ĐỒ ÁN MÔN HỌC: KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ pptx

Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 1


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2











ĐỒ ÁN MÔN HỌC



KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ

ỏn mụn hc - K thut mch in t 1 Trang 2


Nguyn Minh Hin Lp 00T2
Lý Thuyt
A.Transistor lng cc.
I./ Cu to v cỏch mc:
1./ Cu to:
Transistor cú cu to gm cỏc min bỏn dn p va n xen k nhau,tựy thuc vo trỡnh t sp xp
cỏc min p va n ma ta cú cỏc loi pnp hay npn.

Transistor loaỷi NPN

C
N P N B
E
Mọ hỗnh lyù thuyóỳt Kyù hióỷu trón maỷch

Transistor loaỷi PNP
C

P N P B
E
Mọ hỗnh lyù thuyóỳt Kyù hióỷu trón maỷch

min Emitter cú nng tp cht ln nht.

min Bazo cú nng tp cht nh nht.

min Colector cú nng tp cht trung bỡnh.
cỏc cỏch mc Transistor:cú 3 cỏch mc Transistor thụng dng.
EC Emiter chung. i
c


i
b
C
B U
out


U
in
i
e


E

BC Bazo chung.

i
e
i
c


U
in
E C
B i
b
U
out



CC Colector chung. i
e

Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 3


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2

E
I

b
B

U
out
U
in C
i
c

Trong 3 cách mắc trên thi cách mắc EC là thông dụng nhất.
2/Các chế đọ làm việc:
Để Transistor làm việc được ta phải phân cực cho nó ứng với mỗi cách phân cực mà ta có
các chế độ làm việc khác nhau:
•chế độ bão hòa:các tiếp giáp J
e
và J
c
phân cực thuận.
•chế độ khuếch đại:tiếp giáp J
e
phân cực thuận, tiếp giáp J
c
phân cực ngược.
•chế độ ngưng dẫn: các tiếp giáp J
e
và J
c
phân cực ngược.
III/Các đặc tuyến tĩnh:

1.Cách mắc EC:
đặc tuyến ngõ vào: I
b
=f(U
be
) biểu diễn sự phụ thuộc của dòng chạy qua cực nền theo điện áp cực
nền khi cực thu xác định.










đặc tuyến ngõ ra: I
c
=f(U
ce
)  biểu diễn mối quan hệ giũa dòng cực thu với áp rơi trên cực thu khi
dòng nền không đổi.

Đặc tuyến truyền đạt: I
c
=f(I
b
) biểu diển sự phụ thuộc của dòng ra theo dòng vào.









Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 4


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2



2.cách mắc BC:
đặc tuyến ngõ vào: I
e
=f(U
be
) biểu diễn quan hệ giữa dòng I

e
và áp vào U
be
khi U
cb
không đổi.





đặc tuyến ngõ ra:biểu diễn quan hệ giữa dòng I
c
và áp giữ cực thu với cực nền khi dòng I
e
xác định.







3.cách mắc CC:
đặc tuyến ngõ vào:biểu diễn quan hệ giữa I
b
và U
cb
khi U
cc

là hằng số.








đặc tuyến ngõ ra:biểu diễn mối quan hệ giữa I
e
và điện áp U
ce
khi có dòng vào I
b
không đổi.










IV./phân cực và ổn định điểm làm việc:
٭Việc phân cực cho Transistor làm việc ở chế độ khuyếch đại phải bảo đảm các yêu cầu sau:
• Tiếp giáp J
e

phân cực thuận, tiếp giáp J
c
phân cực ngược.
•Dòng i
c
phải lớn hơn rất nhiều dòng ngược i
ce0
.
• Phải đảm bảo các yêu cầu về công suất nhiệt độ.
٭Đường tải tĩnh và điểm công tác tĩnh:
• Đường t ải tĩnh được vẽ trên đặc tuyến của Transistor để nghiên cứu dòng điện và điện
áp mắc trong mạch cụ thể nào đó. Điểm công tác tĩnh là điểm nằm trên đường tãi tĩnh xác định điều
kiện phân cực cho Transistor.
• Chế độ tĩnh của Transistor mắc kiểu EC được xác định bởi bốn tham số I
b
,I
c
,U
be
,U
ce

trong đó thường cho trước một tham số, ba tham số còn lại sẽ được xác định thông qua đặc tuyến
vào và ra của Transistor.
Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 5


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2
٠Họ đặc tuyến vào:I
b

=f(U
be
) khi U
ce
=const
Họ đặc tuyến ra:I
c
=f(U
ce
) khi I
b
=const
 Quan hệ ràng buộc đó được bởi đường tãi tĩnh I
c
=f(U
ce
)
Xét mạch sau:

I
C
(R
C
+R
E
)=2V
CC
cc-V
CE



I
C
=
EC
CC
RR
V

2
-
EC
CE
RR
V


Đường tải tĩnh có độ dốc:
CE
c
v
i
d
d
= -
EC
RR 
1
như vậy khi thây đổi giá trị các điện trở thì
đường tải tĩnh xoay xung quanh điểm P, còn khi điện áp nguồn thay đổi thì đường tải tĩnhdịch trái
hoặc dịch phải. Điểm làm việc tĩnh đó là giao điểm của đường tải tĩnh và đặc tuyến ra ứng với
dòng bảo hòa Ib phân cực cho Transistor.
+Các biện pháp ổn định điểm làm việc tĩnh: ổn định dòng I
c
là tốt nhất.
+Hiện trôi điểm làm việc:
Đặc tính của Transistorlàm việc trong miền tích cực được đặc trưng bởi ba tham số
U
be
,I
cb0
,

. Sự thay đổi ba tham số này là ngyên nhân dẫn đến làm trôi điểm làm việc tĩnh.
Như vậy hiện trôi điểm làm việc tĩnh là sự thay đổi điểm làm việc ban đầu đã được phân
cực do ảnh hưởng của nhiệt độ.
+Hệ số ổn định nhiệt:

Khi nhiệt độ thay đổi thì U
be
,I
cb0
,

, thay đổi theo nhưng dòng I
cb0
là thay đổi nhiều nhất
với Transistor Si nên ta có thể bỏ qua sự thay đổi của U
be
,

.
Để xét tính ổn định nhiệt của một mạch khi nhiệt độ thay đổi ta dùng hệ số ổn định nhiệt
S
T
=
CBO
C
I
I


