ĐỒ án môn học kỹ THUẬT MẠCH điện tử

Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 1

ĐỒ ÁN MÔN HỌC

KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 2

Lý Thuyết
A.Transistor lưỡng cực.
I./ Cấu tạo và cách mắc:
1./ Cấu tạo:
Transistor có cấu tạo gồm các miền bán dẫn p va n xen kẻ nhau,tùy thuộc vào trình tự sắp xếp
các miền p va n ma ta có các loi pnp hay npn.
Transistor loaỷi NPN

N

P

C
B
E
Kyù hióỷu trón maỷch

N

Mọ hỗnh lyù thuyóỳt
Transistor loaỷi PNP

C
P

N

P

B
E
Kyù hióỷu trón maỷch

Mọ hỗnh lyù thuút

•miền Emitter có nồng độ tạp chất lớn nhất.
•miền Bazo có nồng độ tạp chất nhỏ nhất.
•miền Colector có nồng độ tạp chất trung bình.
‫٭‬các cách mắc Transistor:có 3 cách mắc Transistor thơng dụng.
•EC Emiter chung.

ib

B
Uin

ic

C
Uout
ie
E

•BC Bazo chung.

ie
Uin

E

C
B

•CC Colector chung.

Nguyễn Minh Hiển

ic
ib

Uout
ie
Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 3

E
Ib

B

Uout
Uin

C

ic
Trong 3 cách mắc trên thi cách mắc EC là thông dụng nhất.
2/Các chế đọ làm việc:
Để Transistor làm việc được ta phải phân cực cho nó ứng với mỗi cách phân cực mà ta có
các chế độ làm việc khác nhau:
•chế độ bão hịa:các tiếp giáp Je và Jc phân cực thuận.
•chế độ khuếch đại:tiếp giáp Je phân cực thuận, tiếp giáp Jc phân cực ngược.
•chế độ ngưng dẫn: các tiếp giáp Je và Jc phân cực ngược.
III/Các đặc tuyến tĩnh:
1.Cách mắc EC:
đặc tuyến ngõ vào: Ib=f(Ube) biểu diễn sự phụ thuộc của dòng chạy qua cực nền theo điện áp cực
nền khi cực thu xác định.

đặc tuyến ngõ ra: Ic=f(Uce)  biểu diễn mối quan hệ giũa dòng cực thu với áp rơi trên cực thu khi
dòng nền không đổi.

Đặc tuyến truyền đạt: Ic=f(Ib) biểu diển sự phụ thuộc của dòng ra theo dòng vào.

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 4

2.cách mắc BC:
đặc tuyến ngõ vào: Ie=f(Ube) biểu diễn quan hệ giữa dòng Ie và áp vào Ube khi Ucb không đổi.

đặc tuyến ngõ ra:biểu diễn quan hệ giữa dòng Ic và áp giữ cực thu với cực nền khi dòng Ie xác định.

3.cách mắc CC:
đặc tuyến ngõ vào:biểu diễn quan hệ giữa Ib và Ucb khi Ucc là hằng số.

đặc tuyến ngõ ra:biểu diễn mối quan hệ giữa Ie và điện áp Uce khi có dịng vào Ib không đổi.

IV./phân cực và ổn định điểm làm việc:
‫٭‬Việc phân cực cho Transistor làm việc ở chế độ khuyếch đại phải bảo đảm các yêu cầu sau:
• Tiếp giáp Je phân cực thuận, tiếp giáp Jc phân cực ngược.

•Dịng ic phải lớn hơn rất nhiều dịng ngược ice0.
• Phải đảm bảo các yêu cầu về công suất nhiệt độ.
‫٭‬Đường tải tĩnh và điểm cơng tác tĩnh:
• Đường t ải tĩnh được vẽ trên đặc tuyến của Transistor để nghiên cứu dòng điện và điện
áp mắc trong mạch cụ thể nào đó. Điểm cơng tác tĩnh là điểm nằm trên đường tãi tĩnh xác định điều
kiện phân cực cho Transistor.
• Chế độ tĩnh của Transistor mắc kiểu EC được xác định bởi bốn tham số Ib,Ic,Ube,Uce
trong đó thường cho trước một tham số, ba tham số còn lại sẽ được xác định thông qua đặc tuyến
vào và ra của Transistor.

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 5

٠Họ đặc tuyến vào:Ib=f(Ube) khi Uce=const
Họ đặc tuyến ra:Ic=f(Uce) khi Ib=const
 Quan hệ ràng buộc đó được bởi đường tãi tĩnh Ic=f(Uce)
Xét mạch sau:

I C (R C +R E )=2V CC cc-V CE

IC =

2VCC

-

VCE

RC  R E RC  RE

Đường tải tĩnh có độ dốc:

d ic
d vCE

=-

1
RC  RE

như vậy khi thây đổi giá trị các điện trở thì

đường tải tĩnh xoay xung quanh điểm P, còn khi điện áp nguồn thay đổi thì đường tải tĩnhdịch trái
hoặc dịch phải. Điểm làm việc tĩnh đó là giao điểm của đường tải tĩnh và đặc tuyến ra ứng với
dòng bảo hòa Ib phân cực cho Transistor.
+Các biện pháp ổn định điểm làm việc tĩnh: ổn định dòng Ic là tốt nhất.
+Hiện trơi điểm làm việc:
Đặc tính của Transistorlàm việc trong miền tích cực được đặc trưng bởi ba tham số
Ube,Icb0,  . Sự thay đổi ba tham số này là ngyên nhân dẫn đến làm trôi điểm làm việc tĩnh.
Như vậy hiện trôi điểm làm việc tĩnh là sự thay đổi điểm làm việc ban đầu đã được phân
cực do ảnh hưởng của nhiệt độ.
+Hệ số ổn định nhiệt:

Khi nhiệt độ thay đổi thì Ube,Icb0,  , thay đổi theo nhưng dòng Icb0 là thay đổi nhiều nhất
với Transistor Si nên ta có thể bỏ qua sự thay đổi của Ube,  .
Để xét tính ổn định nhiệt của một mạch khi nhiệt độ thay đổi ta dùng hệ số ổn định nhiệt
ST =

