và ảnh hưởng đến công việc của Phòng
thử nghiệm EMC, chưa kể tốn kém về mặt kinh phí. Từ
2015 đến nay, thiết bị được kiểm định/hiệu chuẩn 02 lần
(năm 2015 do Liberty Labs và năm 2019 do Keysight
thực hiện) ở nước ngoài, mỗi lần kiểm định có hiệu lực
trong vòng 01 năm. Do vậy, để đảm bảo tính pháp lý
của các trang bị đo lường trong quá trình sử dụng, giảm
thiểu chi phí kiểm định/hiệu chuẩn, tối thiểu hóa thời
gian thực hiện, chủ động trong việc thực hiện kiểm tra
kỹ thuật đo lường, tác giả đề xuất nghiên cứu giải pháp
kiểm tra, từ đó xây dựng hệ thống bán tự động kiểm tra
các tham số kỹ thuật của thiết bị LISN.
II. GIẢI PHÁP THỰC HIỆN
Để thực hiện thành công nghiên cứu, tác giả thực hiện
một số công việc sau: tìm hiểu nguyên lý hoạt động và
ứng dụng của các LISN sử dụng trong tiêu chuẩn EMC
thương mại và quân sự; các thủ tục kiểm tra của các
Hãng sản xuất các thiết bị đo này. Trên cơ sở đó, căn
cứ vào các trang thiết bị đo được trang bị tại Phòng thử

59

nghiệm EMC để đề xuất xây dựng thủ tục kiểm tra phù
hợp với các thiết bị LISN. Đồng thời xây dựng phần
mềm điều khiển quá trình kiểm tra các thiết bị này một
cách tự động nhằm rút ngắn thời gian thực hiện và giảm

thiểu sai sót do người thực hiện gây ra. Tiếp theo, tác
giả tiến hành kiểm tra, đánh giá kết quả đo được của 04
LISN trong Phòng Thử nghiệm EMC, sau đó so sánh
kết quả đạt được với kết quả do Hãng Keysight và Hãng
Liberty Labs công bố tương ứng vào các năm 2019 và
2015. Cuối cùng, từ số liệu về trở kháng và tần số, suy
hao đặt vào và tần số của LISN đạt được bằng hệ thống
đề xuất của bài báo, tác giả tiến hành xây dựng công
thức kinh nghiệm về mối quan hệ giữa trở kháng và tần
số, suy hao đặt vào và tần số hỗ trợ việc tính toán nhanh
trở kháng hoặc suy hao đặt vào ở tần số bất kì trong dải
tần hoạt động của LISN.
A. Giới thiều về Thiết bị ổn định trở kháng đường dây
nguồn
Mạng ổn định trở kháng đường dây nguồn có nhiệm
vụ cấp trở kháng đường dây chuẩn hóa đến EUT (EUT:
Equipment Under Test), trở kháng này độc lập với trở
kháng đường dây của nguồn bên ngoài, trong quá trình
thực hiện phép thử nghiệm phát xạ nhiễu dẫn. Trở kháng
chuẩn hóa cho phép đọc giá trị của phép đo nhiễu cao
tần trên đường dây nguồn.
Ngoài ra để tạo ra trở kháng chuẩn hóa, LISN là một
mạch lọc thông thấp được đặt giữa thiết bị thử nghiệm
(DUT: Device Under Test) và nguồn cấp (nguồn AC
hoặc DC). LISN chặn nhiễu cao tần từ đường dây nguồn
khỏi thiết bị thử nghiệm. Tuy nhiên, nguồn cấp đến thiết
bị đi thẳng đến LISN với ảnh hưởng tối thiểu. Mạch lọc
thông thấp là mạch lọc một tầng gồm có hai phần từ L
và C. Điện cảm sử dụng trong mạch lọc thông thấp có
thể là loại lõi không khí để ngăn chặn bão hòa và tạo

ra sự ổn định của trở kháng. LISN cũng cấp một đường
trở kháng thấp đối với nhiễu cao tần từ EUT đến thiết


bị đo để thuận lợi cho quá trình đo nhiễu cao tần. Suy
hao đặt vào của phép đo nhiễu đặc biệt lớn ở các tần
số thấp. Vì thế, ở tần số dưới 10 kHz, hệ số hiệu chỉnh
suy hao đặt vào cần được bù để đảm bảo phép đo nhiễu
đạt chính xác cao.

