TT
1
2
3
4
5
6
Câu hỏi và đáp án
Transistor lưỡng cực (BJT) khơng có đặc điểm sau
a. gồm hai chuyển tiếp p-n
b. Có ba điện cực
c. Có ba lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ.
d. Gồm một chuyển tiếp p-n
Transistor lưỡng cực (BJT) là transistor có dịng ra
a. Được điều khiển bằng áp vào
b. Được điều khiển bằng dòng vào
c. Được điều khiển bằng điện trường ngồi
d. Khơng điều khiển được
Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ khuếch đại thì
a. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c. Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực
nghịch.
d. Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.
Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ tắt thì
a. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c. Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực
nghịch.
d. Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.
Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ bão hịa thì
a. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c. Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực
nghịch.
d. Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.
Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ khuếch đại thì
a.
b.
I C I B
VCE 0
Đáp án
7
8
9
c.
IC 0
d.
I C I B
Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ tắt thì
a.
I C I B
b.
VCE 0
c. I C 0
d. I C I B
Dòng ICBO là dòng rỉ
a. Của mối nối CB khi cực E hở mạch
b. Của mối nối CE khi cực B hở mạch
c. Của mối nối BE khi cực C hở mạch
d. Của transistor
Dòng ICEO là dòng rỉ
a. Của mối nối CB khi cực E hở mạch
b. Của mối nối CE khi cực B hở mạch
c. Của mối nối BE khi cực C hở mạch
10
11
12
13
14
15
d. Của transistor
Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng
a. Qua các chuyển tiếp p-n
b. Qua kênh dẫn
c. Qua bán dẫn
d. Qua hai chuyển tiếp p-n
Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng tham gia của các hạt tải
a. Đa số
b. Thiểu số
c. Đa số và thiểu số
d. Electron
Khi nhiệt độ làm việc của transistor thay đổi thì
a. Dòng điện chạy trong transistor bị thay đổi
b. Dòng điện chạy trong transistor khơng bị thay đổi
c. Dịng điện chạy trong transistor tăng khi nhiệt độ tăng
d. Dòng điện chạy trong transistor giảm khi nhiệt độ tăng
Hình bên là cách mắc transistor
a. Theo kiểu CE
b. Theo kiểu CB
c. Theo kiểu CC
d. A, b v à c đều đúng
Để transistor lưỡng cực hoạt động có
a. 1 cách mắc
b. 2 cách mắc
c. 3 cách mắc
d. 4 cách mắc
Đường đặc tuyến vôn –ampe bên là
a. Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor npn mắc CE
b. Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor pnp mắc CE
c. Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor npn mắc CB
d. Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor pnp mắc CB
IC
7 (mA)
Vùng
bão
hòa
6
5
4
3
IB = 80
I = 70
µA BIB = 60
µA IB = 50
µA
µA IB = 40
Vùng tích
cực
2
1
0
5
VCE (BH)
1
0
ICE
(a)
O
16
17
18
19
20
21
IB (µA)
10
09
µAIB = 30
07
µAIB = 20 50
Iµ
= 10
B A
03
µIBA= 0
01
1
2 µA V (V 0 0
Vùng
)
5
0ngưng dẫn
CE
VCE = 1V
VCE = 10V
VCE = 20V
0,2 0,4 0,6 0,8
(b)
Đường đặc tuyến vôn –ampe bên là
a. Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor
npn mắc CE
b. Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor
pnp mắc CE
c. Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor
npn mắc CB
d. Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor
pnp mắc CB
Cấu trúc của JFET khơng có đặc điểm sau
a. Có 3 điện cực
b. Có một kênh dẫn
c. Có một chuyển tiếp p-n
d. Có hai chuyển tiếp p-n
Transistor trường (FET) là transistor có dịng ra
a. Được điều khiển bằng áp vào
b. Được điều khiển bằng dòng vào
c. Được điều khiển bằng ánh sáng
d. Không điều khiển được
JFET kênh n có đặc điểm
a. Điện trở kênh dẫn thay đổi khi điện áp VGS thay đổi
b. Điện trở kênh dẫn tăng khi điện áp VGS càng âm
c. Điện trở kênh dẫn giảm khi điện áp VGS càng âm
d. Điện trở kênh dẫn không thay đổi khi điện áp VGS thay đổi
JFET kênh p hoạt động khi
a. VGS ≥ 0 và VDS > 0
b. VGS ≤ 0 và VDS < 0
c. VGS ≥ 0 và VDS < 0
d. VGS ≤ 0 và VDS > 0
Các điện cực của MOSFET gồm cực
a. B, C, E
VBE (V)
22
23
b. D, S, G
c. D, S, G, Sub
d. D, S, B
Dòng điện chạy trong FET chủ yếu là dòng của
a. Hạt tải đa số
b. Hạt tải thiểu số
c. Electron
d. Hole
Transistor trường có đặc điểm sau
a. Dịng vào bằng 0
b. Dịng vào khác 0
c. Quan hệ giữa dòng ra và dòng vào khi hoạt động ở chế độ tuyến tính theo
phương trình
V
Shockley I D I DSS 1 GS
Vp
2
d. Quan hệ giữa dòng ra và dòng vào khi hoạt động ở chế độ tuyến tính theo
phương trình
24
25
26
D_MOSFET là FET khơng có đặc điểm sau
a. Cực cổng G hồn tồn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện môi Sio2
b. Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n
c. Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S.
d. Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm.
