Bài giảng Kỹ thuật điện tử

<span class='text_page_counter'>(1)</span><div class='page_container' data-page=1>

K

K

ỹ

ỹ

thu

thu

ậ

ậ

t

t

ñi

ñi

ệ

ệ

n

n

t

t

ử

ử

Nguyễn Duy Nhật Viễn

N

N

ội dung

ộ

i dung

Chương 1: Mở ñầu.

Chương 2: Diode và ứng dụng.

Chương 3: BJT và ứng dụng.

Chương 4: OPAMP và ứng dụng.

Chương 5: Kỹ thuật xung cơ bản.

Chương 6: Kỹ thuật số cơ bản.

Chương

Chương

1

1

M

M

ở

ở

ñ

ñ

ầ

ầ

u

u

N

N

ội

ộ

i

dung

dung

Lịch sử phát triển

Các linh kiện ñiện tử thơng dụng

Linh kiện thụ động
Linh kiện tích cực
Linh kiện quang ñiện tử

ðiện áp, dòng ñiện và các ñịnh luật cơ bản

ðiện áp và dịng điện

Nguồn áp và nguồn dịng

ðịnh luật Ohm

</div>
<span class='text_page_counter'>(2)</span><div class='page_container' data-page=2>

L

Lị

ị

ch

ch

sử

s

ử

phá

ph

át

t

triể

tri

ển

n

1884, Thomas Edison phát minh ra ñèn ñiện tử

1948, Transistor ra ñời ở Mỹ, 1950, ứng dụng

transistor trong các hệ thống, thiết bị.

1960, mạch tích hợp (Integrated Circuit) ra đời.

1970, Tích hợp mật độ cao

MSI (Medium Semiconductor IC)

LSI (Large Semiconductor IC)

VLSI (Very Large Semiconductor IC)

Linh

Linh

ki

ki

ệ

ệ

n

n

đi

đi

ệ

ệ

n

n

t

t

ử

ử

thơng

thơng

d

d

ụ

ụ

ng

ng

Linh

Linh

ki

ki

ệ

ệ

n

n

th

th

ụ

ụ

đ

đ

ộ

ộ

ng

ng

ði

ðiệ

ện

n

trở

tr

ở

Linh kiện có khả năng cản trở dịng điện

Ký hiệu:

ðơn vị: Ohm (Ω).



1kΩ = 10

3

Ω.



1MΩ= 10

6

Ω.

</div>
<span class='text_page_counter'>(3)</span><div class='page_container' data-page=3>

ði

ði

ện

ệ

n

trở

tr

ở

T

T

ụ

ụ

đi

đi

ện

ệ

n

Linh kiện có khả năng tích tụ điện năng.

Ký hiệu:

ðơn vị Fara (F)

1µF= 10-6 F.
1nF= 10-9 F.
1pF= 10-12 F.

T

T

ụ

ụ

ñiệ

ñi

ện

n

Cuộ

Cu

ộn

n

cả

c

ảm

m

Linh kiện có khả năng tích lũy năng lượng

từ trường.

Ký hiệu:

ðơn vị: Henry (H)

</div>
<span class='text_page_counter'>(4)</span><div class='page_container' data-page=4>

Bi

Bi

ến

ế

n

áp

á

p

Linh kiện thay ñổi ñiện áp

Biến áp cách ly

Biến áp tự ngẫu

Bi

Bi

ến

ế

n

áp

á

p

Linh

Linh

ki

ki

ệ

ệ

n

n

t

t

í

í

ch

ch

c

c

ự

ự

c

c

Diode

Diode

Linh kiện được cấu thành từ

2 lớp bán dẫn tiếp xúc công

nghệ

Diod chỉnh lưu

Diode tách sóng

Diode ổn áp (diode Zener)

Diode biến dung (diode

varicap hoặc varactor)

</div>
<span class='text_page_counter'>(5)</span><div class='page_container' data-page=5>

Transistor

Transistor

lư

lư

ỡng

ỡ

ng

cự

c

ự

c

c

BJT

BJT

BJT (Bipolar Junction

Transistor)

Linh kiện ñược cấu

thành từ 3 lớp bán

dẫn tiếp xúc liên tiếp

nhau.

