Luận văn tốt nghiệp chế tạo hệ thống đầu dò điều khiển từ xa cho các thí nghiệm về phóng xạ ở phổ thông

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SỰ PHẠM TPHCM
KHOA VẬT LÝ

KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP
Chuyên ngành: Sư Phạm Vật Lý
Đề tài:

CHẾ TẠO HỆ THỐNG ĐẦU DÒ ĐIỀU KHIỂN TỪ XA
CHO CÁC THÍ NGHIỆM VỀ PHĨNG XẠ Ở PHỔ THƠNG

Giảng viên hướng dẫn: ThS. Lê Anh Đức
Sinh viên thực hiện: Nguyễn Quốc B
Khóa: 42

TP.HCM, tháng 07 năm 2020


MỤC LỤC
MỞ ĐẦU ..............................................................................................................................1
1.

Lý do chọn đề tài .........................................................................................................1

2.

Mục đích của đề tài .....................................................................................................1

3.

Cách tiếp cận ...............................................................................................................1

4.

Phương pháp nghiên cứu ...........................................................................................1

5.

Cấu trúc của khóa luận ..............................................................................................1

CHƯƠNG I: CƠ SỞ LÝ THUYẾT ..................................................................................2
1.1 Lý thuyết về phóng xạ ..................................................................................................2
1.1.1 Các hạt alpha (α) ...................................................................................................2
1.1.2 Các hạt Beta (β), positron, neutrino ......................................................................2
1.1.3 Tia gamma và tia Roentgen...................................................................................3
1.1.4 Proton và neutron (nuclon)....................................................................................5
1.1.5 Mezon ....................................................................................................................6
1.1.6 Tương tác của các bức xạ với vật chất ..................................................................7
1.1.7 Lý thuyết về các ống đếm phóng điện qua khí .................................................. 16
1.2 Giới thiệu máy Ludlum Model 2200 và đầu dò nhấp nháy Model 44-10 ........... 48
1.2.1 Máy Ludlum Model 2200 ................................................................................... 49
1.2.2 Đầu dò nhấp nháy model 44-10 ......................................................................... 51
1.3 Đầu dò Geiger-Muller SBT11A .............................................................................. 52
1.3.1 Lịch sử phát triển................................................................................................ 52
1.3.2 Cấu tạo của đầu dò ............................................................................................. 53
1.3.3 Ưu điểm của loại ống đếm này .......................................................................... 53
1.3.4 Nhược điểm ........................................................................................................ 53
1.4 Nguồn phóng xạ sử dụng trong thí nghiệm ........................................................... 54
1.5 Lý thuyết về mạch vi xử lý Arduino ....................................................................... 55
1.5.1 Giới thiệu ............................................................................................................ 55
1.5.2 Các phần chính của mạch ................................................................................... 56

1.5.3 Chức năng (vai trò) của mạch Arduino trong hệ thống máy đếm ..................... 57
1.5.4 Ngôn ngữ lập trình ............................................................................................. 57


1.6 Kết luận chương 1 .................................................................................................... 57
CHƯƠNG II: THIẾT KẾ HỆ THỐNG ........................................................................ 58
2.1 Phần cứng ................................................................................................................... 58
2.1.1 Đầu dò Geiger-Muller SBT 11A ........................................................................ 58
2.1.2 Mạch tăng áp 12V-400V-DC ............................................................................. 59
2.1.3 Mạch hiển thị LCD – LCD2004......................................................................... 60
2.1.4 Mạch chuyển tiếp cho LCD2004 sang I2C ........................................................ 62
2.1.5 Động cơ bước ..................................................................................................... 63
2.1.6 Mạch điều khiển động cơ bước .......................................................................... 64
2.1.7 Vi xử lý Arduino Uno ........................................................................................ 65
2.1.8 Sơ đồ mạch điện của hệ thống ........................................................................... 66
2.2 Phần mềm ................................................................................................................. 67
2.3 Kết luận chương 2 .................................................................................................... 67
CHƯƠNG III: TIẾN HÀNH ĐO ĐẠC VÀ XỬ LÝ SỐ LIỆU .................................... 68
3.1 Đo sự thay đổi cường độ phóng xạ vào khoảng cách............................................ 68
3.1.1 Đo bằng máy LUDLUM MODEL 2200 ............................................................ 68
3.1.2 Đo bằng hệ thống của chúng tôi......................................................................... 70
3.1 Đo khả năng đâm xuyên của tia phóng xạ qua từng vật liệu............................... 72
3.2.1 Các bước tiến hành ............................................................................................. 72
3.2.2 Kết quả: Đo với nguồn phóng xạ Cs137 ............................................................ 72
3.3 Ưu điểm ..................................................................................................................... 75
3.4 Nhược điểm ............................................................................................................... 75
3.5 Hướng phát triển về sau .......................................................................................... 75
3.6 Kết luận chương 3 .................................................................................................... 76
TÀI LIỆU THAM KHẢO ............................................................................................... 77
I. Tiếng Việt ...................................................................................................................... 77

II. Tiếng Anh .................................................................................................................... 77
III. Internet ....................................................................................................................... 77


DANH MỤC HÌNH ẢNH
Hình 1: Các mức năng lượng kích thích của hạt nhân Ni ............................................ 4
Hình 2: Qng chạy của các hạt alpha trong khơng khí phụ thuộc vào năng lượng................... 7
Hình 3: Sự phụ thuộc của số cặp bị ion hóa với qng chạy ……………………….. 8
Hình 4: Đặc trưng hấp thụ các tia Beta ……………………………………………… 9
Hình 5: Quy luật giảm cường độ bức xạ γ theo hàm mũ…………………………….10
Hình 6: Quá trình tương tác tia γ với nguyên tử.......................................................... 11
Hình 7: Quá trình xảy ra của hiệu ứng quang điện………………………………….. 13
Hình 8: Phổ năng lượng của các electron giật lùi………………………………... ….13
Hình 9: Sự phụ thuộc tiết điện tích phân hiệu ứng quang điện vào hν……………………. ...14
Hình 10: Quá trình tạo cặp……………………………………………………………15
Hình 11: Tiết điện tương tác của bức xạ Gamma trong Si và Ge…………………….15
Hình 12: Ba hiệu ứng phụ thuộc vào điện tích Z của chất hấp thụ…………………………..16
Hình 13: Sơ đồ mạch khuếch đại xung……………………………………………….19
Hình 14: Sự phụ thuộc của biên độ xung vào thời gian t……………………………..22
Hình 15: Sự phụ thuộc biên độ xung vào sự tăng thời gian…………………………..23
Hình 16: Sự phụ thuộc tốc độ đếm vào điện áp V……………………………………24
Hình 17: Thí nghiệm hạt cườm ………………………………………………………39
Hình 18: Trường hợp đếm được và khơng đếm được của ống đếm………………….33
Hình 19: Biên độ xung………………………………………………………………..33
Hình 20: Hình ảnh đo xung trên dao động kí…………………………………………35
Hình 21: Sự phụ thuộc hiêu suất ghi bức xạ γ vào năng lượng của chúng…………...44
Hình 22: Sự khác biệt khi loại trừ phơng nền………………………………………...46
Hình 23: Đồ thị tương quan giữa lnN và khoảng cách d……………………………..48
Hình 24: Sơ đồ mạch đo tuyệt đối……………………………………………………49
Hình 25: Cấu tạo của mạch điện ống đếm Geiger-muller……………………………50

