Công nghệ linh kiện bán dẫn và vi điện tử
Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (2.48 MB, 27 trang )
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
1
1
CÔNG NGH
CÔNG NGH
LINH KI
LINH KI
N B
N B
Á
Á
N D
N D
N
N
v
v
à
à
VI I
VI I
N T
N T
Lê Tu
Lê Tu
n
n
2
2
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
M
M
đ
đ
u
u
Công nghi
Công nghi
p b
p b
á
á
n d
n d
n v
n v
i c
i c
á
á
c
c
ng d
ng d
ng m
ng m
i nh
i nh
t
t
̈ Computers, palm pilots, laptops, Silicon (Si) MOSFETs, ICs, CMOS
và m
i th “thông minh”
̈ Cell phones, pagers Si ICs, GaAs FETs, BJTs
̈ CD players AlGaAs và InGaP laser diodes, Si photodiodes
̈ iu khin t xa TV, terminal lu đng Light emitting diodes (LED)
̈ Thit b thu truyn hình v tinh InGaAs MMICs
̈ Mng cáp quang InGaAsP laser diodes, pin photodiodes
̈ èn hiu giao thông, đèn báo r và đèn kích thc ô tô
GaN LEDs (green, blue), InGaAsP LEDs (red, amber)
̈ Túi không khí bo v trong ô tô Si MEMs, Si Ics
•
•
Hi
Hi
n nay, c
n nay, c
á
á
c LED v
c LED v
à
à
laser b
laser b
á
á
n d
n d
n m
n m
i trên
i trên
c s
c s
v
v
t li
t li
u Nitride
u Nitride
đang đ
đang đ
c đ
c đ
y m
y m
nh
nh
nghiên c
nghiên c
u ho
u ho
à
à
n thi
n thi
n.
n.
•
•
C
C
á
á
c VLSI, ULSI IC
c VLSI, ULSI IC
m
m
i trên c s
i trên c s
c
c
á
á
c linh
c linh
ki
ki
n v
n v
i c
i c
á
á
c nguyên t
c nguyên t
c
c
ho
ho
t đ
t đ
ng m
ng m
i (v
i (v
í
í
d
d
,
,
HMT) s
HMT) s
đ
đ
c đa v
c đa v
à
à
o
o
ng d
ng d
ng trong tng lai
ng trong tng lai
r
r
t g
t g
n.
n.
3
3
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
Ngu
Ngu
n g
n g
c l
c l
ch s
ch s
c
c
a công nghi
a công nghi
p đi
p đi
n t
n t
è
è
n chân không ba c
n chân không ba c
c (Triode) d
c (Triode) d
ù
ù
ng khu
ng khu
ch đ
ch đ
i t
i t
í
í
n hi
n hi
u
u
đi
đi
n đ
n đ
c Lee De Forest ph
c Lee De Forest ph
á
á
t minh nm
t minh nm
1906. Chân không
1906. Chân không
c
c
n thi
n thi
t đ
t đ
gi
gi
cho c
cho c
á
á
c th
c th
à
à
nh ph
nh ph
n c
n c
a đ
a đ
è
è
n không b
n không b
ch
ch
á
á
y
y
(ô xy h
(ô xy h
ó
ó
a) v
a) v
à
à
đ
đ
c
c
á
á
c đi
c đi
n t
n t
d
d
d
d
à
à
ng di chuy
ng di chuy
n hn gi
n hn gi
a c
a c
á
á
c
c
đi
đi
n c
n c
c.
c.
4
4
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
Ngu
Ngu
n g
n g
c l
c l
ch s
ch s
c
c
a công nghi
a công nghi
p đi
p đi
n t
n t
(ti
(ti
p)
p)
è
è
n chân không đ
n chân không đ
c d
c d
ù
ù
ng đ
ng đ
ch
ch
t
t
o chi
o chi
c m
c m
á
á
y t
y t
í
í
nh đi
nh đi
n t
n t
đ
đ
u tiên c
u tiên c
ó
ó
tên ENIAC
tên ENIAC
(Electronic Numeric Integrator and Calculator) t
(Electronic Numeric Integrator and Calculator) t
i University of Pennsylvania trong
i University of Pennsylvania trong
th
th
i k
i k
Th
Th
chi
chi
n
n
.