=
C
B
I
I







1
1

S càng nhỏ thì Transistor càng ổn định nhiệt.
Để điểm làm việc tĩnh được ổn định thì khi phân cực phải giảm ảnh hưởng của nhiệt độ.
Có các phân cực sau:

V./Các Sơ Đồ Cung Cấp Và Ổn Định Điểm Làm Việc Cho BJT.
1./ Cung Cấp Và Ổn Định Điểm Làm Việc B ằng H ồi Tiếp Âm Dòng Điện Một Chiều:
Sau đây là sơ đồ tiêu biểu cho Emiter chung
Xét sơ đồ EC:

Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 6


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2








I

b1
=I
b
+I
b2

I
b2
U
be
=U
b
+U
e
=
21
2
RR
RV
CC


-I
E

R
E
Tính toán sao cho U
be
>>V


làm cho tiếp giáp BE phân cực thuận.
Nguyên tắc ổn định:
Khi I
c
tăng do nhiệt độ mặt ghép tăng hoặc do nồng độ tạp chất trong BJT tăng, thì
điện áp hạ trên R
E
: U
E0
= I
E

R
E
tăng. Điện áp cực B tăng theo bộ phân áp R
1
,R
2
hầu như không thay
đổi nên điện áp giữa Bazo và Emiter giảm do U
be
 =U
b
-U
e
làm cho I
b
giảm theo mà I
c

=


I
b
, nên
I
c
cũng giảm kéo dòng I
c
về giá trị ban đầu.
Ngược lại, khi I
c
giảm thì U
be
tăng I
b
tăng làm cho I
c
tăng theo kéo dòng I
c
về giá trị
ban đầu.
Trong sơ đồ này, R
E
làm nhiệm vụ hồi tiếp âm dòng điện một chiều để ổn định điểm làm
việc tĩnh. Để tránh hồi tiếp âm dòng tín hiệu trên R
E
làm giảm hệ số khuyếch đại của mạch, ta mắc
song song với điện trở R

E
một tụ thoát xoay chiều C
E
. Tụ C
E
có tác dụng ngắn mạch đối với tín hiệu
xoay chiều. Thường chọn I
E

R
E
=(1

2)V.
Hệ số ổn định nhiệt:
S
T
=
C
B
I
I






1
1

=1+


2./ Cung Cấp Và Ổn Định Điểm Làm Việc Bằng Hồi Tiếp Điện Áp.











R
b
vừa là điện trở phân cực vừa là điện trở hồi tiếp
Chọn R
b
thích hợp để BJT làm việc ở chế độ khuyếch đại
Ta c ó
U
cc
=(I
b
+I
c
)R
c

+U
be
+I
b
R
b
=I
b
(R
b
+R
c
)+I
c
R
c
+U
be


I
b
=
bc
CC
RR
IR


+

bc
BECC
RR
UU




C
B
I
I


=
C
B
dI
dI
=
bc
C
RR
R



Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 7

Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2
Suy ra hệ số ổ định nhiệt:
S
T
=
BC
C
RR
R





1
1

Nếu chọn R
c
>> R
b
thi S
t
1
Nhưng R
c
là điện trở tải không được quá lớn.

B./ Khuyếch đại tín hiệu bé.
Transistor có ba cách mắc EC, BC, CC. Sau đây dùng sơ đồ tương đương để phân tích các

mạch tín hiệu bé.
1./ Sơ đồ EC:










a./ Trở kháng vào của BJT và mạch khuyếch đại.
Trở kháng vào của BJT:r
v
=r
be
+(1+

)R
e
Trở kháng vào của mạch khuyếch đại:R
v
=R
n
+R
b
//r
v
; với R

b
=R
1
//R
2
b./ Hệ số khuyếch đại dòng của mạch:
K
i
=i
t
/i
v
=

tc
c
RR
R

.
beb
b
RR
R


c./ Hệ số khuyếch đại áp:
K
u
=

v
r
U
U
= K
i
v
R
R
1
=
vbn
tc
rRR
RR
//
//


Mạch khuyếch đại này tín hiệu vào và ra ngược pha nhau.
2./ Mạch khuyếch đại BC:
a./ Trở kháng vào của mạch khuyếch đại.
R
v
= R
n
+ r
eb
= R
n

+ r
e
+r
b
/(1+

) : nhỏ
b./ Hệ số khuyếch đại dòng của mạch:
K
i
= I
t
/I
v
=

tc
c
RR
R

<1
c./ Hệ số khuyếch đại áp:
K
u
= U
r
/U
v
= K

i
v
t
r
R
=

v
tc
r
RR //

Tín hiệu vào và ra đồng pha.





Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 8


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2

3./Mạch khuyếch đại CC:















a./ Trở kháng vào :
R
v
= R
1
//R
2
//r
v
với r
v
=r
b

+(1+

) (r
e
+R
E
//R
T
)
b./ Hệ số khuyếch đại dòng của mạch:
K
i
= I
t
/I
v
=(1+

)
)(
tev
EV
RRr
RR



c./ Hệ số khuyếch đại áp:
K
u

= U
r
/U
v
= K
i
nV
t
RR
R

=(1+

)
)(
)//(
Vnv
tEV
RRr
RRR

<1

Trong ba mạch thì mạch này có trở kháng vào lớn nhất.
Tín hiệu vào và ra đồng pha.

C./ Hồi tiếp.
I./ Định nghĩa và phân loại:
Hồi tiếp là đưa một phần tín hiệu ở đầu ra về đầu vào thông qua mạng bốn cực gọi là hồi
tiếp.