Hai loại:

NPN
PNP

Linh

Linh

ki

ki

ệ

ệ

n

n

quang

quang

ñi

ñi

ệ

ệ

n

n

t

t

ử

ử

Linh

Linh

ki

ki

ện

ệ

n

thu

thu

quang

quang

Quang trở:

Quang diode

Quang transistor

Linh

Linh

ki

ki

ện

ệ

n

phá

ph

át

t

quang

quang

Diode

phát

quang

(Led : Light Emitting

Diode)

</div>
<span class='text_page_counter'>(6)</span><div class='page_container' data-page=6>

ði

ði

ệ

ệ

n

n

á

á

p

p

,

,

dịng

dịng

đi

đi

ệ

ệ

n

n

v

v

à

à

c

c

á

á

c

c

đ

đ

ị

ị

nh

nh

lu

lu

ậ

ậ

t

t

cơ

cơ

b

b

ả

ả

n

n

ði

ðiệ

ện

n

áp

á

p

và

v

à

dịng

dịng

điệ

đi

ện

n

ðiện áp:



Hiệu điện thế giữa hai ñiểm khác nhau trong

mạch ñiện.



Trong mạch thường chọn một ñiểm làm ñiểm

chung ñể so sánh các ñiện áp với nhau gọi là

masse hay là ñất (thường chọn là 0V).



ðiện áp giữa hai ñiểm A và B trong mạch

ñược xác ñịnh: U

_AB

=V

_A

-V

_B.



Với V

A

và V

B

là ñiện thế ñiểm A và ñiểm B so

với masse.



ðơn vị ñiện áp: Volt (V).

ði

ði

ện

ệ

n

áp

á

p

và

v

à

dòng

dòng

ñiệ

ñi

ện

n

Dòng ñiện:



Dòng dịch chuyển có hướng của các hạt

mang điện trong vật chất.



Chiều dịng điện từ nơi có điện thế cao đến

nơi có điện thế thấp.



Chiều dịng điện ngược với chiều dịch chuyển

của điện tử.



ðơn vị dịng điện: Ampere (A).

Ngu

Ngu

ồn

ồ

n

áp

á

p

và

v

à

ngu

ngu

ồn

ồ

n

dòng

dòng

Nguồn áp

Nguồn dòng

</div>
<span class='text_page_counter'>(7)</span><div class='page_container' data-page=7>

ð

ð

ị

ị

nh

nh

luậ

lu

ật

t

Ohm

Ohm

Mối quan hệ tuyến

tính giữa điện áp và

dịng điện:

U=I.R

Georg Ohm

ð

ð

ịnh

ị

nh

luậ

lu

ật

t

ñi

ñi

ện

ệ

n

áp

á

p

Kirchoff

Kirchoff

Kirchoff’s Voltage Law (KVL):

Tổng ñiện áp các nhánh trong

vòng bằng 0.

ΣΣV=0.ΣΣ

Gustav Kirchoff

ð

ð

ị

ị

nh

nh

luậ

lu

ật

t

dịng

dịng

điệ

đi

ện

n

Kirchoff

Kirchoff

Kirchoff’s Current Law (KCL):

Tổng dịng điện tại một nút
bằng 0.

</div>
<span class='text_page_counter'>(8)</span><div class='page_container' data-page=8>

K

K

ỹ

ỹ

thu

thu

ậ

ậ

t

t

ñi

ñi

ệ

ệ

n

n

t

t

ử

ử

Nguyễn Duy Nhật Viễn

Chương

Chương

2

2

Diode

Diode

v

v

à

à

ứ

ứ

ng

ng

d

d

ụ

ụ

ng

ng

N

N

ội dung

ộ

i dung

Chất bán dẫn

Diode

ðặc tuyến tĩnh và các tham số của diode

Bộ nguồn 1 chiều

Ch

</div>
<span class='text_page_counter'>(9)</span><div class='page_container' data-page=9>

