Báo cáo Thực tập nguyên lí hoạt động của RAM DDR4 DHCNHN

BỘ CÔNG THƯƠNG
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP HÀ NỘI
KHOA: CÔNG NGHỆ THÔNG TIN

THỰC TẬP TỐT NGHIỆP
ĐỀ TÀI: Nghiên cứu nguyên lí làm việc của các loại
RAM DDR4 của máy tính
Giáo viên hướng dẫn:
Sinh viên thực hiện :

Th.s.Nguyễn Tuấn Tú

1. Nguyễn Quang Huy – DHKHMT1 - 2017600552
2. Nguyễn Đức Huy- DHKHMT1 - 2017600520

Hà Nội, 2021


Mục lục

Mục lục hình ảnh minh họa

Lời nói đầu
Giới thiệu đề tài
Trong thời đại ngày nay gần như ai cũng biết đến máy vi tính nhưng khơng phải ai cũng
biết cách thức hoạt động và cấu tạo bên trong một chiếc máy tính là như thế nào.Vì vậy
chúng em đã xây dựng đề tài:”Tìm hiểu ngun lí hoạt động của RAM DDR4 hiện nay ”
để cho người dùng biết được cách thức hoạt động của thanh RAM là như thế nào,cụ thể
là RAM DDR4.
Mục tiêu
-Trong quá trình thực hiện đề tài chúng em đặt ra 2 mục tiêu chính:

+Có kiến thức cơ bản về RAM,nguyên lí hoạt động của RAM DDR4
+Chắt lọc những thông tin cần thiết để người đọc có thể hiểu rõ nhất về RAM máy tính


Chương 1:Tổng quan về bộ nhớ RAM
1.1:Khái niệm cơ bản về RAM
1.1.1:Định nghĩa về RAM
RAM (viết tắt của từ Random Access Memory) là một loại bộ nhớ khả biến cho
phép truy xuất đọc-ghi ngẫu nhiên đến bất kỳ vị trí nào trong bộ nhớ dựa theo địa chỉ bộ
nhớ. Thông tin lưu trên RAM chỉ là tạm thời, chúng sẽ mất đi khi mất nguồn điện cung
cấp.
RAM là bộ nhớ chính của máy tính và các hệ thống điều khiển, để lưu trữ các
thông tin thay đổi đang sử dụng. Các hệ thống điều khiển còn sử dụng SRAM như làm
một thiết bị lưu trữ thứ cấp (secondary storage). Khi cần thiết thì bố trí một pin nhỏ làm
nguồn điện phụ để duy trì dữ liệu trong RAM. RAM có một đặc tính là thời gian thực
hiện thao tác đọc hoặc ghi đối với mỗi ô nhớ là như nhau, cho dù đang ở bất kỳ vị trí nào
trong bộ nhớ. Mỗi ơ nhớ của RAM đều có một địa chỉ. Thông thường, mỗi ô nhớ là một
byte (8 bit); tuy nhiên hệ thống lại có thể đọc ra hay ghi vào nhiều byte (2, 4, 8 byte) một
lúc.


RAM khác biệt với các thiết bị bộ nhớ tuần tự (sequential memory device) chẳng
hạn như các băng từ, CD-RW, DVD-RW, ổ đĩa cứng, trong đó bắt buộc phải tìm đến
sector và đọc/ghi cả khối dữ liệu ở đó để truy xuất. RAM là thuật ngữ phân biệt tương đối
theo ý nghĩa sử dụng, với các chip nhớ truy xuất ngẫu nhiên là EEPROM (read-only
memory) cấm hoặc hạn chế chiều ghi, và bộ nhớ flash được phép đọc/ghi.

1.1.2:Lịch sử hình thành và phát triển của RAM
Chip RAM có mặt trên thị trường vào cuối những năm 1960, với sản phẩm
DRAM là Intel 1103 công bố vào tháng 10 năm 1970.

Những chiếc laptop thế hệ đầu được sản xuất vào cuối những năm thập niên 90
được tích hợp bên trong chúng là RAM SDR với tốc độ khá chậm và bộ nhớ rất ít. Hiện
nay khó có thể cịn được gặp loại RAM này nữa. Để cải thiện vấn đề tốc độ cũng như bộ
nhớ của SDR, người ta bắt đầu nghiên cứu và sản xuất thế hệ RAM tiếp theo vào đầu
những năm 2000 với tên gọi mới là DDR, đây cũng là nền móng cho các loại RAM hiện
đại sau này. Tuy vậy tốc độ của RAM thế hệ này vẫn còn là rất chậm. Được sử dụng rộng
rãi trên các Laptop từ đầu những năm 2000 đến cuối 2004, DDR SDRAM (Double Data
Rate SDRAM), thường được giới chuyên môn gọi tắt là "DDR". DDR SDRAM là cải
tiến của bộ nhớ SDR với tốc độ truyền tải gấp đôi SDR nhờ vào việc truyền tải hai lần
trong một chu kỳ bộ nhớ.
Vào các năm tiếp theo, với sự xuất hiện của các thế hệ máy tính mới hơn, đi kèm
với các hệ điều hành có giao diện thân thiện hơn với người dùng, một trong số đó
là WINDOWS XP ra đời vào năm 2003. Với sự xuất hiện của các giao diện "màu mè" và
"mượt mà" hơn so với thế hệ trước do đó RAM cũng địi hỏi nhanh hơn và có bộ nhớ lớn
hơn. DDR dường như đã quá sức sau khoảng vài năm phục vụ, vì thế người ta nghĩ đến
việc thay thế nó bằng thế hệ tiếp theo DDR2 có tốc độ nhanh hơn và bộ nhớ lớn hơn khá
nhiều, đồng thời cũng tiết kiệm năng lượng hơn so với DDR. Hiện tại cịn có thể tìm thấy