.
(
(
è
è
n chân không c
n chân không c
ó
ó
k
k
í
í
ch th
ch th
c l
c l
n,
n,
đ
đ
tin c
tin c
y th
y th
p, tiêu th
p, tiêu th
nhi
nhi
u đi
u đi
n nng
n nng
. Ngo
. Ngo
à
à
i ra, tu
i ra, tu
i th
i th
c
c
a đ
a đ
è
è
n chân
n chân
không không cao, do c
không không cao, do c
ó
ó
c
c
á
á
c th
c th
à
à
nh ph
nh ph
n s
n s
b
b
đ
đ
t d
t d
n cho t
n cho t
i h
i h
t
t
-
-
l
l
p v
p v
cathode cho h
cathode cho h
s
s
ph
ph
á
á
t x
t x
đi
đi
n t
n t
t
t
t.
t.
Hi
Hi
n nhiên,
n nhiên,
đ
đ
è
è
n chân không còn r
n chân không còn r
t xa m
t xa m
c tiêu t
c tiêu t
ì
ì
m ki
m ki
m công ngh
m công ngh
t
t
i u nh
i u nh
m ch
m ch
t
t
o c
o c
á
á
c thi
c thi
t b
t b
đi
đi
n t
n t
nh
nh
g
g
n v
n v
à
à
c
c
ó
ó
đ
đ
tin c
tin c
y cao.)
y cao.)
Transistor ch
Transistor ch
t r
t r
n đ
n đ
c William Shockley, John Bardeen, v
c William Shockley, John Bardeen, v
à
à
Walter Brattain ph
Walter Brattain ph
á
á
t
t
minh t
minh t
i Bell Telephone Laboratories ng
i Bell Telephone Laboratories ng
à
à
y 16/12/1947. Sau n
y 16/12/1947. Sau n
à
à
y,
y,
nm
nm
1956, ba nh
1956, ba nh
à
à
khoa h
khoa h
c trên đ
c trên đ
c nh
c nh
n gi
n gi
i Nobel v
i Nobel v
V
V
t lý nh
t lý nh
ph
ph
á
á
t minh trên.
t minh trên.
Transistor planar
Transistor planar
thng m
thng m
i đ
i đ
u tiên
đ
u tiên đ
c ch
c ch
t
t
o b
o b
i hãng Fairchild Semiconductor t
i hãng Fairchild Semiconductor t
i Palo Alto,
i Palo Alto,
California, v
California, v
à
à
o nm
o nm
1957.
1957.
5
5
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
T
T
h
h
p th
p th
à
à
nh m
nh m
ch đi
ch đi
n t
n t
M
M
ch t
ch t
h
h
p (Integrated Circuit
p (Integrated Circuit
-
-
IC) l
IC) l
à
à
s
s
t
t
h
h
p c
p c
a nhi
a nhi
u th
u th
à
à
nh
nh
ph
ph
n đi
n đi
n trên c
n trên c
ù
ù
ng m
ng m
t phi
t phi
n đ
n đ
Silic. IC c
Silic. IC c
ù
ù
ng đ
ng đ
c ph
c ph
á
á
t minh m
t minh m
t
t
c
c
á
á
ch đ
ch đ
c l
c l
p b
p b
i c
i c
Robert Noyce v
Robert Noyce v
à
à
Jack Kilby v
Jack Kilby v
à
à
o nm
o nm
1959.
1959.
C
C
ó
ó
nhi
nhi
u lo
u lo
i linh ki
i linh ki
n b
n b
á
á
n d
n d
n
n
–
–
đ
đ
u tiên l
u tiên l
à
à
transistor
transistor
, d
, d
iode,
iode,
đi
đi
n
n
tr
tr
v
v
à
à
t
t
đi
đi
n,,
n,,
sau đ
sau đ
ó
ó
còn c
còn c
ó
ó
cu
cu
n c
n c
m, c
m, c
á
á
c linh ki
c linh ki
n quang đi
n quang đi
n t
n t
v
v
à
à
vi c
vi c
(MEMS) trên b
(MEMS) trên b
m
m
t Silic c
t Silic c
a c
a c
ù
ù
ng m
ng m
t IC. C
t IC. C
á
á
c linh ki
c linh ki
n đ
n đ
ó
ó
đ
đ
c n
c n
i v
i v
i nhau theo c
i nhau theo c
á
á
c s đ
c s đ
nguyên lý nh
nguyên lý nh
t đ
t đ
nh v
nh v
à
à
x
x
á
á
c đ
c đ
nh
nh
c
c
á
á
c ch
c ch
c nng
c nng
, c
, c
ng nh phng c
ng nh phng c
á
á
ch ho
ch ho
t đ
t đ
ng c
ng c
a t
a t
ng chip.
