2012
Số trang
75 tr.
i hc Khoa hc T nhiên
ngành: ; 60 44 11
2012
Abstract:
ZnS và
ZnS:Mn.
Keywords: ; ;
Content
MỞ ĐẦU
ZnS, ZnS:Mn là bán -
].
phonon [2]
-
-
2-
2
-
Chế tạo các hạt nano ZnS:Mn bọc phủ chất hoạt hóa bề mặt và
khảo sát phổ phát quang của chúng”.
- Chƣơng 1: Tổng quan về tính chất quang của vật liệu ZnS:Mn bọc phủ chất
hoạt hóa bề mặt
- Chƣơng 2:Một số phƣơng pháp chế tạo ZnS, ZnS:Mn và thiết bị thực nghiệm
- Chƣơng 3 : Kết quả thực nghiệm và thảo luận
CHƢƠNG 1
TỔNG QUAN VỀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA VẬT LIỆU NANO ZnS:Mn BỌC
PHỦ CHẤT HOẠT HÓA BỀ MẶT
1.1. Giới thiệu chung về vật liệu nano bán dẫn
1.1.1. Phân loại vật liệu nano bán dẫn.
Hình 1.1: (a) Hệ vật rắn khối ba chiều, (b) hệ hai chiều (màng nano), (c) hệ một chiều
(dây nano), (d) hệ không chiều (hạt nano) [1,7]
1.1.2 Hiệu ứng giam cầm lƣợng tử liên quan tới kích thƣớc hạt
3
sau:
r< 2a
B
,
-
+ Khi r
4a
B
+ Khi 2a
B
r
4a
B
am
1.1.3 Ứng dụng của vật liệu nano
4
-
-
2].
1.2. Chất hoạt hóa bề mặt và ảnh hƣởng của chúng lên sự hình thành của các hạt
nano
1.2.1. Chất hoạt hóa bề mặt và phân loại.
- -), hydroxyl (-OH),
amin (-NH
2
), sulfat (-OSO
3
)
- 8 -
1.2.2. Ảnh hƣởng của chất hoạt hóa bề mặt lên sự hình thành các hạt nano.
Vic gic ca hat nano t nh s n, thay
i tính ch a chúng do có hiu ng giam cng tng
thi vic gic hi hiu ng b m
dn ti nhiu tính cht mi l so vi vt liu khi. Các nguyên t trên b mt có nhiu tính cht
khác bit so vi tính cht ca các nguyên t bên trong vt liu. T s gia s nguyên t bên trên b
mt và tng s nguyên t ca vt lit lic nh dn ti hiu ng b mt
1.2.3. Các chất hoạt hóa bề mặt
2
COOH có
nhóm carbonyl C=O.
+ Polyvinyl pyrrolidone (PVP) vi công thc phân t (C
6
H
9
NO)
n
có nhóm carbonyl -
C=O.
5
2
H
3
OH)
n
2-
-
trong khi ion Zn
2+
+
1.3. Cấu trúc của vật liệu nano ZnS và ảnh hƣởng của Mn lên cấu trúc, vùng năng
lƣợng của ZnS.
ZnS là hp cht bán dn thuc nhóm A
2
B
6
rng vùng ci rng (E
g
=
3.68 eV i vi mu khi vi mu nano, rt thích hp cho vic
t kích ho to ra bt hunh quang vi bc x trong vùng nhìn thy và vùng
hng ngoi gn. Trong ZnS các nguyên t Zn và S có th liên kt dng hn hp: ion (77%) và
cng hoá tr (23%). Trong liên kt ion thì ion Zn
2+
có cn t lp ngoài cùng là
3s
2
p
6
d
10
và S
2-
có cn t lp ngoài cùng là 2s
2
p
6
. Trong liên kt cng hoá tr, do
ph n t nên nguyên t Zn tr thành Zn
2-
có cn t: 4s
1
p
3
và S
tr thành S
2+
có cu hình là : 3s
1
p
3
[2].
1.3.1 Cấu trúc tinh thể lập phƣơng Sphalerite hay Zinblende
1.3.2. Cấu trúc mạng tinh thể lục giác hay wurzite
.