ĈҫX YjR (87
1JXӗQ YjR
0.25 PF

Impedance specifications at LISN terminals

60

50

Impedance [ ]

50 PH

8 PF

70

40


30

ĈҫX YjR WҧL 50 :
+RһF ÿҫX YjR 50 : FӫD Pi\ (0,

5:

20
Nominal in MIL-STD 461 F/G
Upper Limit in MIL-STD 461 F/G
Lower Limit in MIL-STD 461 F/G
Nominal without extension cord in ANSI C63.4
Upper Limit without extension cord in ANSI C63.4
Lower Limit without extension cord in ANSI C63.4
Upper Limit with extension cord in ANSI C63.4

1k :
10

&әQJ WtQ KLӋX UD

Hình 2. Sơ đồ nguyên lý của thiết bị LISN sử dụng điện cảm 50 µH
trong tiêu chuẩn quân sự [1], [2] .

Cả tiêu chuẩn EMC về quân sự và thương mại đều
quy định giới hạn trở kháng phải đáp ứng của các bộ
LISN sử dụng trong phép thử nghiệm EMC. Đây sẽ là
cơ sở để đánh giá kết quả kiểm tra trở kháng của LISN
có thể sử dụng trong các phép thử nghiệm EMC hay
không. Giới hạn trở kháng cụ thể của LISN được quy

định trong Hình 3 của [1], [2]. Trong khi đó, các tiêu
chuẩn EMC thương mại như [4] và [5] xác định giới hạn
trở kháng trong hai trường hợp có sử dụng thêm cáp dẫn
hoặc không từ Bảng 1 đến Bảng 4 của [4]. Giới hạn trở
kháng của thiết bị LISN trong các tiêu chuẩn về tương
thích điện từ trường minh họa trong Hình 3.
B. Thủ tục kiểm tra các tham số kỹ thuật của LISN
Trở kháng và suy hao đặt của LISN phải được kiểm
định hoặc kiểm tra kỹ thuật đo lường ít nhất một lần
mỗi năm. Theo tài liệu [3], [4], thủ tục kiểm tra tham
số kỹ thuật của LISN gồm có kiểm tra trở kháng và
suy hao đặt vào. Để thực hiện kiểm tra hai tham số này
có thể sử dụng cầu đo RLC hoặc máy phân tích mạng
vec-tơ. Trong đó, máy phân tích mạng đáp ứng tốt hơn
do cầu đo RLC không bao phổ được toàn bộ dải tần đo
cho trở kháng của LISN.
1) Thủ tục xác định trở kháng của LISN: Theo [4],
các yêu cầu dưới đây phải được thực hiện để đo trở
kháng của LISN:
(a) Phép đo thực hiện với LISN sẽ được thiết lập với
cấu hình sử dụng để thử nghiệm EUT;
(b) Để tránh việc đưa nguồn điện xoay chiều từ nguồn
cung cấp điện xoay chiều vào thiết bị đo, thực hiện
ngắt kết nối các nguồn kết nối (bao gồm cả dây
dẫn trung tính và nóng) với LISN ở phía nguồn
cung cấp LISN. Nếu bộ lọc RF được sử dụng để

60

0

0.01

0.1

1

10

100

Frequency [MHz]

Hình 3. Giới hạn trở kháng của LISN trong tiêu chuẩn MIL-STD 461,
ANSI C63.4 và CISPR.

loại bỏ các tín hiệu có nhiễu dẫn xung quanh cao,
thì nó vẫn được kết nối với LISN cho trong thử
nghiệm này, trừ khi có thể chứng minh rằng trở
kháng không có ảnh hưởng đến trở kháng LISN.
Giải pháp này cần được thực hiện cho các bộ lọc
RF di động (có thể tháo rời và/hoặc tùy chọn) cũng
như các bộ lọc dòng điện có thể là một phần của
môi trường thử nghiệm. Nếu bộ lọc RF được sử
dụng, hãy ngắt kết nối đến nguồn (cả dây dẫn nóng
và trung tính) với LISN ở phía cung cấp của bộ lọc
RF;
(c) Kết nối tải 50 Ω trên cổng tín hiệu của LISN;
(d) Thiết bị ưa thích được dùng để đo trở kháng của
LISN là máy phân tích mạng vô hướng, thiết bị
có thể điều chỉnh liên tục dải tần số theo yêu cầu

của phép thử nghiệm. Đồng hồ đo trở kháng vec-tơ
hoặc máy phân tích mạng vec-tơ có thể sử dụng để
xác định trở kháng của LISN;
(e) Hiệu chuẩn hệ thống là bắt buộc để cải thiện độ
chính xác của phép đo. Quá trình hiệu chuẩn được
thực hiện bằng các chuẩn đo đã biết để xác định
sai số đo hệ thống của thiết lập cấu hình đo.Trong
trường hợp sử dụng máy phân tích mạng vô hướng,
quá trình hở và ngắn mạch trung bình sẽ được thực
hiện. Quá trình này gồm hai phép đo nên kết quả
sẽ là trung bình và dữ liệu đo trở kháng sẽ được
chuẩn hóa, dữ liệu này gọi là dữ liệu chuẩn hóa.
Trong trường hợp sử dụng máy phân tích mạng vec-


