Đầu dò cho máy X – quang và CT

ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI
VIỆN ĐIỆN TỬ - VIỄN THƠNG

BÁO CÁO BÀI TẬP LỚN
Mơn Cơng Nghệ Chuẩn Đốn Hình Ảnh I
Đề tài: Đầu dò cho máy X – quang và CT

GVHD: TS. Nguyễn Thái Hà
Sinh viên thực hiện: Nguyễn Văn Tiệp
MSSV 20122562


MỤC LỤC
1. GIỚI THIỆU................................................................................................................1
2. VẬT LIỆU CHUYỂN ĐỔI..........................................................................................1
2.1 Scintillators..............................................................................................................2
2.2 Vật liệu chuyển đổi trực tiếp..................................................................................3
3. ĐI ỐT QUANG VÀ ĐIỂM ẢNH ĐIỆN TỬ...............................................................5
3.1 Đầu dò tia X phẳng dựa trên silicon vơ định hình................................................5
3.1.1 Q trình phát triển.........................................................................................5
3.1.2 Cải tiến đầu dị phẳng silicon vơ định hình.....................................................6
3.2 MÁY DỊ CT ĐA LÁT............................................................................................8
3.2.1 Xu hướng công nghệ.........................................................................................8
3.2.2 Nâng cao công nghệ cho CT.............................................................................9
4. TRIỂN VỌNG............................................................................................................10
5. KẾT LUẬN.................................................................................................................11
6. TÀI LIỆU THAM KHẢO..........................................................................................12


1. GIỚI THIỆU
Đầu dị tín hiệu là yếu tố trung tâm trong bất cứ hệ thống chiếu chụp hình ảnh y tế

nào. Trong các phương thức tạo ảnh X- quang, CT, SPECT và PET tín hiệu chính là các
bức xạ ion hóa tia X hoặc tia γ. Bộ dị ảnh bao gồm rất nhiều các rãnh đầu dò. Các bộ dị
trong máy X- qang hiện đại có thể tạo tới vài triệu điểm ảnh. Trong bài viết này chúng ta
sẽ tìm hiểu về bộ dị cho X- quang và CT. Nói chung các bộ dị trong máy X- quang và
CT bao gồm một bộ chuyển đổi để biến đổi tín hiệu tia X thành tín hiệu điện. Các giai
đoạn chuyển đổi tiếp theo do mạch điện tử thực hiện.

a, Sơ đồ tổng quát của một đầu dò

b, Bộ chuyển đổi gián tiếp

Đa số các đầu dò trong máy X – quang và CT cho ảnh động hiện nay sử dụng
chuyển đổi gián tiếp tức là tia X được biến đổi thành ánh sáng rồi mới được biến đổi
thành tín hiệu điện thơng qua cảm biến quang. Có rất nhiều các thiết kế và các tham số
hiệu suất khác nhau liên quan đến các đầu dò nhưng các yếu tố quan trọng nhất là phạm
vi hoạt động, độ phân giải.

2. VẬT LIỆU CHUYỂN ĐỔI
Vật liệu chuyển đổi cần phải hấp thụ tia X và biến đổi nó thành ánh sáng hoặc biến
đổi trực tiếp thành tín hiệu điện. Giai đoạn này ảnh hưởng rất lớn đến hình ảnh tổng thể.
Các đặc điểm chính của vật liệu chuyển đổi là:
- Hiệu suất dị
- Độ nhạy
- Độ phân giải khơng gian
- Độ phân giải thời gian

1


Cần phải phân biệt hiệu suất dò và độ nhạy. khi chụp X – quang và CT nhiễu thay

đổi liên tục do đó hiệu suất dị càng cao càng tốt ví dụ 80% hoặc hơn, nếu hiệu suất dị
q thấp thì cũng khơng thể cải thiện ảnh bằng cách tăng độ nhạy của đầu dò.
2.1 Scintillators
Scintillators là những vật liệu phát ra ánh sáng khi hấp thụ năng lượng từ các tia
bức xạ như tia X hoặc các hạt tích điện, với tia X scintillator thường là những hợp chất vơ
cơ có chứa một số ngun tố nặng như Soda iốt (NaI) hoặc cadmium tungstat (CdWO4).
Hiệu suất dò cao khi lượng tử ở mức năng lượng 60 KeV hoặc cao hơn. Thông thường độ
dày của một scintilltor khoảng 0,3 – 2,5 mm đối với chụp X – quang và CT.