Hình 26: Bộ nguồn chuẩn RSS-8 ……………………………………………………51
Hình 27: Các tính chất của Cs-137 ………………………………………………….51
Hình 28: Mạch arduino ……………………………………………………………...53
Hình 29: Các phần chính trên mạch……………………………………………….... 53
Hình 30: SBT11A …………………………………………………………………...56


Hình 31: Bản vẽ kĩ thuật SBT11A…………………………………………………...56
Hình 32: Sơ đồ mạch điện SBT11A …………………………………………………57
Hình 33: Mạch tăng áp ………………………………………………………………57
HÌnh 34: Sơ đồ mạch điện mạch tăng áp…………………………………………….58
Hình 35: Màn hình LCD …………………………………………………………….58
Hình 36: Bản vẽ kĩ thuật LCD……………………………………………………….59
Hình 37: Mạch chuyển tín hiệu………………………………………………………60
Hình 38: Sơ đồ mạch điện mạch chuyển tín hiệu……………………………………60
Hình 39: Động cơ bước………………………………………………………………61
Hình 40: Bản vẽ kĩ thuật động cơ bước……………………………………………...61
Hình 41: Mạch điều khiển động cơ bước TB6560 ………………………………….62
Hình 42: Sơ đồ mạch điện TB6560 …………………………………………………62
Hình 43: Arduino Uno ………………………………………………………………63
Hình 44: Sơ đồ mạch điện Arduino Uno ……………………………………………63
Hình 45: Mã code chạy hệ thống phần 1…………………………………………… 65
Hình 46: Mã code chạy hệ thống phần 2 ……………………………………………65
Hình 47: Nguồn chuẩn 60Co và hộp chì chứa nguồn ………………………………..66
Hình 48: Đồ thị hàm số nội suy từ số liệu bảng 1 …………………………………..67
Hình 49: Đồ thị hàm số nội suy từ bảng 2 ………………………………………….69
Hình 50: Đồ thị và hàm số nội suy tính đâm xun qua chì ………………………..71
Hình 51: Đồ thị và hàm số nội suy tính đâm xuyên qua nhơm ……………………..71
Hình 52: Đồ thị và hàm số nội suy tính đâm xuyên qua nhựa ……………………...72

DANH MỤC BẢNG
Bảng 1: Kết quả số liệu đo được bằng máy LUDLUM MODEL 2200 .......................67
Bảng 2: Kết quả số liệu đo bằng hệ thống của chúng tôi …………………………….69
Bảng 3: Bảng số liệu xung đâm xuyên qua chì ………………………………………70
Bảng 4: Bảng số liệu xung đâm xuyên qua nhôm……………………………………71
Bảng 5: Bảng số liệu xung đâm xuyên qua nhựa……………………………………..72


LỜI CẢM ƠN
ừ những ngày đầu thực hiện luận văn đến khi hồn thành được luận văn, đó
là cả một quá trình cố gắng học tập và làm việc nghiêm túc, sửa chữa những
thiếu sót và trưởng thành lên từng ngày của bản thân em. Tuy nhiên, sẽ
khơng thể có được một sản phẩm hồn chỉnh như ngày hơm nay nếu thiếu đi sự giúp
đỡ, hỗ trợ, động viên tận tình của q thầy cơ, bạn bè và gia đình. Vì vậy, xin cho
phép em được bày tỏ lịng biết ơn sâu sắc của mình đến:

T

- Thầy Th.S Lê Anh Đức, giảng viên đã trực tiếp hướng dẫn, hỗ trợ, dìu dắt em thực
hiện luận văn. Với kinh nghiệm, sự nhiệt huyết cùng lịng u nghề của mình thầy
đã truyền đạt tận tình cho em các kiến thức chun mơn. Thầy đã chỉ bảo cho em
những lúc khó khăn. Những góp ý của thầy thực sự rất quý báu và giúp ích rất nhiều
để em có thể hồn thành được luận văn tốt nghiệp của mình.
- Q thầy, cơ giảng viên khoa Vật lý trường Đại học Sư phạm Thành phố Hồ Chí
Minh đã dạy dỗ, truyền đạt kiến thức, kinh nghiệm, sự nhiệt huyết với nghề cho em
và các bạn sinh viên khác trong suốt quá trình học tập tại trường.
Cuối cùng, em xin chân thành cảm ơn đến các bạn bè, anh chị, ba mẹ đã truyền
cảm hứng cho em để có thể vượt qua những lúc khó khăn nhất.

TP.Hồ Chí Minh, tháng 07 năm 2020
Sinh viên

Nguyễn Quốc B


MỞ ĐẦU
1. Lý do chọn đề tài
Trong sách giáo khoa Vật lý 12 khơng có một bài thí nghiệm nào về đo lường
cũng như phát hiện ra phóng xạ, để học sinh có cái nhìn trực quan hơn về phóng xạ.
Bằng các thiết bị đơn giản, chúng ta thực sự có thể thiết kế ra một bộ thí nghiệm để
phát hiện ra các tia phóng xạ, từ đó kiểm tra các đặt trưng của sự tia phóng xạ như:
bức xạ nền, chu kì bán rã, sự phụ thuộc của cường độ phóng xạ vào khoảng cách,....
Việc làm như vậy nhằm khai thác có hiệu quả khả năng vận dụng kiến thức đã học
vào thực tế và nâng cao hứng thú học tập của học sinh.
2. Mục đích của đề tài
Chế tạo máy đếm tia phóng xạ bằng đầu dị Geiger-Muller điều khiển tự động
nhằm cho học sinh có thể thực hiện các thí nghiệm về phóng xạ.
3. Cách tiếp cận
Tìm hiểu về đầu giị Geiger-Muller.
Tìm hiểu về bộ vi xử lý Arduino.
Tìm hiểu và lập ra sơ đồ cấu tạo của hệ thống. Chế tạo sản phẩm và tiến hành thí
nghiệm lấy kết quả.
Tiến hành thí nghiệm với và so sánh kết quả, từ đó suy ra độ tin cậy, độ chính
xác.
4. Phương pháp nghiên cứu
Phương pháp nghiên cứu lý thuyết:
- Đọc các tài liệu có liên quan đến đầu giị Geiger-Muller và vi xử lí Arduino.
Phương pháp nghiên cứu thực tiễn:
- Chế tạo ra sản phẩm.