Ch

Chấ

ất

t

bá

b

án

n

dẫ

d

ẫn

n

Khái niệm

Vật chất ñược chia thành 3 loại dựa trên

ñiện trở suất

ρ:



Chất dẫn điện



Chất bán dẫn



Chất cách điện

Tính dẫn điện của vật chất có thể thay đổi

theo một số thơng số của mơi trường như

nhiệt độ, độ ẩm, áp suất …

Ch

Chấ

ất

t

bá

b

án

n

dẫ

d

ẫn

n

Dịng điện là dịng dịch chuyển của các hạt

mang ñiện

Vật chất ñược cấu thành bởi các hạt mang điện:

Hạt nhân (điện tích dương)
ðiện tử (điện tích âm)

ρ↓
ρ↓

ρ↑
T0_↑

10-6_÷10-4_Ωcm

10-6_÷10-4_Ωcm

10-6_÷10-4_Ωcm

ðiện trở suất ρ

Chất cách điện
Chất bán dẫn

Chất dẫn điện

Ch

Chấ

ất

t

bá

b

án

n

dẫ

d

ẫn

n

Gồm các lớp:



K: 2; L:8; M: 8, 18; N: 8, 18, 32…

8

2

18

Ch

Chấ

ất

t

bá

b

án

n

dẫ

d

ẫn

n

Giãn ñồ năng lượng của vật chất

 Vùng hóa trị: Liên kết hóa trị giữa ñiện tử và hạt nhân.

 Vùng tự do: ðiện tử liên kết yếu với hạt nhân, có thể di chuyển.
 Vùng cấm: Là vùng trung gian, hàng rào năng lượng ñể chuyển

</div>
<span class='text_page_counter'>(10)</span><div class='page_container' data-page=10>

Ch

Chấ

ất

t

bá

b

án

n

dẫ

d

ẫn

n

thuầ

thu

ần

n

Hai chất bán dẫn điển hình

Ge: Germanium

Si: Silicium

Là các chất thuộc nhóm IV trong bảng tuần hồn

Mendeleev.

Có 4 điện tử ở lớp ngoài cùng

Các nguyên tử liên kết với nhau thành mạng tinh

thể bằng các ñiện tử lớp ngồi cùng.

Số điện tử lớp ngồi cùng là 8 electron dùng

chung

Ch

Chấ

ất

t

bá

b

án

n

dẫ

d

ẫn

n

thuầ

thu

ần

n

Si Si Si

Si Si Si

Si Si Si

Cấu trúc tinh thể của Si

Gọi n: mật ñộ ñiện tử, p:
mật ñộ lỗ trống

Chất bán dẫn thuần: n=p.

Ch

Chấ

ất

t

bá

b

án

n

dẫ

d

ẫn

n

tạ

t

ạp

p

Chất bán dẫn tạp loại N:

 Pha thêm chất thuộc nhóm V trong bảng tuần hồn Mendeleev
vao chất bán dẫn thuần, ví dụ Phospho vào Si.

 Nguyên tử tạp chất thừa 1 e lớp ngoài cùng liên kết yếu với hạt
nhân, dễ dàng bị ion hóa nhờ một năng lượng yếu

 n>p

Si Si Si

Si P Si

Si Si Si

Ch

Chấ

ất

t

bá

b

án

n

dẫ

d

ẫn

n

tạ

t

ạp

p

Chất bán dẫn tạp loại P:

 Pha thêm chất thuộc nhóm III trong bảng tuần hoàn Mendeleev
vao chất bán dẫn thuần, ví dụ Bo vào Si.

 Nguyên tử tạp chất thiếu 1 e lớp ngoài cùng nên xuất hiện một lỗ
trống liên kết yếu với hạt nhân, dễ dàng bị ion hóa nhờ một năng
lượng yếu

 p>n

Si Si Si

Si Bo Si

</div>
<span class='text_page_counter'>(11)</span><div class='page_container' data-page=11>

Diode

Diode

C

C

ấu

ấ

u

tạ

t

ạo

o

Cho hai lớp bán dẫn loại P và N tiếp xúc

công nghệ với nhau, ta ñược một diode.