1.3.3. Ảnh hƣởng của các ion Mn
2+
lên cấu trúc, vùng năng lƣợng của ZnS
1.3.3.1 Ảnh hƣởng của Mn lên cấu trúc tinh thể và hằng số mạng của tinh thể ZnS
1.3.3.2. Cấu trúc vùng năng lƣợng của tinh thể ZnS
6
1.3.3.3. Ảnh hƣởng của Mn
2+
lên cấu trúc vùng năng lƣợng và độ rộng vùng cấm
của ZnS
- -
2+
2+
(3d
10
)
2+
(3d
5
2
2+
2
2+
(3d
10
).
CHƢƠNG 2
MỘT SỐ PHƢƠNG PHÁP CHẾ TẠO, BỌC PHỦ CHẤT HOẠT HÓA BỀ MẶT VẬT
LIỆU NANO ZnS:Mn VÀ THIẾT BỊ THỰC NGHIỆM
2.1. Một số phƣơng pháp chế tạo vật liệu nano ZnS:Mn.
2.1.1. Phƣơng pháp thủy nhiệt.
0
vài atm). Tr
t
0
0
4
khác nhau.
7
2.1.2. Phƣơng pháp đồng kết tủa
Quy
2.1.3. Phƣơng pháp bọc phủ các chất hoạt hóa bề mặt vật liệu ZnS:Mn
.
.
nguyên
. , .
8
s
n
s
= 4n
2/3
f = n
s
/n = 4n
2/3
/n = 4/n
1/3
= 4r
0
/r,
r
0
r
r f
-
f f
g lên
+
+
ZnS:M
kích
2.2 Hệ chế tạo mẫu
2.2.1 Máy rung siêu âm
9
2.2.2 Máy khuấy từ gia nhiệt
hòa tan các cht vào trong dung môi và tru các cht vn
hành pha trn chúng trong cc tht trên máy khuy t có gia nhit ca hãng VELP
Ý.
2.2.3 Máy quay ly tâm
Hettich EBA 8S.
2.2.4 Hệ lò sấy và ủ mẫu
a) Cấu tạo:
- Nguồn nuôi :Lò hon áp 220V, dòng ci trên 9A, công sut ci
2000W. Nhi t
o
C.
- Vỏ lò :Vt liu dùng làm v lò là thép dày 2 mm. V c gia công có dng hình
tr t trên m cao
10 cm. mu lò có thit k mt ny có th d dàng. Trong quá trình sy,
nc c nh bi 4 chit 4 góc ca np. Tác dng ca v lò là to khung
gi c nh và bo v các b phn tr, bông cách nhi
- Bông cách nhiệt :Vt lic s d làm b phn cách nhit là bông thy tinh,
có kh t và chu nhit vào loi tt nht. H s dn nhit bông thy tinh: 0.035 ÷
0.081 (W/mK).
- Dây điện trở :n tr c s dng c nhit t
là 1200 ÷ 1300
o
C. Nhi tt nht có th chu c là 800
o
C.
- Bơm chân không :u to gc ni
vi mt máy quay li tâm lêch trc thông qua h th hn ch ma sát và
làm cho h d có hai
ca mt ca làm nhim v hút khí trong thân lò và mt ca x khí ra bên ngoài.
B phn hút khí cc ni vi b phn lc là mt bình th
tránh hing du tràn vào lò sy. c ni vào mt sau ca lò. Trên
ng có gn mng h t và m
b) Hoạt động của hệ lò sấy : Hong ca h lò sy s dng b u khin nhi, thi
c ch ra hình 2.6
10
Hình 2.6: Hoạt động của hệ lò sấy sử dụng bộ điều khiển nhiệt độ, thời gian
n tr trong lò sy. Cp nhin trong thân lò
sinh ra sung nhin (ph thuc vào nhi trong lò). Sut ng nhi
u khin t l P, thông qua sung nhin b u khin s xác
nh và hin th cho ta bit nhi chính xác nhi ng thi, b u khin P
u chnh dòng qua tr ti sao cho phù hp vi nhi và thi s d
c.