Hồi tiếp đóng vai trò rất quan trọng trong kỷ thuật tương tự, cho phép cải thiện các đặc tính
của mạch Khuyếch đại.
+Có các loại hồi tiếp sau:
Hồi tiếp âm là tín hiệu hồi tiếp đưa về ngược pha với tín hiệu vào.
Hồi tiếp dương là tín hiệu hồi tiếp đưa về cùng pha với tín hiệu vào.
Hồi tiếp điện áp là tín hiệu đưa về tỷ lệ với điện áp.
Hồi tiếp dòng điện là tín hiệu đưa về tỷ lệ với dòng điện.
Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 9


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2
Hồi tiếp DC.
Hồi tiếp AC.
Hồi tiếp nối tiếp là tín hiệu đưa về nối tiếp với tín hiệu vào.
Hồi tiếp song song là tín hiệu đưa về song song với tín hiệu vào.
II./ Hồi tiếp âm:
Sơ đồ mạch:








Các phương trình của mạng bốn cực hồi tiếp âm:
Hệ số Khuyếch đại của mạch có hồi tiếp âm là:
K'=
V
R

X
X
=
ht
KK
K
1

Hệ số Khuyếch đại toàn phần:
K
tp
=K' K
n

Độ sau hồi tiếp:
g=1+K K
ht
=1+ K
v

K
v
=K K
ht
:hệ số Khuyếch đại vòng.
III./ Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến các tính chất của bộ khuyếch đại
1./ Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến độ ổn định của bộ khuyếch đại
Sai số tương đối của bộ khuyếch đại có hồi tiếp âm nhỏ hơn (1+KK
ht
) lần so với sai số

tương đối của hệ số khuyếch đại khi không có hồi tiếp âm.
2./ Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đén điện trở vào:
Sự thay đổi của trở kháng vào chỉ phụ thuộc vào cách mắc mạch hồi tiếp ở đầu vào mà
không phụ thuộc vào cách lấy tín hiệu ở đầu ra đưa về mạch hồi tiếp.











+Trở kháng vào của bộ Khuyếch đạicó hồi tiếp âm nối tiếp:
Khi không có hồi tiếp: K
ht
X
r
=0
Z
v
= U
v
/I
v
=r
h
+R

rht
Khi có hồi tiếp:
Z'
v
= U
v
/I
v
=
V
rhth
I
XKUU


'
=
V
hth
I
UKKU ')1(



Z'
v
=(1+KK
ht
)r
h

+R
rht
=gr
h
+R
rht
nếu R
rht
<< r
h
thì : Z'
v
=gZ
v
Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 10


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2
Vậy trở kháng vào của mạch có hồi tiếp âm nối tiếp tăng lên g lần
+Trở kháng vào của bộ Khuyếch đạicó hồi tiếp âm song song:
Khi không có hồi tiếp: : Y
v
=
V
V
U
I
=1/r
h
+1/r

rht
Khi có hồi tiếp Y'
v
=
V
V
U
I
=g/r
h
+1/r
rht
v ới r
rht
>> r
h
suy ra Z'
v
=Z
v
/g
Vậy trở kháng vào của mạch có hồi tiếp âm nối tiếp giảm đi g lần.
3./ Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến trở kháng ra:
+Tương tự trở kháng ra của bộ khuyếch đại có hồi tiếp âm dòng điện tăng g lần.
+Trở kháng ra của bộ khuyếch đại có hồi tiếp điện áp giảm đi g lần so với bộ khuyếch đại
không có hồi tiếp.
4./ Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến dãi động của bộ khuyếch đại và méo phi tuyến.
Hồi tiếp âm mở rộng dãi rộng:
Khi không có hồi tiếp âm toàn bộ tín hiệu đưa vào đến đầu vào bộ khuyếch đại X
h

=X
v
Khi có hồi tiếp âm chỉ có một phần tín hiệu đưa đến bộ khuyếch đại X
h
= X
v
-K
ht

X
r

X
h
= X
v
/g.
Vì tín hiệu vào của bộ khuyếch đại có hồi tiếp âm nhỏ hơn tín hiệu vào của bộ khuyếch đại
không có hồi tiếp g lần nên méo phi tuyến do độ cong của đặc tuyến truyền đạt của bộ khuyếch đại
cũng giảm đi bấy nhiêu lần. Hồi tiếp âm nâng cao tính chân thực và độ nhạy bộ khuyếch đại.
5./ Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến tạp âm:
Giả sử âm ngoài đưa vào giữa hai tầng khuyếch đại
X
r
= K
2
[ X
ta
+K
1

( X
th
+K
ht
X
r
)]

X
r
=
ht
KKK
KK
21
12
1
X
th
+
ht
KKK
K
21
2
1
X
ta
Ta có :
rta

rth
X
X
=K
1
ta
th
X
X

Tỷ số tín hiệu ra trên tạp âm ở đầu ra càng lớn khi K1 càng lớn và chỉ có thể tạp âm xuất hiện
sau lần thứ nhất.
6./ Ảnh hưởng của hòi tiếp âm đến đặc tính động của bộ khuyếch đại:
Hồi tiếp âm làm giảm tần số giới hạn dưới xuống g lần và làm tăng tần số giới hạn trên lên g
lần.

D./ Sơ lược về các mạch khuếch đại công suất.
Mạch khuyếch đại công suất dùng mạch đèn điện tử hiện tại đã trở nên lỗi thời vì bên cạnh
cho công suất lớn, lại có những nhược điểm như:cồng kềnh, tuổi thọ thấp,hiệu suất kém. Vì vậy ta
chỉ xét đến các mạch khuyếch đạicông suất dùng Transistor, tùy thuộc cách đưa tín hiệu ra loa,
người ta phân thành các loại sau đây:
I./ Tầng khuếch đại công suất:
1./ Những vấn đề chung về tầng Khuyếch đạicông suất:
Tầng khuyếch đại công suất có nhiệm vụ đưa ra công suất đủ lớn để kích thích cho tải công
suất ra của nó cở vài phần mười W đến lớn hơn 100 W. Công suất này được đưa đến tầng sau dưới
dạng dòng điện hay điện áp có biên độ lớn. Khi khuyếch đại tín hiệu lớn, các BJT không làm việc
trong miền tuyến tính nữa do đó không thể dùng sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ để phân tích mà
phải dùng phương pháp đồ thị.
2./ Các tham số của tầng Khuyếch đạicông suất:
Hệ số khuyếch đại công suất : Kp là tỷ số giữa công suất ra và công suất vào.