Hình 2: Cấu trúc cột của một CSI: Tl scintillator
Ảnh X quang cần một độ phân giải không gian tốt ở mức 100 µm tại đầu dị.
Cesium iodide (CSI) thường được sử dụng cho các ứng dụng này, vì nó có thể được phát
triển với một cấu trúc cột như trong hình 2. Cấu trúc này hạn chế sự lan truyền ngang của
ánh sáng nhấp nháy, đóng góp đáng kể để đạt độ phân giải không gian chấp nhận được.
CSI được pha trộn với thalium thứ hoạt động như một chất kích hoạt việc chuyển đổi tối
đa phổ ánh sáng phát xạ trong vùng màu xanh lá. Sản lượng ánh sáng của CSI: Tl là
khoảng 60 photon mỗi keV năng lượng lưu trữ. CSI: Tl lộ ra vùng sáng đáng kể trong
khoảng 1% sau 10 ms. Tuy nhiên, hình ảnh X-ray này là một giá trị chấp nhận được. Sau
khi chiếu mạnh tia X năng suất ánh sáng của CSI: Tl tăng nhẹ, hiệu ứng được gọi là 'bỏng
sáng'.
2


Hình 3: Mảng các tinh thể CdWO4 cho ảnh CT
Đối với hình ảnh CT các yêu cầu về độ phân giải không gian là duy nhất mỗi 1
mm ở đầu dò, trong khi giàn xoay nhanh và số lượng lớn các tín hiệu cần lồng ghép có
thời gian ngắn 100 µs và do đó cần scintillator tốt hơn. Thường cadmium Tungstat
(CdWO4) hoặc gadolinium oxysulfide (GOS, Gd2O2S) được chọn. CdWO4 có năng suất
ánh sáng khoảng 20 photon mỗi keV, trong khi GOS, tùy thuộc vào kích thích, đạt 35-60
photon mỗi keV. Các tinh thể nhấp nháy được gia công thành từng miếng nhỏ khoảng 2-5

mm³, và sau đó được gắn bên cạnh nhau với vật liệu phản chiếu giữa chúng để tránh ánh
sáng xuyên qua giữa các tinh thể ( hình 3).
2.2 Vật liệu chuyển đổi trực tiếp
Vật liệu chuyển đổi trực tiếp tạo ra các tín hiệu có thể đo lường được khi hấp thụ
tia X. Thông thường, những vật liệu có điện trở suất cao (1010-1016 Ωcm) và được vận
hành dưới điện trường tương đối mạnh (0,1 đến 20 V / mm). Đối với các ứng dụng trong
ảnh X-quang, một số vật liệu quang dẫn cổ điển đã được nghiên cứu, như selenium vơ
định hình và các vật liệu đa tinh thể như chì iodide (PbI2) oxit chì (PbO) và thủy ngân
iodide (HgI2). Một số tính chất của các vật liệu này được liệt kê trong Bảng 1. Ưu điểm
chính của vật liệu chuyển đổi trực tiếp là độ phân giải khơng gian vốn có rất tốt của nó.
Ngay cả đối với các điểm ảnh mịn cách nhau 100 micro hoặc nhỏ hơn các tín hiệu phụ
trách vẫn nằm trong vùng điểm ảnh mà tia X đã được hấp thụ. Điều này là do điện trường
tương đối cao và được xác định rõ trong các vật liệu và do khuếch tán ngang khá nhỏ của
các hạt mang điện. Hình 4 cho thấy một hình ảnh X-quang thu được bằng một lớp phát
hiện PbO. Cho đến bây giờ, chỉ selen vơ định hình được sử dụng trong các đầu dị X-ray
thương mại các vật liệu khác vẫn đang trong giai đoạn nghiên cứu.
Bảng 1: Một số tính chất của vật liệu chuyển đổi trực tiếp
3