DDR2 với bộ nhớ đến 4GB. RAM DDR2 được sử dụng khá nhiều, chúng xuất hiện trên
các dòng Laptop sản xuất từ cuối năm 2003 đến cuối năm 2009.
Vào năm 2007 cùng với sự ra đời của thế hệ HĐH mới như Windows Vista, Mac
OS X Leopard, người ta bắt đầu sản xuất thế hệ RAM tiếp theo của DDR2 là DDR3 với
tốc độ rất nhanh và bộ nhớ lớn đồng thời tiết kiệm năng lượng hơn 30% so với thế hệ
DDR2. Đây cũng là loại RAM được sử dụng rộng rãi, phổ biến trên Laptop hiện nay với
bộ nhớ lớn lên đến 16GB/thanh. Tuy xuất hiện sớm nhưng mãi đến cuối năm 2009 thì
DDR3 mới bắt đầu xuất hiện rộng rãi trên Laptop. Bên cạnh sự xuất hiện của DDR3
người ta còn thấy DDR3L. Đây là kết quả hợp tác của Kingston và Intel trong việc phát
triển dòng bộ nhớ tiết kiệm điện năng. Chữ L ở đây có nghĩa là Low ám chỉ đây là loại
RAM DDR3 nhưng sử dụng ít năng lượng hơn. Loại RAM này thường được sản xuất cho

các thiết bị cụ thể vì chúng sử dụng điện thế 1,35V thay vì 1,5V như các loại RAM thông
thường. Đây là loại RAM đặc biệt được thiết kế cho các hệ thống máy chủ, các trung tâm
dữ liệu và trên một số dòng Laptop cao cấp nhằm tăng thời gian sử dụng pin.
Khi RAM DDR3 vừa trịn 8 năm tuổi đời thì DDR4 cũng được ra mắt. Những thay
đổi đáng chú ý nhất của DDR4 so với người tiền nhiệm DDR3 gồm: gia tăng số tuỳ chọn
xung nhịp (clock) và chu kỳ (timing), giảm điện năng tiêu thụ (power saving) và giảm độ
trễ (latency). Hiện tại, DDR3 đang được giới hạn chủ yếu ở 4 mức xung nhịp 1333, 1600
và 1866 MHz. Mức 2133 MHz đang là mức giới hạn xung nhịp về lý thuyết cho DDR3,
trong khi các mức 800 MHz và 1066 MHz giờ đã khơng cịn được tiếp tục sản xuất.
Tháng 11 năm 2018, SK Hynix đã trình làng module DDR5 16GB đầu tiên trên
thế giới, hứa hẹn về sự xuất hiện của loại DRAM đang trong q trình nghiên cứu này.

1.1.3:Các thơng số của RAM
Được phân loại theo chuẩn JEDEC.


JEDEC, một hiệp hội của hơn 300 công ty khác nhau, tập trung vào công nghệ
trạng thái rắn. Nhiệm vụ của hiệp hội là đảm bảo rằng các tiêu chuẩn phổ thông được sử
dụng trên các công ty đã đăng ký khi nói đến cơng nghệ trạng thái rắn, đặc biệt là
DRAM, ổ đĩa thể rắn và giao diện (ví dụ như NVMe và AHCI). Điều này đảm bảo rằng
người tiêu dùng sẽ không phải chọn giữa bốn tiêu chuẩn kết nối khác nhau đối với
DDR4, và tất cả mọi thứ phải nhất quán giữa nhiều nhà sản xuất – nói cách khác, khơng
có BS độc quyền. Về bộ nhớ, JDEC liệt kê các tiêu chí mà DDR4 cần phải tuân thủ – ví
dụ như số lượng pin out, kích thước của chip, sức mạnh tối đa có thể sử dụng, và nhiều
hơn nữa.

1.1.3.1:Dung lượng
Dung lượng RAM được tính bằng MB và GB, thông thường RAM được thiết kế
với các dung lượng 256mb,512 mb,1gb,2gb,3gb,4gb,8gb... Dung lượng của RAM càng
lớn càng tốt cho hệ thống, tuy nhiên không phải tất cả các hệ thống phần cứng và hệ điều

hành đều hỗ trợ các loại RAM có dung lượng lớn, một số hệ thống phần cứng của máy
tính cá nhân chỉ hỗ trợ đến tối đa 4 GB và một số hệ điều hành (như phiên bản 32 bit của
Windows XP) chỉ hỗ trợ đến 32 GB.

1.1.3.2:Bus
Phân loại
Có hai loại BUS là: BUS Speed và BUS Width.
- BUS Speed chính là BUS RAM, là tốc độ dữ liệu được xử lý trong một giây.
- BUS Width là chiều rộng của bộ nhớ. Các loại RAM DDR, DDR2, DDR3, DDR4 hiện
nay đều có BUS Width cố định là 64.
Cơng thức tính băng thơng (bandwidth) từ BUS Speed và BUS Width:
Bandwidth = (Bus Speed x Bus Width) / 8


- Bandwidth là tốc độ tối đa RAM có thể đọc được trong một giây. Bandwidth được ghi
trên RAM là con số tối đa theo lý thuyết. Trên thực tế, bandwidth thường thấp hơn và
không thể vượt quá được con số theo lý thuyết.
Các loại RAM, BUS RAM và Bandwidth tương ứng
SDR SDRAM được phân loại theo bus speed như sau:

•
o

PC-66: 66 MHz bus.

o

PC-100: 100 MHz bus.

o

PC-133: 133 MHz bus.
DDR SDRAM được phân loại theo bus speed và bandwidth như sau:

•
o

DDR-200: Cịn được gọi là PC-1600. 100 MHz bus với 1600 MB/s
bandwidth.

o

DDR-266: Còn được gọi là PC-2100. 133 MHz bus với 2100 MB/s
bandwidth.

o

DDR-333: Còn được gọi là PC-2700. 166 MHz bus với 2667 MB/s
bandwidth.

o

DDR-400: Còn được gọi là PC-3200. 200 MHz bus với 3200 MB/s
bandwidth.
DDR2 SDRAM được phân loại theo bus speed và bandwidth như sau:

•
o

DDR2-400: Cịn được gọi là PC2-3200. 100 MHz clock, 200 MHz bus với

3200 MB/s bandwidth.

o

DDR2-533: Còn được gọi là PC2-4200. 133 MHz clock, 266 MHz bus với
4267 MB/s bandwidth.

o

DDR2-667: Còn được gọi là PC2-5300. 166 MHz clock, 333 MHz bus với
5333 MB/s bandwidth.

o

DDR2-800: Còn được gọi là PC2-6400. 200 MHz clock, 400 MHz bus với
6400 MB/s bandwidth

•

DDR3 SDRAM được phân loại theo bus speed và bandwidth như sau:


o

DDR3-1066: Còn được gọi là PC3-8500. 533 MHz clock, 1066 MHz bus
với 8528 MB/s bandwidth

o

DDR3-1333: Còn được gọi là PC3-10600. 667 MHz clock, 1333 MHz bus

với 10664 MB/s bandwidth

o

DDR3-1600: Còn được gọi là PC3-12800. 800 MHz clock, 1600 MHz bus
với 12800 MB/s bandwidth

o

DDR3-2133: Còn được gọi là PC3-17000. 1066 MHz clock, 2133 MHz bus
với 17064 MB/s bandwidth
DDR4 SDRAM được phân loại theo bus speed và bandwidth như sau:

•
o

DDR4-2133: Tên module PC4-17000. 1067 MHz clock, 2133 MHz bus với
17064 MB/s bandwidth.

o

DDR4-2400: Tên module PC4-19200. 1200 MHz clock, 2400 MHz bus với
19200 MB/s bandwidth.

o

DDR4-2666: Tên module PC4-21300. 1333 MHz clock, 2666 MHz bus với
21328 MB/s bandwidth.

o

DDR4-3200: Tên module PC4-25600. 1600 MHz clock, 3200 MHz bus với
25600 MB/s bandwidth.