(f)

(g)

(h)
(i)
(j)

tơ, tham số S11 trên một cổng sẽ được thực hiện
hiệu chuẩn trong các trường hợp “Open”, “Short”
và “Load” với tải chuẩn (thông thường là tải 50 Ω).
Các giá trị như tính định hướng, phối hợp nguồn
và phối hợp tải được xác định, kết quả trở kháng
LISN được hiệu chuẩn theo công thức toán học.
Sử dụng bộ chuyển đổi trở kháng phù hợp, kết nối

thiết bị đo trực tiếp với một đầu cực của ổ cắm
nguồn điện xoay chiều ở phía tải của LISN thường
được sử dụng để cung cấp nguồn điện cho EUT
hoặc thiết bị ngoại vi. Bộ chuyển đổi này có tác
động trực tiếp tới phép đo trở kháng và phải được
hiệu chuẩn hệ thống trước khi thực hiện phép đo.
Kết nối tải 50 Ω tại cổng đo của LISN. Đo trở
kháng của LISN trong dải tần quan tâm để phát
hiện bất kỳ trở kháng bất thường nào có thể gây
ra bởi hiện tượng cộng hưởng hoặc các hỏng hóc
không mong muốn;
Vẽ đường trở kháng đo được để so sánh với giá trị
cho phép liệt kê trong Hình 3. Nếu giá trị đo được
vượt giá trị sai số cho phép thì LISN cần được sửa
chữa để giảm sai số nhằm đảm bảo trong giới hạn
cho phép;
Lặp lại bước d) với thiết bị đo được kết nối với đầu
cực khác của ổ cắm AC của LISN;
Nếu LISN có nhiều hơn hai khối, thì lặp lại bước
d), bước g) và bước h) cho tất cả các khối bổ sung;
Nếu cuộn cảm của LISN có vật liệu từ tính trong
cấu trúc, thực hiện các phép đo bổ sung với dòng
điện xoay chiều được áp dụng thông qua LISN để
có thể phát hiện các biến đổi nào do tác động của
dòng điện xoay chiều. Thực hiện ngắn mạch các
đầu nối tải của LISN và cấp dòng vào các đầu cực
cung cấp của LISN từ máy biến áp điện áp thấp
với dòng điện phù hợp có thể dễ dàng thực hiện
điều này nhất. Một ampe kế xoay chiều nối tiếp
với mạch có thể được sử dụng để đo dòng điện áp

dụng, và một biến áp có thể được sử dụng để điều
chỉnh dòng điện bằng cách thay đổi điện áp sơ cấp
của máy biến áp. Mạch điện áp cao không nên nối
đất. Lưu ý rằng các giá trị trở kháng được đo bằng
kỹ thuật này phải bằng khoảng một nửa so với giá
trị quan sát được ở bước g) và bước i).

2) Thủ tục xác định suy hao đặt vào của LISN: Các
yêu cầu sau đây sẽ được áp dụng để đo suy hao đặt vào
của LISN
a) Thủ tục sau đây áp dụng khi sử dụng máy tạo
tín hiệu và máy thu EMI:
(i) Ngắn mạch đầu ra cổng đo tín hiệu từ tất cả các
phần không sử dụng của LISN bằng tải 50 Ω;

61

(ii) Thiết lập máy phát tín hiệu, LISN, máy thu tín hiệu,
suy hao 10 dB, tải đầu cuối 50 , đầu nối T và cáp
như trong Hình 4;
0i\ SKiW