I C
=
I CBO

1 
I
1  B
I C

S càng nhỏ thì Transistor càng ổn định nhiệt.
Để điểm làm việc tĩnh được ổn định thì khi phân cực phải giảm ảnh hưởng của nhiệt độ.
Có các phân cực sau:
V./Các Sơ Đồ Cung Cấp Và Ổn Định Điểm Làm Việc Cho BJT.
1./ Cung Cấp Và Ổn Định Điểm Làm Việc B ằng H ồi Tiếp Âm Dòng Điện Một Chiều:
Sau đây là sơ đồ tiêu biểu cho Emiter chung
Xét sơ đồ EC:

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 6

Ib1=Ib+Ib2  Ib2
Ube=Ub+Ue=

VCC  R2
-IE  RE
R1  R2

Tính toán sao cho Ube>>V  làm cho tiếp giáp BE phân cực thuận.
Nguyên tắc ổn định:
Khi Ic tăng do nhiệt độ mặt ghép tăng hoặc do nồng độ tạp chất trong BJT tăng, thì
điện áp hạ trên RE: UE0= IE  RE tăng. Điện áp cực B tăng theo bộ phân áp R1,R2 hầu như không thay
đổi nên điện áp giữa Bazo và Emiter giảm do Ube  =Ub-Ue làm cho Ib giảm theo mà Ic=   Ib, nên
Ic cũng giảm kéo dòng Ic về giá trị ban đầu.
Ngược lại, khi Ic giảm thì Ube tăng Ib tăng làm cho Ic tăng theo kéo dòng Ic về giá trị
ban đầu.
Trong sơ đồ này, RE làm nhiệm vụ hồi tiếp âm dòng điện một chiều để ổn định điểm làm
việc tĩnh. Để tránh hồi tiếp âm dịng tín hiệu trên RE làm giảm hệ số khuyếch đại của mạch, ta mắc
song song với điện trở RE một tụ thoát xoay chiều CE. Tụ CE có tác dụng ngắn mạch đối với tín hiệu
xoay chiều. Thường chọn IE  RE=(1  2)V.
Hệ số ổn định nhiệt:
S T=

1 
=1+ 
I B
1 
I C

2./ Cung Cấp Và Ổn Định Điểm Làm Việc Bằng Hồi Tiếp Điện Áp.

Rb vừa là điện trở phân cực vừa là điện trở hồi tiếp
Chọn Rb thích hợp để BJT làm việc ở chế độ khuyếch đại
Ta c ó
Ucc=(Ib+Ic)Rc+Ube+IbRb=Ib (Rb+Rc)+IcRc+Ube

 RC I C U CC  U BE
+
Rc  Rb
Rc  Rb
I B dI B
 RC
=
=
I C dI C Rc  Rb

 Ib=

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 7

Suy ra hệ số ổ định nhiệt:
S T=

1 
RC
1 
RC  R B
Nếu chọn Rc>> Rb thi St1
Nhưng Rc là điện trở tải không được quá lớn.

B./ Khuyếch đại tín hiệu bé.
Transistor có ba cách mắc EC, BC, CC. Sau đây dùng sơ đồ tương đương để phân tích các
mạch tín hiệu bé.
1./ Sơ đồ EC:

a./ Trở kháng vào của BJT và mạch khuyếch đại.
Trở kháng vào của BJT:rv=rbe+(1+  )Re
Trở kháng vào của mạch khuyếch đại:Rv=Rn+Rb//rv; với Rb=R1//R2
b./ Hệ số khuyếch đại dòng của mạch:
Ki=it/iv= 

Rc
Rb
.
Rc  Rt Rb  Rbe

c./ Hệ số khuyếch đại áp:
Ku=

Ur
R
Rc // Rt
= Ki 1 =
Uv
Rv Rn  Rb // rv

Mạch khuyếch đại này tín hiệu vào và ra ngược pha nhau.
2./ Mạch khuyếch đại BC:
a./ Trở kháng vào của mạch khuyếch đại.
Rv= Rn+ reb= Rn+ re+rb/(1+  ) : nhỏ
b./ Hệ số khuyếch đại dòng của mạch:
Ki= It/Iv= 

Rc
<1
Rc  Rt

c./ Hệ số khuyếch đại áp:
Ku= Ur/Uv= Ki

Rt
R // Rt
= c
rv
rv

Tín hiệu vào và ra đồng pha.

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 8

3./Mạch khuyếch đại CC:

a./ Trở kháng vào :
Rv= R1//R 2 //rv với rv=rb+(1+  ) (re+RE//RT )
b./ Hệ số khuyếch đại dòng của mạch:
Ki= It/Iv=(1+  )

RV RE
rv ( Re  Rt )

c./ Hệ số khuyếch đại áp:
Ku= Ur/Uv= Ki

Rt
R ( R // Rt )
=(1+  ) V E
<1
RV  Rn
rv ( Rn  RV )

Trong ba mạch thì mạch này có trở kháng vào lớn nhất.
Tín hiệu vào và ra đồng pha.

C./ Hồi tiếp.
I./ Định nghĩa và phân loại:
Hồi tiếp là đưa một phần tín hiệu ở đầu ra về đầu vào thông qua mạng bốn cực gọi là hồi
tiếp.
Hồi tiếp đóng vai trị rất quan trọng trong kỷ thuật tương tự, cho phép cải thiện các đặc tính
của mạch Khuyếch đại.
+Có các loại hồi tiếp sau:
Hồi tiếp âm là tín hiệu hồi tiếp đưa về ngược pha với tín hiệu vào.
Hồi tiếp dương là tín hiệu hồi tiếp đưa về cùng pha với tín hiệu vào.
Hồi tiếp điện áp là tín hiệu đưa về tỷ lệ với điện áp.
Hồi tiếp dịng điện là tín hiệu đưa về tỷ lệ với dòng điện.

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 9

Hồi tiếp DC.
Hồi tiếp AC.
Hồi tiếp nối tiếp là tín hiệu đưa về nối tiếp với tín hiệu vào.
Hồi tiếp song song là tín hiệu đưa về song song với tín hiệu vào.