1.1.4:Đặc trưng của RAM
Bộ nhớ RAM có 4 đặc trưng sau:
•

Dung lượng bộ nhớ: Tổng số byte của bộ nhớ (nếu tính theo byte) hoặc là tổng số
bit trong bộ nhớ nếu tính theo bit.

•

Tổ chức bộ nhớ: Số ô nhớ và số bit cho mỗi ô nhớ


•

Thời gian thâm nhập: Thời gian từ lúc đưa ra địa chỉ của ô nhớ đến lúc đọc được
nội dung của ơ nhớ đó.

•

Chu kỳ bộ nhớ: Thời gian giữa hai lần liên tiếp thâm nhập bộ nhớ.

1.2: Phân loại RAM
Tùy theo công nghệ chế tạo của các nước trên thế giới, được chia làm hai loại.
RAM tĩnh
RAM tĩnh - SRAM (Static Random Access Memory) được chế tạo theo công nghệ
ECL (dùng trong CMOS và BiCMOS). Mỗi bit nhớ gồm có các cổng logic với 6

transistor MOS. SRAM là bộ nhớ nhanh, việc đọc không làm hủy nội dung của ô nhớ
và thời gian thâm nhập bằng chu kỳ của bộ nhớ. Nhưng SRAM là một nơi lưu trữ các
tập tin của CMOS dùng cho việc khởi động máy.

Hình 1: 6 transistor trong 1 ô nhớ RAM Tĩnh
RAM động
RAM động - DRAM (Dynamic Random Access Memory) dùng kỹ thuật MOS. Mỗi
bit nhớ gồm một transistor và một tụ điện. Việc ghi nhớ dữ liệu dựa vào việc duy trì
điện tích nạp vào tụ điện và như vậy việc đọc một bit nhớ làm nội dung bit này bị hủy.
Do vậy sau mỗi lần đọc một ô nhớ, bộ phận điều khiển bộ nhớ phải viết lại nội dung ơ
nhớ đó. Chu kỳ bộ nhớ cũng theo đó mà ít nhất là gấp đôi thời gian thâm nhập ô nhớ.


Việc lưu giữ thông tin trong bit nhớ chỉ là tạm thời vì tụ điện sẽ phóng hết điện tích đã
nạp và như vậy phải làm tươi bộ nhớ sau khoảng thời gian 2μs. Việc làm tươi được
thực hiện với tất cả các ô nhớ trong bộ nhớ. Công việc này được thực hiện tự động bởi
một vi mạch bộ nhớ.
Bộ nhớ DRAM chậm nhưng rẻ tiền hơn SRAM.

Hình 2: 1 transistor, 1 tụ điện của RAM Động

Các loại DRAM
1.

SDRAM (Viết tắt từ Synchronous Dynamic RAM) được gọi là DRAM đồng bộ.
SDRAM gồm 3 phân loại: SDR, DDR, DDR2,DDR3 và DDR4

2.

SDR SDRAM (Single Data Rate SDRAM), thường được giới chuyên mơn gọi tắt

là "SDR". Có 168 chân. Được dùng trong các máy vi tính cũ, bus speed chạy cùng vận
tốc với clock speed của memory chip, nay đã lỗi thời.

3.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM), thường được giới chuyên môn gọi
tắt là "DDR". Có 184 chân. DDR SDRAM là cải tiến của bộ nhớ SDR với tốc độ
truyền tải gấp đôi SDR nhờ vào việc truyền tải hai lần trong một chu kỳ bộ nhớ. Đã
được thay thế bởi DDR2.

4.

DDR2 SDRAM (Double Data Rate 2 SDRAM), Thường được giới chuyên môn
gọi tắt là "DDR2". Là thế hệ thứ hai của DDR với 240 chân, lợi thế lớn nhất của nó so
với DDR là có bus speed cao gấp đơi clock speed.


5.

DDR3 SDRAM (Double Data Rate III SDRAM): có tốc độ bus
800/1066/1333/1600 Mhz, số bit dữ liệu là 64, điện thế là 1.5v, tổng số pin là 240.

6.

RDRAM (Viết tắt từ Rambus Dynamic RAM), thường được giới chuyên môn gọi
tắt là "Rambus". Đây là một loại DRAM được thiết kế kỹ thuật hoàn toàn mới so với
kỹ thuật SDRAM. RDRAM hoạt động đồng bộ theo một hệ thống lặp và truyền dữ
liệu theo một hướng. Một kênh bộ nhớ RDRAM có thể hỗ trợ đến 32 chip DRAM.
Mỗi chip được ghép nối tuần tự trên một module gọi là RIMM (Rambus Inline
Memory Module) nhưng việc truyền dữ liệu được thực hiện giữa các mạch điều khiển

và từng chip riêng biệt chứ không truyền giữa các chip với nhau. Bus bộ nhớ RDRAM
là đường dẫn liên tục đi qua các chip và module trên bus, mỗi module có các chân vào
và ra trên các đầu đối diện. Do đó, nếu các khe cắm không chứa RIMM sẽ phải gắn
một module liên tục để đảm bảo đường truyền được nối liền. Tốc độ Rambus đạt từ
400-800 MHz. Rambus tuy không nhanh hơn SDRAM là bao nhưng lại đắt hơn rất
nhiều nên có rất ít người dùng. RDRAM phải cắm thành cặp và ở những khe trống
phải cắm những thanh RAM giả (còn gọi là C-RIMM) cho đủ.

7.

LPDDR (Low Power Double Data Rate SDRAM), là loại DRAM có điện năng
thấp. Được đóng gói dưới dạng BGA (chân bi), loại DRAM này thường được sử dụng
trên các loại điện thoại thơng minh, máy tính bảng, laptop siêu mỏng...

1.3: Hoạt động của RAM
Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh (SRAM hay RAM tĩnh) là một loại bộ nhớ sử
dụng công nghệ bán dẫn. Từ "tĩnh" nghĩa là bộ nhớ vẫn lưu dữ liệu nếu có điện, không
như RAM động cần được nạp lại thường xuyên. Không nên nhầm RAM tĩnh với bộ nhớ
chỉ đọc và bộ nhớ flash vì RAM tĩnh chỉ lưu được dữ liệu khi có điện.


Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM hay RAM động) là một loại bộ nhớ truy
cập ngẫu nhiên lưu mỗi bit dữ liệu trong một tụ điện riêng biệt trên một mạch tích hợp.
Vì các tụ điện bị rị điện tích nên thơng tin sẽ bị mất dần trừ khi dữ liệu được nạp lại đều
đặn. Đây là điểm khác biệt so với RAM tĩnh. Ưu điểm của DRAM là có cấu trúc đơn
giản: chỉ cần một transistor và một tụ điện cho mỗi bit trong khi cần sáu transistor đối với
SRAM. Điều này cho phép DRAM lưu trữ với mật độ cao. Vì DRAM mất dữ liệu khi
khơng có điện nên nó thuộc loại thiết bị nhớ tạm thời.
DRAM thường được sắp xếp trong một mảng hình chữ nhật của một phần dự trữ
bao gồm một tụ điện và transistor cho mỗi bit dữ liệu. Hình bên phải là một ví dụ đơn

giản với ma trận 4x4. Một số ma trận DRAM có tới hàng nghìn phần.
Các đường ngang nối dài với mỗi hàng được gọi là đường nối. Mỗi cột của các
phần được tạo thành từ hai bit- dòng, mỗi dòng kết nối với tất cả các phần lưu trữ khác
trong cột (hình minh họa bên phải khơng bao gồm chi tiết quan trọng này). Nó thường
được gọi là " + " và - đường bit " ".
Hoạt động đọc một bit dữ liệu từ một phần lưu trữ DRAM
1. Các bộ khuếch đại bị ngắt kết nối
2. Các dòng bit được sạc sẵn để cân bằng điện áp giữa mức cao và mức thấp. Các

dòng bit thì đối xứng để giữ sự cân bằng điện dung, do đó tại thời điểm này điện
áp được cân bằng.
3. Mạch tích điện được tắt. Bởi vì dịng bit tương đối dài, nó ko có đủ điện dung để

cân bằng điện áp được sạc sắn trong một khoảng thời gian.
4. Sau đó, dịng nối của hàng muốn được kết nối cao hơn với tụ điện của tế bào lưu

trữ. Điều này tạo transistor bán dẫn, chuyển điện tích từ tế bào lưu trữ tới dòng nối
liên kết hoặc từ dòng nối lien kết tới tế bào lưu trữ (nếu giá trị lưu trữ là 0). Điện
dung của dịng nối thì cao hơn nhiều so với điện dung trong tế bào lưu trữ,điện áp
trên dòng nối tăng từ từ nếu tụ điện của tế bào lưu trữ khơng tích điện, và giảm
nhẹ nếu tế bào lưu trữ có tích điện. Khi một dịng nối khác sẽ có một hiệu điện áp
giữa hai dòng nối.


5. Bộ khuếch đại bây giờ được kết nối với các cặp dịng nối. Thơng tin phản hồi tích

cực xuất hiện từ biến tần kết nối, do đó bộ khuếch đại hiệu điện áp nhỏ giữa dòng
bit lẻ và thậm chí là hàng dịng bit của một cột cho đến khi một dòng bit đầy khi
điện áp thấp nhất và cái khác thì điện áp cao nhất. Khi điều này xảy ra, hàng " mở
ra "(tế bào dữ liệu đã sẵn sàng).

6. Tất cả tế bào lưu trữ trong một hàng mở được cảm nhận cùng lúc, và kết quả bộ

khuếch đại cảm giác được chốt. Địa chỉ cột sau đó chọn bit chốt để kết nối với dữ
liệu bus bên ngoài. Đọc sự khác nhau của các cột trong cùng một hàng có thể biểu
hiện mà khơng cần hàng mở gián đoạn, bởi vì khi một hàng mở, tất cả dữ liệu đã
cảm nhận và chốt.
7. Trong khi đọc các cột trong một hàng mở đang thực hiện, dòng điện đang chảy

ngược lên dòng bit từ kết quả của bộ khuếch đại và tế bào lưu trữ đang tích điện.
Điều này làm mới điện trong tế bào lưu trữ bằng cách tăng điện áp trong tụ điện
nếu nó có điện ban đầu, hoặc giữ cho khơng có điện nếu nó trống. Ghi chú là bởi
vì chiều dài của dịng bit có một độ trễ khá dài để tích điện trở lại tụ điện tế bào.
Nó cần một khoảng thời gian trước khi kết thúc của bộ khuếch đại cảm nhận, và
do đó có sự trùng với một hoặc nhiều cột.
8. Khi đọc xong tất cả các cột trong một hàng mở hiện tại, dòng nối được tắt để ngắt

kết nối với tụ điện tế bào lưu trữ từ dòng bit. Bộ khuếch đại cảm nhận được tắt đi,
và dòng bit được tích điện trở lại.
Ghi vào bộ nhớ
Để giữ dữ liệu, một hàng được mở và một bộ khuếch đại cảm nhận của cột cho sẵn
thì tạm thời buộc phải tăng hoặc giảm điện áp, do đó gây ra dịng bit để tích điện hoặc
khơng tích điện một tụ điện tế bào lưu trữ để ham muốn giá trị. Do thơng tin phản hồi tích
cực của bộ khuếch đại, nó sẽ giữ một dịng bit điện áp ổn định thậm chí sau khi buộc điện
áp được gỡ bỏ. Trong khi ghi lên một tế bào cụ thể, tất cả cột trong một hàng sẽ cảm nhận
cùng lúc giống như lúc đọc, mặc dù chỉ có điện tích một tụ điện tế bào lưu trữ của cột
được thay đổi, nhưng tất cả cột sẽ được làm mới.


Tốc độ làm mới
Thông thường, các nhà máy chỉ định mỗi hàng phải có tụ điện tế bào lưu trữ của

nó được làm mới mỗi 64 ms hoặc ít hơn, như được định nghĩa bởi JEDEC. Làm mới
được cung cấp trong mỗi DRAM điều khiển tự động làm mới định kỳ, mà khơng có phần
mềm hoặc phần cứng có thể thực hiện. Điều này làm cho mạch điều khiển thêm phức tạp,
nhưng nhược điểm là nó nặng bởi thực tế là DRAM rẻ hơn nhiều so với tế bào lưu trữ
and mỗi tế bào lưu trữ thì đơn giản, DRAM có nhiều dung lượng trên mỗi đơn vị bề mặt
hơn SRAM.

