Tài liệu RAM - SIMM - DIMM... doc

RAM - SIMM - DIMM...

Đây là từ chung chỉ bộ nhớ hay "không gian làm việc" (workspace)
của máy tính. Từ "ngẫu nhiên" (random) ở đây muốn nói đến khả năng
truy cập trực tiếp đến nội dung chứa trong các ô nhớ mà không cần
"tham khảo" hoặc "quan tâm" đến các ô nhớ phía trước hoặc phía sau
các ô nhớ chứa dữ liệu đó.
RAM (Random Access Memory) - Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên:
Đây là từ chung chỉ bộ nhớ hay "không gian làm việc" (workspace) của máy tính.
T
ừ "ngẫu nhiên" (random) ở đây muốn nói đến khả năng truy cập trực tiếp đến
nội dung chứa trong các ô nhớ mà không cần "tham khảo" hoặc "quan tâm" đến
các ô nhớ phía trước hoặc phía sau các ô nhớ chứa dữ liệu đó. Đây là điểm
khác biệt chính so với khái nhiệm "truy cập tuần tự" (sequential access) trong
các thiết bị băng từ. Trong băng từ, muốn truy cập đến phần thông tin được lưu
gi
ữ ở phần giữa băng, ta phải cho băng cuộn tuần tự từ đầu đến trước phần
chứa thông tin mới truy cập được. Đặc tính truy cập ngẫu nhiên cũng đúng đối
với các công nghệ bộ nhớ khác như ROM (read only memory - Bộ nhớ chỉ đọc),
PROM (Programmable Read Only Memory - Bộ nhớ chỉ đọc cho phép lập trình
ghi lại được) là các bộ nhớ có thể lưu trữ dữ liệu ngay c
ả khi cúp điện.
VRAM (Video RAM):
Là loại bộ nhớ có hai cổng dữ liệu (dual-ported) thường được thiết kế trên card
xử lý hình ảnh hoặc đồ họa. Một cổng được hướng ra màn hình để làm tươi và
cập nhật hình ảnh. Cổng thứ hai được "nối" với CPU hoặc bộ điều khiển đồ họa
nhằm thay đổi dữ liệu hình ảnh trong bộ nhớ.
DRAM (Dynamic RAM)
- Là loại RAM "động":
Nó sử dụng một mạch bán dẫn và một tụ điện (transistor và capacitor) để thể
hiện một 1-bit dữ liệu. Các tụ điện cần phải được nạp điện (thường được gọi là

làm tươi - refresh) hàng trăm lần mỗi giây để bảo đảm toàn dữ liệu. Khi mất điện
thì toàn bộ nội dung lưu trong DRAM mất hết. DRAM là loại RAM
được sử dụng
rộng rãi nhất trong các thế hệ máy tính.
EDRAM (Enhanced DRAM):
Là một loại DRAM được phát triển bởi hãng Enhanced Memory Systems Inc.
Đây là một loại DRAM có bao gồm một phần nhỏ SRAM (Bộ nhớ tĩnh - Static
RAM).
EDO RAM (Extended Data Out RAM):
Một loại DRAM làm tăng cường khả năng hoạt động của bộ nhớ FPM (Fast
Page Mode). EDO loại trừ các trạng thái chờ (wait states) bằng cách giữ cho bộ
đệm kết xuất (output buffer) trong tình trạng kích hoạt (ative) cho t
ới chu kỳ xử lý
tiếp theo. BEDO (Burst EDO) là một loại EDO rất nhanh có thể đạt tốc độ cao
bằng cách sử dụng một bộ đếm địa chỉ (address counter) cho các địa chỉ kế tiếp
và một giai đoạn lồng ống (pipeline stage) để cho phép thực hiện các tác vụ xen
kẽ (overlapping operations).
SRAM (Static RAM) - Là loại RAM "tĩnh":
SRAM cũng cần có điện để lưu trữ và bảo toàn dữ liệu, SRAM có số lần nạ
p
điện nhiều hơn và không đòi hỏi phải "làm tươi" lại mạch (refesh circuitry) như
DRAM. Tuy nhiên SRAM thường cồng kềnh và tiêu thụ nhiều năng lượng hơn
DRAM.
SDRAM (Synchronous DRAM) - DRAM đồng bộ:
SDRAM được thiết kế dựa trên các chíp DRAM chuẩn nhưng có thêm các đặc
tính phức tạp và tinh vi khiến SDRAM trở nên nhanh hơn rất nhiều so với DRAM
thường. Thứ nhất, các chip SDRAM được chế tạo đủ nhanh để có thể
đồng bộ
hóa với xung nhịp của CPU, loại bỏ được các trạng thái chờ (wait states). Thứ
hai, các chip SDRAM được chia thành hai "khoang" riêng biệt, nên dữ liệu cần

xử lý có thể được sắp xếp thứ tự hơn: khi một bit ở khoang này đang được xử
lý, thì 1-bit khác ở khoang kia ở trạng thái chuẩn bị...cứ như thể SDRAM có thể
đẩy nhanh tiến độ xử lý các ký tự liên tiếp nhau rút ngắn chỉ còn 10ns (nano
second) so với thời gian 60ns
để xử lý ký tự đầu tiên. SDRAM cung cấp tốc độ
chuyển dữ liệu lên đến 800Mbps hoặc 1 Gbps tùy thuộc vào kênh truyền là
100Mhz hoặc 133Mhz. SDRAM sử dụng hệ thống tiếp xúc (với Mainboard) có
168 điểm tiếp xúc (168-pin). Xem hình SDRAM:


ESDRAM (Enhanced SDRAM):
Một loại SDRAM được phát triển bởi hãng Enhanced Memory Systems Inc.
ESDRAM thay thế các loại SRAM đắt tiền trong các hệ thống thiết bị nhúng
(embedded systems), có tốc độ tương đương nhưng với mức tiêu th
ụ năng
lượng ít hơn và chi phí thấp hơn.
SGRAM (Synchronous Graphics RAM) - Bộ nhớ đồ họa đồng bộ:
Là một loại bộ nhớ động (DRAM) tương tự SDRAM nhưng có thêm các tính
năng đồ họa được tăng cường để sử dụng với các card màn hình (display
adapter). Các chức năng Block Write và Mask Write của nó cho phép bộ đệm
lưu giữ các khung hình (frame buffer) được xóa nhanh và các điểm được chọn
trước có thể được hiệu chỉnh nhanh hơn. SGRAM thường được sử dụ
ng trong
card đồ họa của các máy tính xách tay.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM):
Là loại bộ nhớ có tốc độ chuyển dự liệu gấp đôi so với SDRAM do khả năng
chuyển dữ liệu trên cả hai cạnh lên và xuống (rising and falling edges) của xung
nhịp đồng hồ. DDR SDRAM sử dụng các chân nguồn và chân nối đất nhiều hơn
nên đòi có số điểm tiếp xúc là 184 chân (184-pin).
SIMM (Single In-line Memory Module):

Một bản mạch in nhỏ chứa các chip nhớ
được sử dụng như là bộ nhớ trong các
dòng máy trước đây. Khe gắn bộ nhớ SIMM trên Mainboard thường được gọi là
khe SIMM. Bộ nhớ SIMM thường phải đi theo cặp.
DIMM (Dual In-Line Memory Module):
DIMM là loại có số đường dữ liệu (data path) tiếp xúc với mainboard nhiều gấp
đôi so với SIMM (đường dữ liệu không chỉ đơn giản tính số chân) vì khả năng
tiếp xúc với mainboard bằng hai đường cạnh độc lập. Các lo
ại RAM như :
SDRAM, DDRAM và RDRAM của RAMBUS thuộc loại bộ nhớ DIMM.
SO-DIMM (Small Outline DIMM):
Là một loại DIMM nhớ có kích thước mỏng hơn do sử dụng công nghệ đóng gói
chip TSOP (Thin Small Outline Package) và thông thường được sử dụng trong
các máy tính xách tay (laptop, notebook).
Page Mode Memory - Bộ nhớ sử dụng chế độ trang:
Cơ chế trước đây dùng để tăng cường tốc độ cho các chip DRAM. Nó cũng
được biết dưới tên "Fast Page Mode-memory" (FPM) - "Bộ nhớ Chế độ trang
nhanh". Các công nghệ bộ nhớ như EDO, SDRAM, DDR và RDRAM hoạt động
theo page mode memory.
RDRAM (Rambus DRAM):
Là một loại DRAM được phát triển bởi Hãng RAMBUS Inc. (Mountain View, CA-
USA). RAMBUS đã cấp phép sản xuất DRAM theo công nghệ của mình cho các
nhà sản xuất bộ nhớ khác trên khắp thế giới. RDRAM được giới thiệu lần đầu
tiên vào năm 1995 có tốc độ 600Mbytes/giây. Năm 1997, các thanh Concurrent
RDRAM (RDRAM đồng quy, chạy đồng thời) nâng tốc độ lên 700Mbytes/giây và
trong năm 1998, Direct RDRAM đã đẩy tốc độ lên tới 1.6Gbps. Concurrent
RDRAM (RDRAM đồng quy) đã được sử dụng trong các máy chơi video nhưng
Direct RDRAM lại được sử dụng trong máy tính. Do vậy, kể từ sau đây, khi
chúng tôi dùng chữ RDRAM, vui lòng hiểu là Direct RDRAM, ngoại trừ khi có giải
thích gì khác.

RDRAM sử dụng các module bộ nhớ dạng RIMM, có cấu trúc & hình dánh
tương tự như DIMM nhưng các điểm tiếp xúc có sắp xếp khác nhau. RDRAM có
thể được xây dựng với hai kênh truyền thông riêng biệt (dual channel), cho phép
nâng tốc độ chuyển dữ liệu lên t
ới 3.2Gbytes/giây. Hãng Intel đã đầu tư vào
công nghệ này và có đóng góp tích cực trong việc thiết kế Rambus / RDRAM. Bộ
nhớ RDRAM trong máy tính phải được sử dụng theo cặp, mỗi cặp cung cấp tổng
dung lượng chuyển tải thông lượng tối đa là 3.2Gbytes/giây (peak bandwidth).
Do RDRAM hoạt động ở tần số rất cao và toả nhiệt nhiều, mỗi thanh RDRAM
được bọc bởi lớp vỏ kim loại nhằm mục đích giúp RDRAM tản nhiệt tố
t hơn.
RDRAM cung cấp một kiến trúc DRAM hoàn toàn mới cho các máy tính cá nhân
cao cấp. Dữ liệu được truyền với tốc độ 800Mhz qua một kênh truyền hẹp 16-bit
so với loại SDRAM hiện nay là 100-133 Mhz qua kênh truyền rộng 64-bit. Xem
hình: Các loại SIMM-DIMM RAM và Các công nghệ RAM động.
RIMM:
Là tên thương mại của loại module bộ nhớ Direct Rambus. RIMM có hình dáng
gần giống như module DIMM của các loại SDRAM thường và có khả năng
truyền dữ liệu 16-bits mỗi lần. RIMM Connector : là khe gắn b
ộ nhớ RIMM
(RDRAM) trên Mainboard.
SO-RIMM:
Là loại RDRAM được sử dụng trong các máy tính xách tay (notebook/laptop).