báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử

Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn

ĐỀ TÀI
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử

Giáo viên hướng dẫn :
Họ tên sinh viên :

Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
1
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
MỤC LỤC
MỤC LỤC 2
BÀI 1: 2
SEMICONDUCTOR FUNDAMENTAL 2
Chủ đề 1: Giới thiệu về chất bán dẫn 2
Chủ đề 2 : Diode và chỉnh lưu bán kỳ 3
Chủ đề 4 : Tiếp giáp của Transistor và sự phân cực Dc cho Transistor PNP 10
Chủ đề 5 : Đường tải và hệ số khuyếch đại của Transistor 11
BÀI SỐ 2: 13
CÁC NGUYÊN LÝ CƠ BẢN CỦA F.E.T 13
CHỦ ĐỀ 3: MẠCH KHUẾCH ĐẠI BẰNG JFET 16
CHỦ ĐỀ 5: MOSFET CỔNG ĐÔI 19
23
BÀI SỐ 3: 23
THYRISTOR VÀ CÁC MẠCH ĐIỀU KHIỂN CÔNG SUẤT 23
Tìm hiểu thyristor và các mạch điều khiển công suất 23
CHỦ ĐỀ 1: LAM QUEN VỚI BẢN MẠCH 23
CHỦ ĐỀ 2: SCR 25
CHỦ ĐỀ 4 : ĐIỀU KHIỂN SCR BẰNG TÍN HIỆU AC 28
Chủ đề 5: 30

ĐIỀU KHIỂN CÔNG SUẤT KHI SCR ĐƯỢC KÍCH DẪN BẰNG MẠCH UJT 30
CHỦ ĐỀ 6: TRIAC 32
CHỦ ĐỀ 7: ĐIỀU KHIỂN CÔNG SUẤT AC BẰNG TRIAC 33
BÀI SỐ 4: 35
BÀI 1:
SEMICONDUCTOR FUNDAMENTAL
I.Thiết bị:
- Máy hiện sóng 2 chiều
- Máy tạo sóng sin
- Bảng mạch
II.Nội dung thí nghiệm:
Chủ đề 1: Giới thiệu về chất bán dẫn
a. Mục đích:
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
2
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Hiểu định nghĩa giải thích về vật liệu bán dẫn và chức năng của nó trong các dụng bán
dẫn.Nhận dạng và kiểm chứng nguyên lý hoạt động của một số dụng cụ bán dẫn.
b. Kết luận:
- Diode và transistor được cấu trúc từ vật liệu bán dẫn, thường là silicon và
Germanium.
- Diode có một tiếp giáp PN, Transistor có 2 tiếp giáp PN.
- Diode,zener, LED khác nhau về kí hiệu.
- Ký hiệu của PNP transistor có chiều mũi tên cực BASE,còn NPN thì chiều mũi tên
chỉ vào cực Emiter
- Diode có 2 cực Anode và Cathode.Transistor có 3 cực Emiter,Base,collector.
Chủ đề 2 : Diode và chỉnh lưu bán kỳ
a. Mục đích :
Hiểu, giải thích và mô tả các nguyên lý và các đặc tính hoạt động của Diode bán dẫn.
Mạch thí nghiệm :

Các thông số đo được trên mạnh là :
V
A
= -10VDC
V
R1
= -9.37
V
R2
= -0.1mV
Với các giá trị như thế CR1 được phân cực thuận, CR2 được phân cực nghịch.
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
3
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Các thông số đo được trên mạnh là :
V
A
= 10VDC
V
R1
= 0.1mV
V
R2
= 9.39V
Với các giá trị như thế CR1 được phân cực nghịch, CR2 được phân cực thuận.
Dựa vào định luật Ohm ta xác định được dòng điện qua điện trở R
2
:
Dựa và giá trị của I
R2

ta xác định được dòng qua CR2 :
I
CR2
= 2.85mA
V
A
(V) V
R2
(V) I
CR2
= V
R2
/3.3KΩ (mA) V
D
= V
A
– V
R2
(V)
0.75 0.29 0.088 0.46
5 4.41 1.34 0.59
10 9.38 2.84 0.62
Kết luận :
- Đặc tuyến dòng một chiều của diode mô tả dòng và điện áp thuận và ngược.
- Khi điện áp phân cực thuận tăng, vượt qua điện áp chắn thì dòng tăng nhanh chóng,
với sụt áp trên diode nhỏ.
- Khi diode phân cực ngược, có dòng rò nhỏ chạy qua. Cho đến khi đạt được điện áp
đánh thủng, dòng ngược tăng nhanh chóng, diode bị đánh thủng.
- Diode có điện trở thuận thấp, điện trở nghịch cao.
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

4
mA85.2
R
V
I
2
2R
2R
==
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Thí nghiệm 2 : Hình minh họa mối quan hệ giữa dạng sóng vào và sóng ra của chỉnh lưu bán
kỳ dương.
Khi V
i (pk)
= 4V  V
o(pk)
= V
i(pk)
– V
F
= 4V

Khi V
o (pk)
= 5V  V
o (avg)
= 0.318 x V
o (pk)
= 1.59V
Quan hệ giữa sóng vào và sóng ra của chỉnh lưu bán kỳ dương.