1.4 Các loại bộ nhớ RAM
Các loại RAM phổ biến hiện nay: SDRAM, DDR1, DDR2, DDR3, DDR4, và DDR5
RAM động đồng bộ SDRAM
Có thể thấy rằng cụm từ "đồng bộ" cũng đã phần nào đó cho biết về hành vi của
loại DRAM này. Vào khoảng cuối năm 1996, SDRAM (Synchronous Dynamic Random
Access Memory) bắt đầu xuất hiện trong các hệ thống máy tính trên tồn thế giới. Khơng
giống như những công nghệ RAM trước đây, SDRAM được thiết kế để tự động đồng bộ
hóa với thời gian của CPU. Điều này cho phép bộ điều khiển bộ nhớ (memory controller)
nắm bắt được chính xác chu kỳ xung nhịp khi mà dữ liệu được yêu cầu sẵn sàng để sử
dụng, do vậy, CPU khơng cịn phải mất thời gian chờ giữa các chu kỳ truy cập bộ nhớ,
qua đó giúp cải thiện đáng kể tốc độ tổng thể của hệ thống. Ví dụ: PC66 SDRAM chạy ở
tốc độ 66MT/s, PC100 SDRAM chạy ở tốc độ 100MT/s, PC133 SDRAM chạy ở tốc độ
133 MT/s,...
SDRAM có thể được dùng để viết tắt cho cụm từ SDR SDRAM (Single Data Rate
SDRAM), trong đó, I/O, internal clock và bus clock là như nhau. Ví dụ, I/O, internal
clock và bus clock của PC133 đều là 133Mhz. Còn Single Data Rate (tạm dịch: Tốc độ
dữ liệu đơn) có nghĩa là SDR SDRAM chỉ có thể đọc/ghi một lần trong một chu kỳ xung
(clock cycle). Tóm lại, SDRAM có thể chạy ở tốc độ xung nhịp cao hơn nhiều so với bộ
nhớ thông thường.


DDR SDRAM (RAM động đồng bộ tốc độ dữ liệu kép)
Thế hệ tiếp theo của SDRAM chính là DDR (Double Data Rate). Như tên gọi

chúng ta cũng có thể thấy rằng DDR SDRAM là cải tiến của bộ nhớ SDR với tốc độ
truyền tải gấp đôi SDR nhờ vào việc truyền tải 2 lần trong một chu kỳ bộ nhớ, từ đó tăng
gấp đơi tốc độ truyền dữ liệu mà không làm tăng tần số xung nhịp. Như vậy, tốc độ
truyền của DDR SDRAM là gấp đôi SDR SDRAM mà không thay đổi xung nhịp nội bộ
(internal clock). DDR SDRAM về cơ bản là thế hệ bộ nhớ DDR đầu tiên, sở hữu bộ đệm
tìm nạp trước (prefetch buffer) là 2 bit, gấp đôi SDR SDRAM. Tốc độ truyền của DDR
nằm trong khoảng từ 266 đến 400 MT/s. DDR266 và DDR400 cũng thuộc loại RAM này.
DDR2 SDRAM (Double Data Rate Two SDRAM - SDRAM tốc độ dữ liệu kép 2)
DDR2 là thế hệ thứ hai của DDR với lợi thế lớn nhất so với DDR là có tốc độ bus
cao gấp đôi tốc độ xung, điều này đạt được là nhờ tín hiệu bus đã được cải thiện đáng kể.
Prefetch buffer của DDR2 là 4 bit (gấp đôi so với trên DDR). Bộ nhớ DDR2 có cùng tốc
độ xung nhịp (133 ~ 200 MHz) với DDR, nhưng lại sở hữu tốc độ truyền có thể đạt tới
533 ~ 800MT/s với tín hiệu bus I/O cải tiến. Các loại bộ nhớ DDR2 533 và DDR2 800
hiện đang được sử dụng phổ biến trên thị trường.
DDR3 SDRAM (Double Data Rate Three SDRAM - SDRAM tốc độ dữ liệu
kép 3)
Bộ nhớ DDR3 giúp giảm mức tiêu thụ điện năng lên tới 40% so với các mơ-đun
DDR2 hiện tại, cho phép dịng điện và điện áp hoạt động thấp hơn (1.5V, so với 1.8V của
DDR2 và 2.5 của DDR). Tốc độ truyền của DDR3 rơi vào khoảng 800 ~ 1600MT/s.
Prefetch buffer của DDR3 là 8 bit, trong khi của DDR2 là 4 bit và DDR chỉ là 2 bit.
Ngoài ra, DDR3 cũng được bổ sung thêm 2 chức năng, đó là ASR (Automatic SelfRefresh) và SRT (Self-Refresh Temperature), giúp bộ nhớ có khả năng kiểm soát tốc độ
làm mới theo sự thay đổi của nhiệt độ.
DDR4 SDRAM (Double Data Rate Fourth SDRAM - SDRAM tốc độ dữ liệu


kép 4)
DDR4 SDRAM cung cấp điện áp hoạt động thấp hơn (1.2V) và tốc độ truyền cao
hơn so với các thế hệ trước. Tốc độ truyền của DDR4 rơi vào khoảng 2133 ~ 3200MT/s,
và đồng thời nó cũng được trang bị thêm 4 cơng nghệ Bank Group mới, trong đó mỗi
Bank Group đều có tính năng hoạt động độc lập. DDR4 có thể xử lý 4 dữ liệu trong một

chu kỳ xung nhịp, vì vậy rõ ràng hiệu quả của mà loại RAM này mang lại tốt hơn đáng kể
so với DDR3. Ngồi ra, DDR4 cũng cịn được bổ sung thêm một số chức năng hữu ích
khác, chẳng hạn như DBI (Data Bus Inversion), CRC (Cyclic Redundancy Check) và CA
parity. Những tính năng này có thể giúp tăng cường tính tồn vẹn tín hiệu của bộ nhớ
DDR4, cũng cải thiện tính ổn định của khả năng truyền và truy cập dữ liệu.
DDR5
Chúng ta có thể mong đợi gì ở những thanh RAM DDR thế hệ thứ năm này? Trước hết,
sự giảm thiểu hơn nữa trong mức tiêu thụ điện năng so với DDR4 là một trong những yếu
tố cơ bản nhất mà DDR5 nên đáp ứng được. Sau đó sẽ là sự gia tăng (có thể là gấp đơi)
trong băng thông bộ nhớ và dung lượng so với DDR4. Bên cạnh đó, cũng có một số tin
đồn cho rằng DDR5 sẽ có giá bán tốt hơn so với người tiền nhiệm DDR4. Tuy nhiên
chúng ta sẽ phải đợi ít nhất cho đến năm 2020 để có thể chứng kiến sự xuất hiện của
DDR5 trên các hệ thống máy tính thơng thường.

Chương 2: Nguyên lý hoạt động của bộ nhớ RAM
DDR4
2.1: Lịch sử ra đời của bộ nhớ RAM DDR4
Khi RAM DDR3 vừa trịn 8 năm tuổi đời thì DDR4 cũng được ra mắt. Những thay
đổi đáng chú ý nhất của DDR4 so với người tiền nhiệm DDR3 gồm: gia tăng số tuỳ chọn
xung nhịp (clock) và chu kỳ (timing), giảm điện năng tiêu thụ (power saving) và giảm độ
trễ (latency).