Hiệu suất : hiệu suất là tỷ số giữa công suất ra và công suất nguồn cung cấp một chiều P
o
Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 11


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2


=
o
r
P
P

Hiệu suất càng lớn thì tổn hao trên Colector của BJT càng nhỏ.
Trở kháng vào : yêu cầu trở kháng vào lớn tương đương với dòng tín hiệu vào nhỏ, nghĩa là
mạch có hệ số khuyếch đại dòng lớn.
II./ Chế độ công tác và định điểm làm việc cho tầng công suất:
1./ Chế độ A:
Tín hiệu được khuyếch đạihầu như tuyến tính, góc cắt

=T/2=180. Khi tín hiệu vào hình sin
thì ở chế độ A dòng tĩnh Colectorluôn lớn hơn biên độ dòng điện ra cho nên hiêuụ suất thấp
(<=25%). Vì vậy chỉ dùng chế độ A trong trường hợp công suất ra nhỏ. Điểm làm việc tĩnh của
Transistor tương ứng với điểm A trên đồ thị.

i
C

I

CO



t
1
t
2
t

H.IX.3a. Chãú âäü A

2./ chế độ B:
Ứng với góc cắt

=T/2, ở chế độ B điểm làm việc được xác định tại V=0,I
c0
=0 tương ứng
với điểm B trên đồ thị. Transistor chỉ làm việc ở một bán kỳ dương (hoặc âm) của điện áp vào được
Transistor Khuyếch đại. Chế độ B cho công suất cao (>=70%) nhưng tín hiệu ra bị méo xuyên tâm,
khi U
be
<U

méo này gọi là méo Crossover.
i
C

t
1
t
2
t

H.IX.3.b. Chãú âäü B
3./Chế độ AB:
i
C


I
Co

t
1
t
2
t

H.IX.3.d. Chãú âäü AB.

Thực ra nó là biện pháp tránh méo Crossover của chế độ B. Góc cắt

/2<

<

hiệu suất

cao(60 &0%).
Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 12


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2
Điểm làm việc tương ứng với điểm AB trên đồ thị, ở tầng khuyếch đại công suất người ta
thiết kế cho Transistorlàm việc ở chế độ AB. Khi có dòng I
c0
khá nhỏ, tổn hao trên Transistor do
dòng tĩnh nhỏ.
4./ Chế độ C:
i
C



I
Co
t
1
t
2
t

H-IX.3.c. Chãú âäü C

Có góc cắt

<90. Hiệu suất chế độ C khá cao(>78%) nhưng méo rất lớn. Thường dùng
trong bộ Khuyếch đạicó tần số cao.

Điểm làm việc được xác định trong khu vực cho phép trên đặc tuyến Transistor. Ở chế độ
đọng khi có tín hiệu vào điểm làm việc có thể vượt ra ngoài đường hyperbol công suất, nhưng
không được vượt quá các giới hạn khác.
Vấn đề cung cấp và ổn định chế độ làm việccho tầng công suất có thể dùng các biện pháp đã
nêu trong phần phân cực và ổn định điểm làm việc của Transistor tuy nhiên ít khi dùng điện trở
Emiter để ổn định chế độ công tác vì trong tầng công suất dòng lớn sẽ gây tổn hao.
Tâng công suất có thể là tầng Khuyếch đại đơn làm việc ở chế độ A hoặc là tầng Khuyếch đại
đẩy kéo làm việc ở chế đọ B hay AB. Chia làm 4 loại: Đẩy kéo song ong với BJT cùng loại hoặc
khác loại và đẩy kéo nối tiếp với BJT cùmg loại hoặc khác loại.
III./ Tầng Khuyếch đạiđẩy kéo:
1./ Các loại sơ đồ.
Để tăng công suất, hiệu suất và giảm méo phi tuýen ta dùng tầng Khuyếch đạiđẩy kéo : nó
gồm hai phần tử tích cực mắc chung tải, mỗi phần tử dẫn trong nữa chu kỳ.
Biến trở Rt trong sơ đồ song song được liên hệ với nhau nhờ cuảm ứng sao cho toàn bộ công suất
được đưa ra hết một tải chung để tiêu thụ. Nên sơ đồ đẩy kéo song song thường dùng mạch ghép
biến áp với tải tiêu thụ. Các sơ đồ nối tiếp không cần ghép biến áp.

2./ Một số điểm cơ bản của sơ đồ đẩy kéo:
Điểm đất của sơ song song là đầu âm của nguồn một chiều, điểm đất của sơ đồ nối tiếp là
điểm giữa của nguồn một chiều.
Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 13


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2
Các mạch đẩy kéo dùng 2 BJT khác loại được kích thich bởi các loại tín hiệu đồng pha. Vì
vậy có thể dùng chung một tín hiệu để kích thích cho cả 2 BJT.
Khi các Transistor của tầng đẩy kéo làm việc ở chế độ B cần lưu ý đến méo sinh ra khi
điểm làm việc ở điểm chuyển tiếp từ BJT này sang BJT khác. Vì trong BJT chỉ có dòng Emiter khi
điện áp Bazo-Emiter lớn hơn Uy(0.5 0.6V) đối với Silic. Do đó, khi điện áp vào nhỏ thì nó được
Khuyếch đại rất ít hoặc hoàn toàn không khuyếch đại sinh ra méo lớn (méo Crossover). Khắc phục
bằng cách tăng trị số dòng ra tại điểm tĩnh, tức phân cực V
be
khoảng 0,5V ở mức ngưỡmg dẫn.
3./ Mạch khuyếch đại OCL và OTL.

Tính toán các thông số của mạch Khuyếch đạiOTL
Tính P
in
tại đỉnh dương của tín hiệu Q
1
dẫn mạnh do đó dòng qua R
L
sẽ lớn nhất khi áp rơi
trên R
L
lớn nhất U
Lm
=V
CC
/2
Ta có : P
Lm
=U
2
Lm
/2R
L
=V
2
CC
/8R
L

Công suất nguồn cung cấp :
P
CC
=V
CC
I
tb
=V
CC
I
Lm
/

=V
2
CC
/2R
L


Công suất tiêu tán trên hai BJT là :
2P
tt
=P
CC
-P
L

Để tìm công suất tiêu tán lơns nhất ta đạo hàm 2P
tt

theo I
Lm
và cho bằng
khôngI
Lm
=V
CC
/

R
L
P
ttm
=V
2
CC
/4R
L



So với công suất P
Lm
ta thấy công suất tiêu tán cực đại nhỏ hơn cômg suất tải ra 5 lần.
Hiệu suất của mạch :
n=P
L
/P
CC
=78.5%