Hình 4: Ảnh X quang có một lớp dị tìm PbO
Một vấn đề thường gặp của vật liệu chuyển đổi trực tiếp vơ định hình hoặc đa tinh
thể là hành vi thời gian của chúng. Một số vật liệu cho tín hiệu cịn sót lại rất mạnh, tức là
sót lại vùng tối sau khi chiếu tia X có thể chỉ trong khoảng vài phần trăm trong 1 s sau
khi tắt điện X-quang. Selen vơ định hình thể hiện độ nhạy giảm (giảm hiệu suất) sau khi
chiếu tia X. Điều này được gọi là hiệu ứng bóng mờ nó phân rã chậm hơn, nó có thể có
mặt trong vài phút.
Ngồi ra cịn có một số vật liệu khác như silicon và germanium, nhưng cả hai đều
khơng được nó rất nặng và germanium thường phải được làm lạnh trong khi hoạt động.
Một vật liệu nhận được sự quan tâm nghiên cứu nhiều là cadmium kẽm telua (CZT,

Cd0.9Zn0.1Te). Một số tính chất của nó cũng được nêu trong bảng 1. CZT có hiêu suất
cao khoảng 200 e trên mỗi KeV năng lượng và chế độ thời gian của nó tốt hơn nhiều so

4


với vật liệu vơ định hình hoặc đa tinh thể. Đàu dị tinh thể có thể dùng cho X quang, CT
và SPECT tuy nhiên vật liệu này vẫn còn đắt và khơng thể sản xuất với kích thước tùy ý.

3. ĐI ỐT QUANG VÀ ĐIỂM ẢNH ĐIỆN TỬ
3.1 Đầu dò tia X phẳng dựa trên silicon vơ định hình
3.1.1 Q trình phát triển
Các lĩnh vực phát triển đầu dị hình ảnh tia X đã đi qua nhiều công nghệ khác
nhau. Từ năm 1970 các công nghệ tiêu chuẩn là hệ thống khuếch đại hình ảnh (II-TV) đặt
trên ống chân khơng khá lớn kết hợp với ống kính quang điện tử, màn hình phốt pho và
máy ảnh quang học. Khoảng từ năm 2000 trở đi, máy dò X quang động sử dụng cơng
nghệ silicon vơ định hình đã được giới thiệu cho ảnh tim mạch, thần kinh, hình ảnh mạch
máu và các ứng dụng khác. Ngồi ra cho hình ảnh X-ray tĩnh, ví dụ trong chụp X quang
nói chung, cơng nghệ silic vơ định hình hiện nay thường sử dụng trong các hệ thống mới.
Đa số các máy dò X-quang phẳng dựa trên sự chuyển đổi gián tiếp sử dụng CSI:
Tl làm vật liệu, như đã thảo luận trong phần 2.1. Ánh sáng quang học được phát hiện bởi
diode tách sóng quang bằng silic vơ định hình trong bảng điều khiển điện tử trên một
vùng rộng. Đi ốt quang chỉ có dịng rị nhỏ và có độ nhạy tối đa nằm trong vùng màu
xanh nơi CSI: Tl có khả năng phát xạ ánh sáng cao nhất. Các sơ đồ mạch cho một bộ
chuyển đổi gián tiếp đầu dò phẳng được thể hiện trong hình 5a. Mỗi điểm ảnh có một
bóng bán dẫn màng mỏng a-Si (TFT) là nhân tố chuyển đổi, nó cho phép đọc từng hàng
của mảng pixel. Các đi ốt pixel và đi ốt biến dung của nó cho dòng điện đi qua từ ánh
sáng của scintillator khi chiếu tia X. Trong thời gian đọc ra, một bộ khuếch đại nhạy bên
ngoài (CSA) kết nối với các cột đọc ra các diode điểm ảnh với một điện áp cố định ngược
lại, thường từ 5-10 V. Trong lúc đọc ra cấu hình, các nguồn nhiễu trội hơn là nhiễu reset