II./ Hồi tiếp âm:
Sơ đồ mạch:

Các phương trình của mạng bốn cực hồi tiếp âm:
Hệ số Khuyếch đại của mạch có hồi tiếp âm là:
K'=

XR
K
=
X V 1  KK ht
Hệ số Khuyếch đại toàn phần:

K tp =K' K n
Độ sau hồi tiếp:
g=1+K K ht =1+ K v
K v =K K ht :hệ số Khuyếch đại vòng.
III./ Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến các tính chất của bộ khuyếch đại
1./ Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến độ ổn định của bộ khuyếch đại
Sai số tương đối của bộ khuyếch đại có hồi tiếp âm nhỏ hơn (1+KKht) lần so với sai số
tương đối của hệ số khuyếch đại khi khơng có hồi tiếp âm.
2./ Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đén điện trở vào:
Sự thay đổi của trở kháng vào chỉ phụ thuộc vào cách mắc mạch hồi tiếp ở đầu vào mà
không phụ thuộc vào cách lấy tín hiệu ở đầu ra đưa về mạch hồi tiếp.

+Trở kháng vào của bộ Khuyếch đạicó hồi tiếp âm nối tiếp:
Khi khơng có hồi tiếp: Kht Xr=0
Zv= Uv/Iv=rh+Rrht
Khi có hồi tiếp:
Z'v= Uv/Iv=

U h  U ' K ht X r U h (1  KK ht )  U '
=
IV
IV
Z'v=(1+KKht)rh+Rrht=grh+Rrht nếu Rrht<< rh thì : Z'v=gZv

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 10

Vậy trở kháng vào của mạch có hồi tiếp âm nối tiếp tăng lên g lần
+Trở kháng vào của bộ Khuyếch đạicó hồi tiếp âm song song:
Khi khơng có hồi tiếp: : Yv=
Khi có hồi tiếp Y'v=

IV
=1/rh+1/rrht
UV

IV
=g/rh+1/rrht
UV

v ới rrht>> rh suy ra Z'v=Zv/g
Vậy trở kháng vào của mạch có hồi tiếp âm nối tiếp giảm đi g lần.
3./ Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến trở kháng ra:
+Tương tự trở kháng ra của bộ khuyếch đại có hồi tiếp âm dòng điện tăng g lần.
+Trở kháng ra của bộ khuyếch đại có hồi tiếp điện áp giảm đi g lần so với bộ khuyếch đại
khơng có hồi tiếp.
4./ Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến dãi động của bộ khuyếch đại và méo phi tuyến.
Hồi tiếp âm mở rộng dãi rộng:
Khi khơng có hồi tiếp âm tồn bộ tín hiệu đưa vào đến đầu vào bộ khuyếch đại Xh=Xv
Khi có hồi tiếp âm chỉ có một phần tín hiệu đưa đến bộ khuyếch đại
Xh= Xv-Kht
Xr  Xh= Xv/g.
Vì tín hiệu vào của bộ khuyếch đại có hồi tiếp âm nhỏ hơn tín hiệu vào của bộ khuyếch đại
khơng có hồi tiếp g lần nên méo phi tuyến do độ cong của đặc tuyến truyền đạt của bộ khuyếch đại
cũng giảm đi bấy nhiêu lần. Hồi tiếp âm nâng cao tính chân thực và độ nhạy bộ khuyếch đại.
5./ Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến tạp âm:
Giả sử âm ngoài đưa vào giữa hai tầng khuyếch đại
Xr= K2 [ Xta+K1 ( Xth+Kht Xr)]  Xr=
Ta có :

K 2 K1
K2
Xth +
Xta
1 K1 K 2 K ht
1 K1 K 2 K ht

X rth
X

=K 1 th
X rta
X ta

Tỷ số tín hiệu ra trên tạp âm ở đầu ra càng lớn khi K1 càng lớn và chỉ có thể tạp âm xuất hiện
sau lần thứ nhất.
6./ Ảnh hưởng của hòi tiếp âm đến đặc tính động của bộ khuyếch đại:
Hồi tiếp âm làm giảm tần số giới hạn dưới xuống g lần và làm tăng tần số giới hạn trên lên g
lần.

D./ Sơ lược về các mạch khuếch đại công suất.
Mạch khuyếch đại công suất dùng mạch đèn điện tử hiện tại đã trở nên lỗi thời vì bên cạnh
cho cơng suất lớn, lại có những nhược điểm như:cồng kềnh, tuổi thọ thấp,hiệu suất kém. Vì vậy ta
chỉ xét đến các mạch khuyếch đạicơng suất dùng Transistor, tùy thuộc cách đưa tín hiệu ra loa,
người ta phân thành các loại sau đây:
I./ Tầng khuếch đại công suất:
1./ Những vấn đề chung về tầng Khuyếch đạicơng suất:
Tầng khuyếch đại cơng suất có nhiệm vụ đưa ra cơng suất đủ lớn để kích thích cho tải cơng
suất ra của nó cở vài phần mười W đến lớn hơn 100 W. Công suất này được đưa đến tầng sau dưới
dạng dịng điện hay điện áp có biên độ lớn. Khi khuyếch đại tín hiệu lớn, các BJT khơng làm việc
trong miền tuyến tính nữa do đó khơng thể dùng sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ để phân tích mà
phải dùng phương pháp đồ thị.
2./ Các tham số của tầng Khuyếch đạicông suất:
Hệ số khuyếch đại công suất : Kp là tỷ số giữa công suất ra và công suất vào.
Hiệu suất : hiệu suất là tỷ số giữa công suất ra và công suất nguồn cung cấp một chiều Po