P N

ANODE

D1

DIODE

CATHODE

Chưa

Chưa

phân

phân

c

c

ự

ự

c

c

cho

cho

diode

diode

Hiện tượng khuếch tán

các e

-

_{từ N vào các lỗ}

trống trong P  vùng rỗng

khoảng 100µm.

ðiện trường ngược từ N

sang P tạo ra một hàng

rào ñiện thế là U

_tx

.

Ge: Utx=Vγ~0.3V

Si: U_tx=V_γ~0.6V

E

Phân

Phân

cự

c

ự

c

c

ngư

ngư

ợ

ợ

c

c

cho

cho

diode

diode

Âm nguồn thu hút hạt mang

điện tích dương (lỗ trống)

Dương nguồn thu hút các hạt

mang điện tích âm (điện tử)

Vùng trống càng lớn hơn.

Gần đúng: Khơng có dịng

điện qua diode khi phân cực
ngược.

Dịng ñiện này là dòng ñiện

của các hạt thiểu số gọi là
dịng trơi.

Giá trị dịng điện rất bé.

E

Nguồn 1 chiều tạo điện trường

E như hình vẽ.

ðiện trường này hút các ñiện

tử từ âm nguồn qua P, qua N
về dương nguồn sinh dịng
điện theo hướng ngược lại

Ing

</div>
<span class='text_page_counter'>(12)</span><div class='page_container' data-page=12>

Phân

Phân

cự

c

ự

c

c

thuậ

thu

ận

n

cho

cho

diode

diode

Âm nguồn thu hút hạt mang

điện tích dương (lỗ trống)

Dương nguồn thu hút các hạt

mang điện tích âm (điện tử)

Vùng trống biến mất.

Dịng điện này là dịng điện

của các hạt đa số gọi là dịng
khuếch tán.

Giá trị dịng điện lớn.

E

Nguồn 1 chiều tạo điện trường

E như hình vẽ.

ðiện trường này hút các điện

tử từ âm nguồn qua P, qua N
về dương nguồn sinh dịng
điện theo hướng ngược lại

Ith
-e

Dịng

Dịng

đi

đi

ện

ệ

n

qua diode

qua diode

Dịng của các hạt mang điện đa số là dịng

khuếch tán I

_d

, có giá trị lớn.

I_d=I_seqU/kT.
Với

ðiện tích: q=1,6.10-19C.

Hằng số Bolzmal: k=1,38.10-23J/K.

Nhiệt ñộ tuyệt ñối: T (0K).

ðiện áp trên diode: U.

Dịng điện ngược bão hịa: I_Schỉ phụ thuộc nồng ñộ tạp chất,

cấu tạo các lớp bán dẫn mà không phụ thuộc U (xem như
hằng số).

Dịng

Dịng

đi

đi

ện

ệ

n

qua diode

qua diode

Dịng của các hạt mang điện thiểu số là dịng

trơi, dịng rị I

_g

, có giá trị bé.

Vậy:

Gọi điện áp trên 2 cực của diode là U.
Dịng điện tổng cộng qua diode là:

I=I_d+I_g.

Khi chưa phân cực cho diode (I=0, U=0):

ISeq0/kT+Ig=0.

=> Ig=-IS.

Dòng

Dòng

ñi

ñi

ện

ệ

n

qua diode

qua diode

Khi phân cực cho diode (I,U≠0):



I=I

s

(e

qU/kT

-1).

(*)

Gọi U

_T

=kT/q là thế nhiệt thì ở 300

0

K, ta có

U

_T

~25.5mV.



I=I

s

(e

U/UT

-1).