Mch t hp (IC) đc
sn xut nm 1960
(hình trái) và đu
nhng nm 1990 (hình
bên phi)
ng chip.
6
6
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
T
T
h
h
p th
p th
à
à
nh m
nh m
ch đi
ch đi
n t
n t
(ti
(ti
p)
p)
M
M
c đ
c đ
t
t
h
h
p
p
Th
Th
i k
i k
ph
ph
á
á
t tri
t tri
n c
n c
a
a
công nghi
công nghi
p b
p b
á
á
n d
n d
n
n
S
S
linh ki
linh ki
n trên
n trên
m
m
t Chip
t Chip
Linh ki
Linh ki
n r
n r
i r
i r
c
c
Tr
Tr
c 1960
c 1960
1
1
Small scale integration (SSI)
Small scale integration (SSI)
u nh
u nh
ng nm
ng nm
1960
1960
2 t
2 t
i 50
i 50
Medium scale integration (MSI)
Medium scale integration (MSI)
1960s t
1960s t
i đ
i đ
u 1970s
u 1970s
50 t
50 t
i 5000
i 5000
Large scale integration (LSI)
Large scale integration (LSI)
u 1970s t
u 1970s t
i cu
i cu
i 1970s
i 1970s
5000 t
5000 t
i 10000
i 10000
Very large scale integration (VLSI)
Very large scale integration (VLSI)
Cu
Cu
i 1970s t
i 1970s t
i cu
i cu
i 1980s
i 1980s
10
10
5
5
t
t
i 10
i 10
6
6
Ultra large scale integration (ULSI)
Ultra large scale integration (ULSI)
Nh
Nh
ng nm
ng nm
1990 t
1990 t
i hi
i hi
n nay
n nay
>10
>10
6
6
7
7
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
Phân lo
Phân lo
i c
i c
á
á
c m
c m
ch vi đi
ch vi đi
n t
n t
s
s
8
8
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
C
C
á
á
c xu h
c xu h
ng công ngh
ng công ngh
b
b
á
á
n d
n d
n
n
Tng c
Tng c
ng hi
ng hi
u nng trong ph
u nng trong ph
m vi chip
m vi chip
Thông s
Thông s
chung đ
chung đ
á
á
nh gi
nh gi
á
á
hi
hi
u nng c
u nng c
a chip (t
a chip (t
c IC) l
c IC) l
à
à
t
t
c đ
c đ
x
x
lý.
lý.
T
T
c đ
c đ
c
c
a ch
a ch
í
í
p s
p s
đ
đ
c c
c c
i thi
i thi
n n
n n
u c
u c
á
á
c linh ki
c linh ki
n đ
n đ
c ch
c ch
t
t
o
o
v
v
i k
i k
í
í
ch th
ch th
c nh
c nh
hn v
hn v
à
à
đ
đ
c s
c s
p x
p x
p g
p g
n nhau hn trên chip v
n nhau hn trên chip v
ì
ì
t
t
í
í
n hi
n hi
u đi
u đi
n s
n s
lan truy
lan truy
n trên c
n trên c
á
á
c quãng đ
c quãng đ
ng ng
ng ng
n hn
n hn
. M
. M
t s
t s
bi
bi
n ph
n ph
á
á
p tng t
p tng t
c đ
c đ
c
c
a chip kh
a chip kh
á
á
c l
c l
à
à
s
s
d
d
ng c
ng c
á
á
c v
c v
t li
t li
u c
u c
ó
ó
kh
kh
nng c
nng c
i thi
i thi
n vi
n vi
c truy
c truy
n t
n t
í
í
n hi
n hi
u đi
u đi
n qua linh ki
n qua linh ki
n v
n v
à
à
c
c
á
á
c t
c t
ch
ch
c
c
m
m
ch đi
ch đi
n trên b
n trên b
m
m
t chip.
t chip.