+Mạch OTL và OCL hoạt động giống nhau OCL không có tụ ngõ ra và thay vào đó bằng
nguồn cung cấp đối xứng. Mạch OTL suy giảm biên độ tín hiệu tần số bé. Tuy nhiên nó khắc phục
nhược điểm mạch ghép biến áp. Mạch OCL khắc phục nhược điểm mạch OTL nhưng nhược gây ra
quá dòng chạy qua tải. Nên trong mạch OCL thường có mạch bảo vệ quá độ.
IV./ Ưu nhược điểm một số mạch Khuyếch đạicông suất:
tùy thuộc vào cách đưa tín hiệu ra loa, người ta phân thành các loại sau đây:
1./ Mạch Khuyếch đại công suất ghép tải qua biến áp:
Mạch này có ưu điểm là cjo hiệu suất cao, nhưng hiện nay cũng ít được sử dụng, chỉ dùng
trong trường hợp yêu cầu phải cách điện một chiều hoặc yêu cầu cho hiệu suất cao trong khi nguồn
cung cấp nhỏ(vì biến áp làm cho mạch có kích thước lớn, giá thành cao gây méo phi tuyến và méo
tần số, dải thông hẹp).
2./ Mạch Khuyếch đại công suất ghép tụ ở loa(OTL):
Ưu điểm: Chỉ có một bộ nguồn cung cấp,dải thông rộng hơn kiểu ghép biến áp, hiệu suất
cao, ít cồng kềnh, chế độ làm việc ổn định.
Nhược điểm: Bị hạn chế ở tần số thấp do ghép tụ ở đàu ra. Vì tín hiệu bé có tần số thấp thì Z
C

lớn, nên tín hiệu ra bị mất mát trên tụ.
3./ Mạch Khuyếch đại công suất liên lạc thẳng (OCL):
Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 14


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2
Ưu điểm: Không gây méo ở tần số thấp do không có tụ.
Nhược điểm: Phải dùng hai nguồn cung cấp đối xứng và các Transistor vi sai ở tần đầu phải
có các thông số như nhau để đảm bảo nén tín hiệu đồng pha (CMFF) lớn để kháng nhiễu tốt.
4./ Mạch Khuyếch đạicông suất Cầu (BTL):
Ưu điểm: Công suất ra lớn, chỉ dùng một nguồn cung cấp.
Nhược điểm: Dùng nhiều linh kiện, các vế của cầu phải đối xứng để đảm bảo không bị méo
tín hiệu. Tải không có đầu nào mắc vào mass hay vỏ máy.

Trong thực tế mạch khuyếch đạicông suất OTL thường được dùng nhiều vì cho ra âm thanh
trung thực và chất lượng cao.
V./ Mạch Darlington và giả Darlington:
Mạch Darlington và giả Darlington có hệ số khuyếch đại dòng lớn, và có trở kháng vào lớn.
1./ Mạch Darlington:
Hệ số khuyếch đại dòng chung:
h
fe
=
B
C
I
I
=
2
21
B
CC
I
II 
=
2
1
B
C
I
I
+
2
2

B
C
I
I



h
fe
=
)1(
21
1
feB
C
hI
I

+h
fe2
=h
fe1

(1+h
fe2
)+h
fe2


h

fe
=h
fe1

(1+h
fe2
)+h
fe2


h
fe1

h
fe2
vậy h
fe
rất lớn.
Trở kháng vào:
h
ie
=
i
i
I
V
=
2
21
B

BEQBEQ
I
VV

=
2
1122
B
BieBie
I
IhIh




Mà I
B1
=(1+h
fe2
)

I
B2



h
ie
=h
ie2

+
2
221
)1(
B
Bfeie
I
Ihh






h
ie
=h
ie2
+h
ie1

(1+h
fe2
)

Vậy mạch Darlington có hệ số khuyếch đại dòng và trở kháng vào lớn.

Vì h
fe
rất lớn nên khi ứng dụng với trị số dong I
e1
hữu hanl thì dòng I
b1
có thể rất bé làm cho
Q
2
có thể làm việc trên đoạn đặc tuyến vào phi tuyến I
b
=f(V
be
). Để khắc phục ta mắc thêm điện trở
rẽ dòng tại cực E của Q
2
như hình vẽ sau:

Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 15


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2




Chọn R
b1
:R
b1
phải lớn hơn rất nhiều điện trở vào xoay chiều của Q
1
nhưng nhỏ hơn rất
nhiều so với điện trở vào một chiều. Khi đó R
B1
rẽ được dòng nhiệt cho Q
1
mà tổn thất tín hiệu xoay
chiều trên R
B1
không đáng kể. R
ACQ1
<<R
B1
<<R
DCQ1
.
2./ Mạch giả Darlington:

Hệ số khuyếch đại dòng chung:
h
fe
=
B
C
I
I
=
2
1
B
E
I
I
=
2
12
)1(
B
feC
I

hI

=h
fe2

(1+h
fe1
)


h
fe
=h
fe2

(1+h
fe1
)
Trở kháng vào:
h
ie
=
i
i
I
V
=
2
2
B

BEQ
I
V
=h
ie2
n ếu mắc tải vào cực E của tổ hợp thì:
Z
in
=
2B
RLBE
I
VV

=
2
2
B
BEQ
I
V
+
2
22
)(
B
LBC
I
RII



=h
ie2
+R
L









1
2
2
B
C
I
I
=h
ie2
+R
L

(1+h
fe2
)


Z
in
=h
ie2
+ R
L

(1+h
fe2
)


VI./ Méo Crossover và phương pháp khắc phục:
1./ Méo Crossover(hình vẽ):













Từ đặc tuyến vào của Transistor I
b

=f(U
be
) ta thấy rằng ở đặc tuyến có một đoạn cong khi
điện áp vào U
be
còn thấp. Do đó khi Transistor làm việc ở chế độ B sẽ gây ra méo lớn. Điều này có
nghĩa là nếu như điện áp U
be
của Transistor là lớn hơn điện áp biên độ của tín hiệu vào thì lúc này
Transistor chưa dẫn và bhư vậy mặc dù đã có tín hiệu nhưng lại không có tín hiệu ra. Cho đến khi
điện áp vào lớn hơn điện áp thông U

lúc đó Transistor mới dãn, và mới có tín hiệu ra. Chính vì
Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 16


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2
vậy mà làm cho tín hiệu bị méo dạng không còn hình sin. Điều này chứng tỏ quan hệ giữa tín hiệu
vào và ra trong khu vực gần gốc tọa độ là không tuyến tính. Loại méo này được gọi là méo
Crossover, trong khu vực có méo thì hệ số khuyếch đại điện áp K
U
=0.
Để khắc phục triệt để hơn loại méo Crossover thì ta cần phải di chuyển đặc tuyến vào của
Transistor cho:U
BE01
=U
BE02
tương ứng với mức điện áp là U
V
=0.