- Tiến hành đo lường, rút ra kết quả và đánh giá tính chính xác, khả năng ứng dụng
thực tiễn của hệ thống.
5. Cấu trúc của khóa luận
Chương I: Cơ sở lý thuyết.
Chương II: Thiết kế hệ thống.
Chương III: Tiến hành đo đạc, xử lý số liệu và kết luận.

1


Chương I:

CƠ SỞ LÝ THUYẾT

1.1 Lý thuyết về phóng xạ [1]
Các phương pháp ghi nhận hạt nhân và tia vũ trụ được sử dụng ngày nay rất đa
dạng nhưng không phải là vạn năng. Đối với mỗi bài toán cần phải chọn một phương
pháp thích hợp nhất. Muốn vậy nhà thực nghiệm phải có sự hiểu biết về tính chất vật
lý của các đối tượng cần ghi nhận, về nguồn gốc của bức xạ hạt nhân và các tính chất
chung của chúng. Phần này sẽ trình bày các vấn đề nói trên.
1.1.1 Các hạt alpha (α)
Các hạt α là hạt hạt nhân của nguyên tử Heli (4He) do các chất phóng xạ phát ra.
Trong các hạt nhân nặng phóng xạ tự nhiên, có nhiều hạt nhân, như U, Th, Ra, v.v…,
có tính chất phóng xạ α. Các hạt α cũng được phát ra từ một số chất phóng xạ nhân
tạo. Những chất này nằm ở giữa hoặc cuối bảng tuần hoàn các nguyên tố (Gd, Tb,
Pu, Am, v.v…).
Năng lượng của các hạt α được phát ra bởi các hạt nhân phóng xạ khác nhau năm
trong vùng từ 3 đến 9 MeV. Các đổng vị phóng xạ khác nhau có thể phát ra một hoặc
một số nhóm hạt α đơn năng.
Năng lượng của một nhóm hạt α đã cho thì phụ thuộc vào trạng thái năng lượng

của hạt nhân phát bức xạ và hạt nhân là sản phẩm phân rã. Theo đó, các hạt α đơi
khi cịn được gọi là các hạt có quãng chạy ngắn hoặc quãng chạy dài so với các hạt
được tạo thành khi chuyển từ trạng thái cơ bản của hạt nhân mẹ vể trạng thái cơ bản
của hạt nhân con. Chẳng hạn, hạt α xuất hiện trong kết quả phân rã α từ trạng thái
kích thích của hạt nhân mẹ về trạng thái cơ bản của hạt nhân con sẽ có năng lượng
lớn hơn. Các hạt α như vậy được gọi là hạt α quãng chạy dài. Các hạt α quãng chạy
ngắn được gọi là những hạt xuất hiện trong chuyển dời từ trạng thái cơ bản của hạt
nhân mẹ về trạng thái kích thích của hạt nhân con.
1.1.2 Các hạt Beta (β), positron, neutrino
Các electron phát ra trong phân rã của các hạt nhân phóng xạ được gọi là các hạt
β-. Khác với phổ năng lượng gián đoạn của các hạt α, phổ năng lượng của các hạt βlà phổ liên tục. Năng lượng của chúng thay đổi từ 0 đến một giá trị giới hạn Egh nào
đó đặc trưng cho từng đồng vị phóng xạ. Thí dụ, năng lượng cực đại phổ β- của 32P
bằng 1,7 MeV, của 14C bằng 0,155 MeV. Năng lượng giới hạn nhỏ nhất được biết
ngày nay là năng lượng của các hạt β- do triti phát ra (3H, Egh=18 keV).
Các positron do các chất phóng xạ phát ra được gọi là các hạt beta cộng β+ ; phổ
β+ cũng liên tục, thay đổi từ 0 đến một giá trị cực đại nào đó, đặc trưng cho mỗi đồng
vị . Thơng thường các hạt β+ được các đồng vị có không đủ neutron so với đổng vị
2


bền của nguyên tố này phát ra. Người ta biết nhiểu đồng vị có khả năng phát ra cả
positron lẫn electron Một trong những đồng vị đó là 64Cu. Trong phân rã của đồng
vị này, các electron và positron được phát ra với cường độ gần như nhau. Electron
và positron có khối lượng như nhau và có cùng điện tích đơn vị (của electron là điện
tích âm, của positron là điện tích dương). Khối lượng tĩnh của các hạt này, biểu diễn
ra đơn vị năng lượng (moc2), có giá trị bằng 511keV.
Dạng liên tục của phổ β- và β+ được giải thích là, trong phân rã beta của hạt nhân
phóng xạ khơng phải chỉ có một mà là hai hạt được phát ra. Hạt thứ hai đó là neutrino
trong phân rã β+và phản neutrino trong phân rã β-. Năng lượng phân rã, như vậy,
được phân bố giữa ba hạt: hạt β, neutron (hoặc phản neutron và hạt nhân con là hạt

thu một năng lượng giật lùi rất nhỏ nào đó.
Neutrino là hạt khơng có điện tích. Giới hạn trên đo được bằng thực nghiệm đối
với giá trị khối lượng của nó bằng

1

me, trong đó me là khối lượng electron

2000

Neutrino do Pauli đưa ra để giải thích phổ năng lượng liên tục của các hạt beta, đã
được Fermi sử dụng để xây dựng lý thuyết phân rã beta. Theo lý thuyết này, khối
lượng neutrino phải bằng khơng.
Có thể thu được các electron nhanh bằng các máy gia tốc: betatrôn cho electron
năng lượng hàng chục MeV; xincrôưôn cho các electron năng lượng hàng trăm hàng nghìn MeV và các máy gia tốc thẳng. Các cặp electron và positron được tạo
thành trong tương tác của các tia gamma năng lượng cao (hơn 1,022MeV) với vật
chất.
Electron và positron ln ln có mặt trong thành phần mềm của tia vũ trụ.
1.1.3 Tia gamma và tia Roentgen
Mỗi động tác phân rã phóng xạ phát ra hạt tích điện đều dẫn tới sự hình thành
một hạt nhân mới là sản phẩm phân rã. Thường hạt nhân mới này được hình thành
ở trạng thái kích thích.Thời gian tồn tại của hạt nhân ở trạng thái kích thích có thể
rất khác nhau. Nó có thể có giá trị đo bằng đơn vị ngày, giờ, phút và những phần rất
nhỏ của giây. Trong nhiều trường hợp, hạt nhân sản phẩm phân rã bị kích thích
chuyển về trạng thái cơ bản hầu như một cách tức thời ngay sau động tác phân rã
(sau 10-13-10-8s) kèm theo sự giải phóng năng lượng dư. Chuyển dời từ trạng thái
kích thích thường xảy ra theo kiểu nhảy bậc qua các trạng thái kích thích trung gian
với năng lượng nhỏ hơn. Hình dưới mơ tả sơ đồ các mức (tức là các trạng thái) của
hạt nhân 60Ni bị kích thích và được tạo thành trong kết quả phân rã của hạt nhân
60

Co.