Mạch chỉnh lưu diode bán kỳ:
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
5
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
* V
I (pk)
= 1V  V
o (pk)
= V
I (pk)
– 0.6 = 0.4V
Với 0.6V là sụt áp trên CR1
* V
I (pk)
= 2V  V
o (pk)
= V
I (pk)
– 0.6 = 1.4V
* V
o(pk)
= 3V  V
o(avg)
= 0.318 x V
o(pk)
= 0.954V
Kết luận :
- Chỉnh lưu bán kỳ là quá trình biến đổi tín hiệu xoay chiều thành xung một chiều suốt
nữa chu kỳ.
- Diode và điện trở tải hình thành một chỉnh lưu bán kỳ.

- Khi anode của diode được kết nối với tín hiệu xoay chiều, thì tín hiệu ra là xung
dương trong bán kỳ dương.
- Khi cathode của diode được kết nối với tín hiệu xoay chiều, thì tín hiệu ra là xung âm
trong bán kỳ âm.
- Sụt áp trên diode giảm điện thế ra của chỉnh lưu toàn kỳ.
Chủ đề 3 : Chỉnh lưu toàn kỳ và mạch lọc.
Mục đích : Hiểu, giải thích và kiểm chứng mạch chỉnh lưu toàn kỳ, mạch lọc và mạch
nhân đôi điện áp.
Thí nghiệm 1 : Chỉnh lưu toàn kỳ

V
o(pk)
= 10V  V
o (avg)
= 0.636 x V
o(pk)
= 6.36V
Chỉnh lưu toàn kỳ:

Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
6
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Ta có : V
I (pk-pk)
= 20V, f
I
= 100Hz
 f
o
= 2x f

I
= 200Hz
 V
o(pk)
= V
I(pk)
– 2x0.6 = 8.8V
 V
o(avg)
= 0.636 x V
o(pk)
= 5.59V
Kết luận :
- Mạch chỉnh lưu cầu toàn kỳ chuyển đổi cả 2 pha của tín hiệu xoay chiều vào thành
xung ra 1 chiều
- Tần số của tín hiệu ra gấp 2 lần tần số vào
- 4 diode tạo thành mạch chỉnh lưu cầu. vì vậy dòng chỉ chảy qua 2 diode trong cùng 1
thời gian
- 2 diode dẫn sẽ hướng điện áp làm cho dòng tải luôn chạy theo 1 hướng
- Điện áp đỉnh ra nhỏ hơn diện áp đỉnh vào vì do sụt áp trên 2 diode.
- V
o(avg)
=0.636xV
o(pk)
Thí nghiệm 2 : Mạch lọc
V
o(pk)
= 10 V  V
o(pk)
= 12V

Thêm tụ C
1
vào hình vẽ:
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
7
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Với VOM, dòng điện DC ra = 12V
Kết nối thêm R2 vào mạch như sau :
Dựa vào máy hiện sóng, điện thế gợn sóng :
V
r(pk)
= 50mV
Điện thế DC ra :
V
o
= 9.2V
Nối thêm C2 song song vói C1 và R2 như sau :
Dựa vào máy hiện sóng, điện thế gợn sóng :
V
r(pk)
= 60mV
Điện thế DC ra :
V
o
= 8.7V
Kết luận :
- Tụ lọc ra được gọi là tụ hóa khi kết nối ngang với tín hiệu chỉnh lưu ra.
- Tụ xả nhanh chóng tại điện thế chỉnh lưu đỉnh.
- Điện thế ra giữa 2 xung bằng không, tụ đã nạp được xả và cung cấp dòng qua tải.
- Trước khi điện áp tụ rơi chậm, một xung ra khác từ bộ chỉnh lưu sẽ được nạp lại cho

đến khi tụ đạt đến điện áp đỉnh.
- Thời gian xả trên tụ lớn hơn thời gian nạp.
- Độ gợn sóng tồn tại trong dải Volt có thể được giảm xuống đến dải mV.
Thí nghiệm 3 :
Mạch nhân đôi điện áp
Cho mạch như hình vẽ :
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
8
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
V
I(pk)
= 10V  V
o(pk)
= 2x V
I(pk)
= 20V
V
C1
= V
C2
= 10V
Độ gợn r = 20mV(pk-pk)
* Thay đổi R
L
= 39KΩ
 Độ gợn r = 54mV(pk-pk)
 V
o
= 12V
Kết luận :