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

=

Trang 11

Pr
Po

Hiệu suất càng lớn thì tổn hao trên Colector của BJT càng nhỏ.
Trở kháng vào : yêu cầu trở kháng vào lớn tương đương với dịng tín hiệu vào nhỏ, nghĩa là
mạch có hệ số khuyếch đại dịng lớn.
II./ Chế độ công tác và định điểm làm việc cho tầng cơng suất:
1./ Chế độ A:
Tín hiệu được khuyếch đạihầu như tuyến tính, góc cắt  =T/2=180. Khi tín hiệu vào hình sin
thì ở chế độ A dịng tĩnh Colectorln lớn hơn biên độ dòng điện ra cho nên hiêuụ suất thấp
(<=25%). Vì vậy chỉ dùng chế độ A trong trường hợp công suất ra nhỏ. Điểm làm việc tĩnh của
Transistor tương ứng với điểm A trên đồ thị.

iC
ICO
t1

t2

t

H.IX.3a. Chãú âäü A
2./ chế độ B:
Ứng với góc cắt  =T/2, ở chế độ B điểm làm việc được xác định tại V=0,Ic0=0 tương ứng
với điểm B trên đồ thị. Transistor chỉ làm việc ở một bán kỳ dương (hoặc âm) của điện áp vào được
Transistor Khuyếch đại. Chế độ B cho cơng suất cao (>=70%) nhưng tín hiệu ra bị méo xuyên tâm,
khi Ube
iC

t1

t2

t

H.IX.3.b. Chãú âäü B
3./Chế độ AB:

iC

ICo
t1

t2

t

H.IX.3.d. Chãú âäü AB.
Thực ra nó là biện pháp tránh méo Crossover của chế độ B. Góc cắt  /2<  <  hiệu suất
cao(60--&0%).

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 12

Điểm làm việc tương ứng với điểm AB trên đồ thị, ở tầng khuyếch đại công suất người ta
thiết kế cho Transistorlàm việc ở chế độ AB. Khi có dòng Ic0 khá nhỏ, tổn hao trên Transistor do
dòng tĩnh nhỏ.
4./ Chế độ C:

iC
ICo
t1

t2

t

H-IX.3.c. Chãú âäü C
Có góc cắt  <90. Hiệu suất chế độ C khá cao(>78%) nhưng méo rất lớn. Thường dùng
trong bộ Khuyếch đạicó tần số cao.
Điểm làm việc được xác định trong khu vực cho phép trên đặc tuyến Transistor. Ở chế độ
đọng khi có tín hiệu vào điểm làm việc có thể vượt ra ngồi đường hyperbol công suất, nhưng

không được vượt quá các giới hạn khác.
Vấn đề cung cấp và ổn định chế độ làm việccho tầng cơng suất có thể dùng các biện pháp đã
nêu trong phần phân cực và ổn định điểm làm việc của Transistor tuy nhiên ít khi dùng điện trở
Emiter để ổn định chế độ cơng tác vì trong tầng cơng suất dịng lớn sẽ gây tổn hao.
Tâng cơng suất có thể là tầng Khuyếch đại đơn làm việc ở chế độ A hoặc là tầng Khuyếch đại
đẩy kéo làm việc ở chế đọ B hay AB. Chia làm 4 loại: Đẩy kéo song ong với BJT cùng loại hoặc
khác loại và đẩy kéo nối tiếp với BJT cùmg loại hoặc khác loại.
III./ Tầng Khuyếch đạiđẩy kéo:
1./ Các loại sơ đồ.
Để tăng công suất, hiệu suất và giảm méo phi tuýen ta dùng tầng Khuyếch đạiđẩy kéo : nó
gồm hai phần tử tích cực mắc chung tải, mỗi phần tử dẫn trong nữa chu kỳ.
Biến trở Rt trong sơ đồ song song được liên hệ với nhau nhờ cuảm ứng sao cho tồn bộ cơng suất
được đưa ra hết một tải chung để tiêu thụ. Nên sơ đồ đẩy kéo song song thường dùng mạch ghép
biến áp với tải tiêu thụ. Các sơ đồ nối tiếp không cần ghép biến áp.

2./ Một số điểm cơ bản của sơ đồ đẩy kéo:
Điểm đất của sơ song song là đầu âm của nguồn một chiều, điểm đất của sơ đồ nối tiếp là
điểm giữa của nguồn một chiều.

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 13

Các mạch đẩy kéo dùng 2 BJT khác loại được kích thich bởi các loại tín hiệu đồng pha. Vì
vậy có thể dùng chung một tín hiệu để kích thích cho cả 2 BJT.
Khi các Transistor của tầng đẩy kéo làm việc ở chế độ B cần lưu ý đến méo sinh ra khi
điểm làm việc ở điểm chuyển tiếp từ BJT này sang BJT khác. Vì trong BJT chỉ có dịng Emiter khi
điện áp Bazo-Emiter lớn hơn Uy(0.5--0.6V) đối với Silic. Do đó, khi điện áp vào nhỏ thì nó được
Khuyếch đại rất ít hoặc hồn tồn khơng khuyếch đại sinh ra méo lớn (méo Crossover). Khắc phục
bằng cách tăng trị số dòng ra tại điểm tĩnh, tức phân cực Vbe khoảng 0,5V ở mức ngưỡmg dẫn.
3./ Mạch khuyếch đại OCL và OTL.

Tính tốn các thơng số của mạch Khuyếch đạiOTL
Tính Pin tại đỉnh dương của tín hiệu Q1 dẫn mạnh do đó dịng qua RL sẽ lớn nhất khi áp rơi
trên RL lớn nhất ULm=VCC/2
2
Ta có : PLm=U 2Lm /2RL=V CC
/8RL
Công suất nguồn cung cấp :
2
PCC=VCCItb=VCCILm/  =V CC
/2RL 
Công suất tiêu tán trên hai BJT là :
2Ptt=PCC-PL
Để tìm cơng suất tiêu tán lơns nhất ta đạo hàm 2Ptt theo ILm và cho bằng
2
khôngILm=VCC/  RL Pttm=V CC
/4RL 
So với công suất PLm ta thấy công suất tiêu tán cực đại nhỏ hơn cômg suất tải ra 5 lần.
Hiệu suất của mạch :
n=PL/PCC=78.5%
+Mạch OTL và OCL hoạt động giống nhau OCL khơng có tụ ngõ ra và thay vào đó bằng
nguồn cung cấp đối xứng. Mạch OTL suy giảm biên độ tín hiệu tần số bé. Tuy nhiên nó khắc phục