0i\ WKX (0,

6X\ KDR  G%

6X\ KDR  G%

ĈҫX NӃW QӕL
FKӳ 7 WҧL  ȍ


7ҧL  ȍ

7ҧL YjR
(87

7ҧL YjR Pi\ WKX

/,61

1JXӗQ ÿҫX YjR

Hình 4. Sơ đồ hiệu chuẩn khi sử dụng máy phát và máy phân tích tín
hiệu

(iii) Đo điện áp tín hiệu thu được VD (đơn vị dBµV)
trong dải tần số quan tâm. Nếu tần số của nguồn tín
hiệu thay đổi theo các bước rời rạc thì kích thước
của bước tần số phải nhỏ hơn hoặc bằng 50 % giá
trị băng thông phân giải được thiết lập trên máy
thu hoặc máy phân tích phổ;
(iv) Không thay đổi thiết lập trên cả máy phát, máy thu,
LISN, tải 50 Ω, suy hao 10 dB, đầu nối chữ T và
cáp kết nối như trong Hình 5;
(v) Đo điện áp tín hiệu thu được VLISN (đơn vị dBµV)
trong dải tần số quan tâm;
(vi) Suy hao đặt vào của LISN được tính bằng giá trị
VLISN trừ đi giá trị VD ;
b) Thủ tục sau đây áp dụng khi sử dụng máy phân
tích mạng:

(i) Ngắn mạch đầu ra cổng đo tín hiệu từ tất cả các
phần không sử dụng của LISN bằng tải 50 Ω;
(ii) Thiết lập máy phân tích mạng, LISN, suy hao 10
dB, tải 50 Ω, kết nối chữ T và cáp như trong Hình
6;
(iii) Thực hiện theo chỉ dẫn của Hãng sản xuất máy
phân tích mạng để đo tín hiệu thu được trong dải
tần số mong muốn;
(iv) Thiết lập cấu hình phép đo gồm máy phân tích


0i\ SKiW

0i\ WKX

6X\ KDR  G%

0i\ SKkQ WtFK PҥQJ

6X\ KDR  G%





6X\ KDR  G%

6X\ KDR  G%

7ҧL

 ȍ

ĈҫX NӃW QӕL
FKӳ 7 WҧL  ȍ

7ҧL
 ȍ

ĈҫX NӃW QӕL
FKӳ 7 WҧL  ȍ

7ҧL YjR
(87

7ҧL YjR Pi\ WKX

7ҧL YjR
(87

/,61

7ҧL YjR Pi\ WKX

/,61

1JXӗQ ÿҫX YjR

1JXӗQ ÿҫX YjR

Hình 5. Sơ đồ đo khi sử dụng máy phát và máy phân tích tín hiệu


Hình 7. Sơ đồ thực hiện đo suy hao đặt vào khi sử dụng máy phân
tích mạng

0i\ SKkQ WtFK PҥQJ

(vi) Giá trị suy hao (dB) được tính bằng giá trị đo được
ở bước (iii) trừ đi giá trị đạt được ở bước (v).





6X\ KDR  G%

6X\ KDR  G%

ĈҫX NӃW QӕL
FKӳ 7 WҧL  ȍ

C. Giải pháp xây dựng, thực hiện hệ thống tự động kiểm
tra trở kháng và suy hao đặt vào của LISN

7ҧL  ȍ

7ҧL YjR
(87

7ҧL YjR Pi\ WKX


/,61

1JXӗQ ÿҫX YjR

Hình 6. Sơ đồ hiệu chuẩn khi sử dụng máy phân tích mạng

mạng, LISN, suy hao 10 dB, tải 50 Ω và cáp kết
nối như trong Hình 7. Không làm thay đổi thiết lập
trên máy phân tích mạng;
(v) Thực hiện theo chỉ dẫn của Hãng sản xuất máy
phân tích mạng để đo tín hiệu thu được trong dải
tần số mong muốn;

62

Từ những nội dung đã trình bày ở trên đã cho chúng ta
thấy đối với thiết bị LISN trên có 02 tham số cần kiểm
tra: trở kháng và suy hao đặt vào. Do vậy trong phần
này, tác giả sẽ tập trung vào việc đưa ra giải pháp kiểm
tra hai tham số trên với những trang thiết bị đo lường
hiện có ở Phòng thử nghiệm EMC/Trung tâm Giám định
Chất lượng.
Thiết bị LISN sử dụng tiêu chuẩn quân sự MIL-STD
461 có dải tần từ 10 kHz đến 10 MHz, đối với tiêu
chuẩn EMC thương mại như ANSI C63.4 và CISPR 22
sử dụng LISN có dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz nên sử
dụng tổ hợp các thiết bị hiện có tại đơn vị: máy phân
tích mạng N9927A có dải tần làm việc từ 30 kHz đến
18 GHz; máy phân tích tín hiệu N9030A có dải tần từ
3 Hz đến 26,5 GHz; máy phát tín hiệu tần thấp 33210A