- 2 diode và 2 tụ lọc có thể tạo thành mạch nhân đôi điện áp.
- Mạch nhân đôi điện áp chỉnh lưu tín hiệu vào và lọc tín hiệu ra có điện áp bằng 2 lần
điện áp vào.
- Tại mỗi nữa chu kỳ của tín hiệu xoay chiều, gồm một diode dẫn và 1 tụ nạp.
- Bời vì :
+ 2 tụ mắc nối tiếp ngang qua điện áp ra nên tín hiệu ra một chiều bằng tổng điện áp
trên 2 tụ.
+ 1 tụ nạp trong suốt nữa bán kỳ của tín hiệu AC, tần số gợn sóng ra của mạch nhân
đôi điện áp bằng 2 lần tần số tín hiệu vào.
Exercise 2 : Zener Diode
V
CR1
= -0.6V
Nối mạch như hình vẽ :

Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
9
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Đặc tuyến của diode Zener
Kết luận :
- Diode được thiết kế để hoạt động an toàn trong miền đánh thủng.
- Tại phân cực thuận,diode Zener đóng vai trò như một diode chỉnh lưu.
- Dựa vào đặc tuyến phân cực ngược của diode Zener chỉ rằng diode Zener sẽ ngưng
dẫn khi V
Z
đạt tới điểm đánh thủng.
- Tại V
Z
, dòng ngược tăng nhanh, điện áp ngược tăng rất chậm.
- Trong mạch diode Zener, điện trở được mắc nối tiếp với điện trở Zener để giới hạn

dòng có giá trị bằng dòng I
ZT
.
Kết luận :
- Diode Zener được sử dụnh trong các mạch điều hòa điện áp do mức điện áp Zener
hầu như không thay đổi.
- Diode Zener sẽ giữ mức điện áp ra bằng mức điện áp Zener, bất chấp các biến thiên
của điện áp nguồn cung cấp và điện trở tải.
- Dòng điện tổng trong mạch ổn định điện áp bằng diode Zener là tổng dòng chảy qua
diode Zener và dòng chảy qua tải.
- Các Diode Zener thực hiện tốt sự điều chỉnh điện áp bởi vì I
Z
có thể thay đổi đáng kể
theo sự thay đổi nhỏ của điện áp đặt vào khi làm việc ở vùng đánh thủng.
- Lượng tăng lên của dòng tải sẽ đượ bù bằng lượng giảm của dòng Zener, đặc tính này
sẽ cho khả năng điều hòa tải của bộ ổn định điện áp.
- Độ ổn định của tải theo phần trăm được đo bằng độ thay đổi điện áp trên tải do sự
thay đổi ở tải.
Chủ đề 4 : Tiếp giáp của Transistor và sự phân cực Dc cho Transistor PNP.
Mục đích : Xác định và giải thích các đặc tính và nguyên lý hoạt động của Transistor, áp
dụng bằng cách đo thử các transistor, và khảo sát chuyển mạch bằng transistor.
Exercise 2 :
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
10
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
V
E
= -1.5V
V
BE

= 0mV
V
CE
= -13.6V
(R
1
= 10KΩ)
V
BE
= -0.74V
V
CE
= -0.04V
V
R2
= 13V
Ω== K/V13
R
V
I
2
2R
C
R
1
= 1MΩ)
V
R2
= 3.48V


Ω==
−
K/V10x48.3
R
V
I
6
2
2R
C
I
C
= 0.00348mA
V
BE
= -0.65V
V
CE
= -9.7V
Kết luận :
- Transistor lưỡng cực có thể làm việc như một chuyển mạch bằng sự thay đổi dòng
Base từ mức 0 đến giá trị lớn nhất.
- Để tiếp giáp J
E
phân cực thuận, thì base của transitor PNP sillicon phải có mức
khoảng 0.5Vdc đến 0.8Vdc, âm hơn so với cực Emiter.
- Điện trở của tiếp giáp J
C
tùy thuộc vào dòng I
B