của diode (cịn gọi là nhiễu KTC vì nó được cho bởi kTCpix, CPIx là điện dung pixel) và
nhiễu của các bộ khuếch đại nhạy. Nhiễu của đi ốt rò rỉ là một trong những loại nhiễu
nhỏ.
Ngoài các tác dụng theo thời gian trong scintillator, đi ốt quang silicon vơ định
hình và các TFT trong điểm ảnh cũng cho thấy hiệu ứng theo thời gian, cụ thể là tín hiệu
cịn sót lại, hiệu ứng tăng sáng (tương tự như bóng mờ) và đọc ra không đầy đủ. Hai tác
động đầu tiên được cho là do vùng bẫy ở a-Si. Cả hai có thể được giảm bằng cách chiếu
sáng đi ốt quang a-Si với ánh sáng bổ sung.

5


Hình 5: Mạch chuyển đổi gián tiếp (a) và chuyển đổi trực tiếp (b)
Sự ra đời của máy dò X-quang phẳng dựa trên công nghệ a-Si trên thị trường thiết
bị y tế là rất thành công. So với các hệ thống II-TV trước, các máy dị phẳng ít cồng kềnh,
có hình ảnh khơng bị biến dạng và gần như hồn toàn ngăn chặn một hiệu ứng làm mờ
như sụt giảm tần số. Đối với nhiều ứng dụng việc này mở ra một tiềm năng có thể sử
dụng trong phạm vi lớn hơn.
Các máy dò phẳng dựa trên vật liệu chuyển đổi trực tiếp (phần 2.2) cũng sử dụng
công nghệ a-Si cho các chất nền có diện tích lớn. Các mạch điểm ảnh là rất giống nhau,
như thể hiện trong hình 4-5b. Một điện cực thu và một tụ điện mà trên đó các tín hiệu thu
được tích hợp trong q trình chiếu tia X thay thế các đi ốt quang a-Si. Việc đọc ra hoạt
động một cách tương tự như mô tả cho các mạch chuyển đổi gián tiếp.
3.1.2 Cải tiến đầu dị phẳng silicon vơ định hình.
Sau khi cơng nghệ gốc chuyển từ bộ khuếch đại hình ảnh sang đầu dò tia X, những
nghiên cứu và phát triển trong lĩnh vực này tâp trung vào việc cải thiện các máy dò X
quang a – Si. Đề tài cải tiến là tỷ lệ tín hiệu trên nhiễu ở liều tia X thấp, phạm vi hoạt
động và độ phân giải không gian. Ngồi ra việc giảm chi phí sản xuất và thực hiện bổ
sung chức năng trong công nghệ a-Si là xu hướng tất yếu.
Một cách để cải thiện tỷ lệ tín hiệu trên nhiễu là tăng cường lấp đầy các điểm ảnh

các phần của vùng điểm ảnh nhạy cảm với ánh sáng. Để kết thúc này, một số phương
pháp để tăng kích thước của các photodiode trong pixel đã được phát triển, bao gồm cả
công nghệ diode-on-top và các lớp photodiode vô hạn. Một yếu tố lấp đầy cũng cho phép
6