3


Hình 1: Các mức năng lượng kích thích của hạt nhân Ni
Chuyển dời về trạng thái năng lượng thấp hơn có thể xảy ra hoặc bằng cách
phát bức xạ điện từ (các tia γ) hoặc bằng cách phát ra các electron biến hoán trong.
Năng lượng các electron biến hoán trong sẽ bằng hiệu năng lượng kích thích của hạt
nhân và năng lượng liên kết electron trên vỏ điện tử tương ứng của nguyên tử. Như
vậy sẽ xuất hiện các electron biến hoán trong K, L, M v.v... tương ứng với mỗi
chuyển dời hạt nhân.
Nếu các hạt nhân phóng xạ phân rã và phát ra các hạt bêta thì phổ electron thực
nghiệm sẽ bao gồm cả phần liên tục ứng với các hạt β lẫn phần gián đoạn, ứng với
những vạch hồn tồn xác định của các electron biến hốn trong.
Năng lượng kích thích của các hạt nhân thu đựơc trong phân rã phóng xạ của
các đồng vị khác nhau, có thể có giá trị từ một vài keV đến một vài MeV. Khi năng
lượng kích thích cao thì chuyển dời của hạt nhân về trạng thái cơ bản thường xảy ra
qua một số tương đối lớn những trạng thái kích thích trung gian. Điều này dẫn tới
xuất hiện trong phổ một số lớn các lượng tử γ năng lượng khác nhau cũng như một
số tương ứng các vạch electron biến hoán trong. Xác suất biến hoán phụ thuộc vào
nhiều nhân tố: Nó giảm theo sự tăng lên của nâng lượng chuyển dời, tăng theo số Z
của nguyên tố và phụ thuộc vào độ đa cực của chuyển dời.
Biến hoán điện tử dẫn tới kết quả là, ở một trong các vỏ của nguyên tử, trong
một thời gian ngắn (cỡ 10-9-10-15s), sẽ khơng có electron. Ví dụ, biến hốn trên vỏ
K tạo thành một vị trí trống ở vỏ này và sau thời gian ngắn nói trên, nó sẽ được lấp
đầy bởi các electron từ những vỏ khác. Quá trình này toả ra một năng lượng bằng
hiệu năng lượng liên kết electron ở vỏ có vị trí trống vừa xuất hiện và ở vỏ mà từ đó
electron chuyển về vị trí trống nói trên. Năng lượng này được toả ra dưới dạng các
tia Roentgen đặc trưng hoặc được truyền cho một hay một số electron trên các vỏ

4


cao hơn. Electron này thu được một động năng và dời bỏ nguyên tử. Hiện tượng phát
ra các electron thay cho các lượng tử Roentgen được gọi là hiệu ứng Auger, cịn bản
thân các electron này thì được gọi là các electron Auger.
Năng lượng cực đại của các tia Roentgen đặc trưng có giá trị khác nhau đối với
các nguyên tố hoá học khác nhau và thay đổi từ vài eV đối với các nguyên tố nhẹ
đến hàng trăm keV đối với các nguyên tố nặng.
Có thể thu được bức xạ điện từ năng lượng cao không chỉ trong phân rã phóng
xạ hoặc trong các phản ứng hạt nhân mà cịn trong các máy gia tốc điện tử (bêtatrơn,
xincrơtrơn).Trong trường hợp này, các electron nhanh bị một bia hãm lại sẽ làm xuất
hiện các lượng tử của bức xạ điện từ. Ngày nay năng lượng của các luợng tử thu
đuợc bằng cách nói trên có thổ đạt giá trị hàng tỷ electron vôn.
Bức xạ điện từ năng lượng rất lớn cũng có mặt trong thành phần của các tia vũ
trụ.
1.1.4 Proton và neutron (nuclon)
Proton (p) và neutron (n) là những thành phần cấu trúc cơ bản của hạt nhân
nguyên tử. Do đó chúng được gọi bằng một tên chung là nuclon.
Proton là hạt nhân của nguyên tử hydro. Có thể thu được các proton trạng thái
tự do bằng cách ion hố các ngun tử hydro. Có thể thu được các proton nhanh với
năng lượng hàng triệu eV trong các xyclotron, và năng lượng hàng tỷ hoặc hàng
chục tỷ eV trong các máy gia tốc xincrơfazotrơn. Cũng có thể thu được những chùm
proton bằng các máy gia tốc thẳng. Proton tới Trái Đất trong thành phần của bức xạ
vũ trụ sơ cấp. Chúng chiếm khối lượng chủ yếu (95%) của tắt cả các hạt vũ trụ sơ
cấp.
Neutron là hạt trung hoà về điện và có khối lượng lớn hơn khối lượng proton
một chút. Neutron được Chadwich khám phá vào nảm 1932 khi dùng hạt α bắn vào
bia berili. Các neutron được tạo thành trong phản ứng
9

Be + α —> l2C + n.

Ngày nay phản ứng này thường được sử dụng để thu neutron (Các nguồn:
Ra+Be; Po+Be).
Cũng có thể thu được các chùm hạt neutron tự do bằng những phản ứng hạt
nhân khác. Ví dụ, trong máy phát neutron thì neutron được tạo thành trong các phản
ứng:
D(d,n)5He hoặc T(d,n)4He.
Năng lượng neutron thu được trong phản ứng T(d,n)4He bằng 14MeV. Những

5


nguồn neutron khác ngày nay là các lò phản ứng hạt nhân, trong đó neutron được
tạo thành từ q trình phân chia hạt nhân uranium hoặc plutonium.
Neutron có mặt với một lượng không lớn trong thành phần của các hạt vũ trụ
thứ cấp, được tạo thành trong quá trình tương tác của bức xạ vũ trụ sơ cấp với khí
quyển. Như đã nhắc tới ở phần trên, khối lượng neutron lớn hơn khối lượng proton
chút. Hiệu khối lượng của chúng, biểu diễn ra đơn vị năng lượng, có giá trị bằng
l,299MeV. Do vậy có thể chờ đợi rằng neutron là một hạt không bền và phải phân
rã để biến đổi thành proton ra hạt proton. Thực vậy, thực nghiệm đã chứng minh
rằng neutron có tính phóng xạ protom và phân rã với chu kỳ bán rã T1/2=12,8 min và
năng lượng giới hạn của phổ proton bằng Egh=782 keV.
Từ lý thuyết của Dirac thì cần phải tồn tại với electron một phản hạt. Đó là
positron. Những hạt như vậy hiện nay đã được biết. Việc sử dụng lý thuyết này cho
các nuclon đã dẫn tới đề nghị về sự tồn tại của phản proton phản neutron 1955 phản
proton được phát hiện bằng thực nghiệm. Chúng được tạo thành khi các proton được
gia tốc tới năng lượng 6,3 GeV tương tác với vật chất. Ngưỡng phản ứng hạt nhân
với sự tạo thành phản proton các nuclơn liên kết có giá trị cỡ gần 4,3 GeV. Chẳng