.
- Tiếp giáp J
E
được phân cực thuận sẽ làm cho điện trở Collector – Emitter rất thấp,
cho phép dòng chảy trong mạch tương tự như một chuyển mạch kín.
- Khi tiếp giáp J
E
được phân cực ngược, dòng I
B
= 0 gây ra điện trở Collector - Emittor
rất cao, chặn dòng chảy trong mạch Collector, tương tự như chuyển mạch hở.
- Khi dòng Collector lớn nhất, transistor dẫn bão hòa nên V
CE
gần bằng không.
- Khi dòng I
B
= 0 thì không có dòng I
C
,transistor ở vùng ngắt, V
CE
gần bằng điện áp
nguồn cung cấp
I
E
= I
B
+ I
C
Vì mức dòng I
B

không đáng kể, nên I
C
và I
E
gần như bằng nhau.
Chủ đề 5 : Đường tải và hệ số khuyếch đại của Transistor
Mục đích : Hiểu, giải thích và kiểm chứng các trạng thái hoạt động và ảnh hưởng của hệ
số khuếch đại của Transistor nên các dòng điện của transistor bằng cách sử dụng đường tải DC
Thí nghiệm 1 :
V
BEO
= -2.499V
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
11
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Đặc tính quan hệ V
BEO
và I
BEO
Kết luận :
+ Tiếp giáp PE của transistor được phân cực thuận hay ngược phụ thuộc vào điện thế
của nguồn cung cấp.
+ Đặc tính phân cực thuận DC của tiếp giáp BE transistor tương tự như các diode khác
+ Dòng điện phân cực giữa Base và Emittor từ 0 đến dưới microamp cho đến khi V
BEO
đạt 0.5V
+ V
BE
nằm trong khoảng 0.5V đến 0.8V, dòng I
BEO

tăng nhanh chóng với V
BEO
tăng rất
nhỏ.
+ Sau khi dòng Base – Emitter đạt 2mA, điện áp phân cực thuận gần như không đổi
Kết luận :
- Dòng I
C
lớn của transistor được điều khiển bởi dòng I
B
nhỏ
- Tỷ số dòng I
C
và I
B
được gọi là hệ số khuyếch đại dòng transistor.
- Dòng I
E
= I
C
+ I
B
- I
B
= 5%I
E
Kết luận :
- Họ đặc tuyến dòng Collector là đồ thị dòng của Collector theo điện áp Collector-
Emitter khi dòng base là thông số.
- Do ß hầu như không đổi ở vùng tích cực của transistor nên đồ thị theo điện áp

Collector-Emitter khi dòng base không đổi là đặc tuyến tăng rất ít.
- Điểm Q hay điểm làm việc là điểm giao chéo giữa đường tải và I
B
và sẽ được xác
định bằng điều kiện phân cực DC của transistor.
- Các mạch transitor được sử dụng để khuếch đại tín hiệu nhỏ, thường được thiết kế để
có điểm nằm ở trung tâm đường tải. điều này sẽ cho khoảng hoạt động trong vùng tích cực đối
với tín hiệu AC đặt vào.
- Việc xác định đường tải sẽ bị ảnh hưởng theo các thay đổi ở nguồn cung cấp collector
hay trị số của điện trở collector.
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
12
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
BÀI SỐ 2:
CÁC NGUYÊN LÝ CƠ BẢN CỦA F.E.T
I. THIẾT BỊ
- FACET Base Unit.
- Bảng mạch FET FUNDAMENTAL CIRCUIT.
- Nguồn +15V, -15V.
- Đồng hồ vạn năng.
- Máy tạo sóng Sin.
- Máy hiển thị sóng.
II. NỘI DUNG:
CHỦ ĐỀ 1: LÀM QUEN VỚI BẢNG MẠCH.
1. Mục đích:
Nhận dạng các dụng cụ bán dẫn chính và các khối mạch trên bảng mạch FET.
2. Nội dung thí nghiệm:
Thí nghiệm 1.1: Nhận dạng và xác định vị trí của mạch.
Thí nghiệm 1.2: Khảo sát nguyên lý hoạt động của mạch dao động bằng UJT.
Mắc mạch như hình vẽ:

Dùng máy hiển thị sóng xác định dạng sóng tại cực E của UJT. Dạng sóng như hình
vẽ:
CHỦ ĐỀ 2: FET CÓ CỔNG TIẾP GIÁP – JFET.
1. Mục đích:
Khảo sát và hiểu được các đặc tính và nguyên lý hoạt động của transistor JFET.
2. Nội dung thí nghiệm:
Thí nghiệm 2.1: Đặc tuyến làm việc của JFET.
Mắc mạch như hình vẽ:Đo I
DS
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
13
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Dùng máy hiện sóng điều chỉnh V
DS
= 10Vdc
Dùng Multimeter đo I
DSS
:
I
DSS
= 7.96 mA
Giảm V
DS
đến 8Vdc: I
DSS
không đổi.
Giảm V
DS
đến 0Vdc, tăng V
DS

từ 0 đến 2Vdc: Dòng I
DS
tăng khi V
DS
tăng.
Mắc mạch lại như hình vẽ: Đo I
DS
khi thay đổi V
GS
Chỉnh V
DS
=10Vdc. V
GS
= 0Vdc. Đo I
DSS.
I
DSS
= 8mA.
Giảm V
GS
đến V
GS
= -1Vdc, ta thấy I
DS
giảm.
Giảm V
GS
đến V
GS
= -10Vdc, dòng I