E_MOSFET là FET có đặc điểm sau
a. Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện môi Sio2
b. Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n
c. Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S.
d. Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm.
Công thức nào sau đây biểu diễn quan hệ giữa ngõ ra với ngõ vào của
D_MOSFET
28
2
a.
V
I D I DSS 1 GS
Vp
b.
I C I B
c.
I D K VGS Vth
d. I D
27
I C I B
2
V
I DSS 1
Vp
2
Thông số nào dưới đây không phải là thông số giới hạn của BJT
a. ICmax
b. VCEmax
c. PCmax
d. ICEO
Thông số nào dưới đây không phải là thông số giới hạn của FET
29
a. IDmax
b. VDSmax
c. PCmax
d. PDmax
Dịng điện chạy trong transistor trường là dòng
a. Qua các chuyển tiếp p-n
b. Qua kênh dẫn
c. Qua bán dẫn
d. Qua hai chuyển tiếp p-n
TT
1
2
Câu hỏi và đáp án
Điện trở RE trong các mạch phân cực của transistor lưỡng cực (BJT) có chức
năng
a.
Phân cực cho cực E.
b.
Ổn định nhiệt cho trnasistor.
c. a và b đều đúng
d.
a và b đều sai
Tụ CE trong mạch có chức năng
a. ngắn mạch RE đối với nguồn tín hiệu.
b. hở mạch RE đối với nguồn tín hiệu.
c. ngắn mạch RE đối với nguồn phân cực.
d. Giảm hệ số khuếch đại của mạch
3
Trong các mạch phân cực của transistor lưỡng cực, mạch phân cực có tính bất
ổn định nhiệt nhất là:
a. mạch phân cực theo kiểu định dòng
b. mạch phân cực theo kiểu phân áp
c. mạch phân cực có hồi tiếp từ collector
d. mạch phân cực theo kiểu định dịng có RE
4
Hệ số bất ổn định nhiệt của các dạng mạch phân cực dùng BJT có giá trị lớn
nhất khi
e.
f.
RB / RE 1
RB / RE 1
Đáp án
g.
h.
5
RB / RE 1
RB / RE 1
Hệ số bất ổn định nhiệt SI nhỏ nhất khi
a.
b.
RB / RE 1
RB / RE 1
c. RB / RE 1
d. RB / RE 1
6
Sự bất ổn định nhiệt của dịng IC do thơng số nào bị thay đổi của BJT theo
nhiệt độ
a. Vγ
b. β
c. ICBO
d. a, b và c
7
điện trở RS trong mạch phân cực của transistor trường có chức năng
e. Phân cực cho cực S.
f. Ổn định nhiệt cho transistor
g. a và b đều đúng
h. a và b đều sai
8
Trong các dạng mạch phân cực sau đây dạng nào không phải là dạng mạch
phân cực cho transistor trường
e. mạch phân cực theo kiểu định dòng
f. mạch phân cực theo kiểu phân áp
g. mạch tự phân cực
h. mạch phân cực cố định
9
Để phân cực cho E_MOSFET kênh n không thể sử dụng dạng mạch phân cực
nào dưới đây
e. mạch phân cực hồi tiếp
f. mạch phân cực theo kiểu phân áp
g. mạch tự phân cực
h. mạch phân cực cố định
PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
TT
1
2
3
Câu hỏi và đáp án
BJT có bao nhiêu mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ
e. Một
f. Hai
g. Ba
h. Bốn
Mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT được sử dụng khi
a. BJT hoạt động với tín hiệu nhỏ
b. BJT hoạt động với tín hiệu lớn
c. BJT hoạt động với tín hiệu trung bình
d. A, b và c
Mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT mắc theo kiểu CE chỉ được sử
dụng khi mạch khuếch đại dùng BJT
e. Mắc theo kiểu CE
f. Mắc theo kiểu CB
Đáp án
4
5
6
7
8
9
10
11
g. Mắc theo kiểu CC
h. A, b, c đều đúng
Thông số hib của BJT được tính theo cơng thức
VBE
re
e. hib
I E
V BE
re
f. hib
I B
V BE
re
g. hib
I E
VBE
re
h. hib
I B
Thông số hfe là hệ số khuếch đại của BJT đối với
a. Dòng điện xoay chiều
b. Dòng điện một chiều
c. Điện áp xoay chiều
d. Điện áp một chiều
Phương trình của mạng hai cửa tuyến tính theo thơng số h được biểu diễn
e. Áp vào và dòng ra theo dòng vào và áp ra
f. Áp vào và áp ra theo dòng vào và dòng ra
g. Dòng vào và dòng ra theo áp vào và áp ra
h. Dòng vào và áp ra theo áp vào và dịng ra