bao lâu sau khi khám phá ra phản proton ta đã phát hiện được phản neutron và phản
proton bởi dấu điện tích và momen từ ngược nhau của chúng. Neutron khác phản
neutron bởi hướng spin so với hướng momen từ. Neutron có hướng spin ngược chiều
so với hướng momen từ. Cịn phản neutron thì có hướng spin và hướng momen từ
trùng nhau.
1.1.5 Mezon
Mezon là những hạt có khối lượng nằm giữa giá trị khối lượng của electron và
proton, thực nghiệm đã phát hiện được cả mezon tích điện (dương và âm) lẫn mezon
trung hoà về điện. Chúng có thể được chia ra làm ba nhóm: µ- mezon, π-mezon và
k-mezon. Lúc đầu, tất cả các hạt này đểu đã được phát hiện trong thành phần của tia
vũ trụ. Chúng xuất hiện trong quá trình tương tác của bức xạ năng lượng cao với vật
chất.
Lần đầu tiên µ-mezon đã được Anderson và Nedermayer khám phá vào năm
1936 trong thí nghiệm sử dụng buồng Wilson. Vết của các hạt có khả năng đâm
xuyên lớn đã được ghi nhận trong những tấm hấp thụ đặt trong thể tích làm việc của
buồng. Các vết này có mật độ giống các vết được tạo thành bởi những electron năng
lượng cao. Độ cong nhỏ của các vết trong từ trường chứng tỏ rằng các hạt tạo ra
chúng có xung lượng lớn. Trong khi đó, nếu các hạt này là electron thì chúng phải
mất nhiều năng lượng để phát ra bức xạ hãm. Nhưng trên thực tế thì điều này đã
6


không xảy ra. Các số liệu thu được nhờ buồng Wilson đã cho phép đánh giá khối
lượng của những hạt được phát hiện có giá trị cỡ gần 207me, trong đó me là khối
lượng của điện tử electron. Hạt mới này sau đó được đặt tên là µ-mezon.
1.1.6 Tương tác của các bức xạ với vật chất
1.1.6.1

Tương tác của hạt α với vật chất

Trên ví dụ về các hạt α ta hãy xét một số vấn để vể tương tác của các hạt nặng
tích điện với vật chất.
Các hạt α với điện tích gấp đơi điện tích cơ bản và khối lượng gần bằng 7300
lần khối lượng của electron (Mα = 7300me), khi đi qua vật chất, gây ra sự ion hoá
rất mạnh các nguyên tử của vật chất này. Chúng mất năng lượng chủ yếu do q
trình ion hố các nguyên tử môi trường. Độ hao năng lượng ion hố riêng của các
hạt α có thể được biểu diễn bằng công thức Bethe:
𝑑𝐸 4𝜋𝑒 4 𝑧 2
=
𝑁𝐵
𝑑𝑋
𝑚𝑣 2
2𝑚𝑣 2

trong đó B = z ln

𝐼

; v là tốc độ và z là điện tích của hạt α; N là số nguyên tử trong

lcm3 vật chất; z là nguyên tử số của vật chất; I là thế ion hố trung bình của nguyên
tử.
Đai lượng

𝑑𝐸
𝑑𝑋

đươc gọi là khả năng hãm của vât chất (stopping power).

Hình 2: Quãng chạy của các hạt alpha trong khơng khí phụ thuộc vào năng lượng

Hình trên giới thiệu đường cong Bragg, mô tả sự phụ thuộc độ ion hố riêng
vào qng đường cịn lại của hạt α. Từ hình vẽ ta thấy rõ, ở cuối quãng đường thì độ
7


ion hố riêng tăng lên, sau đó giảm xuống khơng ở vài milimet cuối cùng (trong
khơng khí).
Năng lượng của các hạt alpha do các hạt nhân phóng xạ phát ra có giá trị vài
MeV. Qng chạy của chúng trong khơng khí ở áp suất khí quyển cỡ vài cm. Ví dụ
hạt alpha do Po2l0 phát ra có năng lượng 5,3 MeV, qng chạy của chúng trong khơng
khí có giá trị gần bằng 3,8cm. Độ ion hố riêng trung bình của hạt alpha trong khơng
khí ở áp suất khí quyển bằng ~4.104 cặp ion/cm. Quỹ đạo của hạt alpha là một đường
thẳng.
Hiển nhiên là ở trong các chất đặc hơn thì độ ion hố của hạt alpha sẽ lớn hơn.
Nó cũng phụ thuộc vào nguyên tử số Z của môi trường mà các hạt alpha đi qua.
Nếu trong khơng khí và ở áp suất khí quyển, quãng chạy của hạt alpha cỡ vài
cm thì trong các vật rắn quãng chạy của chúng chỉ cỡ vài chục µm. Ví dụ, qng
chạy của hạt alpha, do 210Po phát ra, trong nhôm chỉ cỡ gần 20µm. Để so sánh quãng
chạy của các hạt trong nhũng vật liệu khác nhau, người ta không sử dụng đơn vị độ
dài mà sử dụng đơn vị g/cm2 hoặc đơn vị µg/cm2. Như vậy, quãng chạy của hạt alpha
do các chất phóng xạ phát ra, có giá trị khơng lớn, nhưng mật độ ion hố của chúng
thì rất lớn. Các tính chất này sẽ quyết định khả năng cũng như hiệu suất ghi hạt alpha
bằng loại detector này hoặc loại detector khác.

Hình 3: Sự phụ thuộc của số cặp bị ion hóa với quãng chạy
1.1.6.2

Tương tác của các electron với vật chất

Khi đi qua vật chất, các hạt proton mất năng lượng của mình thơng qua hai

q trình cơ bản:
1/ Ion hố và kích thích các ngun tử vật chất.
2/ Phát bức xạ điện từ khi electron bị hãm trong điện trường của hạt nhân hay
của electron nguyên tử (sự phát bức xạ hãm).

8


Các dấu vết với mật độ như nhau của các giọt, tạo ra bởi các electron và mezon
thường được quan sát thấy trong buồng Wilson. Sự ion hoá gây ra bởi các hạt siêu
nhanh có độ ion hố nhỏ nhất và thường được gọi là sự ion hố cực tiểu.