DS
giảm đến 0mA.
Kết luận:
- V
GS
phân cực ngược điều khiển dòng I
DS
- V
GS
phân cực thuận không dùng cho JFET.
- V
GS
= 0Vdc, I
DSS
cực đại.
- I
DSS
giảm đến 0mA tại 1 giá trị xác định của V
GS
phân cực ngược.
- Có 2 vùng hoạt động của JFET: vùng thuần trở, vùng bão hòa (hay vùng thắt
kênh).
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
14
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Thí nghiệm 2.2: Họ đặc tuyến của JFET.
Mục đích: Quan sát họ đặc tuyến I
D
– V
DS

để xác định đặc tính của JFET.
Nội dung:
Mắc mạch như hình vẽ:
Dùng máy hiện sóng chỉnh GEN 15V
pk-pk
tần số f = 1000Hz.
Dùng đồng hồ đo chỉnh V
GS
= 0Vdc
Kết nối máy hiện sóng như hình vẽ, chỉnh máy hiện hiện sóng ở chế độ XY, để
hiển thị đặc tuyến I
D
– V
DS
.
Chỉnh V
GS
= -1Vdc.Quan sát dạng sóng.
Từ từ giảm V
GS
đến -10Vdc.Quan sát dạng sóng.Ta có họ đặc tuyến:
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
15
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Kết luận:
- V
GS
phân cực xác định đặc tuyến hoạt động của JFET.
- I
DS

có thể giảm đến 0mA tại 1 giá trị xác định của V
GS
.
- V
G
phải âm đối với JFET kênh n.
- Họ đặc tuyến của JFET được tạo ra bằng cách thay đổi V
DS
và V
GS
.
CHỦ ĐỀ 3: MẠCH KHUẾCH ĐẠI BẰNG JFET.
1. Mục đích:
Kiểm chứng nguyên lý hoạt động với tín hiệu một chiều và tín hiêuj xoay chiều ở
mạch khuếch đại JFET.
2. Nội dung thí nghiệm:
Thí nghiệm 3.1: Hoạt động DC của mạch khuếch đại bằng JFET.
Mục đích: Khảo sát và đo các điện áp một chiều của mạch khuếch đại bằng JFET.
Nội dung:
Mắc mạch như hình vẽ:
Dùng đồng hồ đo xác định V
R2
: V
R2
= 1.47Vdc.
Xác định V
GS
: V
GS
= -1.47Vdc.

Xác định V
R3:
V
R3
= 1.45Vdc
Theo định luật Ohm ta có:
I
DS
=V
R3
/ R
3
=1.45/2.7=0.537mA
Ta thấy kết quả I
DS
bằng kết quả tại R
2
:
I
R2
=V
R2
/R
2
=1.47/2.7=0.544mA
Dùng đồng hồ đo vạn năng đo V
D
:
V
D

=13.40Vdc
Kết quả này gần bằng với kết quả đo theo lý thuyết
V
D
=V
DD
-V
R3
=15V-1.45V=13.55V
Kết luận:
- Điện áp rơi trên điện trở nguồn tạo ra điện áp phân cực
- Trong mạch phân cực nguồn V
DD
= V
D
+ V
R3
.
- Phân cực nguồn hay tự phân cực giảm tác động của sự thay đổi I
DSS
.
- Dòng máng và dòng nguồn xấp xĩ bằng nhau.
Kích hoạt CM17 để thay đổi R3.
Đo V
D
= 13.03 Vdc
Khi không kích hoạt CM17, V
D
= 13,41 Vdc.
Ta có: V