xây dựng mảng đầu dò với các điểm ảnh nhỏ hơn và do đó nâng cao độ phân giải khơng
gian.
Một cách khác để đạt được tỷ lệ tín hiệu trên nhiễu cao hơn đó là khuếch đại tín
hiệu đã có trong các điểm ảnh. Một số mạch khuếch đại đã được đề xuất. Có nhiều ảnh
hưởng từ tính chất dẫn điện kém của silicon vơ định hình TFTs đặc biệt là sạc chậm và độ
lệch của điện áp ngưỡng theo thời gian. Trong những mạch phức tạp hơn những nguồn
nhiễu khác cũng phải được tính đến. Ví dụ về một mạch khuếch đại tín hiệu được vẽ
trong hình 6.
Các mạch điểm ảnh tiên tiến khác bao gồm việc tích hợp quá trình lấy mẫu và giữ
giai đoạn hoặc hạn chế nhiễu tái tạo bằng các phương pháp lấy mẫu tương ứng. Các chức
năng bổ sung có thể kể đến hình thức tích hợp cảm biến cho phép điều khiển thiết bị X
quang trong thời gian chiếu xung tia X. Thông tin được cảm biến hấp thụ không bị triệt
tiêu qua tụ Ctap gắn với mỗi nút điểm ảnh. Sử dụng hợp lỹ những thiết bị điện tử này có
thể xử lý hình ảnh với tốc độ rất cao (khoảng 10KHz).
Ngồi cơng nghệ a-Si tinh khiết, cịn có những phiên bản công nghệ cao hoặc công
nghệ vùng điểm ảnh lớn khác đã được khảo sát. Ví dụ như điện tử poly-silicon, hoặc thiết
bị điện tử linh hoạt sản xuất bởi quá trình khép kín khơng tốn kém, bao gồm các phương
pháp in phun mực và polymer lên trên thiết bị điện tử. Ngồi ra đầu dị mảng CMOS đã
được đề xuất đó có thể cung cấp hiệu suất tuyệt vời. Tuy nhiên, để tạo racác máy dị cho
vùng rất lớn có đủ năng suất có thể là một vấn đề với cơng nghệ này.

Hình 6: Mạch điểm ảnh với bộ khuếch đại tín hiệu.

7

Hình 7: Sơ đồ minh họa cảm biến liều tích hợp.
3.2 MÁY DỊ CT ĐA LÁT
3.2.1 Xu hướng cơng nghệ
Cơng nghệ chụp cắt lớp (CT) trong thập kỷ qua đã bị chi phối bởi hai xu hướng,
giàn xoay nhanh hơn và nhận diện lát cắt theo trục cơ thể của bệnh nhân (multi-slice CT).
Cả hai xu hướng đều giúp giảm thời gian quét từ khoảng 20 phút để khoảng nửa phút.
Đồng thời, các độ phân giải không gian được cải thiện, dẫn đến hình ảnh tốt hơn hiển thị
cơ thể con người và tất cả các cơ quan quan tâm.
Đề án xây dựng một máy dò CT cơ bản cũng tương tự. Các đầu dị được bố trí trên
một vịng cung dài 1 m của một vịng trịn, đơi khi được gọi là 'dò chuối'. Mỗi điểm ảnh
bao gồm một scintillator tinh thể và một đi ốt quang tương ứng. Đi ốt quang sau đó kết
nối với các kênh điện tử, thường bao gồm một bộ khuếch đại và một ADC (ADC) được
tối ưu hóa cho các máy dị CT hoạt động.
Các diode tách sóng quang đã phát triển từ điốt đơn hoặc sắp xếp tuyến tính thành
các mảng hai chiều của diode tách sóng quang. Tất cả những đi ốt quang ở đây được làm
từ silicon tinh thể. Đi ốt quang được chiếu sáng từ phía trước, và các điểm ảnh được liên
lạc định tuyến trên cùng một bên với một hoặc hai cạnh của mảng đi ốt. Với số lượng lát
trục trong CT vượt quá 32, định tuyến của các kết nối nhiều điểm ảnh đến các cạnh đã trở
nên khó khăn hơn. Vấn đề này hiện nay được giải quyết bằng cách chiếu sáng phía sau đi
ốt, nơi mà các định tuyến của các địa chỉ liên lạc điểm ảnh là khơng cịn cần thiết. Các
8