Hình 4: Đặc trưng hấp thụ các tia Beta
Khác với các hạt nặng tích điện là những hạt trong thực tế đi qua vật chất theo
một quỹ đạo thẳng, các electron nhanh, trên đường chuyển động của mình chịu một
số lớn lần tán xạ trên các hạt nhân và các electron nguyên tử và bị tán xạ nhiều lần.
Quãng chạy của các electron trong vật chất, do đó, có một độ thăng giáng lớn. Quỹ
đạo chuyển động của nó là một đường zikzắk phức tạp và được đo không phải bằng
đoạn đường thực tế mà nó đi qua như trong trường hợp của hạt alpha mà bằng chiều
dày lớp vật chất có khả năng hãm hồn tồn electron lại nếu hướng chuyển động của
chúng vng góc với mặt phẳng của lớp vật chất này.
Độ hao năng lượng do phát ra bức xạ tăng tỷ lệ tuyến tính với sự tăng năng
lượng của các electron còn độ hao năng lượng do ion hố đối với các electron năng
lượng rất lớn thì tăng phụ thuộc vào năng lượng theo quy luật hàm log:

9


𝑑𝐸 2𝜋𝑒 4 𝑍
𝐸02

=
(𝑙𝑛
− 1)
𝑑𝑋
𝑚0 𝑐 2
2𝑚𝑐 2
𝐸 ≫ 𝑚𝑜 𝑐 2
Do đó khi các electron có năng lượng lớn thì dạng hao phí năng lượng do phát
bức xạ trở nên trội hơn so với dạng hao phí năng lượng do ion hố.
Với cùng năng lượng thì độ hao năng lượng do phát bức xạ hãm đối với các
hạt nặng tích điện sẽ có giá trị nhỏ hơn nhiểu so với độ hao năng lượng loại này của
các electron vì độ hao năng lượng do phát bức xạ hãm tỷ lệ nghịch với bình phương
khối lượng của hạt:
𝑑𝐸
1
~ 2
𝑑𝑋𝑟𝑎𝑑 𝑚
1.1.6.3

Tương tác của bức xạ gamma với vật chất

Giống như các hạt trung hồ về điện, các tia gamma khơng gây ra sự ion hoá trực
tiếp. Việc ghi nhận chúng chỉ khả dĩ nếu chúng tạo thành trong detector các hạt tích
điện thứ cấp.
Khi đi qua vật chất, các tia γ bị suy giảm theo định luật hàm số mũ:

Hình 5: Quy luật giảm cường độ bức xạ γ theo hàm mũ
trong đó No là số lượng tử γ trong chùm ban đầu, N là số lượng tử γ đi qua lớp vật
chất chiều dày x; µ là hệ số suy giảm tuyến tính, đo bằng đơn vị cm-1. Đối với các
photon năng lượng 1MeV, chiều dày lớp chì suy giảm một nửa hay chiều dày lớp

chì cần thiết để hãm một nửa các photon bằng 0,95cm. Đối với khơng khí, chiều dày
lớp suy giảm một nửa bằng khoảng 83 m, cịn đối với nhơm 3,7 cm.
Như vậy, hệ số suy giảm tuyến tính liên hệ với tiết điện tán xạ hoặc hấp thụ
toàn phần σ trên một nguyên tử vật chất bằng biểu thức sau:

10


µ = nσ
trong đó n là số nguyên tử chất hấp thụ trong lcm3, σ được đo bằng đơn vị cm2 hoậc
đơn vị barn
Sự suy giảm chùm các tia γ khi chúng đi qua vật chất được xác định bằng

Hình 6: Quá trình tương tác tia γ với nguyên tử
tất cả các loại tương tác của chúng với vật chất này. Đó là hiệu ứng quang điện, hiệu
ứng Compton, tạo cặp và hiệu ứng tương tác với các hạt nhân. Hiệu ứng cuối cùng
chỉ xảy ra với xác suất nhỏ, do đó với mục đích nghiên cứu q trình ghi nhận bức
xạ γ, chúng ta sẽ chỉ khảo sát ba hiệu ứng đầu.
Đối với hệ số suy giảm toàn phần, có thể viết biểu thức sau:
µ = τ + σk + π,
trong đó τ là hệ số hấp thụ quang điện; σk là hệ số tán xạ Compton; π là hệ số hấp
thụ do quá trình tạo cặp.
1.1.6.3.1 Hiệu ứng quang điện
Hiệu ứng quang điện là hiệu ứng tương tác của lượng tử γ với electron nguyên
tử, trong đó năng lượng hνo của lượng tử γ bị tiêu hao để thắng sự liên kết của
electron trong nguyên tử và truyền cho nó một động năng, nghĩa là:
hνo = Elk + Ek.
Trong biểu thức trên Elk là năng luợng liên kết của electron trong nguyên tử;
Ek là động năng của quang điện tử. Sơ đồ mô tả hiệu ứng quang điện được giới thiệu
ở hình trên. Sự xuất hiện điện tử Auger và tia X trên hình này đã được giải thích ở

phần 1.1.

11


Hiệu ứng quang điện không thể xảy ra trên electron tự do vì để thoả mãn định
luật bảo tồn xung lưọng thì ngồi lượng tử γ và electron thì phải có mặt một hạt thứ
ba. Hạt đó là hạt nhân nguyên tử. Electron liên kết với hạt nhân càng mạnh thì xác
suất hiệu ứng quang điện trên nó càng lớn, nếu năng lượng của lượng tử γ lớn hơn
năng lượng liên kết của electron. Đó là đặc điểm của hiệu ứng quang điện. Nó giải
thích vì sao tiết điện hiệu ứng quang điện đối với các electron vỏ K luôn luôn lớn
hơn so với tiết điện hiệu ứng này đối với các electron ở những vỏ cao hơn. Nó cũng
giải thích vì sao tiết điện hấp thụ quang điện các tia γ tăng nhanh theo sự tăng nguyên
tử số của chất hấp thụ.
Nếu năng lượng của lượng tử gamma tới lớn hơn nhiều so với năng lượng liên
kết của electron vỏ K (hνo >> Elk) và nếu khi đó quang điện tử xuất hiện lại không
phải là electron tương đối tính, nghĩa là Eoquang điện trên vỏ K được biểu diễn bằng cơng thức sau :
(σϕ)k = φo4√2

𝑍5
1374

.(

𝑚0 𝑐 2 7/2
)
ℎ𝜈𝑜

trong đó, φo= 6,651.10-25 cm2 là tiết điện tán xạ Thomson trên electron tự do; Z là

nguyên tử số của chất hấp thụ.
Công thức trên chỉ ra sự tăng rất mạnh (Z5) của tiết diện hiệu ứng quang điện
theo sự tăng của Z cũng như sự giảm rất nhanh của hiệu ứng này theo sự tăng năng
lượng của lượng tử gamma.
Phân bố góc của các quang điện tử so với hướng của các lượng tử gamma tới
phụ thuộc vào năng lượng của các lượng tử này. Nếu năng lượng của các lượng tử
gamma tương đối nhỏ thì phần lớn các quang điện tử bay ra dưới góc gần bằng 90°.
Năng lượng của các lượng tử gamma tăng lên thì góc bay ra của các quang electron
điện sẽ giảm.