dải tần từ 1 mHz đến 10 MHz; thiết bị đo trở kháng
chính xác cao E4980 dải tần làm việc từ 20 Hz đến 2
MHz để có thể thực hiện kiểm tra trở kháng và suy hao
đặt vào của LISN trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz.
Kết quả đạt được của phần này là đưa ra 02 sơ đồ thực
hiện đo trở kháng (sơ đồ thứ nhất sử dụng thiết bị đo
trở kháng chính xác cao E4980 để đo trở kháng từ 9


kHz đến 1 MHz; dải tần từ 1 MHz đến 30 MHz được
thực hiện trong sơ đồ thứ hai với thiết bị chính là máy
phân tích mạng N9927A) và 02 sơ đồ kiểm tra suy hao
đặt vào của thiết bị LISN (sơ đồ thứ nhất gồm có hai
thiết bị chính: máy phân tích tín hiệu N9030A và máy
phát tín hiệu tần thấp 33210A để kiểm tra suy hao đặt
vào từ dải tần từ 9 kHz đến 1 MHz; sơ đồ thứ hai sử
dụng máy phân tích mạng để kiểm tra suy hao đặt vào
từ 1 MHz đến 30 MHz).
Căn cứ vào các sơ đồ kiểm tra trở kháng và suy hao
đặt vào được đề xuất trong phần II-B, tác giả tiến hành
xây dựng thuật toán và chương trình thực thi tự động
các quá trình kiểm tra kỹ thuật, kiểm định hai tham số
trên. Chương trình phần mềm (phần mềm điều khiển hệ
thống) gồm có 02 mô-đun: mô-đun kiểm tra trở kháng
và mô-đun kiểm tra tham số suy hao đặt vào. Trong mỗi
mô-đun có 02 mô-đun con: mô-đun hiệu chuẩn thiết bị
trước khi kiểm tra và mô-đun thực hiện kiểm tra trở
kháng hoặc suy hao đặt vào.

Hình 9. Hình minh họa thực tế việc hiệu chuẩn hệ thống đo trở kháng


III. THỬ NGHIỆM KIỂM TRA THIẾT BỊ LISN
Trong phần này, tác giả tiến hành đánh giá kết quả đạt
được bằng giải pháp thực hiện của bài báo đối với thiết
bị LISN của Phòng đo EMC như đã liệt kê ở trong Bảng
I. Từ kết quả khảo sát về mối quan hệ giữa hệ số hiệu
chuẩn trở kháng chuyển đổi và tần số, tác giả sử dụng
thuật toán bình phương tối thiểu (LS: Least Square) [6]
để đưa ra công thức kinh nghiệm về mối quan hệ giữa
trở kháng và tần số, suy hao đặt vào và tần số.
A. Kiểm tra trở kháng
1) Sơ đồ thực hiện:
• Sơ đồ khối để hiệu chuẩn hệ thống và kiểm tra
tham số trở kháng được minh họa trong Hình 8.
.H\VLJKW
$ &DONLW

0RQLWRU
3RUW

7ҧL
 2KP

/,61
(0

1HWZRUN
$QDO\]HU
1$


3RZHU
,QSXW
0i\ WtQK
3KҫQ PӅP ÿLӅX
5- NKLӇQ KӋ WKӕQJ

D


1HWZRUN
$QDO\]HU
1$
5-

0i\ WtQK
3KҫQ PӅP ÿLӅX
NKLӇQ KӋ WKӕQJ

E


Hình 8. Sơ đồ khối thực hiện việc hiệu chuẩn và kiểm tra trở kháng
của LISN bằng giải pháp của bài báo: (a) Sơ đồ hiệu chuẩn; (b) Sơ
đồ thực hiện phép kiểm tra trở kháng của LISN


Sơ đồ thực tế thực hiện việc hiệu chuẩn hệ thống
và kiểm tra tham số trở kháng được minh họa trong
các Hình 9 và Hình 10.


63

Hình 10. Hình minh họa thực tế việc đo trở kháng của LISN.

2) Kết quả đạt được: Kết quả của 04 thiết bị LISN
được thể hiện trong Hình 11, Hình 12, Hình 13 và Hình
14.
Từ Hình 11 đến Hình 14 minh họa kết quả trở kháng
đo được bằng giải pháp của bài báo và trở kháng được
kiểm tra tại nước ngoài tương ứng ở các năm 2015 và
năm 2019. Ngoài ra, giới hạn trên và giới hạn của trở
kháng đối với thiết bị LISN sử dụng trong tiêu chuẩn
EMC quân sự (MIL-STD 461) cần đạt được cũng được
minh họa để thuận lợi cho việc so sánh, đánh giá kết
quả kiểm tra.
Tiếp theo, từ số liệu kiểm tra trở kháng của 04 bộ
LISN có trong Bảng I, tác giả sử dụng thuật toán bình
phương tối thiểu (LS: Least Square) [6] để đưa ra công
thức đặc trưng chung cho cả 04 bộ LISN. Sở dĩ, tác
giả thực hiện việc này vì từ kết quả trở kháng đạt được
của 04 thiết bị LISN từ Hình 11 đến Hình 14 khá sát
nhau nên tác giả cố gắng đưa ra công thức đặc trưng