kết nối từ các điểm ảnh được thực hiện trực tiếp với một chất nền sử dụng công nghệ kết
nối hiện đại.
Đối với các thiết bị điện tử, số lượng ngày càng tăng của máy dò lát dẫn đến một
xu hướng mạnh mẽ để thu nhỏ và tích hợp các kênh thiết bị điện tử, cũng để giảm chi phí
và điện năng tiêu thụ và để giảm thiểu nhiễu bằng cách giữ khoảng cách giữa các diode

tách sóng quang và các thiết bị điện tử ngắn. Hiện tại trong máy dị CT, các kênh điện tử,
ví dụ 32 pixel phù hợp với một mạch tích hợp xuất ra dữ liệu số hóa. Cũng trong bối cảnh
này, mật độ cao các công nghệ kết nối như liên kết va chạm đang nhận được nhiều quan
tâm trong lĩnh vực máy dò bức xạ diện rộng.
3.2.2 Nâng cao công nghệ cho CT
Mặc dù ngày nay máy dò CT cho thấy một hiệu suất tuyệt vời, một số công nghệ
đang được nghiên cứu về các máy dò CT tương lai. Một thử nghiêm mang lại sự tích hợp
của các máy dị thêm một bước nữa bằng cách kết hợp các đi ốt quang và bộ khuếch đại
kênh trong một chip CMOS thông thường. Để đạt được phạm vi hoạt động cần thiết
khoảng 17 bit, bộ khuếch đại được xây dựng như là một bộ tích hợp với một cơng tắc tự
động chọn một trong hai trạng thái. Các điểm ảnh điểm ảnh điện tử nằm trong khu vực có
những bóng của lưới chống tán xạ của máy dò. Bằng cách này, các thiết bị điện tử khơng
lãng phí các yếu tố có giá trị và được bảo vệ khỏi bức xạ quá nhiều, vì vậy mà điểm ảnh
điện tử CMOS không bị tổn hại bởi X-quang. Hình 8 cho thấy một mơ-đun máy dị với
20 x20 điểm ảnh và phóng to vào khu vực điểm ảnh.
Các nghien cứu khác phân tích việc sử dụng các vật liệu chuyển đổi trực tiếp cũng
dùng cho CT. Do các yêu cầu tính chất thời gian tốt, vật liệu chuyển đổi trực tiếp vơ định
hình và đa tinh thể được biết đến có thể khơng được sử dụng trong CT. Chỉ vật liệu tinh
thể chuyển đổi trực tiếp là đủ nhanh. Do đó, các vật liệu như telua cadmium kẽm (CZT,
được có thể sử dụng trong các máy dị CT. Tuy vậy, một số nghiên cứu phân tích tính chất
của CZT dưới luồng X-ray cao chỉ ra một số vấn đề với các vật liệu.

9


Hình 8: Mơ-đun đầu dị CT dựa trên diode tách sóng quang CMOS tích hợp và các
hàng điểm ảnh điện tử. Trên module, chỉ có một trong hai mảng scintillator được gắn kết.