(**)



(*) hay (**) gọi là phương trình đặc tuyến của

</div>
<span class='text_page_counter'>(13)</span><div class='page_container' data-page=13>

ð

ð

ặ

ặ

c tuy

c tuy

ế

ế

n t

n t

ĩ

ĩ

nh v

nh v

à

à

c

c

á

á

c

c

tham s

tham s

ố

ố

c

c

ủ

ủ

a diode

a diode

ð

ð

ặc

ặ

c

tuyế

tuy

ến

n

tĩ

t

ĩnh

nh

củ

c

ủa

a

diode

diode

Phương

trình

đặc

tuyến Volt-Ampe của

diode:

I=I_s(eqU/kT-1)

Ith(mA)

Uth (V)

Ing(
Ung(V)

0.5
5

A’

B’ B

A

C’
D’
C
D

ðoạn AB (A’B’): phân cực thuận,
U gần như khơng đổi khi I thay
ñổi.

Ge: U~0.3V
Si: U~0.6V.

ðoạn làm việc của diode chỉnh
lưu

ðoạn CD (C’D’): phân cực ngược,
U gần như khơng đổi khi I thay đổi.
ðoạn làm việc của diode zener

C

C

ác

á

c

tham

tham

số

s

ố

củ

c

ủa

a

diode

diode

ðiện trở một chiều: R

_o

=U/I.

Rth~100-500Ω.

Rng~10kΩ-3MΩ.

ðiện trở xoay chiều: r

_d

=δU/δI.

r_dng>>r_dth

Tần số giới hạn: f

_max.

Diode tần số cao, diode tần số thấp.

Dịng điện tối đa: I

_Acf

Diode cơng suất cao, trung bình, thấp.

Hệ số chỉnh lưu: K

cl

=I

th

/I

ng

=R

ng

/R

th

.

K_clcàng lớn thì diode chỉnh lưu càng tốt.

B

</div>
<span class='text_page_counter'>(14)</span><div class='page_container' data-page=14>

Sơ

Sơ

ñồ

ñ

ồ

khố

kh

ối

i

Chỉ

Ch

ỉnh

nh

lưu

lưu

bá

b

án

n

kỳ

k

ỳ

V0=0, vs<VD0.

V₀=(v_s-V_D0)R/(R+r_D).

Ch

</div>
<span class='text_page_counter'>(15)</span><div class='page_container' data-page=15>

M

</div>
<span class='text_page_counter'>(16)</span><div class='page_container' data-page=16>

K

K

ỹ

ỹ

thu

thu

ậ

ậ

t

t

ñi

ñi

ệ

ệ

n

n

t

t

ử

ử

Nguyễn Duy Nhật Viễn

Chương

Chương

3

3

BJT

BJT

v

v

à

à

ứ

ứ

ng

ng

d

d

ụ

ụ

ng

ng

N

N

ội dung

ộ

i dung

Cấu tạo BJT

Các tham số của BJT

Phân cực cho BJT

Mạch khuếch ñại dùng BJT

Phương pháp ghép các tầng khuếch đại

Mạch khuếch đại cơng suất

C

</div>
<span class='text_page_counter'>(17)</span><div class='page_container' data-page=17>

BJT (Bipolar Junction Transistors)

BJT (Bipolar Junction Transistors)

Cho 3 lớp bán dẫn tiếp xúc công nghệ liên tiếp

nhau.

Các cực E: Emitter, B: Base, C: Collector.

ðiện áp giữa các cực dùng để điều khiển dịng

điện.

Hai

Hai

lo

lo

ại

ạ

i

BJT

BJT

NPN

NPN PNPPNP

n

n pp nn
E

B

C E pp nn pp

B

C

Cấu tạo Cấu tạo

B

C

E

Ký hiệu

B

C

E

Ký hiệu

Nguyên

Nguyên

lý

lý

ho

ho

ạt

ạ

t

ñộ

ñ

ộng

ng

Xét BJT NPN

N P N

R_E _R

C

E_E E_C

E=E_E+E_C

E_E E_C

I_C

I_B
I_E

Ngun

Ngun

lý

lý

ho

ho

ạt

ạ

t

độ

đ

ộng

ng

Từ hình vẽ:

 I_E= I_B+ I_C

ðịnh nghĩa hệ số truyền ñạt dịng điện:

 α = I_C/I_E.