9
9
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
C
C
á
á
c xu h
c xu h
ng công ngh
ng công ngh
b
b
á
á
n d
n d
n
n
(ti
(ti
p)
p)
Ü
Ü
K
K
í
í
ch th
ch th
c t
c t
i h
i h
n (Critical dimension
n (Critical dimension
-
-
CD)
CD)
K
K
í
í
ch th
ch th
c v
c v
t lý c
t lý c
a m
a m
t ph
t ph
n t
n t
trên chip đ
trên chip đ
c g
c g
i l
i l
à
à
k
k
í
í
ch th
ch th
c đ
c đ
c trng
c trng
(feature size). K
(feature size). K
í
í
ch th
ch th
c đ
c đ
c trng nh
c trng nh
nh
nh
t trên phi
t trên phi
n đ
n
đ
c g
c g
i l
i l
à
à
k
k
í
í
ch th
ch th
c t
c t
i
i
h
h
n (CD).
n (CD).
10
10
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
C
C
á
á
c xu h
c xu h
ng công ngh
ng công ngh
b
b
á
á
n d
n d
n
n
(ti
(ti
p)
p)
Ü
Ü
S
S
linh ki
linh ki
n trên chip
n trên chip
nh lu
nh lu
t
t
Moore
Moore
: S
: S
transistor trên m
transistor trên m
t ch
t ch
í
í
p s
p s
tng g
tng g
p đôi c
p đôi c
sau kho
sau kho
ng 1,
ng 1,
5
5
-
-
2
2
nm
nm
, k
, k
í
í
ch th
ch th
c chip m
c chip m
i nm tng lên
i nm tng lên
16 %.
16 %.
11
11
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
C
C
á
á
c xu h
c xu h
ng công ngh
ng công ngh
b
b
á
á
n d
n d
n
n
(ti
(ti
p)
p)
Tng đ
Tng đ
tin c
tin c
y c
y c
a chip
a chip
Gi
Gi
m gi
m gi
á
á
th
th
à
à
nh chip
nh chip
12
12
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
C
C
á
á
c xu h
c xu h
ng công ngh
ng công ngh
b
b
á
á
n d
n d
n
n
(ti
(ti
p)
p)
13
13
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
Quy tr
Quy tr
ì
ì
nh chung ch
nh chung ch
t
t
o IC
o IC
Chu
Chu
n b
n b
phi
phi
n b
n b
á
á
n d
n d
n
n
Nuôi tinh th
Nuôi tinh th
C
C
t g
t g
t c
t c
á
á
c g
c g
ó
ó
c c
c c
nh phi
nh phi
n
n
T
T
o th
o th
i đn tinh th
i đn tinh th
T
T
á
á
ch v
ch v
à
à
m
m
à
à
i phi
i phi
n
n
S
S
a đ
a đ
u đ
u đ
ng k
ng k
í
í
nh T
nh T
m th
m th
c phi
c phi
n
n
C
C
t b
t b
ng đ
ng đ
u th
u th
i
i
á
á
nh b
nh b
ó
ó
ng
ng
C
C
t th
t th
i th
i th
à
à
nh c
nh c
á
á
c phi
c phi
n Ki
n Ki
m tra phi
m tra phi
n
n
14
14
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
Quy tr
Quy tr
ì
ì
nh chung ch
nh chung ch
t
t
o IC
o IC
(ti
(ti
p)
p)
T
T
o phi
o phi
n (th
n (th
c hi
c hi
n c
n c
á
á
c b
c b
c
c
công ngh
công ngh
t
t
o c
o c
á
á
c chip trên
c chip trên
phi
phi
n)
n)
Ki
Ki
m tra/phân lo
m tra/phân lo
i c
i c
á
á
c phi
c phi
n
n
T
T
p h
p h
p v
p v
à
à
đ
đ
ó
ó
ng g
ng g
ó
ó
i c
i c
á
á
c chip
c chip
Ki
Ki
m tra l
m tra l
n cu
n cu
i
i
15
15
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
S
S
n xu
n xu
t tinh th
t tinh th
v
v
à
à
phi
phi
n Si
n Si
Si b
Si b
á
á
n d
n d
n
n
–
–
B
B
c t
c t
o ra Si đa tinh th
o ra Si đa tinh th
B
B
c
c
Ph
Ph
n
n
ng h
ng h
ó
ó
a h
a h
c
c
Mô t
Mô t
qu
qu
á
á
tr
tr
ì
ì
nh
nh
1
1
SiC(s)+SiO
SiC(s)+SiO
2
2
(s)
(s)
Si(l)+SiO
Si(l)+SiO
2
2
(g)+CO(g)
(g)+CO(g)
i
i
u ch
u ch
Si đ
Si đ
s
s
ch luy
ch luy
n kim
n kim
(metallurgical
(metallurgical
-
-
grade silicon
grade silicon
-
-
MGS)
MGS)
b
b
ng c
ng c
á
á
ch nung Silica v
ch nung Silica v
i Carbon.