2.3 Hệ xác định cấu trúc, hình thái bề mặt của mẫu
2.3.1 Hệ đo phổ nhiễu xạ tia X (phổ X-ray)
Nguyên tc chung cu trúc tinh th và thành phn pha bng
nhiu x tia X (XRD) da trên hing nhiu x tia X ca mng tinh th khi thu
kin Bragg :
2dsin
= n
2.3.2 Hệ đo phổ tán sắc năng lƣợng
2.4. Hệ đo phổ phát quang, phổ kích thích phát quang, phổ hấp thụ
2.4.1 Hệ đo phổ phát quang MS-257 dùng kỹ thuật CCD
-257
-257.
2.4.2 Hệ đo phổ kích thích phát quang FL3 – 22
-
11
2.4.3 Hệ đo phổ hấp thụ
Lambert.
CHƢƠNG 3
KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM VÀ BIỆN LUẬN
3.1. Các quy trình chế tạo các hạt nano ZnS, ZnS:Mn
3.1.1. Quy trình chế tạo các hạt nano ZnS, ZnS:Mn bọc phủ TGA bằng phƣơng
pháp thủy nhiệt.
Zn(CH
3
COO)
2
.2H
2
O, C
2
H
4
O
2
S (TGA), Mn(CH
3
COO)
2
.4H
2
O. Quy trình
Bước 1: Pha dung dịch
+ Tính toán hóa chất
Do Zn
2+
2-
3
COO)
2
.0.1M (A), Mn(CH
3
COO)
2
Bước 2: Tạo kết tủa
0
C
2
COOH
-
Bước 3: Lọc rửa kết tủa
CS
2
Bước 4: Sấy kết tủa
12
0
ZnS và ZnS:Mn C 20 mol
+ V cu trúc và hình thái b mt, thông qua: Ph nhiu x tia X (XRD) và nh TEM.
+ V tính cht quang, thông qua: Ph phát quang, ph kích thích hunh quang và ph
hp th.
3.1.2. Quy trình chế tạo các hạt nano ZnS:Mn (C
Mn
= 8 mol%) bọc phủ PVA bằng
phƣơng pháp đồng kết tủa
3
COO)
2
.2H
2
O, Na
2
S, Mn(CH
3
COO).4H
2
Bước 1: Pha dung dịch
+ Tính toán hóa chất:
Do Zn
2+
2-
3
COO)
2
.0.1M (A), Mn(CH
3
COO)
2
Na
2
Bước 2: Tạo kết tủa
Bước 3: Lọc rửa kết tủa
+
Bước 4: Sấy kết tủa
0
3.2. Cấu trúc và hình thái học của các hạt nano ZnS và ZnS:Mn
13
3.2.1. Cấu trúc và hình thái học của các hạt nano ZnS
Hình 3.1 là ph XRD ca các hc ch to by nhit
trong 20h vi các nhi thy nhit khác nhau. Khi thy nhit 130
0
C, 150
0
C trong ph
XRD ca nó ch xut hing (hình 3.1-a,b).
20 40 60
0
2000
4000
Cuong do (a.u)
2deg
f. 240
0
e. 220
0
d. 200
0
c. 180
0
b. 150
0
a. 130
0
a
b
c
d
e
f
(010)
(002)
(011)
(110)
(013)
(112)
u này chng t các nhit u trúc tinh th
thy nhin 180
0
C các ht nano ZnS bu kt tinh thành dng tinh th. Trong ph XRD
ca nó xut hin các vch nhiu x ng vi các mt phn x chính (010), (002), (011), (110),
(013) và (112) t ln nht, v nh nht
(hình 3- t 200
0
n 240
0
C các vch nhiu x
th hi trí ca nó hu này chng t s
trong khou trúc tinh th ca ZnS tr lên hoàn h
ph XRD cho tht tinh d thui xng không
gian C
6v
4
P6
3
mc. T ph c các hng s mng a,b,c ca tinh
th t 180
0
n 240
0
C thì hng s mng a = b h
i trong khong 3.8360 A
0
, còn hng s m t 6.2285 A
0
n 6.2648 A
0
.