Khi nhu cầu về hiệu năng và băng thông ngày càng cao và DDR3 đã đạt đến giới hạn
của mình, một thế hệ DDR SDRAM mới đã xuất hiện. DDR4 mang đến hiệu năng cao
hơn, dung lượng DIMM lớn hơn, nâng cao tính tồn vẹn dữ liệu và tiêu thụ điện năng ít
hơn.
Với băng thơng đạt hơn 2Gbps trên mỗi chân cắm và tiêu thụ điện năng ít hơn so với
DDR3L (DDR3 Điện áp Thấp), DDR4 mang đến hiệu năng và dung lượng băng thông
cao hơn 50% trong khi giảm mức tiêu thụ điện năng tổng thể của môi trường điện toán.

Đây là mức cải tiến đáng kể so với các cơng nghệ bộ nhớ trước đây và bạn có thể tiết
kiệm được đến 40% điện năng.
Ngoài việc tối ưu hóa hiệu năng, thân thiện hơn với mơi trường và có chi phí thấp
hơn, DDR4 cịn trang bị tính năng kiểm tra phần dư tuần hoàn (CRC) để tăng độ tin cậy
của dữ liệu, cải thiện khả năng phát hiện tính chẵn lẻ trên chip nhằm xác thực tính tồn
vẹn của việc truyền lệnh và địa chỉ qua một liên kết, nâng cao tính tồn vẹn của tín hiệu
và các tính năng RAS mạnh mẽ khác.

2.2: Cấu tạo của bộ nhớ RAM DDR4
Thanh RAM được cấu tạo từ nhiều các chi tiết nhỏ khác nhau, gồm có: điện trở, là
phần bao quanh các chip nhớ (resistor); tụ điện (capacitor). Dãy điện trở và tụ điện
thường được thiết kế nằm cạnh tham RAM để cung cấp điện áp một cách ổn định và
chính xác cho các chip nhớ.


Hình 3 : Hình ảnh thanh RAM

Chi tiết bản mạch in của RAM (PCB) gồm nhiều lớp đồng khác nhau, thường gồm từ 6 –
8 lớp đồng. Các lớp đồng được liên kết chặt chẽ với nhau bằng quy trình sản xuất mạch
in phức tạp.

Hình 4: RAM qua lớp cắt ngang

Nếu nhìn từ trên xuống có thể thấy được các lớp nối tiếp nhau: trên cùng là lớp tín
hiệu thứ nhất, lớp nối mát, tiếp đến lớp tín hiệu thứ hai, lớp nối mát, tương tự đến các lớp


nối mát và các lớp tín hiệu thứ ba, tư, lớp cuối cùng. Cơng dụng của lớp nối mát chính là
tạo ra các điểm có điện áp bằng 0 để hạn chế các trường hợp nhiễu trong mạch điện.

Hình 5: Ảnh RAM cắt chéo

Các chân cắm của thanh RAM thường được mạ vàng để làm giảm tối đa trường
hợp bị oxy hóa. Nhờ đó giúp thanh RAM truyền dẫn tín hiệu tốt hơn.

Hình 6: Chân cắm RAM được mạ vàng


2.3: Nguyên lý hoạt động của RAM DDR4
2.3.1: Nguyên tắc hoạt động chung
- Nguyên tắc hoạt động chung của bộ nhớ RAM và cơ chế kiểm tra lỗi bộ nhớ :
Tương tự như bộ vi xử lý (BVXL), chip nhớ cũng là một mạch tích hợp (IC) được
làm từ hàng triệu bóng bán dẫn (transitor) và tụ điện. Đối với loại bộ nhớ thơng dụng
nhất trên máy vi tính, bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên động (DRAM), một bóng bán dẫn và
một tụ điện đi đôi với nhau để tạo thành một tế bào nhớ. Tụ điện sẽ giữ bit thơng tin 0
hoặc 1. Bóng bán dẫn hoạt động như một ngắt để mạch điều khiển trên chip nhớ đọc hoặc
thay đổi trạng thái của tụ điện.
Một tụ điện giống như một thùng nước nhỏ có thể chứa các điện tử. Để lưu 1 vào tế
bào nhớ, thùng nước này sẽ được đổ đầy các điện tử. Để lưu 0, thùng nước sẽ được làm
rỗng. Tuy nhiên, thùng nước có một khuyết điểm là nó có một lỗ thủng. Trong khoảng vài
mili giây, một thùng nước đầy sẽ trở nên trống rỗng. Do đó, để bộ nhớ động làm việc,
hoặc là CPU hoặc là bộ điều khiển bộ nhớ phải nhanh chóng nạp lại tất cả các tụ điện
đang chứa 1 trước khi nó phóng điện. Để làm được việc này, bộ điều khiển sẽ đọc lại nội
dung nhớ rồi ghi nó vào lại. Q trình làm tươi này tự động diễn ra hàng ngàn lần trong
một giây. Và chính quá trình này tạo nên phần "động" cho RAM. Ram động phải được
làm tươi một cách liên tục nếu không nó sẽ "quên" mọi thứ nó đang giữ. Mặt hạn chế của
q trình làm tươi là nó sẽ mất một khoảng thời gian để thực hiện và điều này có thể làm
giảm tốc độ của bộ nhớ.
Các tế bào nhớ được khắc lên một bánh silicon theo một dãy các cột (bitlines) và
các hàng (wordlines). Điểm giao của một bitline và một wordline tạo thành địa chỉ của tế

bào nhớ.
DRAM hoạt động bằng cách gửi dòng nạp điện qua cột phù hợp (CAS) để kích hoạt bóng
dẫn tại mỗi bit trong cột. Khi ghi, các hàng sẽ chứa trạng thái mà tụ điện đã mang. Khi
đọc, một bộ khuếch đại hướng sẽ xác định mức nạp điện trong tụ điện. Nếu hơn 50%, nó
sẽ đọc là 1. Ngược lại, nó sẽ đọc là 0. Một bộ đếm sẽ theo dõi trình tự làm tươi dựa trên
hàng nào được truy xuất theo thứ tự nào. Quãng thời gian để làm tất cả việc này là rất