i Carbon.
L
L
à
à
m s
m s
ch MGS nh
ch MGS nh
ph
ph
n
n
ng h
ng h
ó
ó
a
a
h
h
c v
c v
à
à
t
t
o ra Trichlorosilane(
o ra Trichlorosilane(
SiHCl
SiHCl
3
3
)
)
S
S
d
d
ng
ng
công ngh
công ngh
Siemens
Siemens
, SiHCl
, SiHCl
3
3
v
v
à
à
H
H
2
2
tham gia ph
tham gia ph
n
n
ng t
ng t
o Si đ
o Si đ
s
s
ch b
ch b
á
á
n d
n d
n (semiconductor
n (semiconductor
-
-
grade
grade
silicon
silicon
-
-
SGS)
SGS)
2
2
Si(s)+3HCl(g)
Si(s)+3HCl(g)
SiHCl
SiHCl
3
3
(g)+H
(g)+H
2
2
(g)+nhi
(g)+nhi
t
t
3
3
2SiHCl
2SiHCl
3
3
(g)+2H
(g)+2H
2
2
(g)
(g)
2
2
Si
Si
(s)+6HCl(g)
(s)+6HCl(g)
poly
poly
-
-
Si
Si
16
16
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
S
S
n xu
n xu
t tinh th
t tinh th
v
v
à
à
phi
phi
n Si
n Si
(ti
(ti
p)
p)
Nuôi đn tinh th
Nuôi đn tinh th
Si
Si
Sau khi c
Sau khi c
ó
ó
Si đa tinh th
Si đa tinh th
t
t
công ngh
công ngh
Siemens
Siemens
, S
, S
i đ
i đ
c nuôi th
c nuôi th
à
à
nh th
nh th
i đn
i đn
tinh th
tinh th
(ingot) t
(ingot) t
Si pha l
Si pha l
ng
ng
g
g
n 1417
n 1417
º
º
C
C
. H
. H
ai phng ph
ai phng ph
á
á
p thông d
p thông d
ng
ng
nh
nh
t
đ
t đ
t
t
o Si đn tinh th
o Si đn tinh th
l
l
à
à
Czochralski (CZ)
Czochralski (CZ)
v
v
à
à
k
k
é
é
o v
o v
ù
ù
ng (
ng (
float
float
-
-
zone
zone
).
).
Mm đn tinh th
Thi đn tinh th
ng thch anh
Bung làm lnh bng nc
Màn chn nhit
Lò nung Carbon
Mâm đ graphit
Trc đ
Khay quay
in cc lò nung
Thi đn tinh thng thch anh
Thi đa tinh th
Khí tr
Tinh th nóng chy
Lò
cao
tn
17
17
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
S
S
n xu
n xu
t tinh th
t tinh th
v
v
à
à
phi
phi
n Si
n Si
(ti
(ti
p)
p)
M
M
à
à
i v
i v
à
à
đ
đ
á
á
nh b
nh b
ó
ó
ng phi
ng phi
n
n
M
M
c đ
c đ
í
í
ch
ch
: T
: T
o đ
o đ
ph
ph
ng c
ng c
n thi
n thi
t v
t v
à
à
lo
lo
i b
i b
l
l
p c
p c
ó
ó
nhi
nhi
u sai h
u sai h
ng sau công
ng sau công
đo
đo
n ca c
n ca c
t phi
t phi
n t
n t
th
th
i đn tinh th
i đn tinh th
Si.