nhược điểm mạch ghép biến áp. Mạch OCL khắc phục nhược điểm mạch OTL nhưng nhược gây ra
quá dòng chạy qua tải. Nên trong mạch OCL thường có mạch bảo vệ quá độ.
IV./ Ưu nhược điểm một số mạch Khuyếch đạicơng suất:
tùy thuộc vào cách đưa tín hiệu ra loa, người ta phân thành các loại sau đây:
1./ Mạch Khuyếch đại công suất ghép tải qua biến áp:
Mạch này có ưu điểm là cjo hiệu suất cao, nhưng hiện nay cũng ít được sử dụng, chỉ dùng
trong trường hợp yêu cầu phải cách điện một chiều hoặc yêu cầu cho hiệu suất cao trong khi nguồn
cung cấp nhỏ(vì biến áp làm cho mạch có kích thước lớn, giá thành cao gây méo phi tuyến và méo
tần số, dải thông hẹp).
2./ Mạch Khuyếch đại công suất ghép tụ ở loa(OTL):
Ưu điểm: Chỉ có một bộ nguồn cung cấp,dải thơng rộng hơn kiểu ghép biến áp, hiệu suất
cao, ít cồng kềnh, chế độ làm việc ổn định.
Nhược điểm: Bị hạn chế ở tần số thấp do ghép tụ ở đàu ra. Vì tín hiệu bé có tần số thấp thì ZC
lớn, nên tín hiệu ra bị mất mát trên tụ.
3./ Mạch Khuyếch đại công suất liên lạc thẳng (OCL):

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 14

Ưu điểm: Không gây méo ở tần số thấp do khơng có tụ.
Nhược điểm: Phải dùng hai nguồn cung cấp đối xứng và các Transistor vi sai ở tần đầu phải
có các thơng số như nhau để đảm bảo nén tín hiệu đồng pha (CMFF) lớn để kháng nhiễu tốt.

4./ Mạch Khuyếch đạicông suất Cầu (BTL):
Ưu điểm: Công suất ra lớn, chỉ dùng một nguồn cung cấp.
Nhược điểm: Dùng nhiều linh kiện, các vế của cầu phải đối xứng để đảm bảo khơng bị méo
tín hiệu. Tải khơng có đầu nào mắc vào mass hay vỏ máy.
Trong thực tế mạch khuyếch đạicơng suất OTL thường được dùng nhiều vì cho ra âm thanh
trung thực và chất lượng cao.
V./ Mạch Darlington và giả Darlington:
Mạch Darlington và giả Darlington có hệ số khuyếch đại dịng lớn, và có trở kháng vào lớn.
1./ Mạch Darlington:
Hệ số khuyếch đại dòng chung:
hfe=

I C I C1  I C 2 I C1 I C 2
=
=
+
IB
I B2 I B2
I B2
I C1
+hfe2=hfe1  (1+hfe2)+hfe2
I B1 (1  h fe 2 )
 hfe=hfe1  (1+hfe2)+hfe2  hfe1  hfe2 vậy hfe rất lớn.
 hfe=
Trở kháng vào:

hie=

Vi V BEQ1  V BEQ 2 hie 2  I B 2  hie1  I B1
=

=
Ii
I B2
I B2
Mà IB1=(1+hfe2)  IB2
hie1  (1  h fe 2 )  I B 2
hie=hie2+

I B2
hie=hie2+hie1  (1+hfe2)

Vậy mạch Darlington có hệ số khuyếch đại dịng và trở kháng vào lớn.

Vì hfe rất lớn nên khi ứng dụng với trị số dong Ie1 hữu hanl thì dịng Ib1 có thể rất bé làm cho
Q2 có thể làm việc trên đoạn đặc tuyến vào phi tuyến Ib=f(Vbe). Để khắc phục ta mắc thêm điện trở
rẽ dịng tại cực E của Q2 như hình vẽ sau:

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 15

Chọn Rb1:Rb1 phải lớn hơn rất nhiều điện trở vào xoay chiều của Q1 nhưng nhỏ hơn rất
nhiều so với điện trở vào một chiều. Khi đó RB1 rẽ được dịng nhiệt cho Q1 mà tổn thất tín hiệu xoay

chiều trên RB1 không đáng kể. RACQ1<2./ Mạch giả Darlington:

Hệ số khuyếch đại dòng chung:
hfe=

I C I E1 I C 2 (1  h fe1 )
=
=
=hfe2  (1+hfe1)
I B I B2
I B2
 hfe=hfe2  (1+hfe1)
Trở kháng vào:
hie=
Zin=

Vi VBEQ 2
=
=hie2 n ếu mắc tải vào cực E của tổ hợp thì:
Ii
I B2

VBE  VRL VBEQ 2 ( I C 2  I B 2 )  RL
I

=
+
=hie2+RL   C 2 1 =hie2+RL  (1+hfe2)



I B2
I B2
I B2
 I B2

 Zin=hie2+ RL  (1+hfe2)

VI./ Méo Crossover và phương pháp khắc phục:
1./ Méo Crossover(hình vẽ):

Từ đặc tuyến vào của Transistor Ib=f(Ube) ta thấy rằng ở đặc tuyến có một đoạn cong khi
điện áp vào Ube cịn thấp. Do đó khi Transistor làm việc ở chế độ B sẽ gây ra méo lớn. Điều này có
nghĩa là nếu như điện áp Ube của Transistor là lớn hơn điện áp biên độ của tín hiệu vào thì lúc này
Transistor chưa dẫn và bhư vậy mặc dù đã có tín hiệu nhưng lại khơng có tín hiệu ra. Cho đến khi
điện áp vào lớn hơn điện áp thơng U  lúc đó Transistor mới dãn, và mới có tín hiệu ra. Chính vì

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 16

vậy mà làm cho tín hiệu bị méo dạng khơng cịn hình sin. Điều này chứng tỏ quan hệ giữa tín hiệu
vào và ra trong khu vực gần gốc tọa độ là khơng tuyến tính. Loại méo này được gọi là méo