D
= V
DD
– I
D
.R
3
.
Do I
D
, V
DD
không đổi, V
D
giảm => CM17 kích hoạt làm R
3
giảm.
Thí nghiệm 3.2: Hoạt động AC của mạch khuếch đại bằng JFET.
Mục đích: Đo hệ số khuếch đại AC của mạch khuếch đại bằng JFET.
Nội dung:
Mắc mạch như hình vẽ:
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
16
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Dùng máy hiện sóng điều chỉnh GEN 100mV
pk-pk
, 1000Hz.
Dùng kênh 2 của máy hiện sóng xác định dạng sóng ra tại cực D => sóng có biên độ
lớn hơn.
V

pk-pk
= 0,44 V.
Kích hoạt CM18 để R
3
giảm từ 2,7K=> 2.1K.V
pk-pk
giảm còn 0.34V.
Bỏ C
2
thì điện áp ra V
pk-pk
giảm.
Dạng sóng đầu vào và đầu ra ngược pha nhau.
Kết luận:
- Tụ nối song song với R
S
làm giảm tác động của R
S
đến hệ số khuếch đại.
- Với mạch cực nguồn chung, tín hiệu đầu ra ngược pha với tín hiệu đầu vào.
- Hệ số khuếch đại của JFET khi không có hồi tiếp là hàm số của R
L
và g
m
.
A
v
= R
L
.g

m
.
CHỦ ĐỀ 4: NGUỒN DÒNG BẰNG JFET.
1. Mục đích:
Kháo sát nguyên lý hoạt động của mạch nguồn dòng bằng JFET.
2. Nội dung thí nghiệm:
Thí nghiệm 4.1: Nguyên lý hoạt động của nguồn dòng hằng bằng JFET
Mục đích: Quan sát và đo dòng ra của một nguồn dòng hằng bằng JFET
Nội dung:
Mắc mạch như hình vẽ:
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
17
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Điều chỉnh theo chiều kim đồng hồ làm ngắn mạch R
2
mạch chỉ còn R
1
=100Ω.Đo I
DSS
:
I
DSS
=14.3mA
Điều chỉnh R
2
để tổng trở (R
1
+R
2
)=400Ω đo I

DSS
:
I
DSS
=14.25mA
Kết luận:
- Một JFET có thể cung cấp một dòng không đổi khi hoạt động trong vùng ngắt hoặc
vùng bão hòa
- Giá trị của nguồn dòng không đổi khi thay đổi giá trị điện trở
- Nguồn dòng của một JFET có thể dùng trong phân cực 0 ,cực cổng và nguồn ngắn
mạch với nhau
- Giá trị lớn nhất của nguồn dòng không đổi xảy ra khi cực cổng và cực nguồn được
ngắn mạch với nhau
Thí nghiệm 4.2: Sự phân bố công suất và điện áp của JFET
Mục đích: Xác định sự phân bố điện áp và công suất của nguồn dòng bằng JFET.
Nội dung:

Mắc mạch như hình trên (thí nghiệm 4.1)
Điều chỉnh theo chiều kim đồng hồ làm ngắn mạch R
2
mạch chỉ còn R
1
=100Ω.Đo I
DSS
:
I
DSS
=14.3mA
Kết nối mạch như hình vẽ:
Ngắn mạch R

2
đo V
R1
V
R1
=1.412Vdc
Đo điện áp rơi trên D&S của Q
1
:
V
DS
=13.44Vdc
Công suất tiêu tán trên JFET với điện trở là 100Ω được
tính theo công thức :
P=I
DSS
.V
DS
=14.3mA.13.44Vdc=192.2mW
Điều chỉnh R
2
để tổng trở (R
1
+R
2
)=400Ω .Đo V
DS
:
V
DS

=9.22Vdc
Công suất tiêu tán trên JFET với điện trở là 400Ω được tính theo công thức :
P=I
DSS
.V
DS
=14.3mA.9.22Vdc=131.85mW
Kết luận:
- Điện áp cung cấp được phân phối qua mỗi thành phần của nguồn dòng không đổi
mắc nối tiếp.
- Sự phân bố điện áp giữa nguồn dòng (JFET) và tải phụ thuộc vào giá trị của điện trở
tải.
- Công suất tiêu tán của nguồn dòng không đổi tăng khi điện trở tải giảm.
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
18
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
CHỦ ĐỀ 5: MOSFET CỔNG ĐÔI
1. Mục đích:
Khảo sát hoạt động DC và AC của MOSFET.
2. Trình tự thí nghiệm:
Thí nghiệm 5.1: Các chế độ hoạt động của MOSFET.
Mục đích: Xác định ảnh hưởng của sự phân cực ở các chế độ hoạt động của MOSFET
bằng cách dùng các mạch đo thông dụng.
Nội dung:
Mắc mạch như hình vẽ:
Dùng máy hiện sóng chỉnh GEN 10V
pk-pk
, 100Hz.
Điều chỉnh R
1