Si.
Phng ph
Ph
ng ph
á
á
p
p
:
:
-
-
C h
C h
c: b
c: b
t m
t m
à
à
i (slurry):
i (slurry):
SiO
SiO
2
2
d
d
ng
ng
h
h
t, k
t, k
í
í
ch th
ch th
c 900
c 900
Å
Å
-
-
100
100
Å
Å
, k
, k
è
è
m trong
m trong
NaOH
NaOH
-
-
H
H
ó
ó
a h
a h
c:
c:
th
th
ng t
ng t
o đ
o đ
ph
ph
ng cu
ng cu
i
i
c
c
ù
ù
ng cho phi
ng cho phi
n (HF loãng)
n (HF loãng)
Mâm
Phin
Bt mài
Nhit
đ
iu
nhit
mâm
18
18
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
S
S
n xu
n xu
t tinh th
t tinh th
v
v
à
à
phi
phi
n Si
n Si
(ti
(ti
p)
p)
Quy tr
Quy tr
ì
ì
nh l
nh l
à
à
m s
m s
ch chu
ch chu
n phi
n phi
n Si
n Si
̈
̈
R
R
a trong n
a trong n
c ô xy gi
c ô xy gi
à
à
v
v
à
à
H
H
2
2
SO
SO
2
2
nhi
nhi
t đ
t đ
120
120
–
–
150
150
º
º
C trong
C trong
10 ph
10 ph
ú
ú
t.
t.
M
M
c đ
c đ
í
í
ch
ch
: T
: T
y s
y s
ch c
ch c
á
á
c ch
c ch
t h
t h
u c
u c
, nh
, nh
t l
t l
à
à
c
c
á
á
c ch
c ch
t c
t c
m
m
quang, b
quang, b
á
á
m d
m d
í
í
nh trên b
nh trên b
m
m
t phi
t phi
n.
n.
̈
̈
T
T
y l
y l
p Si0
p Si0
2
2
b
b
m
m
t b
t b
ng dung d
ng dung d
ch HF
ch HF
nhi
nhi
t đ
t đ
phòng, th
phòng, th
i gian
i gian
1 ph
1 ph
ú
ú
t.
t.
̈
̈
R
R
a trong n
a trong n
c kh
c kh
ion,
ion, vi đin tr sut không di 18 MOhm.cm
25 ºC. Sy khô li tâm.
̈ Loi b các ht bi, vt, kim loi, cht hu c bám dính trên b
mt phin trong dung dch NH
4
OH, nc ô xy già. Ch
đ
: nhit đ
80 – 90 ºC, thi gian 10 phút.
̈
̈
R
R
a trong n
a trong n
c kh
c kh
ion,
ion, vi đin tr sut không di 18 MOhm.cm
25 ºC. Sy khô li tâm.
̈ Loi b các ion kim và kim loi khác bng tm thc trong dung
dch HCL-nc ô xy già nhit đ 80 – 90 ºC, trong thi gian 10
phút.
̈
̈
R
R
a trong n
a trong n
c kh
c kh
ion,
ion, vi đin tr sut không di 18 MOhm.cm
25 ºC. Sy khô li tâm.