T gi XRD và công thc Debye Scherrer:
cos
9.0
D
Hình 3.1: Phổ XRD của các hạt nano ZnS chế tạo bằng phương pháp thủy nhiệt
trong 20h với các nhiệt độ thủy nhiệt với nhau
14
D (A
o
= 1.54056 A
o
13.4nm.
nh TEM c
0
C, 180
0
C, 220
0
0
-
0
0
-
3.2.2. Cấu trúc hình thái học của các hạt nano ZnS:Mn chế tao bằng phƣơng pháp
thủy nhiệt
Gin XRD ca các ht nano ZnS:Mn thy nhit trong 15h 220
0
C vi các n
n 20mol%. Trong ph XRD ta thy xut hin các vch nhiu c ng vi
mt phn x chính (010), (002), (011), (
ln nht, v nh nht. T ph XRD cho tht
tinh d có cu trúc lc giác thuc nhóm không gian C
6v
4
P6
3
mc.
3.2.3. Cấu trúc và hình thái học của các hạt nano ZnS:Mn bọc phủ PVA
Gi XRD ca các ht nano ZnS:Mn (C
Mn
= 8mol%) không bc ph PVA và bc
ph PVA vi các khng PVA khác nhau. Trong ph XRD ca ZnS:Mn không bc ph
PVA xut hin các vch nhiu x ng vi các mt phn x chính (111),
v ln nht và v nh nht. T gi XRD cho
thy các ht nano ZnS:Mn kt tinh d có cu trúc cubic thui xng
không gian Khi các h c bc ph PVA vi kh
vi hng s mng a = b = c = 5.318 A
0
. Khi các hc bc ph
PVA vi các khng t n 1.5g v trí các vch nhiu x và các hng s mng hu
u này chng t s bc ph PVA không i tính cht cu trúc
ca ZnS:Mn.
15
T gi XRD và s dng công thc Debye c kích
c trung bình ca ht khong t n 4.42nm.
3.3 Tính chất quang của các hạt nano ZnS
3.3.1 Phổ phát quang của hạt nano ZnS theo nhiệt độ thủy nhiệt
Ph phát quang ca các ht nano ZnS c thy nhit trong 20h vi các nhit
thy nhit khác nhau t 130
0
n 240
0
khi kích thích bng bc x c sóng 325nm ca
laser He-Cd. Trong ph phát quang ca các ht nano ZnS thy nhit 130
0
C xut hi
xanh lam kho khá lt ca
Zn (V
Zn
), S (V
S
) và các nguyên t n k ca chúng và các trng thái b mt [12]. Khi nhit
150
0
n 200
0
c rng ph t
n 220
0
và 240
0
dp tu này chng
t rt ca Zn, S và các nguyên t n k ca
chúng. Khi nhi thy nhi ca ZnS có cu trúc hoàn h
khuyt b gi
3.3.2 Phổ hấp thụ và phổ kích thích phát quang của các hạt nano ZnS theo nhiệt độ
thủy nhiệt
P
0
0
3.4 Tính chất quang của các hạt nano ZnS:Mn
3.4 Tính chất quang của các hạt nano ZnS:Mn
3.4.1 Phổ phát quang của các hạt nano ZnS:Mn
Ph phát quang ca các ht nano ZnS:Mn 300K thy nhit 220
0
trong thi gian 15h
vi n C
Mn
khác nhau. Trong ph phát quang ca ZnS:Mn vi C
Mn
= 1mol% xut hi
yu kho l khong
t ca Zn, S và các nguyên t ca chúng nm
ng gia các nút m ch chuyn bc x ca các
electron trong lp v y 3d
5
ca các ion Mn
2+
[
4
T
1
(
4
G)
6
A
1
(
6
S)] trong tinh th ZnS
Mn t cng
ct ci C
Mn
trí ca chúng h
16
u này chng t t Zn, S còn
2+
Mn các ion Mn
2+
(3d
5
) thay
th v trí ca các ion Zn
2+
(3d
10
) và các nút khuyt c
gi t qu này phù hp vi mt s tài liu tham kho
[16-19]
3.4.2. Phổ hấp thụ và phổ kích thích phát quang của các hạt ZnS:Mn
0
C trong
2+
.4.3. Phổ phát quang của PVA và ZnS:Mn bọc phủ PVA
Ph phát quang ca PVA 300K khi kích thích bng bc x 325nm ca laser He-Cd.
