Tải bản đầy đủ (.doc) (17 trang)

TIỂU LUẬN THƯỜNG KỲ, HỌC KỲ 1 (2021-2022) THỰC TẬP ĐIỆN TỬ NÂNG CAO

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (1.96 MB, 17 trang )

BỘ CÔNG THƯƠNG
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TP.HCM
KHOA CÔNG NGHỆ ĐIỆN TỬ

TIỂU LUẬN THƯỜNG KỲ, HỌC KỲ 1 (2021-2022)

THỰC TẬP ĐIỆN TỬ
NÂNG CAO
Họ và tên sinh viên:
Mã số sinh viên:
Lớp học:
Email sinh viên:
Điện thoại sinh viên:
Giảng viên giảng dạy:
Điểm

Hà Văn Quý, Hoàng Trần Thiện
19534881 (Stt: 3), 19519351 (Stt: 7)
DHDTVT15ATT (422000409002)

0828796654
Trần Minh Hồng
Họ, tên và chữ ký của
cán bộ chấm thi thứ 1

Họ, tên và chữ ký của
cán bộ chấm thi thứ 2



BÀI 2: MẠCH KHUẾCH ĐẠI SỬ DỤNG


TRANSISTOR (Phần 1: BJT)

I. THIẾT BỊ SỬ DỤNG..........................................................2
II. MỤC TIÊU.....................................................................2
III.CHUẨN BỊ.....................................................................2
IV. NỘI DUNG....................................................................2
DÒNG ĐIỆN NGÕ RA NGÕ VÀO LẦN 1........................................5
TÍNH TỐN LÝ THUYẾT ĐO LẦN 1............................................7
DÒNG ĐIỆN NGÕ RA NGÕ VÀO LẦN 2......................................12
Bảng B1.1..........................................................................15

1


BÀI 2: MẠCH KHUẾCH ĐẠI SỬ DỤNG
TRANSISTOR
(Phần 1: BJT)
I. THIẾT BỊ SỬ DỤNG:
 `Phần mềm mô phỏng ORCAD.
II. MỤC TIÊU:
 Sau khi học xong SV viên có khả năng:
- Đo, vẽ và giải thích được ý nghĩa đường tải DC.
- Phân tích được sự ảnh hưởng của điểm làm việc Q tới mạch khuếch đại.
- Đo được và giải thích các thơng số của mạch khuếch đại.
- Phân tích và đánh giá được kết quả đo.
- Có khả năng thảo luận và trình bày được các kết luận của nhóm.
III.CHUẨN BỊ
 SV chuẩn bị trước các nội dung sau:
- Ý nghĩa đường đặc tuyến ngõ vào và ngõ ra của BJT.
- Các cách phân cực và tính tốn phân cực cho BJT.

- Xem lại lý thuyết về mạng hai cửa (môn Mạch điện).
- Ý nghĩa các thông số .
IV. NỘI DUNG

2


Mạch khuếch đại E chung
 Lần 1:
Sinh viên mắc mạch như hình vẽ.

-

Điều chỉnh ng̀n tín hiệu hình sin, tần số 1kHz và cấp vào v% của mạch
trên.
Sau đó, chỉnh biên độ ng̀n tín hiệu sao cho điện áp đỉnh đỉnh đo tại v& bằng
30mV.
Dùng VR điều chỉnh điểm làm việc của BJT sao cho điện áp ngõ ra v) không
bị
méo dạng.

-

Sử dụng OSC đo và vẽ điện áp v& (kênh 1) và v) (kênh 2) vào hình H1.10.
Xác định độ lợi áp, trở kháng vào (chọn R* = 220Ω), trở kháng ra và các tần
số
cắt của mạch khuếch đại và ghi vào bảng B1.1.

3



Kênh 1: Vin

Kênh 2: Vout:

4


DÒNG ĐIỆN NGÕ RA NGÕ VÀO LẦN 1

5


Kênh 1 iin

Kênh
2 io

6


TÍNH TỐN LÝ THUYẾT ĐO LẦN 1

RBB 

R1 * R2
0.75 *11

 0.7V
R1  R2

0.75  11

VBB  VCC
I CQ 

R1
0.75
 12
 0.76V
R1  R2
0.75  11

VBB  VBE
0.76  0.7

 3.5(mA)
RBB
0.7
3
RE 
(0.01 
) *10
100

Sơ đờ tương đương tín hiệu nhỏ tân số thấp

7


hie  mh fe


VT
25*103
 100
 714
3
I CQ
3.5*10

R E   ( h fe  1) RE  h fe RE  100(0.01*103 )  1k 
RT  R1 / / R2  0.7V
Z i  R1 / / R2 * ( hie  R E  )  0.7 / /1.714  0.497 k 
Z 0  RC  4.7 k 

8




Lần 2:
- Sinh viên giữ cố định biến trở VR và mạch như lần một nhưng gắn thêm tụ
CE= 10uF song song với RE.
- Xác định độ lợi áp, trở kháng vào, trở kháng ra và các tần số cắt của mạch
khuếch đại và ghi vào bảng B1.1.

Kênh 1 Vin

9



Kênh 2 Vout

10


DÒNG ĐIỆN NGÕ RA NGÕ VÀO LẦN 2

11


Kênh 1 Iin

Kênh 2 Iout

12


TÍNH TỐN LÝ THUYẾT ĐO LẦ
No table of contents entries found.
N2
Trường hợp mắc thêm tụ CE

11*0.75
 0.7 K
11  0.75
R *V
0.75*12
VBB  1 CC 
 0.76V
R1  R2 11  0.75

RBB  R1 / / R2 

Áp dụng định luật KII :
VBB  I B RBB  VBE  I E RE  0
IC
I (   1)
RBB  VBE  C
RE  0


VBB  VBE
0.75  0.7
 IC 

 3.5mA
1
(   1)
0.7 K (100  1)
R 
RE

10
 BB

100
100
VBB 

Mạch tương đương tín hiệu nhỏ, tần số thấp


13


AV 
vo

ib

vo vo ib

vi ib vi
  ib .

RC RL
RC  RL
R R
  . C L
ib
RC  RL

ib
i
1
 b 
vi ib .hie hie
hie  m

26mA
26mA
 1.100.

 742.85
I CQ
3.5mA

 AV    .

RC RL 1
4.7 k .3.3k
1
.  100.
.
 260.98
RC  RL hie
4.7k  3.3k 742.85

Bảng B1.1.

Vi

Mạch khuếch đại CE lần
đo 1
15mV

Mạch khuếch đại CE lần
đo 2
15mV

Vo

1.05V


1.14V

Av

Vo/vi=70

1.14/15m=76

Zi

Vi/ii=15m/25.5u=588

15m/25.5u=588

Zo

Vo/io=1.05/320uA=3281

1.14/0.344m=3313

ii

2.36 mA

2.44 mA

io

0.32 mA


0.34 mA

 Nhận xét:
1/. Độ lợi áp ở trường hợp nào lớn hơn? Tại sao?
-Kết quả tính tốn cho thấy độ lợi áp A v lần 2 cao hơn lần 1 do sự khác
nhau giữa RE lần đo 1 không có tụ kháng lần đo 2 có tụ kháng nên dịng
khơng chia cho RE.

14


2/. So sánh của lần 1 và lần 2? Giải thích?
-Kết quả đo lần 1 và lần 2 có sự chênh lệch những không đang kể
-Độ lợi áp lần 1 thấp hơn lần 2 có sự thay đổi do giá trị RE thay đổi.
-Điện áp ra của lần 2 cao hơn lần 1 do có tụ kháng C làm cho điện áp R E bị
ngắn mạch.

15



×