Trong các mạch khuếch đại sau mạch nào có hệ số khuếch đại áp lớn nhất
e. Mạch khuếch đại mắc kiểu CE
f. Mạch khuếch đại mắc kiểu CB
g. Mạch khuếch đại mắc kiểu CC
h. A v à b
Mạch khuếch đại có điện trở vào bé nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
e. CE
f. CB
g. CC
h. Cả 3 đều có tổng trở vào bằng nhau
Mạch khuếch đại có điện trở ra nhỏ nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a. CE
b. CB
c. CC
d. CE và CB
Mạch khuếch đại có điện trở vào lớn nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a. CE
b. CB
c. CC
d. CC và CE
Mạch khuếch đại có điện áp ra cùng pha với áp vào là mạch
a. CE
b. CB
12
13
14
c. CC
d. CC và CB
Phương trình của mạng hai cửa tuyến tính theo thơng số y được biểu diễn
e. Áp vào và dòng ra theo dòng vào và áp ra
f. Áp vào và áp ra theo dòng vào và dòng ra
g. Dòng vào và dòng ra theo áp vào và áp ra
h. Dòng vào và áp ra theo áp vào và dịng ra
JFET có bao nhiêu mơ hình tương đương tín hiệu nhỏ
e. Một
f. Hai
g. Ba
h. Bốn
Thơng số gm của JFET được tính theo cơng thức
V
GS
e. g m g mo 1
V
p
f.
gm
2 I DSS
VP
g. g m g mo
VGS
1
Vp
ID
I DSS
h. cả 3 đều đúng
15
16
17
18
Trong các mạch khuếch đại dùng JFET sau mạch nào có hệ số khuếch đại áp
nhỏ nhất
a. Mạch khuếch đại mắc kiểu CD
b. Mạch khuếch đại mắc kiểu CS
c. Mạch khuếch đại mắc kiểu CG
d. b v à c
Mạch khuếch đại có điện trở ngõ ra nhỏ nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a. CD
b. CS
c. CG
d. CD v à CS
Mạch khuếch đại có điện áp ra ngược pha với áp vào là mạch
e. CD
f. CS
g. CG
h. CC v à CG
Mơ hình tương đương gần đúng đối với tín hiệu nhỏ
hình bên là mơ hình của
e. JFET
f. D_MOSFET
g. E_MOSFET
h. a,b, c
CÁC KIỂU GHÉP TẦNG KHUẾCH ĐẠI
TT
1
Câu hỏi và đáp án
Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có hệ số
khuếch đại áp của tồn mạch
n
e.
AV AVi
i 1
n
f.
AV AVi
i 1
n
g.
AV
h.
AV
A
Vi
i 1
n
A
Vi
i 1
2
Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có hệ số
khuếch đại dịng của toàn mạch
n
a.
Ai Aii
i 1
n
b. Ai Ai
i
i 1
n
c.
Ai
d.
Ai
A
i 1
ii
n
A
i 1
3
ii
Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có tổng trở ngõ
vào của mạch là
a. Z i Z i1
b. Z i Z in
n
c. Z i Z i
i 1
n
i
d. Z i Z i
i 1
4
i
Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có tổng trở ngõ
ra của mạch là
Đáp án
5
6
7
8
9
10
11
12
e. Z O Z O1
f. Z O Z On
g. Z O Z O ( n 1)
h. Z O Z O ( n 1)
Có bao nhiêu cách ghép tầng khuếch đại
a. Một
b. Hai
c. Ba
d. Bốn
Mạch khuếch đại ghép R-C có đặc điểm
a. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua tụ
điện
b. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua điện
trở
c. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau trực tiếp
d. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua máy
biến áp
Mạch khuếch đại ghép biến áp có đặc điểm
e. Khuếch đại được cả tín hiệu DC và AC
f. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua điện
trở
g. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau trực tiếp
h. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua máy
biến áp
Mạch khuếch đại ghép trực tiếp khơng có đặc điểm
a. Các tầng khuếch đại ghép trực tiếp
b. Các tầng khuếch đại khơng cách ly về DC
c. Khuếch đại được tín hiệu DC và AC
d. Ổn định nhiệt
Dạng ghép trực tiếp đặc biệt nào cho hệ số khuếch đại dòng lớn
a. Darlington
b. Vi sai
c. Cascode
d. A, b, c đều sai
Mạch khuếch đại vi sai khơng có đặc điểm
e. Có hai ngõ vào
f. Ngõ ra vi sai chỉ khuếch đại đối với tín hiệu vi sai
g. Ngoõ ra vi sai chỉ khuếch đại đối với tín hiệu cách chung (cộng sai)
h. Triệt nhiễu đồng pha tốt.