nhỏ, do đó nó được biểu diễn bằng đơn vị nano giây (hàng tỉ của giây). Một chip nhớ
được đánh giá 70ns nghĩa là nó sẽ mất 70 nano giây để hồn tất q trình đọc và nạp lại
điện cho mỗi tế bào.
Các tế bào nhớ đơn độc sẽ là vơ dụng nếu khơng có cách lấy được thơng tin vào và
ra của chúng. Do đó, các tế bào nhớ có một bộ hỗ trợ tồn vẹn trên các mạch chuyên
dụng khác. Những mạch này làm chức năng:
- Nhận biết hàng và cột (chọn địa chỉ hàng và địa chỉ cột).
- Theo dõi trình tự làm tươi (bộ đếm).
- Đọc và lưu tín hiệu từ tế bào (bộ khuếch đại hướng).
- Đảo tế bào xem có nên nhận dịng nạp hay không (bật ghi).
Các chức năng khác của bộ điều khiển bộ nhớ bao gồm các tác vụ xác định loại, tốc
độ, dung lượng bộ nhớ và kiểm tra lỗi.
RAM tĩnh (SRAM) sử dụng một cơng nghệ hồn tồn khác. Các bit của bộ nhớ được giữ
dưới dạng các con bật. Một con bật cho tế bào nhớ tốn 4 hoặc 6 bóng bán dẫn cùng một
vài dây dẫn. Và chúng không cần được làm tươi. Nhờ vậy, tốc độ của RAM tĩnh nhanh
hơn rất nhiều so với RAM động. Tuy nhiên, vì nó cần đến nhiều thành phần nên tế bào bộ
nhớ tĩnh chiếm nhiều không gian trên chip hơn là tế bào bộ nhớ động. Do đó, trên cùng
một chip, chúng ta có ít bộ nhớ hơn. Dẫn đến việc chế tạo RAM tĩnh tốn nhiều chi phí
hơn.
Như vậy, RAM tĩnh nhanh và đắt tiền. Ram động rẽ nhưng chậm hơn. Ram tĩnh
thường được dùng để chế tạo các bộ đệm nhạy tốc độ cho CPU. Trong khi RAM động
thường dùng làm khơng gian nhớ chính cho hệ thống.

Cơ chế kiểm tra lỗi của bộ nhớ.
Hầu hết các loại bộ nhớ hiện nay đều rất đáng tin cậy. Hệ thống chỉ cần nhờ bộ
điều khiển bộ nhớ kiểm tra lỗi lúc khởi động và có thể tin vào nó. Các chip nhớ có cơ chế
kiểm tra lỗi được xây dựng sẵn thường sử dụng phương pháp chẵn-lẻ (parity) để kiểm tra.
Các chip chẵn lẻ có một bit phụ cho mỗi 8 bit dữ liệu. Cơ chế chẵn lẻ hoạt động rất đơn
giản. Đầu tiên là cơ chế bậc chẵn (even parity).


Khi 8 bit trong 1 byte nhận dữ liệu, chip nhớ sẽ thêm 1 bit gọi là bit bậc parity vào.
Bit này là tổng số các bit 1 trong dãy dữ liệu đó. Nếu tổng số các bit 1 là lẻ, bit bậc parity
sẽ được thiết lập là 1. Nếu tổng số các bit 1 là chẵn, nó được thiết lập là 0. Khi dữ liệu
được đọc ra, việc tính toán tổng các bit 1 được thực hiện lại một lần nữa để so sánh với
bit bậc parity. Nếu tổng là lẻ và bit bậc parity là 1, dữ liệu được xét là đúng và nó sẽ được
gửi cho CPU. Nhưng nếu tổng là lẻ và bit bậc parity là 0, chip nhớ nhận thấy có một lỗi ở
đâu đó trong dãy 8 bit và nó sẽ kết xuất dữ liệu ra. Cơ chế bậc lẻ cũng làm giống như vậy,
nhưng bit bậc lẻ được thiết lập là 1 khi tổng số các bit 1 là chẵn.
Vấn đề với cơ chế chẵn lẻ là nó có khả năng phát hiện lỗi nhưng lại khơng thể sửa
được các lỗi đó. Nếu 1 byte dữ liệu không hợp với bit bậc parity của nó, dữ liệu sẽ được
loại bỏ và hệ thống thử lại lần nữa. Các máy tính có vai trị chủ chốt cần đến một dung sai
lỗi (fault tolerance) ở mức cao hơn. Các máy tính chủ cao cấp thường sử dụng một dạng
kiểm tra lỗi là error-correction code (ECC). Giống với cơ chế chẵn lẻ, ECC sử dụng các
bit thêm vào để kiểm tra dữ liệu trong mỗi byte. Điểm khác biệt của cơ chế này là ECC
sử dụng nhiều bit để kiểm tra lỗi thay vì một (nhiều bao nhiêu thì phụ thuộc vào độ rộng
bus cho phép). Bộ nhớ ECC sử dụng một thuật toán đặc biệt cho phép nó khơng chỉ phát
hiện lỗi mà cịn sửa chúng. Bộ nhớ ECC cũng phát hiện trường hợp khi có nhiều hơn một
bit trong dữ liệu 1 byte bị hỏng. Tuy nhiên, những lỗi này hiếm khi xảy ra và chúng cũng
không thể sửa được, ngay cả với ECC.
Phần lớn các máy tính được bán ra ngày nay sử dụng các chip nhớ không-chẵn-lẻ
(nonparity). Các chip này không cung cấp bất kỳ cơ chế kiểm tra hay sửa lỗi nào, mà
chúng hoàn toàn phụ thuộc vào khả năng phát hiện lỗi của bộ điều khiển bộ nhớ.

2.3.2: Chu kì đọc ghi dữ liệu
Bộ nhớ RAM DDR4 hoạt động tương tự các thế hệ trước của DDRAM memory.


Bộ nhớ DDRAM được sử dụng để lưu trữ các ký tự được hiển thị. Nó có khả năng
lưu trữ lên đến 80 ký tự. Một số vị trí bộ nhớ trực tiếp liên quan đến các lĩnh vực nhân vật
trên màn hình.
Nguyên tắc hoạt động bộ nhớ DDRAM là khá đơn giản: nó là đủ để cấu hình một
màn hình hiển thị để tăng địa chỉ tự động (dịch chuyển bên phải) và thiết lập các địa chỉ
bắt đầu cho các thơng báo được hiển thị (ví dụ 00 hex).
Sau đó, tất cả các ký tự được gửi thơng qua đường dây D0-D7 sẽ được hiển thị
trên màn hình như một tin nhắn chúng tôi được sử dụng từ trái sang phải. Trong trường
hợp này, hiển thị bắt đầu từ lĩnh vực ký tự đầu tiên trong dòng đầu tiên bởi vì các địa chỉ
bắt đầu là 00 hex.Khơng có vấn đề bao nhiêu ký tự được gửi đi, chỉ có 16 đầu tiên sẽ
được hiển thị trên màn hình, trong khi phần cịn lại của họ sẽ được lưu lại và hiển thị sau
đó sử dụng lệnh thay đổi. Thực tế, màn hình LCD là giống như một cửa sổ chuyển hướng
bên trái bên phải so với vị trí bộ nhớ có chứa các ký tự khác nhau. Điều này là trong thực
tế như thế nào có hiệu lực của thơng điệp chuyển dịch trên màn hình đã được tạo ra.
Nếu con trỏ được kích hoạt, nó ln ln là vị trí ở lĩnh vực nhân vật hiện đang
giải quyết. Nói cách khác, ngay sau khi nhân vật thích hợp xuất hiện tại vị trí con trỏ,
coursor tự động di chuyển đến các lĩnh vực giải quyết tiếp theo.
Như tên của nó cho thấy, bộ nhớ DDRAM là một loại bộ nhớ RAM, có nghĩa là
dữ liệu có thể được viết và đọc từ nó, trong khi nội dung của nó khơng thể cứu vãn bị mất
khi bị cúp điện.
DDR RAM là Double Data Rate RAM . Mặc dù DDR RAM có thể được thiết kế
cho tốc độ xung nhịp khác nhau, chúng tôi sẽ tập trung vào bộ nhớ RAM DDR-266. Nó
hoạt động với một đồng hồ 133 MHz, nhưng nó sử dụng cả hai đầu và đi cạnh của chu
kỳ đồng hồ. Do đó, nó tạo ra dữ liệu ở một tốc độ xung nhịp tương đương 266 MHz, là
một dữ liệu gấp đôi tốc độ. DDR RAM đạt được tỷ lệ tăng gấp đôi dữ liệu của nó mặc dù