để V
GS
= 0Vdc.
Đặt máy hiển thị sóng ở chế độ XY, kênh 1( X) nối vào cực D, kênh 2 (Y) nối vào cực S.
Quan sát dạng sóng, sau đó lần lượt điều chỉnh R
1
để V
GS
đến +0,3V, -0,3V. Ta có
dạng sóng như hình vẽ:
Kết luận:
- Đối với MOSFET ở chế độ tăng cường kênh, điện áp phân cực dương được đặt, ở chế
độ nghèo kênh, điện áp phân cực âm được đặt vào.
- MOSFET kênh N kiểu tăng cường/nghèo kênh có thể hoạt động với điện áp G -
dương hoặc âm, và không tạo nên dòng cổng.
- Điện áp G dương làm tăng dòng I
DS
đối với MOSFET kênh N kiểu tăng cường/nghèo
kênh.
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
19
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
- Điện áp G âm làm giảm dòng I
DS
đối với MOSFET kênh N kiểu tăng cường/nghèo
kênh.
- I
DSmax
không xuất hiện tại V
GS

= 0Vdc.
Thí nghiệm 5.2: Bộ khuếch đại điện áp bằng MOSFET.
Mục đích: Xác định các đặc tính hoạt động của bộ khuếch đại điện áp bằng MOSFET
kênh N.
Nội dung:
Mắc mạch như hình vẽ:
Mắc đồng hồ đo điện thế tại cực D, điều chỉnh R
1
để V
D
= 7.5Vdc.
Dùng máy hiện sóng để chỉnh GEN 200mV
pk-pk
, 1000 Hz.
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
20
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Xác định dạng sóng tại cực D qua kênh 2 của máy hiện sóng. Ta thấy tín hiệu ra có biên độ
lớn hơn tín hiệu đầu vào.
Mắc thêm C
4
song song với R
6
, biên độ tín hiệu đầu ra tăng so với khi không có tụ.
Bỏ tụ C
4
, tín hiệu đầu ra ngược pha so với tín hiệu đâu vào.
Mắc sơ đồ mạch lại như hình vẽ:
Chỉnh R
1

hết sang chiều kim đồng hồ.
Điều chỉnh GEN 200mV
pk-pk
, 1000Hz.
Điều chỉnh R
1
ngược chiều kim đồng hồ
, sau đó cùng chiều kim đồng hồ để thay đổi
Vdc tại G
2
. Ta thấy biên độ sóng ra tại D thay đổi.
Kết luận:
- Trong chế độ phân cực bình thường cho MOSFET, V
D
xấp xĩ ½ V
DD
.
- Trong bộ khuếch đại S chung, tín hiệu ra ngược pha tín hiệu vào.
- Dùng tụ nối song song với R
S
làm tăng hệ số khuếch đại.
- MOSFET là thiết bị điều khiển bằng điện áp.
- Trong MOSFET cổng đôi cả 2 cổng đều điều khiển dòng I
D
.
CHỦ ĐỀ 6: TRANSISTOR ĐƠN NỐI - UJT.
1. Mục đích:
Khảo sát nguyên lý hoạt động của mạch dao động tích thoát dựa trên mạch thí nghiệm
sử dụng UJT.
2. Trình tự thí nghiệm:

Thí nghiệm 6.1: Các đặc tính làm việc của UJT.
Mục đích:
Kiểm chứng các đặc tính làm việc của UJT.
Nội dung:
Mắc mạch như hình vẽ:
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
21
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Dùng đồng hồ đo điện trở để xác định điện trở giữa B
1
- B
2
, B
2
- B
1
, E-B
1
, E-B
2
ta được
R
BB
(B
1
- B
2
) = 5,84K, R
BB
(B

2
– B
1
) = 5,87K, suy ra B
1
- B
2
giống như một điện trở; EB
1
,
EB
2
giống như tiếp giáp PN.
Mắc mạch như hình vẽ:
Đo V
C1
, ta được V
C1
= 7,07 V.
V
J
=V
C1
= 7,07V.
=> η = V
J
/ V
BB
= 0.707.
Dùng máy hiện sóng xác định dạng sóng tại cực E. Ta thấy dòng I

E
đỉnh xuất hiện tại
giá trị V
V
.
Kết luận:
- Một Ohm kế có thể dùng để kiểm tra UJT.
- Điện trở nội xuất hiện giống như 1 giá trị điện trở.
- UJT có 1 tiếp giáp giữa PN giữa E và B.
- Điện áp đỉnh Emitter có quan hệ với tỉ số dừng nội tại.
- Vp = V
J
– V
D
.
- Đặc tuyến làm việc của UJT có 3 vùng: vùng ngắt, vùng điện trở âm và vùng bão
hòa.
- UJT cho thấy đặc tuyến điện trở âm khi dẫn.
Thí nghiệm 6.2: Mạch tạo dao động bằng UJT.
Mục đích:
Khảo sát hoạt động của mạch dao động tích thoát bằng UJT.
Nội dung:
Nối mạch như hình vẽ:
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
22
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Nối kênh 1 của máy hiện sóng tại cực E, sóng có dạng răng cưa.
Xác định chu kỳ của sóng: T =1,1ms => f = 1/T = 909Hz.
Tính f theo công thức: f = 1/(R
1