19
19
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
V
V
t li
t li
u d
u d
ù
ù
ng trong công ngh
ng trong công ngh
s
s
n
n
xu
xu
t linh ki
t linh ki
n v
n v
à
à
m
m
ch t
ch t
h
h
p
p
B
B
á
á
n d
n d
n (Si)
n (Si)
̈
̈
L
L
à
à
nguyên t
nguyên t
h
h
t s
t s
c ph
c ph
bi
bi
n, c
n, c
ó
ó
tr
tr
l
l
ng đ
ng đ
ng h
ng h
à
à
ng th
ng th
hai trên
hai trên
Tr
Tr
á
á
i
i
t
t
̈
̈
C
C
ó
ó
nhi
nhi
t đ
t đ
n
n
ó
ó
ng ch
ng ch
y cao (1412
y cao (1412
º
º
C), th
C), th
í
í
ch h
ch h
p cho ph
p cho ph
r
r
ng c
ng c
á
á
c h
c h
ì
ì
nh
nh
th
th
c x
c x
lý
lý
̈
̈
C
C
ó
ó
kho
kho
ng nhi
ng nhi
t đ
t đ
ho
ho
t đ
t đ
ng c
ng c
a linh ki
a linh ki
n kh
n kh
á
á
r
r
ng rãi
ng rãi
̈
̈
C
C
ó
ó
l
l
p ô xit Silic t
p ô xit Silic t
nhiên (SiO
nhiên (SiO
2
2
) l
) l
à
à
lo
lo
i v
i v
t li
t li
u c
u c
á
á
ch đi
ch đi
n ch
n ch
t l
t l
ng
ng
cao, b
cao, b
o v
o v
phi
phi
n Silic kh
n Silic kh
i s
i s
nhi
nhi
m b
m b
n t
n t
bên ngo
bên ngo
à
à
i.
i.
20
20
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
V
V
t li
t li
u
u
…
…
(ti
(ti
p)
p)
Si : Chi
Si : Chi
m 85 % s
m 85 % s
phi
phi
n b
n b
á
á
n d
n d
n đ
n đ
c s
c s
n xu
n xu
t hi
t hi
n nay
n nay
Nguyên t
Nguyên t
Si M
Si M
ng tinh th
ng tinh th
Si n
Si n
-
-
Si (t
Si (t
p ch
p ch
t P, As, Sb) p
t P, As, Sb) p
-
-
Si (t
Si (t
p ch
p ch
t B, Al, Ga)
t B, Al, Ga)
C
C
á
á
c m
c m
t v
t v
à
à
h
h
ng tinh th
ng tinh th
Tinh th
Tinh th
Si (100)
Si (100)
(110) (111)
(110) (111)
21
21
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
C
C
á
á
c lo
c lo
i t
i t
p ch
p ch
t đ
t đ
c d
c d
ù
ù
ng cho Si
ng cho Si
T
T
p acceptor
p acceptor
B
B
á
á
n d
n d
n
n
T
T
p donor
p donor
Nh
Nh
ó
ó
m
m
A
A
(lo
(lo
i p)
i p)
Nh
Nh
ó
ó
m
m
A
A
Nh
Nh
ó
ó
m
m
A
A
(lo
(lo
i n)
i n)
Boron 5
Boron 5
(B)
(B)
Carbon 6 (C)
Carbon 6 (C)
Nitrogen 7 (N)
Nitrogen 7 (N)
Aluminum 13 (Al)
Aluminum 13 (Al)
Silicon 14
Silicon 14
(Si)
(Si)
Phosphorus 15
Phosphorus 15
(P)
(P)
Gallium 31 (Ga)
Gallium 31 (Ga)
Germanium 32 (Ge)
Germanium 32 (Ge)
Arsenic 33
Arsenic 33
(As)
(As)
Indium 49 (In)
Indium 49 (In)
Tin 50 (Sn)
Tin 50 (Sn)
Antimonv 51
Antimonv 51
(Sb)
(Sb)
22
22
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
C
C
á
á
c lo
c lo
i t
i t
p ch
p ch
t đ
t đ
c d
c d
ù
ù
ng cho Si
ng cho Si
(ti
(ti
p)
p)
Ion kim
Mc tp cht sâu trong Si
Acceptor nông
Donor nông
Bán dn
đn cht
Khí tr
Chu k
23
23
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
V
V
t li