ðỊnh nghĩa hệ số khuếch đại dịng điện:

 β = I_C/ I_B.

Như vậy,

 β = I_C/ (I_E–I_C) = α /(1- α);

 α = β/ (β+1).

Do đó,

 I_C= α I_E;

 I_B= (1-α) I_E;

</div>
<span class='text_page_counter'>(18)</span><div class='page_container' data-page=18>

Chi

Chiề

ều

u

dòng

dòng

, á

,

áp

p

củ

c

ủa

a

cá

c

ác

c

BJT

BJT

B
B
C
C
E
E
I

I_E_E II_C_C

I

I_B_B

-+

+

V

V_BE_BE VV_BC_BC
+
+

-+
+

-- VV_CE_CE

B
B
C
C
E
E
I

I_E_E II_C_C

I

I_B_B

-+

+

V

V_EB_EB VV_CB_CB
+

+

-+

+ VV_EC_EC -

-npn

npn

I

I_E_E= I= I_B_B+ I+ I_C_C
V

V_CE_CE= = --VV_BC_BC+ V+ V_BE_BE

pnp

pnp

I

I_E_E= I= I_B_B+ I+ I_C_C
V

V_EC_EC= V= V_EB_EB--VV_CB_CB

V

V

í

í

dụ

d

ụ

Cho BJT như hình vẽ.

Với IB = 50 µ A , IC = 1 mA

Tìm: IE , β và α

Giải:

IE = IB + IC = 0.05 mA + 1 mA = 1.05 mA

= IC / IB = 1 mA / 0.05 mA = 20

α = IC / IE = 1 mA / 1.05 mA = 0.95238

α cịn có thể tính theo β.

α = β = 20 = 0.95238

β + 1 21

+
+
_

_
+
+
_
_
I

I_C_C

I

I_E_E

I

I_B_B

E
E
B
B
C
C
V

V_CB_CB

V

V_BE_BE

ð

ð

ặc

ặ

c

tuyế

tuy

ến

n

t

t

ĩnh

ĩ

nh

củ

c

ủa

a

BJT

BJT

Giữ giá trị I_B khơng đổi, thay đổi E_C, xác định I_C, ta có:

I_C=f(U_CE)

I_B=const
V
mA
µA
E_C
E_B
R_B
R_C

Q UCE

I_B

I_C

U

U_CE_CE

I

I_C_C

V

Vùùngngttííchch

c

cựựcc

I

I_B_B

V

Vùùngngbãobãohịahịa

V

VùùngngccắắttII_B_B= 0= 0

C

C

á

á

c tham s

c tham s

ố

ố

c

c

ủ

ủ

a

a

BJT

</div>
<span class='text_page_counter'>(19)</span><div class='page_container' data-page=19>

BJT như m

BJT như m

ột m

ộ

t mạ

ạng 4 c

ng 4 c

ự

ự

c

c

Xét BJT NPN, mắc theo kiểu E-C

I2=IC

U2=UCE

U1=UBE

I1=IB

1

1' 2'

2

Tham s

Tham số

ố

tr

tr

ở

ở

khá

kh

áng z

ng z

_ik

_ik

Hệ phương trình:

 U1=z11I1+z12I2.
 U2=z21I1+z22I2.

Ở dạng ma trận:

 U1 z11 z12 I2 .
 U2 z21 z22 I2 .

z₁₁=U_{1 ,}z₁₂=U_{1 ,}

I₁I₂=0 I₂I₁=0

z₂₁= I_{2 ,}z₂₂= I_{2 ,}

U₁I₂=0 U₂I₁=0

z₁₁: Trở kháng vào của

BJT khi hở mạch ngõ ra.

z₁₂: Trở kháng ngược của

BJT khi hở mạch ngõ
vào.

z₂₁: Trở kháng thuận của

BJT khi hở mạch ngõ ra.

z₂₂: Trở kháng ra của BJT

khi hở mạch ngõ vào.