Điều này có nghĩa là ta cần định mức phân cực cho BJT, sao cho khi có tín hiệu vào thì
Transistor dẫn ngay. Như vậy xem mức điện áp thông Ube đã được dời về gốc tọa độ (Đặc tuyến
dời vào lúc này coi như là tuyến tính và đoạn cong của đường đặc tuyến đã bị loại bỏ).
Để đạt được điều mong muốn trên ta phải đặc vào cực B của 2BJT công suất các điện áp
ban đầu thích hợp. Vậy tầng khuyếch đại đẩy kéo không đơn thuần làm việc ở chế độ B mà nó làm
việc theo chế độ AB. Tức là nó sẽ có một phần áp nhỏ làm cho điểm làm việc Q sẽ dịch chuyển lên
điểm Q do đó làm cho tín hiệu đầu ra ít bị méo.

Tóm lại: Nguyên nhân gây méo ở đầu ra tầng công suất làm việc ở chế độ B thì điểm làm
việc Q nằm ở gốc tọa độ Q(0,0) trên đặc tuyến vào. Đặc tuyến này có vùng chết "Death Region"
tương ứng với đoạn (0,Uy), trong vùng này tín hiệu vào có biên độ 0<V
i
< U

suy ra I
b

0. Cho
đến một lúc nào đó V
i
> U

suy ra BJT dẫn khi đó mới có tín hiệu ở đầu ra, dẫn đến méo khi tín
hiệu vào có biên độ nhỏ và biên độ ra cũng nhỏ hơn so với trường hợp V

=0 (tức trường hợp ta
dời đặc tuyến của BJT về gốc tọa độ).

2./ Các phương pháp tránh méo Crossover:















Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 17

Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2

Hình bên minh họa biện pháp tránh méo Crossover bằng cách phân cực cho Q
1
,Q
2
làm việc
ở chế độ AB trong đó Z
B1B2
có thể là:
a./ Nhiệt trở với biến trở chỉnh song song:
Thường trở nhiệt R
t
được mắc bên cùng tấm lót tỏa nhiệt với cặp BJT công suất Q
1
,Q
2
.
Bên ngoài nhiệm vụ phân cực cho Q
1
,Q
2
hoạt động ở chế độ AB, nó còn tác dụng ổn định dòng điện
tĩnh cho Q
1
, Q
2
khỏi bị ảnh hưởng của nhiệt độ. Khi nhiệt độ Q
1

,Q
2
tăng dòng I
CO
tăng theo, lúc đó
R
t
giảm giá trị làm phân áp V
be
cho Q
1
,Q
2
giảm xuống dẫn đến I
CO
giam xuống, chiết áp V
2
để chỉnh
và làm tuyến tính hóa đặc tuyến của R
t
=f(T
o
)(phi tuyến).
b./ Diod với biến trở mắc nối tiếp:
Ở dòng phân cực nhất định thì điện áp trên Diod hầu như không thay đổi. Nếu Diod cùng
vật với BJT công suất Q
1
,Q
2
thì khi dẫn V


của diod xấp xĩ bằng V

của Q
1
,Q
2
. V
r
để chỉnh áp
pân cực cho đúng yêu cầu.
Tính chất giữ ổn định dòng nhiệt cho Q
1
,Q
2
của Diod tương tự như R
1
ở trên. V
r
mắc nối
tếp với các diod do đó để điều chỉnh điểm tĩnh Q nhưng bị mất mát tín hiệu trên V
r
khi dòng tín
hiệu tăng xê dịchđiểm tĩnh của Q
1
,Q
2
vì áp V
r
cũng tăng theo tín hiệu đưa ra

c./ Các Diod với biến trở mắc song song:
Do đặc tuyến Diod có đoạn cong tại V
d
bé nên nội trở của Diod lớn khi điện áp đặt lên Diod
Bazo. Do đó với cách mắc Diod sng song với biến trở V
r
thì khi dòng tín hiệu lớn thì nó sẽ rẽ qua
Diod , còn lúc tín hiệu bé hầu hết sẽ đổ qua V
r
Kết quả à sụt áp trên Z
b1b2
hầu như không đổi do đó điểm tĩnh Q không bị xê dịch. Tuy
nhiên, cách mắc này khó điều chỉnh hơn.
d./ Mạch dùng Transistor:

Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 18


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2
Ta có: V
CE
=V
B1B2
=
B
BR
R
RV


V
BE
(1).
Trong khi làm việc V
be

được hiểu như không đổi nên theo biểu thức (1) ta suy ra V
b1b2
ổn
định. Mặc khác BJT còn giữ ổn định điểm tĩnh Q cho Q
1
,Q
2
khi nhiệt độ thay đổi. Khi nhiệt đọ tăng
, I
CO
tăng, V
CE
giảm , V
b1b2
giảm dần làm cho I
CO
giảm, nghĩa là I
CO
ổn định. Vậy điểm tĩnh không
bị xê dịch theo nhiệt độ.

VII./Dùng nguồn dòng để tăng hệ số khuyếch đại

Điện trở tải R
C3
của Q
3
nối thẳng đến V
CC
, do đó đối với tín hiệu thì R
C3
mắc song song với
trở kháng vào của Q
1
,(Q
1
mắc Collector chung). Hệ số khuyếch đại vòng hở của Q
3
là:
A
v3
= -
3LQ
ie
fe
Z
h
h



Z
LQ3
=R
C3
//Z
inQ1

Để tăng hệ số khuyếch đại vòng hở toàn mạch A
v
=A
v1
.A
v2
…A
vn
.
Muốn tăng A
v
thì phải tăng A
V3
mà
Z
inQ1
=
in
in
I
V

=
)1(
11
1
feE
E
BQ
BEQ
hI
V
I
V

 =h
ie1
+R
L

(1+h
fe1
)


Z
inQ1

R
L

(1+h

fe1
)
Vì h
fe1
rất lớn do mắc Darlington bên trong Q
1
 Z
LQ3
=R
C3
//Z
INQ1

R
C3
ở đây nguồn V
CC

không được quá lớn do đó tải Q
3
cũng không thể lớn được, nếu lớn thì Q
3
không thể hoạt động
trong vùng tuyến tính được. Cho dù mắc Darlington có tăng trở kháng bao nhiêu đi nữa mà hệ số
khuyếch đại của tầng lái quyết định hệ số khuyếch đại của toàn machj nhưng Z
LQ4

R
C3
không lớn.