60

60

50


50

Impedance [Ohm]

Impedance [Ohm]

40

My proposed
2015 Calibrated
2019 Calibrated
Upper Limit
Under Limit

30

20

40

My proposed
2015 Calibrated
2019 Calibrated
Upper Limit
Under Limit

30

20


10

10

0
0.01

0.1

1

10

0
0.01

Frequency [MHz]

0.1

1

10

Frequency [MHz]

Hình 11. Kết quả kiểm tra trở kháng của thiết bị LISN có số hiệu:
106, trong dải tần từ 10 kHz đến 10 MHz.

Hình 13. Kết quả kiểm tra trở kháng của thiết bị LISN có số hiệu:

108, trong dải tần từ 10 kHz đến 10 MHz.

60
60

50

40

Impedance [Ohm]

Impedance [Ohm]

50

My proposed
2015 Calibrated
2019 Calibrated
Upper Limit
Under Limit

30

20

40

2015 Calibrated
2019 Calibrated
My proposed

Upper Limit
Under Limit

30

20

10

10

0
0.01

0
0.01

0.1

1

0.1

1

10

Frequency [MHz]

10


Frequency [MHz]

Hình 12. Kết quả kiểm tra trở kháng của thiết bị LISN có số hiệu:
107, trong dải tần từ 10 kHz đến 10 MHz.

Hình 14. Kết quả kiểm tra trở kháng của thiết bị LISN có số hiệu:
109, trong dải tần từ 10 kHz đến 10 MHz.

B. Kiểm tra tham số suy hao đặt vào
chung cho cả 04 bộ LISN để người dùng có thể dễ dàng
ước lượng nhanh trở kháng của bộ LISN ở tần số bất kì
trong dải tần từ 10 kHz đến 10 MHz. Kết quả đạt được
về mối quan hệ giữa trở kháng và tần số minh họa ở
trong công thức (1) và Hình 15

1) Sơ đồ thực hiện:

Dải tần từ 10 kHz đến 1 MHz:
– Sơ đồ khối để hiệu chuẩn hệ thống và kiểm tra
tham số suy hao đặt vào được minh họa trong
Hình 16.

Z (f ) = 47.15×exp (0.00536 × f ) −45.81×exp (−5.967 × f ) , Sơ đồ thực tế thực hiện việc hiệu chuẩn hệ thống
và kiểm tra tham số suy hao đặt vào được minh
(1)
họa trong các Hình 17 và Hình 18.
sai số ước lượng của công thức (1): ± 0.051 Ω. Trong
• Dải tần từ 1 MHz đến 10 MHz:
đó, f là tần số trong dải tần từ (0.01÷10) MHz, có đơn

– Sơ đồ khối để hiệu chuẩn hệ thống và kiểm tra
vị tính MHz; Z(f ) trở kháng của LISN ở tần số f .

64




50
45
Imp measured on Lisn 106
Imp measured on Lisn 107
Imp measured on Lisn 108
Imp measured on Lisn 109
Approx Function

40

Impedance [Ohm]

35
30
25
20
15
10
5
0
0.01


0.1

1

10

Frequency [MHz]

Hình 15. Công thức đặc trưng (công thức sắp xỉ) của 04 bộ LISN
trong Bảng I về mối quan hệ giữa trở kháng và tần số.

0RQLWRU
3RUW

7ҧL
ȍ

/,61
(0

.H\VLJKW
6LJQDO
$QDO\]HU
1$
.H\VLJKW
*HQHUDWRU
$

3RZHU
,QSXW


Hình 17. Hình minh họa thực tế việc hiệu chuẩn hệ thống đo suy hao
đặt vào ở dải tần từ 0.01 MHz đến 1.0 MHz

5-

0i\ WtQK
3KҫQ PӅP ÿLӅX
86% NKLӇQ KӋ WKӕQJ

D

0RQLWRU
3RUW

/,61
(0
3RZHU
,QSXW

7ҧL
ȍ

.H\VLJKW
6LJQDO
$QDO\]HU
1$
.H\VLJKW
*HQHUDWRU
$


5-

0i\ WtQK
3KҫQ PӅP ÿLӅX
86% NKLӇQ KӋ WKӕQJ

Hình 18. Hình minh họa thực tế việc đo suy hao đặt vào của LISN ở
dải tần từ 0.01 MHz đến 1.0 MHz.