Crossover, trong khu vực có méo thì hệ số khuyếch đại điện áp KU=0.
Để khắc phục triệt để hơn loại méo Crossover thì ta cần phải di chuyển đặc tuyến vào của
Transistor cho:UBE01=UBE02 tương ứng với mức điện áp là UV=0.
Điều này có nghĩa là ta cần định mức phân cực cho BJT, sao cho khi có tín hiệu vào thì
Transistor dẫn ngay. Như vậy xem mức điện áp thông Ube đã được dời về gốc tọa độ (Đặc tuyến
dời vào lúc này coi như là tuyến tính và đoạn cong của đường đặc tuyến đã bị loại bỏ).
Để đạt được điều mong muốn trên ta phải đặc vào cực B của 2BJT công suất các điện áp
ban đầu thích hợp. Vậy tầng khuyếch đại đẩy kéo khơng đơn thuần làm việc ở chế độ B mà nó làm
việc theo chế độ AB. Tức là nó sẽ có một phần áp nhỏ làm cho điểm làm việc Q sẽ dịch chuyển lên
điểm Q do đó làm cho tín hiệu đầu ra ít bị méo.
Tóm lại: Ngun nhân gây méo ở đầu ra tầng công suất làm việc ở chế độ B thì điểm làm
việc Q nằm ở gốc tọa độ Q(0,0) trên đặc tuyến vào. Đặc tuyến này có vùng chết "Death Region"
tương ứng với đoạn (0,Uy), trong vùng này tín hiệu vào có biên độ 0đến một lúc nào đó Vi> U  suy ra BJT dẫn khi đó mới có tín hiệu ở đầu ra, dẫn đến méo khi tín
hiệu vào có biên độ nhỏ và biên độ ra cũng nhỏ hơn so với trường hợp V  =0 (tức trường hợp ta
dời đặc tuyến của BJT về gốc tọa độ).

2./ Các phương pháp tránh méo Crossover:

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 17

Hình bên minh họa biện pháp tránh méo Crossover bằng cách phân cực cho Q1,Q2 làm việc
ở chế độ AB trong đó ZB1B2 có thể là:
a./ Nhiệt trở với biến trở chỉnh song song:
Thường trở nhiệt Rt được mắc bên cùng tấm lót tỏa nhiệt với cặp BJT cơng suất Q1,Q2.
Bên ngoài nhiệm vụ phân cực cho Q1,Q2 hoạt động ở chế độ AB, nó cịn tác dụng ổn định dòng điện
tĩnh cho Q1, Q2 khỏi bị ảnh hưởng của nhiệt độ. Khi nhiệt độ Q1,Q2 tăng dòng ICO tăng theo, lúc đó
Rt giảm giá trị làm phân áp Vbe cho Q1,Q2 giảm xuống dẫn đến ICO giam xuống, chiết áp V2 để chỉnh
và làm tuyến tính hóa đặc tuyến của Rt=f(To)(phi tuyến).
b./ Diod với biến trở mắc nối tiếp:
Ở dịng phân cực nhất định thì điện áp trên Diod hầu như không thay đổi. Nếu Diod cùng
vật với BJT cơng suất Q1,Q2 thì khi dẫn V  của diod xấp xĩ bằng V  của Q1,Q2. Vr để chỉnh áp
pân cực cho đúng yêu cầu.
Tính chất giữ ổn định dòng nhiệt cho Q1,Q2 của Diod tương tự như R1 ở trên. Vr mắc nối
tếp với các diod do đó để điều chỉnh điểm tĩnh Q nhưng bị mất mát tín hiệu trên Vr khi dịng tín
hiệu tăng xê dịchđiểm tĩnh của Q1,Q2 vì áp Vr cũng tăng theo tín hiệu đưa ra

c./ Các Diod với biến trở mắc song song:
Do đặc tuyến Diod có đoạn cong tại Vd bé nên nội trở của Diod lớn khi điện áp đặt lên Diod
Bazo. Do đó với cách mắc Diod sng song với biến trở Vr thì khi dịng tín hiệu lớn thì nó sẽ rẽ qua
Diod , cịn lúc tín hiệu bé hầu hết sẽ đổ qua Vr
Kết quả à sụt áp trên Zb1b2 hầu như khơng đổi do đó điểm tĩnh Q không bị xê dịch. Tuy
nhiên, cách mắc này khó điều chỉnh hơn.
d./ Mạch dùng Transistor:

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add

Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Ta có: VCE=VB1B2=

Trang 18

V R  RB
 VBE (1).
RB

Trong khi làm việc Vbe được hiểu như không đổi nên theo biểu thức (1) ta suy ra Vb1b2 ổn
định. Mặc khác BJT còn giữ ổn định điểm tĩnh Q cho Q1,Q2 khi nhiệt độ thay đổi. Khi nhiệt đọ tăng
, ICO tăng, VCE giảm , Vb1b2 giảm dần làm cho ICO giảm, nghĩa là ICO ổn định. Vậy điểm tĩnh không
bị xê dịch theo nhiệt độ.
VII./Dùng nguồn dòng để tăng hệ số khuyếch đại

Điện trở tải RC3 của Q3 nối thẳng đến VCC, do đó đối với tín hiệu thì RC3 mắc song song với
trở kháng vào của Q1,(Q1 mắc Collector chung). Hệ số khuyếch đại vòng hở của Q3 là:
Av3= -

h fe
hie

 Z LQ 3  ZLQ3=RC3//ZinQ1

Để tăng hệ số khuyếch đại vịng hở tồn mạch Av=Av1.Av2…Avn.
Muốn tăng Av thì phải tăng AV3 mà
ZinQ1=

Vin V BEQ1
VE
=

=hie1+R L  (1+hfe1)
I in I BQ1 I E (1  h fe1 )
 ZinQ1  RL  (1+hfe1)