12


a. Hiệu ứng Compton

Hình 7: Quá trình xảy ra của hiệu ứng quang điện
Theo sự tăng năng lượng của các tia gamma thì tiết điện của hiệu ứng quang
điện giảm và quá trình chủ yếu làm suy giảm chùm lượng tử gamma trở thành quá
trình tán xạ Compton. Hiệu ứng Compton là hiệu ứng tán xạ của lượng tử gamma
trên electron tự do. Một phần năng lượng của lượng tử gamma được truyển cho
electron giật lùi. Trong vùng năng lượng mà hệ số suy giảm µ được gây ra bởi q
trình này, đó là vùng giữa 0,5 và 5MeV đối với chì là giữa 0,05 và 15MeV đối với
nhơm, năng lượng của bức xạ tới trở nên lớn hơn so với năng luợng liên kết của
electron trong nguyên tử. Hệ số tán xạ Compton σk tỷ lệ với nguyên tử số Z.
Như vậy có thể mơ tả tán xạ của lượng tử γ trên electron năng lượng đủ lớn

Hình 8: Phổ năng lượng của các electron giật lùi
như một quá trình va chạm của hai hạt. Sơ đồ quá trình tán xạ Compton được biểu
diễn trên hình. Lượng tử γ tới với năng lượng hv0 bị lán xạ trên electron tại điểm A.
Lượng tử γ bị tán xạ với năng lượng hv bay ra dưới góc tán xạ θ so với phương

chuyển động ban đầu của lượng tử tới, còn electron giật lùi thì bay ra dưới góc giật
lùi φ và năng lượng T. Từ các định luật bảo toàn năng lượng và xung lượng suy ra

13


rằng, với hνo cho trước thì giữa các góc π và φ có mối liên hệ đơn trị, cịn năng lượng
của lượng tử bị tán xạ Eγ= hv và năng lượng của electron giật lùi T thì hồn tồn
được xác định bằng các đại lượng θ,φ, hv0 đã cho. Ta có những biểu thức chủ yếu
sau:
 Đối với năng lượng của lượng tử γ bị tán xạ:
𝐸′𝛾 = ℎ𝜈 =

ℎ𝜈𝑜
ℎ𝜈𝑜
1+
2
𝑚0 𝑐 (1 − 𝑐𝑜𝑠𝜃)

 Đối với động năng T của electron giật lùi:
𝑇 = 𝐸𝑘 = 𝑚𝑜 𝑐 2 (

1
√1 − 𝛽2

− 1) = ℎ𝜈𝑜 − ℎ𝜈

2ℎ𝜈𝑜 𝑐𝑜𝑠 2 𝜃
= 𝑚𝑜 𝑐
(ℎ𝜈𝑜 + 𝑚0 𝑐 2 ) − ℎ𝜈𝑜 𝑐𝑜𝑠 2 𝜃

2

Các electron giật lùi xuất hiện phân bổ theo góc từ 0 đến 90°. Khi lượng tử γ bị
tán xạ trên một góc nhỏ, năng lượng của nó hầu như khơng thay đổi cịn electron thì
bay ra với năng lượng nhỏ dưới góc gần bằng 90o. Nếu lượng tử γ bị tán xạ một góc
180° thì electron bay ra theo hướng về phía trước với động năng cực đại.
Sự phụ thuộc xác suất tích phân hiệu ứng tán xạ Compton vào năng lượng của
các lượng tử γ đối với chì được biểu diễn trên hình dưới bằng đường cong số 2.

Hình 9: Sự phụ thuộc tiết điện tích phân hiệu ứng quang điện vào hν
b. Tạo cặp
Quá trình tạo cặp là q trình, trong đó lượng tử γ năng lượng đủ lớn tương tác

14


với vật chất làm xuất hiện một cập electron - positron với năng lượng T và T+ tương
ứng (hình bên)

Hình 10: Q trình tạo cặp
Năng lượng tồn phần của cặp bằng năng lưọng hv0 của lượng tử γ tới, còn
động năng Ek của nó thì bằng:
𝐸𝑘 = ℎ𝜈𝑜 − 2𝑚𝑜 𝑐 2

Hình 11: Tiết điện tương tác của bức xạ Gamma trong Si và Ge
Năng lượng cực tiểu của lương tử γ cần thiết để thực hiện quá trình
tạo cặp bằng 1,022MeV.
Để thoả mãn các định luật bào toàn năng lượng và xung lượng thì quá trình
tạo cặp phải diễn ra trong sự có mặt của một hạt thứ ba là hạt nhân hay điện tử. Trong
trường hợp này, xung lượng của lượng tử γ được phân bố giữa các hạt của cặp và

15


hạt thứ ba. Tiết điện tạo cặp trong trường Coulomb tỷ lệ với bình phương nguyên tử
số (z2) của vật chất và tăng lên theo sự tăng năng lượng của các tia γ. Đường cong
số 3 trên hình 9 biểu diễn sự phụ thuộc vào năng lượng của xác suất tạo cặp.
Cũng trên hình 9, các đường cong đậm nét biểu diễn sự phụ thuộc của hệ số suy
giảm toàn phần µ = τ + σk + π, của các tia γ đối với chì, thiếc, đồng và nhơm. Rõ
ràng rằng, µ đối với các chất khác nhau có giá trị cực tiểu ở những năng lượng khác
nhau. Ví dụ, đối với chì, cực tiểu của µ nằm ở vùng gần 4 MeV, cịn đối với đồng
gần 10MeV. Hình 11 giới thiệu tiết điện tương tác.

Hình 12: Ba hiệu ứng phụ thuộc vào điện tích Z của chất hấp thụ
Hình trên giới thiệu vùng năng lượng mà một trong ba hiệu ứng quang điện,
Compton hay tạo cặp đóng vai trị quan trọng, phụ thuộc vào điện tích Z của chất
hấp thụ.
1.1.7 Lý thuyết về các ống đếm phóng điện qua khí
Nghiên cứu cơ chế khuếch đại khí, đã chỉ ra rằng trong điện trường cường độ E
đủ cao, electron khi chuyển động về anot, tạo ra các thác electron. Nhờ vậy, hiệu
ứng ion hố do hạt tích điện tạo ra trong thể tích làm việc của detector, tăng lên và
biên độ xung tăng lên. Trong vùng làm việc của ông đếm tỷ lệ, khuếch đại khí thường
khơng lớn và hầu như hoàn toàn được gây ra bởi sự khuếch đại do ion hoá va chạm
của electron với các nguyên tử hoặc phân tử khí trung hồ chứa trong ống đếm. Vì
hệ số γ (xác suất photon hoặc ion dương tạo ra electron tự do) có giá trị nhỏ và về
độ lớn chỉ có giá trị cỡ gần 10-4 nên tích số γm, xác định xác suất các hiệu ứng thứ
cấp (hiệu ứng quang điện và hiệu ứng ion dương bứt electron ra khỏi catot), trong
vùng khuếch đại này nhỏ hơn nhiều so với đơn vị.