E

Hình 16. Sơ đồ khối thực hiện việc hiệu chuẩn và kiểm tra suy hao
đặt vào của LISN ở dải tần từ 0.01 MHz đến 1 MHz bằng giải pháp
của sáng kiến: (a) Sơ đồ hiệu chuẩn; (b) Sơ đồ thực hiện phép kiểm
tra suy hao đặt vào của LISN

tham số suy hao đặt vào được minh họa trong
Hình 19.
– Sơ đồ thực tế thực hiện việc hiệu chuẩn hệ thống
và kiểm tra tham số suy hao đặt vào được minh
họa trong các Hình 20 và Hình 21.
a) Kết quả đạt được: Kết quả kiểm tra tham số suy
hao đặt vào của 04 bộ LISN đang sử dụng tại Phòng
Thử nghiệm EMC/Trung tâm Giám định Chất lượng như
ở trong Bảng I bằng các sơ đồ kiểm tra trong Hình 20
và Hình 21. Kết quả kiểm tra suy hao đặt vào trong

65


toàn bộ dải tần từ 10 kHz đến 10 MHz được minh họa
trong các Hình 22, Hình 23, Hình 24 và Hình 25. Từ
Hình 22 đến Hình 25 minh họa kết quả suy hao đặt
vào đo được bằng giải pháp của bài báo và suy hao đặt
vào được kiểm tra tại nước ngoài tương ứng ở các năm
2015 và năm 2019. Tương tự, như trong phần kiểm tra
trở kháng, nhận thấy kết quả đó suy hao đặt vào của 04
bộ LISN khá gần nhau. Tác giả tiến hành tìm công thức
đặc trưng chung cho 04 bộ bằng thuật toán LS. Việc
đưa ra được công thức chung cho cả 04 bộ LISN rất có
ý nghĩa trong các bài thử nghiệm EMC có sử dụng suy
hao đặt vào để tính toán mức nhiễu thực tế chạy trên hai
dây nguồn của bộ LISN do EUT trong phép thử nghiệm
tạo lên.
Kết quả đạt được về mối quan hệ giữa trở kháng và


0RQLWRU
3RUW

7ҧL
ȍ

/,61
(0
3RZHU
,QSXW
1HWZRUN
$QDO\]HU
1$


0i\ WtQK
3KҫQ PӅP ÿLӅX
5- NKLӇQ KӋ WKӕQJ

D


0RQLWRU
3RUW

/,61
(0
7ҧL
ȍ

0

1HWZRUN
$QDO\]HU
1$

Insertion Loss Measured
2019 Calibrated
2015 Calibrated

-1

0i\ WtQK
3KҫQ PӅP ÿLӅX

5- NKLӇQ KӋ WKӕQJ

Insertion Loss [dB]

3RZHU
,QSXW

Hình 21. Hình minh họa thực tế việc đo suy hao đặt vào của LISN ở
dải tần từ 1 MHz đến 10 MHz.

E


Hình 19. Sơ đồ khối thực hiện việc hiệu chuẩn và kiểm tra suy hao
đặt vào của LISN ở dải tần từ 1 MHz đến 10 MHz bằng giải pháp
của sáng kiến: (a) Sơ đồ hiệu chuẩn; (b) Sơ đồ thực hiện phép kiểm
tra suy hao đặt vào của LISN

-2

-3

-4

-5

0.01

0.1


1

10

Frequency [MHz]

Hình 22. Kết quả kiểm tra suy hao đặt vào của thiết bị LISN có số
hiệu: 106, trong dải tần từ 10 kHz đến 10 MHz.
0
My proposed
2019 Calibrated
2015 Calibrated

Insertion Loss [dB]

-1

-2

-3

-4

Hình 20. Hình minh họa thực tế việc hiệu chuẩn hệ thống đo suy hao
đặt vào ở dải tần từ 1 MHz đến 10 MHz

-5

0.01


0.1

1

10

Frequency [MHz]

tần số minh họa ở trong công thức (2) và Hình 26

Hình 23. Kết quả kiểm tra suy hao đặt vào của thiết bị LISN có số

hiệu:×107,
IL (f ) = −11.44×exp (−83.89 × f ) −0.04822×exp (0.05726
f ) ,trong dải tần từ 10 kHz đến 10 MHz.
(2)
sai số ước lượng của công thức (2): ± 0.0075 dB. Trong