Tham s

Tham số

ố

dẫ

d

ẫn n

n nạ

ạp y

p y

_ik

_ik

Hệ phương trình:

 I₁=y₁₁U₁+y₁₂U₂.

 I2=y21U1+y22U2.

Ở dạng ma trận:

 I₁y₁₁y₁₂U₂.

 I₂y₂₁y₂₂U₂.

y₁₁= I_{1 ,}y₁₂=I_{1 ,}

U₁U₂=0 U₂U₁=0

y₂₁= I_{2 ,}y₂₂= I_{2 ,}

U₁U₂=0 U₂U₁=0

y₁₁: Dẫn nạp vào của BJT

khi ngắn mạch ngõ ra.

y₁₂: Dẫn nạp ngược của

BJT khi ngắn mạch ngõ
vào.

y₂₁: Dẫn nạp thuận của

BJT khi ngắn mạch ngõ
ra.

y₂₂: Dẫn nạp ra của BJT

khi ngắn mạch ngõ vào.

Tham s

Tham số

ố

hỗ

h

ỗn h

n hợ

ợp h

p h

_ik

_ik

Hệ phương trình:

 U₁=h₁₁I₁+h₁₂U₂.

 I2 =h21I1+h22U2.

Ở dạng ma trận:

 U₁h₁₁h₁₂I₂.

 I₂h₂₁h₂₂U₂.

h₁₁=U_{1 ,}h₁₂=U_{1 ,}

I₁U₂=0 U₂I₁=0

h₂₁=I_{2 ,}h₂₂=I_{2 ,}

I₁U₂=0 U₂I₁=0

h₁₁: Trở kháng vào của

BJT khi ngắn mạch ngõ
ra.

h₁₂: Hệ số hồi tiếp ñiện

áp của BJT khi hở mạch
ngõ vào.

h₂₁: Hệ số khuếch đại

dịng điện của BJT khi
ngắn mạch ngõ ra.

h₂₂: Dẫn nạp ra của BJT

</div>
<span class='text_page_counter'>(20)</span><div class='page_container' data-page=20>

Phân c

Phân c

ự

ự

c cho BJT

c cho BJT

Phân

Phân

cự

c

ự

c

c

cho

cho

BJT

BJT

Cung cấp ñiện áp một chiều cho các cực của

BJT.

Xác ñịnh chế ñộ họat ñộng tĩnh của BJT.

Chú ý khi phân cực cho chế ñộ khuếch ñại:

Tiếp xúc B-E ñược phân cực thuận.

Tiếp xúc B-C ñược phân cực ngược.

Vì tiếp xúc B-E như một diode, nên ñể phân cực

cho BJT, yêu cầu V

_BE

≥Vγ.

ðối với BJT Ge: Vγ~0.3V

ðối với BJT Si: Vγ~0.6V

ðư

ðư

ờ

ờ

ng t

ng t

ả

ả

i t

i t

ĩ

ĩ

nh v

nh v

à

à

ñi

ñi

ể

ể

m l

m l

à

à

m

m

vi

vi

ệ

ệ

c t

c t

ĩ

ĩ

nh c

nh c

ủ

ủ

a BJT

a BJT

ðường tải tĩnh ñược vẽ

trên ñặc tuyến tĩnh của
BJT. Quan hệ: I_C=f(U_CE).

ðiểm làm việc tĩnh nằm

trên ñường tải tĩnh ứng
với khi khơng có tín hiệu
vào (xác ñịnh chế ñộ
phân cực cho BJT).

ðiểm làm việc tĩnh nằm

càng gần trung tâm KL
càng ổn ñịnh.

L
K

IB=0

IB=max

Phân

Phân

cự

c

ự

c

c

bằ

b

ằng

ng

dịng

dịng

cố

c

ố

đị

đ

ịnh

nh

Xét phân cực cho BJT NPN

Áp dụng KLV cho vòng I:

IB=(VB-UBE)/RB.

Áp dụng KLV cho vòng II:

UCE=VCC-ICRC.

</div>

<!--links-->