Trong ph này ch xut hi ln
dch chuyn bc x ca các electron t trn t kích thích
LUMO xung trn t n HOMO ca phân t c sóng
rt gn vc sóng 387nm trong ph kích thích phát quang ca các ht nano ZnS:Mn vì th
bc x ca phân t PVA có kh c tip các ion Mn
2+
trong tinh th ZnS.
3.4.4. Phổ hấp thụ và phổ kích thích phát quang của ZnS:Mn bọc phủ PVA
M
vùng so
17
3.5 Thảo luận kết quả
T các kt qu c v gi XRD, nh TEM, ph phát quang, ph kích thích
phát quang, ph hp th ca các ht nano ZnS, ZnS:Mn ch to by nhit
t axit TGA, axit nay va to nên ngun S
2-
va to là cht hot hóa b mt cho các ht nano
chúng tôi nhn thy:
i vi các ht nano ZnS ch to by nhi
nhi thy nhit t 130
0
n 240
0
C thì:
- 130
0
C, 150
0
C các mu vu trúc tinh th
- T 180
0
C các ht nano b u có cu trúc tinh th, các nhi 200
0
C, 220
0
C,
240
0
C thì cu trúc lc giác ca tinh th càng tr nên hoàn h hoàn hnh
ng ln tính cht quang c phát quang, ph kích thích phát
quang và ph hp th lam khong 43t ca
Zn, S và các nguyên t n k c gim d thy
nhiu này chng t nhi thy nhit là mt thông s ng ln quá trình
hình thành cu trúc ca các ht nano.
i vi các hc ch to by nhit 220
0
C
Mn t n 20mol% thì tính cht cu trúc ca nó h
i, ít n ph hp th i ng nhin ph phát quang:
trí ca nó h
u này chng t t ca Zn,
S, các nguyên t n k c
2+
là s dch chuyn ca các electron trong lp v n t y 3d
5
ca các ion Mn
2+
[
4
T
1
(
4
G)
6
A
1
(
6
S)] trong tinh th ZnS [17].
T các kt qu c v gi XRD, nh TEM, ph phát quang ca các ht nano
ZnS:Mn (C
Mn
= 8mol%) không bc ph và có bc ph PVA ch to bng
kt ta chúng tôi nhn thy:
18
+ S bc ph các ht nano ZnS:Mn bi PVA hi cu trúc cubic
ca tinh th mà ch làm gic h c vàng và
dch chuy c sóng dài khong 7nm so v
vàng ca các ht nano ZnS:Mn ch to by nhit.
+ S c vàng ca các ht nano ZnS:Mn bc ph PVA có
th c gi
D--
2+
5
2+
da cam -
ZnS:Mn.
KẾT LUẬN
Thc hi Chế tạo các hạt nano ZnS:Mn bọc phủ chất hoạt hóa bề mặt và khảo
sát phổ phát quang của chúng c mt s kt qu ch yu sau:
+ Thu thc các tài liu tng quan v mt s tính cht cu trúc, tính cht quang ca
các ht nano ZnS, ZnS:Mn ch to by nhit và ZnS:Mn bc ph PVA
ch to bng kt ta.
+ Nghiên cu ch t c các ht nano ZnS theo nhi thy nhit t 130
0
n
240
0
C trong 20h và ZnS:Mn 220
0
C trong 15h t axit Thioglycolic (TGA), axit này va to
nên ngun S
2-
va to nên cht hot hóa b mt cho các ht nano.
+ Nghiên cu ch tc các ht nano ZnS:Mn (C
Mn
= 8mol%) bc ph PVA vi
khng PVA t n 1.5g bng kt ta.