Do vậy để tăng hệ số khuyếch đại cho Q
3
ta dùng nguồn dòng để tăng điện trở cho tầng lái.
Dùng nguồn dòng lợi dụng điện trở động rất lớn của nguồn dòng. Nói cách khác ta thiết kế để cho
tải của tầng lái Q
3
là tải tích cực cho nguồn dòng tạo ra.
Điện trở xoay chiều của nguồn dòng là: R
ce
=
0


I
V
CE



ở đây R
ce
rất lớn nhưng trở một
chiều nhỏ. Ta có thể thay nguồn dòng vào vị trí của R
C3

Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 19


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2








Tính nội trở nguồn dòng.

Ở đây R
1
là nội trở nguồn dòng. Nguồn dòng có nội trở R
1
càng lớn thì càng ổn định và
càng gần với nguồn dòng lí tưởng.
Ta thấy :I
C
=I
t
=
t
feB
ZR
hRI



1
1
=
1
1
R
Z

Ih
t
Bfe


nếu R
1
>>Z
L

I
t
=h
fe

I
B
=const.
Nguồn dòng bằng Transistorcho ta R
1
rất lớn dó chính là tín hiệu R
1
dối với tín hiệu xoay
chiều.
R
CEAC
=
C
CE
dI

dV
>>R
CEQ
=
CQ
CEQ
I
V

R
1
= R
ce
rất lớn có thể đến hàng Mohm. Để tính R
1
nguồn dòng ta có :
d
le
= d
lc
+ d
lb
dV
be
= -dI
b
( R
1
//R
b

)
kết hợp với phương trình cơ bản của tham số h ta có:


 





2
1
CEoeBfeC
EEBieBE
dVhdIhdI
RdIdIhdV

h
oe

dV
CE
=dI
C
-h
fe

dI
B



3


R
E
dI
C
=-dI
B
[(R
1
//R
B
)+h
ie
+R
E
] thay vào (3)


h
oe

dV
CE
=dI
C










EieB
Efe
RhRR
Rh
)//(
1
1

Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1 Trang 20


Nguyễn Minh Hiển Lớp 00ĐT2


R
1
=R
CEAC
=
C
CE
dI
dV

=
oe
h
1









EieB
Efe
RhRR
Rh
)//(
1
1

từ công thức tính R
1
ta thấy muốn tăng R
1
thì ta thay R
b
bằng diode để R
b
nhỏ đồng thời nó có

tác dụng ổn định nhiệt cho Transistor nguồn dòng.
VIII. Dùng biện pháp Bootshap để tăng hệ số khuyếch đại.














Ta có : Z
tQ3
=(h
fe1
//R
C3
)+(1+h
fe1
)(R
L
//R
C4
)
Vì h

ie1
<<R
C3
& R
L
<<R
C4


Z
tQ3
=h
ie1
+(1+h
fe1
)R
L
Ta thấy Z
tQ3
trong trường hợp này khá lớn.Tăng được A
V3
Trong thực tế ta mắc Darlington cặp BJT công suất nên h
fe1
rất lớn.

ỏn mụn hc - K thut mch in t 1 Trang 21


Nguyn Minh Hin Lp 00T2

phần 2

THIếT Kế Và TíNH TOáN CHI TIếT








Yêu cầu:
Công suất P=55W
Trở kháng vào Z
v
=500K


Trở kháng loa R
L
=8

Tín hiệu vào V
in
=775mV
Hệ số méo

=0.25%
BW 0.04KHz

16KHz
Mạch OCL ngõ vào đơn.









ỏn mụn hc - K thut mch in t 1 Trang 22


Nguyn Minh Hin Lp 00T2

Tác Dụng Của Các Linh Kiện Trong Mạch


4321
,,, QQQQ là tổ hợp các BJT mắc theo kiểu Darlington dùng cho tầng khuếch đại
đẩy kéo.

21
,RR là điện trở ổn định nhiệt và cân bằng dòng.

43
, RR là điện trở rẽ dòng nhiệt tránh tiếng ù ở loa khi cha có tín hiệu vào.

6
Q là BJT khuếch đại thúc.

8
R là điện trở hồi tiếp âm ổn định nhiệt.
2,,,
321
VRDDD là thành phần phân cực cho tầng công suất làm việc ở chế độ AB.

545
,,1, DDVRQ là nguồn dòng để nâng cao trở kháng ra của tầng khuếch đại thúc
nhằm mục đích nâng hệ số khuếch đại của tầng thúc.
10,

9
VRR hồi tiếp điện áp,định hệ số khuếch đại vòng kín cho toàn mạch.
5
C Thoát thành phần xoay chiều không cho thành phần xoay chiều hồi tiếp.

7
Q là BJT tiền khuếch đại.

1
C là tụ liên lạc ngõ vào.

315
,CR mạch lọc thông thấp loại bỏ tần số cao trong nguồn cung cấp tránh hiện tợng dao
động tự kích trong mạch.

416
,CR là mạch lọc thông thấp.

1413
,RR là cầu phân áp phân cực cho
7
Q .

1211
, RR là tải của
7
Q đồng thời là cầu phân áp cho
6
Q .

62
, RC mạch lọc ZOBEL ổn định trở kháng ở tải.

98
,QQ là BJT bảo vệ cho tầng công suất.
1817
,RR là cầu phân áp cho
8
Q .
2019
,RR là cầu phân áp cho
9
Q .