Mạch khuếch đại ghép cascode thường được sử dụng
e. Mạch khuếch đại tần số thấp
f. Mạch khuếch đại tần số cao
g. Mạch khuếch đại tín hiệu
h. Làm mạch khuếch đại đệm
Mạch khuếch đại ghép cascode khơng có đặc điểm sau
13
14
15
16
17
e. Có một ngõ vào
f. Có hai ngõ vào
g. Gồm mạch khuếch đại mắc CE ghép với CB.
h. Hệ số khuếch đại bằng một tầng khuếch đại.
Mạch khuếch đại ghép Darlington khơng có đặc điểm
e. Gồm hai transistor ghép trực tiếp
f. Có hệ số khuếch đại dịng điện của transistor tương đương bằng tích hệ
số khuếch đại dịng điện của hai transistor thành ph ần.
g. Có hệ số khuếch đại dòng điện của transistor tương đương bằng tổng
hệ số khuếch đại dịng điện của hai transistor thành phần.
h. Có tổng trở vào lớn
Có bao nhiêu cách ghép Darlington?
e. Một
f. Hai
g. Ba
h. Bốn
Mạch hình bên là mạch khuếch đại ghép
a. Darlington
b. Vi sai
c. Cascode
d. A,b,c đều sai
Tại sao trong mạch khuếch đại vi sai người ta thường dùng nguồn dòng thay
cho điện trở RE
e. Ổn định dòng điện tại cực E
f. Tăng hệ số khuếch đại dòng điện
g. Tăng hệ số khuếch đại đối với tín hiệu vi sai
h. Tăng tỉ số nén tín hiệu cách chung
Tỉ số nén tín hiệu cách chung được tính bằng cơng thức:
AVD
a. CMRR
AVC
AVD
b. CMRRdB 20 lg
AVC
AVC
c. CMRR
AVD
d. a và b đều đúng
e. Ngân hàng câu hỏi và đáp án chi tiết chương 4
tt
Loại
Nội dung
MẠCH PHÂN CỰC CHO BJT
Điểm
1đ
1
Câu hỏi
Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ)
1đ
VCC
RC
RB
Ngõ vào ac
C1
IB
IC
C2
+
I BQ
10µF
VCE
Đáp án
Ngõ ra ac
= 50
VCC VBE
RB
I CQ I B
VCEQ VCC I CQ RC
2
VCC = 15V
Câu hỏi
Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ)
RC
RB
IC
C
V
i
C2
IB
= 50
Si
RE
VE
IE
Đáp án
VCC VBE
R
RE B
VCC I CQ ( RC RE )
I CQ
VCEQ
V0
1đ
3
Câu hỏi
Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ) theo phương pháp tính chính xác
VCC
RB1
IC
RC
VC
C1
VB
Vi
10µF
RB2
Đáp án
VB
RBB
VCE
Vo
10µF
= 140
VE
IE
CE
10µF
RE
VCC
RB 2
VCC
RB1 RB 2
RB1 RB 2
RB1 RB 2
RC
VBB VCE
IB
RBB 1 RE
I C I B I E
VCE VCC I C RC RE
RBB
+
VBB
RD2
1đ
4
Câu hỏi
Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ) theo phương pháp tính gần đúng
1đ
VCC
RB1
IC
RC
VC
C1
10µF
RB2
Đáp án
VB
Vo
10µF
VB
Vi
C2
VCE
= 140
VE
IE
RE
CE
10µF
RB 2
VCC
RB1 RB 2
VE VB VBE
IE
VE
IC
RE
VC VCC I C RC
VCE VC VE
5
Câu hỏi
Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ)
Vcc
Rc
C2
Rf
V out
+
V in
C1
+
-
Đáp án
-
VCC I CQ RC I CQ
VCC VBE
RB
RC
VCC RC I CQ
I CQ
VCEQ
RB
VBE
1đ
6
Câu hỏi
Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ)
V cc
Rb
V in
C1
C2V out
Re
Đáp án
VCC
I CQ
VCC VBE
RB
RE
VCC I CQ RE
I CQ
VCEQ
RB VBE I CQ RE
1đ