t li
u
u
…
…
(ti
(ti
p)
p)
n: nng đ electron (cm
-3
) iu kin trung hòa đin tích: N
D
+ p = N
A
+ n
p : nng đ l trng (cm
-3
) nh lut tác dng khi lng trng thái cân bng nhit: np = n
i
2
N
D
: nng đ donor (cm
-3
) N
ng đ ht ti đin ph thuc vào (N
D
–N
A
)
N
A
: nng đ acceptor (cm
-3
)
linh đ
linh đ
ng c
ng c
a h
a h
t t
t t
i đi
i đi
n: (V
n: (V
n t
n t
c)
c)
v
v
= (
= (
linh đ
linh đ
ng)
ng)
µ
µ
x
x
(
(
C
C
ng đ
ng đ
đi
đi
n tr
n tr
ng)
ng)
E
E
linh đ
linh đ
ng ph
ng ph
thu
thu
c v
c v
à
à
o
o (N
D
+ N
A
) in tr sut
24
24
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
V
V
t li
t li
u
u
…
…
(ti
(ti
p)
p)
V
V
t li
t li
u d
u d
n đi
n đi
n
n
Nhôm (Al) ho
Nhôm (Al) ho
c đ
c đ
ng (C
ng (C
u)
u)
đ
đ
c d
c d
ù
ù
ng l
ng l
à
à
m c
m c
á
á
c dây d
c dây d
n n
n n
i gi
i gi
a c
a c
á
á
c
c
linh ki
linh ki
n v
n v
à
à
Volfram
Volfram
(W)
(W)
th
th
ng đ
ng đ
c d
c d
ù
ù
ng nh
v
ng nh v
t li
t li
u đ
u đ
t
t
o c
o c
á
á
c
c
ti
ti
p x
p x
ú
ú
c gi
c gi
a c
a c
á
á
c l
c l
p kim lo
p kim lo
i. Trong th
i. Trong th
i gian g
i gian g
n đây Cu đ
n đây Cu đ
c
c
d
d
ù
ù
ng thay Al l
ng thay Al l
à
à
m v
m v
t li
t li
u ch
u ch
y
y
u t
u t
o đ
o đ
ng d
ng d
n do c
n do c
ó
ó
t
t
í
í
nh d
nh d
n đi
n đi
n
n
t
t
t hn
t hn
.
.
25
25
1/7/2006
1/7/2006
i h
i h
c B
c B
á
á
ch khoa H
ch khoa H
à
à
N
N
i
i
V
V
t li
t li
u
u
…
…
(ti
(ti
p)
p)
Ch
Ch
t c
t c
á
á
ch đi
ch đi
n
n
(
(
đi
đi
n môi)
n môi)
i
i
n môi v
n môi v
a đ
a đ
c d
c d
ù
ù
ng l
ng l
à
à
m ch
m ch
t c
t c
á
á
ch đi
ch đi
n, v
n, v
a c
a c
ó
ó
vai trò b
vai trò b
o
o
v
v
c
c
á
á
c ph
c ph
n t
n t
kh
kh
á
á
c trong m
c trong m
ch t
ch t
h
h
p kh
p kh
i c
i c
á
á
c t
c t
á
á
c đ
c đ
ng v
ng v
t lý v
t lý v
à
à
h
h
ó
ó
a h
a h
c.
c.
Vi
Vi
c pha t
c pha t
p đ
p đ
thay đ
thay đ
i đ
i đ
d
d
n đi
n đi
n c
n c
a m
a m
t đi
t đi
n môi l
n môi l
à
à
m
m
t
t
trong nh
trong nh
ng n
ng n
i dung quan tr
i dung quan tr
ng b
ng b
c nh
c nh
t c
t c
a công ngh
a công ngh
b
b
á
á
n d
n d
n.
n.
Ü
Ü
H
H
ng s
ng s
đi
đi
n môi
n môi
k
k
đ
đ
c x
c x
á
á
c đ
c đ
nh b
nh b
ng công th
ng công th
c:
c:
C=
C=
k
k
A/s
A/s
v
v
i C :
i C :
đi
đi
n dung (Farad), A : di
n dung (Farad), A : di
n t
n t
í
í
ch l
ch l
p (cm
p (cm
2
2
), s : kho
), s : kho
ng
ng
c
c
á
á
ch gi
ch gi
a c
a c
á
á
c l
c l
p (cm)
p (cm)
C
C
á
á
c lo
c lo
i đi
i đi
n môi th
n môi th
ng đ
ng đ
c s
c s
d
d
ng l
ng l
à
à
SiO
SiO
2
2
,
,
Si
Si
3
3
N
N
4
4
, v.v
, v.v
…
…