16

Việc tăng hiệu điện thế V đặt vào hai cực của detector dẫn tới sự tăng hệ số khuếch
đại khí m và các hiệu ứng thứ cấp bắt đầu đóng vai trị quan trọng. Cùng với sự tăng
của tích số γm, hệ số khuếch đại khí tồn phần M lớn hơn m rõ rệt và khi γm gần
bằng đơn vị thì sẽ tiến tới những giá trị tương đối lớn (104- 105). Trong trường hợp
này hiệu ứng ion hoá trong thể tích làm việc của detector có thể trở nên rất lớn, đặc
biệt là đối với các hạt ion hoá mạnh và các điện tích sẽ làm sai lệch đáng kể cường
độ điện trường. Vì mức độ sai lệch điện trường phụ thuộc vào mật độ điện tích mà
mật độ điện tích khơng gian thì được xác định bằng các hạt được ghi nhận, nên vùng
hoạt động này của detector đã khơng cịn là vùng tỷ lệ nữa (vùng tỷ lệ giới hạn).
Cuối cùng, với một hiệu điện thế V nào đó, hệ số m đạt giá trị, sao cho tích số γm
trở nên bằng đơn vị. Điều này có nghĩa là lúc này mỗi thác electron có khả năng, tạo
ra một electron tự do. Electron tự do này, lại tạo thành một thác electron mới với
γm≈1 và cũng kèm theo sự xuất hiện một electron tự do để tạo thành một thác
electron tiếp theo, v.v... Nếu như khi γm <1, mỗi thác electron sau yếu hơn thác trước
một chút và sự phóng điện do hạt tạo ra trong ống đếm bị tắt dần theo thời gian, thì
khi γm = 1, sự phóng điện, về nguyên tắc, có thể kéo dài bao lâu cũng được. Sự
phóng điện tự duy trì như vậy được gọi là sự phóng điện tự lập. Hiệu điện thế Vm,
tại đó sự phóng điện có tính chất tự lập được gọi là thế mồi của sự phóng điện qua
khí hay thế mồi phóng điện.
Vì cả sự khuếch đại khí lẫn các hiệu ứng thứ cấp đều là những hiện tượng thống
kê nên giá trị ngẫu nhiên của các đại lượng m và γ có thể khác nhiều so với giá trị
trung bình của chúng. Vì vậy tích số γm có thể nhận được những giá trị lớn hơn đơn
vị một chút khi V<Vm, nhưng cũng có thể nhỏ hơn đơn vị ngay cả khi V>Vm.
Như vậy, đại lượng Vm cũng chịu những thăng giáng thống kê. Tuy nhiên, trong
thực tế, do có sự phụ thuộc mạnh của hệ số khuếch đại khí M vào điện thế đặt vào
vùng phóng điện nên thế mồi của sự phóng điện Vm được xác định một cách tương
đối chính xác.
Khi điện thế V>Vm thì dịng qua vùng phóng điện phải tăng lên khơng giới hạn,

vì:
M=

𝑚
1−𝛾𝑚

và do đó M khi γm = 1.

Tuy nhiên, do sự giới hạn của dòng bởi điện tích khơng gian nên khi V>Vm thì
hệ số M mặc dù rất lớn nhưng vẫn có thể có một giá trị hữu hạn. Thực vậy, khuếch
đại càng lớn thì điện tích khơng gian càng lớn, nhưng điện tích khơng gian càng lớn
thì nó làm suy giảm điện trường càng mạnh và điều này dẫn tới sự suy giảm giá trị
hiệu dụng của hệ số khuếch đại khí M. Sự tự điều chỉnh đặc biệt này dẫn tới kết quả

17


là khi điện thế V>Vm thì dịng I qua ống đếm có giá trị tương đối lớn, nhưng hồn
tồn xác định.
1.1.7.1

Ống đếm geiger khơng tự tắt

Có thể sử dụng sự phóng điện tự duy trì qua chất khí để ghi nhận các hạt ion hoá
và bức xạ gamma với một điều kiện bắt buộc là sự phóng điện trong ống đếm phải
được dập tắt càng nhanh càng tốt. Chỉ khi thực hiện được điều kiện này thì thiết bị
phóng điện qua khí mới có khả năng, sau một thời gian đủ nhỏ, ghi nhận được sự
xuất hiện trong nó một hạt tiếp theo bằng một sự phóng điện mới.
Như ta đã biết, các tính chất cơ bản của sự phóng điện qua khí được xác định chủ
yếu bằng cấu hình của điện trường mà cấu hình này lại phụ thuộc vào hình dạng của

các điện cực. Theo quan điểm ghi nhận hạt thì sự phóng điện quầng sáng qua khí là
rất đáng quan tâm vì nó có các đặc trưng cho phép ngắt sự phóng điện bằng những
phương pháp tương đối đơn giản. Sự phóng điện quầng sáng xuất hiện trong các
trường hợp khi có điện trường rất khơng đồng nhất. Loại điện trường này xuất hiện
khi bán kính mặt cong của một trong các điện cực (hoặc của cả hai) rất nhỏ so với
khoảng cách giữa chúng. Điều này quy định hình dạng của các ống đếm Geiger.
Chúng thường có dạng hình trụ, trong đó catot là hình trụ bán kính lớn, cịn anot là
một sợi chỉ kim loại mảnh nằm dọc theo trục của hình trụ.
a. Hình dạng và biên độ xung. Cơ chế dập tắt phóng điện
Khi sử dụng ống đếm Geiger, khoảng phóng điện qua khí thường được mắc theo
sơ đồ thông thường qua một điện trở R (hình dưới). Nếu thế ni Vo>Vm thì khi hạt
ion hố bay vào ống đếm, trong đó sẽ xuất hiện một chớp phóng điện

Hình 13: Sơ đồ mạch khuếch đại xung
qua khí (ở đây cần một lần nữa nhấn mạnh rằng, về ngun tắc, để có phóng điện thì
điều kiện cần và đủ là hạt được ghi nhận tạo thành trong thể tích làm việc của ống
đếm dù chỉ một cặp ion). Các electron do hạt được ghi nhận tạo thành, sau thời gian
t, dịch chuyển về anot và tạo ra trong vùng ion hoá tạo thành những thác lớn electron.
Cùng với sự ion hoá, xung quanh anot sẽ xuất hiện sự kích thích rất mạnh của các

18