ỏn mụn hc - K thut mch in t 1 Trang 23


Nguyn Minh Hin Lp 00T2
i.Tính Toán Phần Nguồn Và Phần Công Suất.
1.Biên độ tín hiệu ra loa:
Tín hiệu vào tVV
LL

sin2 thì tín hiệu ra có dạng tII
LL

sin2

LLm
II 2 ;
LLm
VV 2
Công suất tiêu tán trên tải:
L
Lm
L
R
V
P
2

VRPV
LLLm
3085522
A
R
V
I
L
Lm
Lm
75.3

8
30

2.Điện áp nguồn cung cấp:
Chọn hệ số sử dụng nguồn 8.0



V
V
V
Lm
cc
5.37
8.0
30



Ta chọn nguồn cung cấp VV
cc
40 .
3.Tính
21
,RR :
Để tránh méo xuyên tâm ta chọn
21
,QQ làm việc ở chế độ AB.Chọn dòng tĩnh:
AmAIII
EQEQEQ

05.050
21

Dòng cực đại qua
21
,RR : AIIII
LmEQmEmE
8.375.305.0
21

Vì dòng tĩnh của
21
,QQ là khá nhỏ so với biên độ dòng xoay chiều nên ta có thể bỏ qua trong các
tính toán cần thiết.
Chọn
21
,RR khá nhỏ để tránh tổn thất tín hiệu trên các trở này:

4.0
2020
1
20
1
1
11 L
LLm
R
R
R
R

R
V
V

Chọn
21
RR =0.5


Công suất tiêu tán trên
21
,RR :




0
(
2
1
1
R
P
tI
L

sin )
2
tdR

1
=
4
2
1 Lm
IR
=
4
75.35.0
2

=1.8W

Bỏ qua công suất tiêu tán một chiều trên
21
,RR vì quá bé.
Chọn
21
RR =0.5

/3W.
4.Chọn
21
,QQ :
Dòng trung bình qua một BJT trong một chu kỳ:
tb
I

Lm
Lm
I
ttdI

0
sin
2
1

Công suất nguồn cung cấp:
cc
P
tbcc
IV .2 =
cc
V2 .

Lm
I

Công suất nguồn cung cấp cho tải:
L
P =
2
1
L
R .
2

Lm
I
ỏn mụn hc - K thut mch in t 1 Trang 24


Nguyn Minh Hin Lp 00T2
Công suất tiêu tán trên các điện trở:
R
P =2
1
R
P =2
4
2
1 Lm
IR
=
2
2
1 Lm
IR

Công suất tiêu tán trên hai BJT:
2
tt
P =
cc
P -
L
P -2*

R
P =
cc
V2 .

Lm
I
-
2
1
L
R .
2
Lm
I -
2
2
1 Lm
IR

Lấy đạo hàm theo
Lm
I và cho bằng 0 ta đợc:

Lm
I =
)(
2
1
RR

V
L
cc



Thay vào biểu thức trên ta đợc công suất tiêu tán cực đại của BJT:

tt
P =
)(
1
2
2
RR
V
L
cc


=
)5.08(
40
2
2


=19W
Công suất tiêu tán một chiều trên một BJT:

ttdc
P =
cc
V

1
EQ
I =40

0.05=2W
Công suất tiêu tán cực đại trên mỗi BJT:

ttm
P =
tt
P +
ttdc
P =19+2=21W
Vậy ta chọn
21
,QQ thõa các điều kiện sau:
E
I >
Em
I >=3.8A

CE
V >2
cc
V =80V

P>(2

3)
ttm
P

Tên P(W) F
T
(MHz)
T( C
o
)
V
CE
(V) I
C
(A)



2SD718 80 12 150 120 8 55/160
2SB688 80 10 150 120 8 55/160


5.Chọn
43
, RR :
Dòng tĩnh cực B của
1
Q :

1BQ
I =
min
1
1


EQ
I
=
56
50
=0.89mA

1
BEQ
V =0.6V
Dòng đỉnh cực B của
1
Q :
1BmQ
I =
min
1
1


mE
I
=

56
8.3
=68.7mA

BEm
V =1V

Trở kháng xoay chiều giữa B và A:
BAac
Z =
1
BQBm
BAQBAm
II
VV


=
1
1
)(
BQBm
RQBEQRmBEm
II
VVVV




=

3
10)89.08.67(
)05.05.06.0(05.08.31







=33




Trở kháng một chiều giữa B và A:

ỏn mụn hc - K thut mch in t 1 Trang 25


Nguyn Minh Hin Lp 00T2
BAdc
Z =
1BQ
BAQ
I
V
=
1BQ
RQBEQ

I
VV

=
3
10
89
.
0
05.05.06.0




=702



Các điện trở rẽ dòng nhiệt
43
, RR phải chọn sao cho :
Giảm tổn thất tín hiệu
BAac
Z <<R
3

Rẽ dòng nhiệt
BAdc
Z >> R
3

Chọn
43
RR =270


6.Chọn
43
,QQ :
Dòng tĩnh qua R
3
:
QR
I
3
=
3
R
V
BAQ
=
270
05.05.06.0


=2.3mA
3
BEQ
V =0.6V
Dòng cực đại qua R

3
:
mR
I
3
=
3
R
V
BAm
=
270
8.05.001


=10.7mA
Dòng tĩnh của
3
Q :
3EQ
I =
QR
I
3
+
1BQ
I =2.3+0.89=3.19mA
Dòng cực đại của
3
Q :

mE
I
3
=
1BmQ
I +
mR
I
3
=67.8+10.7=78.5mA
Trở kháng xoay chiều giữa B và A sau khi mắc thêm điện trở R
3
:
,
BAac
Z =
3
3
RZ
RZ
BAac
BAac


=
270
33
27033

=29.5


Tải xoay chiều
3
Q :
3
tQ
Z =
,
BAac
Z +(
1
fe
h +1) R
L
=29.5+(55+1)8=477.5



Công suất tiêu tán xoay chiều cực đại của
3
Q :
3
ttacQ
P =
3
2
2
tQ

cc
Z
V

=
5
.
477
14
.
3
40
2
2

=340mW
Công suất tiêu tán một chiều của
3
Q :
3
ttdcQ
P =
33
EQCEQ
IV =
3
EQCC
IV =
19.340

=127.6mW

Công suất tiêu tán cực đại của
3
Q :
3
ttQ
P =
3
ttacQ
P +
3
ttdcQ
P =340+127.6=467.6mW
Vậy chọn
43
,QQ thõa các điều kiện sau:
E
I >
mE
I
3
=78.5mA

CE
V >2
cc
V =80V
P>(2

3)
3
ttQ
P



Tên P(W) F
T
(MHz)
T( C
o
)
V
CE
I
C
(A)


2SD608 20 45 150 160 1.5 80
2SB628 20 45 150 160 1.5 80