+ Khc tính cht cu trúc, hình thái b mt và mt s tính cht quang ca các
h tc. Kt qu cho thy:
- i vi các ht nano ZnS ch to by nhi
nhi thy nhit t 130
0
n 240
0
C thì:
19
130
0
C, 150
0
C các mu vu trúc tinh th
T 180
0
C các ht nano b u có cu trúc tinh th, các nhi 200
0
C, 220
0
C,
240
0
C thì cu trúc lc giác ca tinh th càng tr nên hoàn h hoàn hnh
ng ln tính cht quang c phát quang, ph kích thích phát
quang và ph hp th lam khot ca
Zn, S và các nguyên t n k c gim dt thy nhit.
- i vi các h c ch to b y nhit 220
0
C
Mn t n 20mol% thì tính cht cu trúc ca nó h
i, ít n ph hp th i ng nhin ph phát quang:
trí ca nó h
t ca Zn, S, các nguyên t n
k c n Mn
2+
dch chuyn ca các
electron trong lp v n t y 3d
5
ca các ion Mn
2+
[
4
T
1
(
4
G)
6
A
1
(
6
S)] trong tinh
th ZnS.
- i vi các ht nano ZnS:Mn (C
Mn
= 8mol%) bc ph PVA ch to b
ng kt ta thì: s bc ph các ht nano ZnS:Mn bi PVA hi
cu trúc cubic ca tinh th mà ch làm gic h c
cam - vàng và dch chuy c sóng dài khong 7nm so v
quang da cam - vàng ca các ht nano ZnS:Mn ch to by nhit.
bc ph và truyng t PVA sang các tâm Mn
2+
dn
n làm gic h phát quang c
References
Tiếng Việt:
Quang phổ phân tử nghiều nguyên tử
Chuyển dời điện tử trong các tâm phát tổ hợp của bán dẫn
A
II
B
VI
, LA.PTS.
Vật lý chất rắn, NXB ĐHQGHN
Nghiên cứu, chế tạo ZnS:Mn từ axit thioglycolic, axetat Zn,
Mn bằng phương pháp thủy nhiệt và khảo sát phổ phát quang của chúng
20
Công nghệ nền và vật liệu nguồn
-
Tiếng Anh
[7]. Ageeth A. Bol, et. Al.( 2002), Journal of Luminescence 99, p 325- 334
[8]. A. Fazzio, M. J. Caldas and Alex Zunger (1984), Phys. Rev. B, 30, p 3430-3453
[9]. B. Martiner, F. Sandiamege, J.M.M., No 290 -291(2005), pp 102
[10]. Semiconductor Materials, Kluwer Academic Publishers, New York
[11] G.Murugadoss (2010), Synthesis and optical charaterization op PVP and SHMP –
encapsulate, department of physics, Annamalai University, Tamiladu, Indian.
[12]. H.C. Warad, SC. Gosh, B. Hemtanon, C. Thanachayanont, J.Dutta, (2005), Science and
Technology of Advanced Materials, 6, p 296- 301
[13]. He Hu, Weihua Zhang. Optical Materials 28, (2006) , pp 536-550
No. 10, 2007, pp 976-982 DOI 10.1002/crat.2007109950.
[14] Harish Chander and Santa Chawla, Bull. Mater. Sci., Vol. 31, No. 3, June (2008), p 401-
407.
[15]. H. Y. Lu, S. Y. Chu, S .S. Tan, 2004, J. Cryst. Growth, 269, p 38
[16]. Jeong-mi Hwang, Mi-Ok Oh, Il Kim, Jin-Kook Lee, Chang-Sik Ha, Current Applied
Physics. 5, (2005), pp 31-34
[17]. K. Jayanthi, S.Chawla, H. Chander, and D.Haranath,. Cryst. Red. Technol. 42,
[18]. Mingwen Wang, Lingdong Sun, Xuefeng Fu, Chunsheng Liao, Chunhua Yan, Solid
State Communication 115 , (2000) 493-496
[19] W.Q.Peng, S.C.Qu, G.W.Cong, X.Q.Zhang, Z.H.Wang, Journal of Crystal Growth 282,
(2005), pp 179-185
[20]. W.Q. Peng *, G.W. Cong, S.C. Qu, Z.G. Wang, (2006), Optical Materials 29, p 313317