Vì hfe1 rất lớn do mắc Darlington bên trong Q1 ZLQ3=RC3//ZINQ1  RC3 ở đây nguồn VCC
không được q lớn do đó tải Q3 cũng khơng thể lớn được, nếu lớn thì Q3 khơng thể hoạt động
trong vùng tuyến tính được. Cho dù mắc Darlington có tăng trở kháng bao nhiêu đi nữa mà hệ số
khuyếch đại của tầng lái quyết định hệ số khuyếch đại của tồn machj nhưng ZLQ4  RC3 khơng lớn.
Do vậy để tăng hệ số khuyếch đại cho Q3 ta dùng nguồn dòng để tăng điện trở cho tầng lái.
Dùng nguồn dòng lợi dụng điện trở động rất lớn của nguồn dòng. Nói cách khác ta thiết kế để cho
tải của tầng lái Q3 là tải tích cực cho nguồn dịng tạo ra.
Điện trở xoay chiều của nguồn dòng là: Rce=

VCE
  ở đây Rce rất lớn nhưng trở một
I  0

chiều nhỏ. Ta có thể thay nguồn dịng vào vị trí của RC3

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add

Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 19

Tính nội trở nguồn dịng.

Ở đây R1 là nội trở nguồn dịng. Nguồn dịng có nội trở R1 càng lớn thì càng ổn định và
càng gần với nguồn dịng lí tưởng.
Ta thấy :IC=It=

I B  R1  h fe
R1  Z t

=

h fe  I B
nếu R1>>ZL  It=hfe  IB=const.
Zt
1
R1

Nguồn dịng bằng Transistorcho ta R1 rất lớn dó chính là tín hiệu R1 dối với tín hiệu xoay
chiều.
RCEAC=

VCEQ
dVCE
>>RCEQ=
dI C
I CQ

R1 = Rce
rất lớn có thể đến hàng Mohm. Để tính R1 nguồn dịng ta có :
dle = dlc + dlb
dVbe = -dIb( R1//Rb )
kết hợp với phương trình cơ bản của tham số h ta có:

dV BE  hie  dI B  dI E R E 1
 hoe  dVCE=dIC-hfe  dIB 3



dI

h

dI

h

dV
2
C
fe
B
oe
CE

 REdIC=-dIB[(R1//RB)+hie+RE] thay vào (3)
h fe  RE



hoe  dVCE=dIC 1 


 ( R1 // R B )  hie  R E 
Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

 R1=RCEAC=

dVCE 1
=
dI C hoe

Trang 20

h fe  RE


1 

 ( R1 // R B )  hie  R E 

từ cơng thức tính R1 ta thấy muốn tăng R1 thì ta thay Rb bằng diode để Rb nhỏ đồng thời nó có
tác dụng ổn định nhiệt cho Transistor nguồn dòng.
VIII. Dùng biện pháp Bootshap để tăng hệ số khuyếch đại.

Ta có : ZtQ3=(hfe1//RC3)+(1+hfe1)(RL//RC4)
Vì hie1< ZtQ3=hie1+(1+hfe1)RL
Ta thấy ZtQ3 trong trường hợp này khá lớn.Tăng được AV3
Trong thực tế ta mắc Darlington cặp BJT công suất nên hfe1 rất lớn.

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 21

phần 2
THIếT Kế Và TíNH TOáN CHI TIếT

Yêu cầu:
Công suất
P=55W
Trở kháng vào
Z v =500K
Trở kháng loa

R L =8
Tín hiệu vào
V in =775mV
Hệ số méo
=0.25%
BW
0.04KHz 16KHz
Mạch OCL ngõ vào đơn.

Nguyn Minh Hin

Lp 00T2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 22

Tác Dụng Của Các Linh Kiện Trong Mạch

Q1 , Q2 , Q3 , Q4 là tổ hợp các BJT mắc theo kiểu Darlington dùng cho tầng khuếch đại
đẩy kéo.

R1 , R2 là điện trở ổn định nhiệt và cân bằng dòng.
R3 , R4 là điện trở rẽ dòng nhiệt tr¸nh tiÕng ï ë loa khi ch­a cã tÝn hiƯu vào.
Q6 là BJT khuếch đại thúc.
R8 là điện trở hồi tiếp âm ổn định nhiệt.
D1 , D2 , D3 , VR 2 là thành phần phân cực cho tầng công suất làm việc ở chế độ AB.

Q5 , VR1 , D4 , D5 là nguồn dòng để nâng cao trở kháng ra của tầng khuếch đại thúc
nhằm mục đích nâng hệ số khuếch đại của tầng thúc.
R9 , VR10 hồi tiếp điện áp,định hệ số khuếch đại vòng kín cho toàn mạch.

C 5 Thoát thành phần xoay chiều không cho thành phần xoay chiều hồi tiếp.
Q7 là BJT tiền khuếch đại.
C1 là tụ liên lạc ngõ vào.
R15 , C 3 mạch lọc thông thấp loại bỏ tần số cao trong nguồn cung cấp tránh hiện tượng dao
động tự kích trong mạch.
R16 ,C 4 là mạch lọc thông thấp.

R13 , R14 là cầu phân áp phân cực cho Q7 .
R11 , R12 là tải của Q7 đồng thời là cầu phân ¸p cho Q6 .
C 2 , R6 m¹ch läc ZOBEL ổn định trở kháng ở tải.
Q8 ,Q9 là BJT bảo vệ cho tầng công suất.
R17 , R18 là cầu phân áp cho Q8 .
R19 , R 20 là cầu phân ¸p cho Q9 .

Nguyễn Minh Hiển

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 23

i.Tính Toán Phần Nguồn Và Phần Công Suất.