66


LISN 7825-3 S/N: 108
0
My Proposed
2019 Calibrated
2015 Calibrated

Insertion Loss [dB]

-1


-2

-3

-4

-5

0.01

0.1

1

10

Frequency [MHz]

Hình 24. Kết quả kiểm tra suy hao đặt vào của thiết bị LISN có số
hiệu: 108, trong dải tần từ 10 kHz đến 10 MHz.
LISN 7825-3 S/N:109
0
My proposed
2019 Calibrated
2015 Calibrated

Insertion Loss [dB]

-1


-2

-3

-4

-5

0.01

0.1

1

10

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Frequency [MHz]

Hình 25. Kết quả kiểm tra suy hao đặt vào của thiết bị LISN có số
hiệu: 109, trong dải tần từ 10 kHz đến 10 MHz.

đó, f là tần số trong dải tần từ (0.01÷10) MHz, có đơn
vị tính MHz; IL(f ) suy hao đặt vào tại tần số f .
0.25

IL measured on Lisn 106
IL measured on Lisn 107

IL measured on Lisn 108
IL measured on Lisn 109
Approx Function

-1

-2

-3

-4

-5

0.01

0.1

1

đặt vào của Thiết bị ổn định trở kháng đường dây nguồn.
Ngoài ra, tác giả cũng đã xây dựng chương trình tự động
kiểm tra các tham số quan trọng trên, giúp rút ngắn thời
gian thực hiện và hạn chế sai sót do người sử dụng. Từ
đó, có thể chủ động trong việc thực hiện việc kiểm tra,
kiểm định thiết bị LISN ngay tại Phòng Thử nghiệm
EMC mà không phải đi kiểm định ở nước ngoài, giúp
tiết kiệm chi phí cho ngân sách;
Mặt khác, kết quả nghiên cứu cũng đưa ra được các
công thức kinh nghiệm chung về mối quan hệ giữa trở

kháng và tần số, suy hao đặt vào và tần số của 04 thiết
bị LISN với sai số nhỏ giúp cho người sử dụng tính toán
một cách nhanh chóng giá trị trở kháng chuyển đổi tại
tần số bất kì trong dải tần từ 10 kHz đến 10 MHz mà
không cần nhìn vào đồ thị. Ngoài ra, nhờ có các công
thức kinh nghiệm cũng giúp đơn giản hóa các chương
trình tự động đo, đọc giá trị phát xạ nhiễu dẫn đường
dây nguồn đo được trong bài thử nghiệm CE101 mà
không cần phải tải toàn bộ file dữ liệu đo của thiết bị
LISN sử dụng;
Hướng nghiên cứu tiếp theo: Trên cơ sở kết quả đạt
được của bài báo sẽ tiến hành khảo sát đánh giá hệ số
suy hao đặt vào và trở kháng của thiết bị LISN dùng
cho các phép thử nghiệm thuộc tiêu chuẩn về EMC áp
dụng cho thiết bị dân dụng.

10

Hình 26. Công thức đặc trưng (công thức sắp xỉ) của 04 bộ LISN
trong Bảng I về mối quan hệ giữa suy hao đặt vào và tần số.

IV. KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG NGHIÊN CỨU TIẾP
THEO
Bài báo đã thành công trong việc đưa ra và thực hiện
giải pháp kiểm tra tham số trở kháng và hệ số suy hao

67

[1] MIL-STD-461G (12/2015), “Requirements for the control of
electromagnetic interference characteristics of subsystems and

equipment”;
[2] MIL-STD-461F (12/2007), “Requirements for the control of
electromagnetic interference characteristics of subsystems and
equipment”;
[3] EMC Standards, “Calibration and use of artificial mains networks
and absorbing clamps,” Schaffner Chase EMC”, National Physical
Laboratory, 1999.
[4] ANSI C63.4, “American National Standard for Methods of Measurement of Radio- Noise Emissions from Low-Voltage Electrical
and Electronic Equipment in the Range of 9 kHz to 40 GHz”,
2014.
[5] CISPR 16-1-2, “Specification for radio disturbance and immunity
measuring apparatus and methods - Part 1-2: Radio disturbance
and immunity measuring apparatus - Coupling devices for conducted disturbance measurements”, 2014.
[6] Hastie T., Tibshirani R., and Friedman J. H. (2009), The elements
of statistical learning : data mining, inference, and prediction,
Springer, New York.



×