xC
2
) = 1/(10.10
3
.0,1.10
-6
) = 1000Hz
Khi kích hoạt CM6 để thay đổi giá trị của C
2
, tần số của tín hiệu tại E giảm, => CM6
làm C
2
tăng.
Bỏ kích hoạt CM6, nối kênh 2 của máy hiện sóng đến cực B
1
, dạng sóng tại B
1
là xung
dương, có tần số bằng tần số của sóng tại E.
Nối kênh 1 vào B
1
, kênh 2 vào B
2
, dạng sóng trên B
2
là xung âm. Dạng sóng trên B
1
và
trên B
2

ngược pha nhau, có tần số bằng nhau.
Kết luận:
- Dạng sóng tại E là dạng răng cưa.
- Dạng sóng tại B
1
và B
2
lần lượt là xung dương và xung âm.
- Xung tại cực Base xuất hiện khi UJT dẫn.
- Thời gian dẫn của UJT bằng thời gian xả của tụ.
- Tần số hoạt động của mạch phụ thuộc vào tụ định thời, điện trở nạp (R
1
) và điện trở
mở rộng tại B1.
- Tiếp giáp làm xả tụ qua B1 và điện trở tại B1.
- Điện trở mở rộng tại B1 cần để tạo xung tại B1.

BÀI SỐ 3:
THYRISTOR VÀ CÁC MẠCH ĐIỀU KHIỂN CÔNG SUẤT
I. MỤC ĐÍCH:
Tìm hiểu thyristor và các mạch điều khiển công suất.
II. DỤNG CỤ:
- FACET Base Unit.
- Bảng mạch THYRISTOR & POWER CONTROL CIRCUITS.
- Nguồn +15V, -15V.
- Đồng hồ vạn năng.
- Máy tạo sóng Sin.
- Máy hiển thị sóng.
III. NỘI DUNG:
CHỦ ĐỀ 1: LAM QUEN VỚI BẢN MẠCH.

1. Mục đích:
Nhận dạng bảng mạch và các thyristor trên bảng mạch THYRISTOR & POWER
CONTROL CIRCUITS.
2. Nội dung thí nghiệm:
Thí nghiệm 1.1: Nhận dạng các thyristor và các cấu kiện điện tử tren bảng mạch.
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
23
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Thí nghiệm 1.2: Liên kết các mạch thyristor trên bảng mạch THYRISTOR & POWER
CONTROL CIRCUITS.
THYRISTOR & POWER CONTROL CIRCUITS.
Lắp bảng mạch SILICON CONTROLED RECTIFIER (SCR)
Điều chỉnh V
A
=6 vdc
Đo V
R4
=0.1mv dc
Nhấn S
1
và đo lại V
R4
=5.22 Vdc
MẮC BẢNG MẠCH: SCR DC GATE HALF-WAVE AND FULL-WAVE
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
24
Báo cáo thí nghiệm cấu kiện điện tử GVHD: Nguyễn Thanh Sơn
Bảng mạch: SCR AC GATE AND UJT HALF-WAVE AND FULL- WAVE
Kết nối kênh 1 và kênh 2 của máy hiện sóng ngang qua hai dầu điện trở R
8

như hình vẻ
Kết luận:
- SCR được sử dụng chủ yếu để chuyển mạch trong các mạch điều khiển AC và DC.
SCR là cấu kiện 3 cực
- Triac có 3 cực, đó là chuyển mạch được điều khiển bằng cổng. G . Triac là dụng cụ
hai chiều và hoạt động như hai SCR mắc sng song
- Transistor điơn nối là một dụng cụ 3 cực có một tiếp giáp PN , có thể được dùng làm
trể tín hiệu tại cổng SCR
CHỦ ĐỀ 2: SCR
1. Mục đích:
Kiểm chứng nguyên lý hoạt động cơ bản của SCR
2. Nội dung thí nghiệm:
* Thí nghiệm 2.1 :
Mục đích:
- Đo thử 1 SCR bằng đồng hồ vạn năng
- Cần phải có đồng hồ có chức năng đo điện trở hay chức năng đo diod
- Tiếp giáp G-K của SCR chỉ là một tiếp giáp PN nên có thể đo như 1 diod

* Thí nghiệm 3
1.Mục đích thí nghiệm
Đo điện áp kích khởi ở cổng và dòng giữ của 1 SCR2.
2.Trình tự thí nghiệm
Mắc mạch như hình vẽ
Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1
25