1.Biên độ tÝn hiƯu ra loa:
TÝn hiƯu vµo V L 

I Lm 2 I L

;

Công suất tiêu tán trên tải:

2V L sin t thì tín hiệu ra có dạng I L  2 I L sin t
V Lm  2V L

PL 

VLm
2 RL

 V Lm  2 PL R L  2  55  8  30V

 I Lm 

VLm 30

3.75 A
RL
8

2.Điện áp nguồn cung cấp:
Chọn hệ số sử dông nguån   0.8

 Vcc 

VLm 30

 37.5V

0.8

Ta chän nguån cung cÊp Vcc  40V .
3.TÝnh R1 , R2 :
Để tránh méo xuyên tâm ta chọn Q1 , Q2 làm việc ở chế độ AB.Chọn dòng tĩnh:

I EQ I EQ1  I EQ 2  50mA  0.05 A
Dòng cực đại qua R1 , R2 :

I E1m I E 2m  I EQ  I Lm  0.05 3.75 3.8 A

Vì dòng tĩnh của Q1 , Q2 là khá nhỏ so với biên độ dòng xoay chiều nên ta có thể bỏ qua trong các
tính toán cần thiết.
Chọn R1 , R2 khá nhỏ để tránh tổn thất tín hiệu trên các trở này:

V R1

R
R
1
1
1 
 R1  L  0.4
V Lm 20

R L 20
20
Chän R1 R 2 =0.5
Công suất tiêu tán trên R1 , R2 :




2

R1 I Lm 0.5  3.75 2
1
2
=
=1.8W
PR1 
( I L sin t ) R1 dt =
2 0
4
4
Bá qua công suất tiêu tán một chiều trên R1 , R2 vì quá bé.
Chọn

R1 R2 =0.5 /3W.

4.Chọn Q1 , Q2 :
Dòng trung bình qua một BJT trong một chu kú: I tb 
C«ng suÊt nguån cung cÊp: Pcc  2Vcc .I tb = 2Vcc .
C«ng suÊt nguån cung cÊp cho t¶i: PL =

Nguyễn Minh Hiển


I
1
I Lm sin tdt  Lm

2 0


I Lm


1
2
RL . I Lm
2

Lớp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Trang 24

2
2
R1 I Lm

R1 I Lm
Công suất tiêu tán trên các điện trở: PR =2 PR1 =2
=
4
2

Công suất tiêu tán trªn hai BJT:
2 Ptt = Pcc - PL -2* PR = 2Vcc .

I Lm 1
R I2
2
- R L . I Lm
- 1 Lm
2
2

Lấy đạo hàm theo I Lm và cho bằng 0 ta được:

I Lm =

2Vcc
( RL R1 )

Thay vào biểu thức trên ta được công suất tiêu tán cực đại của BJT:

Vcc2
40 2
Ptt = 2
= 2

=19W
( RL  R1 )  (8  0.5)
C«ng suÊt tiêu tán một chiều trên một BJT:
Pttdc = Vcc I EQ1 =40 0.05=2W
Công suất tiêu tán cực đại trên mỗi BJT:
Pttm = Ptt + Pttdc =19+2=21W
Vậy ta chọn Q1 , Q2 thõa các điều kiện sau:

Tên
2SD718
2SB688

P(W)
80
80

FT(MHz)
12
10

T( o C )
150
150

I E > I Em >=3.8A
VCE >2 Vcc =80V
P>(2  3) Pttm
VCE(V)
120
120

IC(A)
8
8


55/160
55/160

5.Chän R3 , R4 :
Dßng tÜnh cùc B cđa Q1 : I BQ1 =

I EQ1
1   min

=

50
=0.89mA
56

 V BEQ1 =0.6V
Dòng đỉnh cực B của Q1 : I BmQ1

=

I E1 m
3.8
=
=68.7mA

1   min 56

 V BEm =1V
Trë kh¸ng xoay chiều giữa B và A:

Z BAac =

V BAm V BAQ
I Bm  I BQ1

=

V BEm  V Rm  (V BEQ1  V RQ ) 1  3.8  0.05  (0.6  0.5  0.05)
=
=33 
I Bm  I BQ1
(67.8  0.89)  10 3

Trë kh¸ng mét chiều giữa B và A:

Nguyn Minh Hin

Lp 00T2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add


Đồ án môn học - Kỷ thuật mạch điện tử 1

Z BAdc =

V BAQ
I BQ1

=

V BEQ  V RQ
I BQ1

=

Trang 25

0.6 0.5 0.05
=702
0.89 10 3

Các điện trở rẽ dòng nhiệt R3 , R4 phải chọn sao cho :
Gi¶m tỉn thÊt tÝn hiƯu Z BAac <RÏ dßng nhiƯt Z BAdc >> R 3
Chän R3  R4 =270 
6.Chän Q3 ,Q4 :
Dßng tÜnh qua R 3 :

I R 3Q =

V BAQ
R3

=

0.6  0.5  0.05
=2.3mA
270

 V BEQ3 =0.6V

Dßng tÜnh cđa Q3 :

VBAm 01  0.5  0.8
=
=10.7mA
270
R3
I EQ 3 = I R 3Q + I BQ1 =2.3+0.89=3.19mA

Dßng cực đại của Q3 :

I E 3m = I BmQ1 + I R 3m =67.8+10.7=78.5mA

Dòng cực đại qua R 3 :

I R 3m =

Trở kháng xoay chiều giữa B và A sau khi mắc thêm điện trở R 3 :
,
Z BAac
=

Z BAac  R3 33  270

=
=29.5 
Z BAac  R3 33  270

,
T¶i xoay chiỊu Q3 : Z tQ3 = Z BAac
+( h fe1 +1) R L =29.5+(55+1)8=477.5 

C«ng suất tiêu tán xoay chiều cực đại của Q3 :

Vcc2
40 2
PttacQ3 = 2
=
=340mW
 Z tQ3 3.14 2  477.5
C«ng suÊt tiêu tán một chiều của Q3 :

PttdcQ3 = VCEQ3 I EQ3 = VCC  I EQ3 = 40  3.19 =127.6mW
Công suất tiêu tán cực đại của Q3 :

PttQ3 = PttacQ3 + PttdcQ3 =340+127.6=467.6mW

I E > I E 3m =78.5mA
VCE >2 Vcc =80V
P>(2  3) PttQ3

VËy chän Q3 ,Q4 thõa các điều kiện sau:

Tên

2SD608
2SB628

P(W)
20
20

Nguyn Minh Hin

FT(MHz)
45
45

T( o C )
150
150

VCE
160
160

IC(A)
1.5
1.5


80
80

Lp 00ĐT2

LUAN VAN CHAT LUONG download : add