4. TRIỂN VỌNG
Các xu hướng hướng tới hiệu suất cao hơn và đồng thời chi phí giảm sẽ là xu

hướng tiếp tục cho thiết bị dò tia X và chụp CT. Trong dài hạn, chuyển đổi trực tiếp và
tích hợp nhiều hơn nữa thiết bị điện tử có thể là hướng đi. Ngoài ra, cũng thay đổi về tính
chất của các chức năng của các máy dị, ví dụ chuyển từ chế độ tích hợp thành chế độ dò
đếm. Cho đến bây giờ, cả máy dò X-quang và CT hoạt động trong chế độ tích hợp, tức là
tổng hợp cường độ của đo X-quangtrong suốt thời gian tích hợp tín hiệu. Một cách thay
thế phương pháp tiếp cận là nhằm phát hiện và đếm số lượng tử X-ray riêng biệt, một chế
độ được coi như hoạt động đếm. Do luồng hàm lượng cao có thể xảy ra trong cả Xquang và CT (khoảng 109 lượng tử mỗi giây trên mm² trong đầu dò), việc đếm đến nay
được xem là không khả thi. Tuy vậy, tiến bộ trong máy dị đếm pixellated có thể nghiên
cứu theo hướng này.
Cũng có thể kết hợp đếm và hoạt động tích hợp, như phác thảo trong hình 9. Điều
này sẽ mang lại thơng tin bổ sung các kênh đếm thu lại số lượng tử được phát hiện, trong
khi kênh tích hợp tổng hợp các nguồn năng lượng trong các lượng tử phát hiện. Do đó,
năng lượng của lượng tử X-ray có thể được tính tốn cho mỗi điểm ảnh bằng máy dị chỉ
đơn giản là cách chia tín hiệu tích hợp bởi các tín hiệu đếm. Năng lượng trung bình là
thước đo cho độ cứng chùm xuyên qua bệnh nhân và có thể cung cấp cho một số thông
tin về các thành phần vật chất dọc theo tia đường X trong bệnh nhân. Với thiết bị điện tử
thậm chí phức tạp hơn cũng có thể trở nên khả thi để đo quang phổ của bức xạ phát hiện
trong mỗi điểm ảnh. Khái niệm này được gọi là quang phổ tia X hoặc chụp CT.

Hình 9: Kết hợp đếm và tích hợp trong đầu dò điểm ảnh

10


5. KẾT LUẬN
Đối với X-quang y tế và chụp CT, các máy dị đóng một vai trị quan trọng cho
việc thiết kế hệ thống tổng thể và hiệu suất. Các cơng nghệ chủ chốt gồm có:
• Chuyển đổi X-quang (sử dụng scintillators hoặc vật liệu chuyển đổi trực tiếp).
• Photodiodes (có liên quan scintillators).
• Thiết bị điện tử Pixel.

• Cơng nghệ Interconnect.
Cả thiết bị dò X-ray và CT đã thấy những tiến bộ to lớn trong những công nghệ
chủ chốt trong thập kỷ qua. Chụp ảnh X-quang trong những năm qua mang lại một sự
thay đổi cơng nghệ nhanh chóng từ bộ tăng hình ảnh tới máy dị tia X- phẳng dựa trên aSI diện rộng. Công nghệ này đang được cải thiện để được phát triển hơn nữa trong việc
thực hiện và giảm chi phí sản xuất.
Đối với các máy dò CT, số lượng lát cắt hướng trục đã tăng lên đáng kể và giàn
xoay nhanh hơn đòi hỏi phải tích hợp tín hiệu ngắn hơn và ngắn hơn nhiều lần. Về mặt kỹ
thuật, những thách thức này đã được giải quyết bằng cách chiếu sáng vào phía sau đi ốt
quang và chip điện tử tích hợp mật độ cao cao. Công nghệ rẻ và kết nối đáng tin cậy đóng
một vai trị ngày càng quan trọng. Xu hướng dài hạn là sử dụng các vật liệu chuyển đổi
trực tiếp và nhiều thiết bị điện tử tích hợp mật độ cao hơn đã được xác định cho cả hai
phương thức. Tương lai có thể mang lại một sự thay đổi từ máy dị tích hợp đến dị đếm
cũng trong lĩnh vực X-quang và chụp CT.

11


6. TÀI LIỆU THAM KHẢO
Advances and Key Technologies Michael Overdick
Philips Research, Aachen, Germany

12