bộ nhớ RAM nội bộ cốt lõi hoạt động ở tốc độ đồng hồ 133 MHz. Có hiệu quả, nếu một


chip DDR RAM 8 bit dữ liệu cho mỗi chu kỳ của đồng hồ 266 MHz, sau đó nó được
trong nội bộ sản xuất của 16 bit dữ liệu cho mỗi chu kỳ của đồng hồ 133 MHz, nhưng
cung cấp theo yêu cầu chỉ có 8 bit tại một thời điểm I / O pins dữ liệu.
DDR-266 RAM đôi khi còn được gọi là PC-2100 RAM, kể từ ngày 64 bit hoặc hệ
thống byte 8 (bộ nhớ) xe buýt, mà là điển hình cho máy tính cá nhân, DDR-266 RAM có
băng thơng của 8 x 266 = 2128 hoặc 2100 MB / s. (Lưu ý hệ thống xe buýt cũng được gọi
là FSB hoặc Front Side Bus.)
DDR RAM lớn của các SDRAM (DRAM đồng bộ), sau này được gọi là PC-66
RAM. Đồng bộ, ở đây, có nghĩa là tốc độ . Dưới sự thúc đẩy của Intel, điều này đã được
thay thế bởi PC-100 và sau đó, PC-133 RAM (cùng một công nghệ, nhưng được phân
biệt bởi tốc độ xung nhịp cao hơn và nhiều hơn nữa thông số kỹ thuật chi tiết cho
interoperation). Theo văn bản này, DDR II RAM đã được chuẩn hóa. Nó là thế hệ thứ ba
trong loạt bài này: SDRAM / DDR RAM / DDR II RAM. DDR II RAM sẽ có một tốc độ
clock hiệu quả của 400 MHz giới thiệu.
DDR RAM được tổ chức trong các hàng hoặc các trang bộ nhớ . Các trang bộ nhớ
được chia thành bốn phần, gọi là các ngân hàng . Mỗi ngân hàng có một loại đăng ký liên
kết với nó. Để giải quyết một hàng DDR RAM (bộ nhớ một trang), người ta phải xác
định trên các chân cả một ngân hàng bộ nhớ và địa chỉ hàng . Một ngân hàng bộ nhớ có
thể được hoạt động , trong trường hợp có một trang mở kết hợp với đăng ký của ngân
hàng bộ nhớ.
Lưu ý rằng các dòng địa chỉ trên xe buýt địa chỉ của CPU sẽ được "có dây" địa chỉ
hàng, ngân hàng bộ nhớ, địa chỉ cột và chọn con chip. Các dịng địa chỉ có thể được nối
tùy tiện, vì vậy mà một phần của bộ nhớ RAM gắn liền với một ngân hàng bộ nhớ có thể
xuất hiện các CPU hoặc là để được tiếp giáp hoặc xen kẽ với các ngân hàng bộ nhớ khác.
Kể từ khi đọc từ cùng một ngân hàng bộ nhớ có thể được nhanh hơn, các ngân hàng bộ

nhớ nói chung là có dây để được tiếp giáp, mặc dù nó có thể dây địa chỉ của các chip
khác nhau, xen kẽ với nhau.
Trong ví dụ này, chúng tôi giả định 256 Mb con chip là 32 Meg x 8 (8 chân dữ
liệu), hoặc 8 Meg x 8 dữ liệu pins x 4 ngân hàng tổ chức. Một tập hợp của bốn bit dữ liệu
được quy định cụ thể bằng cách sử dụng chân A0-A12 cho địa chỉ hàng, chân ba0-BA1
cho ngân hàng, và chân A0-A9 cho địa chỉ cột. Do đó, có các 8K hàng, 4 ngân hàng và
cột 1K, hoặc 8Kx4x1K = 32 Meg bộ 8 bit dữ liệu. Địa chỉ hàng được quy định trong một
giai đoạn đầu tiên, và các ngân hàng và địa chỉ cột được quy định cụ thể trong một giai
đoạn thứ hai.
Để biết thông tin chi tiết, tham khảo ý kiến của một nhà cung cấp datasheets,
chẳng hạn như 256 Micron Mb (Megabit) chip DDR RAM từ trang web của họ RAM .
DDR RAM hoạt động
DDR RAM thực hiện lệnh, mà thường được ban hành bởi chipset. Các chi tiết sơ
đồ chân của nó, lệnh, vv, tương tự, mặc dù khơng giống hệt nhau của PC-133 RAM. Để
kích hoạt một ngân hàng với một hàng để đọc hoặc viết, ngân hàng đầu tiên phải được
tính phí. Phí cho phép các chip cảm nhận được một hàng cụ thể, và khuếch đại các tín
hiệu từ hàng đó. Một ngân hàng bộ nhớ thường được sạc sẵn , thay vì chờ đợi cho một
đọc / ghi u cầu và sau đó tính tiền. Precharging thường có thể được chồng lên nhau với
một ngân hàng bộ nhớ truy cập vào một ngân hàng bộ nhớ thứ hai.
Đọc và viết xảy ra trong vụ nổ. Độ dài bùng nổ là 2, 4, hoặc 8. Bursts của bốn là
phổ biến nhất, và sẽ được các tiêu chuẩn trong DRR II. Lưu ý rằng Intel Pentium II và III
có khối bộ nhớ cache của chiều dài 32 byte. Kể từ khi hệ thống (bộ nhớ) xe buýt là 8
byte, một vụ nổ của 4 sản lượng 4x8 = 32 byte, chính xác, đủ để lấp đầy một khối bộ nhớ
cache