VẤN ĐỀ GIAO THOA ĐIỆN TỪ TRONG CABLES VÀ CONNECTOR

GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
ĐỀ TÀI TIỂU LUẬN
“VẤN ĐỀ GIAO THOA ĐIỆN TỪ TRONG
CABLES VÀ CONNECTOR”
GVHD : PGS.TS Tăng Tấn Chiến
Học viên : Phạm Hữu Phương
Lớp : K25 KĐT.ĐN
HVTH: Phạm Hữu Phương 1
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
MỤC LỤC
DANH MỤC HÌNH VẼ
Hình 1.1 : Capacitive coupling between two conductor
Hình 1.2 : Magnetic coupling between circuits
Hình 1.3 : RF absorptive cables
Hình 1.4 : RF absorptive cables coaxial cable
Hình 1.5 : Cross-section of a ribbon cable
Hình 2.1 : Pigtail connection from coaxial line
Hình 2.2 : D-subminiature connector
Hình 2.3 : Evaluation of connector shield
Hình 2.4 : Transfer impedance of coaxial connectors
Hình 2.5 : Transfer impedance for conector shielding grades
Hình 3.1 : Mesh wire of a double-layered strip of knitted wire-mesh
Hình 3.2 : Wire- screen gaskets
Hình 3.3 : Oriented wire-mesh gasket
Hình 3.4 : Transparent conductive windowns
HVTH: Phạm Hữu Phương 2
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
LỜI MỞ ĐẦU
Trong thực tế,ngoài việc sử dụng nối đất đúng, bọc chắn,mối nối liên kết,
và lọc ,tương thích điện từ trong hệ thống điện và mạch điện tử đạt được bằng
việc sử dụng một vài thiết bị khử thành phần giao thoa điện từ

Để đạt được tương thích điện từ trong các mạch và các thiết bị cần lựa chọn
các phương pháp được kết nối cáp, cáp tín hiệu và cáp điều khiển định tuyến
với sự mất mát tín hiệu nhỏ nhất, giảm giao thoa điện từ
Trong tự nhiên dạng sóng tín hiệu giao thoa không tuần hoàn hoặc nhất
thời, bao gồm thời gian lên nhanh, thành phần tần số cao của tín hiệu giao thoa
khó để giảm bằng việc sử dụng những bộ lọc phần tử thụ động riêng bởi vì
hiệu ứng ký sinh.Trong điều kiện này, thiết bị hoạt động hoặc các thành phần
ghép lai đáp ứng với tốc độ của tín hiệu tương thích điện từ tức thời(EMI) là
cần thiết
Trong phần này ta sẽ cung cấp một phép tính xét đến mối quan hệ lựa chọn
và sử dụng các loại cáp, các mối nối, đệm lót, bộ triệt tăng vọt điện, thiết bị
cách ly cho việc đạt được tương thích điện từ
HVTH: Phạm Hữu Phương 3
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
CHƯƠNG I EMC TRONG CÁP
1.1 Giới thiệu
Việc chọn lựa cáp phụ thuộc vào các thông số khác nhau bao gồm chiều dài
của cáp, tổn thất chấp nhận được, tần số và công suất, trường nhiễu và tần số
của chúng trong môi trường cáp sẽ được đặt, và khoảng nhiệt độ có thể tiếp xúc
với cáp. Trong mạch số, sườn trước của xung lên bị làm méo bởi điện trở cao
gây ra bởi hiệu ứng bề mặt ngay cả khi chiều dài của cáp đồng trục nhỏ. Một
dây cáp dài, tổn thất do suy hao chèn có thể dẫn đến mất mát tín hiệu. Do sự
nhạy cảm của dây nối và cáp dẫn đến tiếp nhận tán xạ, tất cả các dây nối, đặc
biệt là những tín hiệu mang mức điện áp thấp và những tín hiệu nhạy cần được
che chắn cho toàn bộ băng tần hoạt động. Triệt giao thoa điện từ trong cáp
thường được thực hiện bằng cách che chắn và hấp thụ điện áp nhiễu tần số cao
(RF) trong chiều dài cáp.
Vỏ chắn bện (For braided shields), trở kháng truyền tỉ lệ nghịch với số lượng
(một lần, hai lần hoặc ba lần) ở tần số thấp. Tại tần số trên 500kHz, trở kháng
truyền sẽ giảm về độ lớn (20db) với sự tăng của số lá chắn bảo vệ. Trở kháng

truyền của một cáp bọc xoắn đơn không thay đổi trên các dải tần từ 1kHz đến
100kHz và tăng với tốc độ khoảng 10dB mỗi thấp kỷ trong dải tần số từ
500kHz đến 5MHz.
HVTH: Phạm Hữu Phương 4
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
Uỷ ban kỹ thuật điên quốc tế (IEC) khuyến nghị giới hạn trở kháng truyền
tối đa tại 30MHz và tại 3GHz và hiệu quả tối thiểu cho cáp đồng trục xoắn thể
hiện trong bảng :
1.2 Ghép điện dung
Một trường hợp đơn giãn của việc ghép điện dung giữa hai sợi cáp như
hình 1.1. Điện dung C
12
là điện dung giữa sợi cáp 1 và 2. Điện dung C
G1
là
điện dung giữa sợi cáp 1 và đất. Điện dung C
G2
là điện dung giữa sợi cáp 2 và
đất, và R là điện trở của mạch 2 đến đất. Điện dung C
G2
bao gồm điện dung
giữa sợi cáp 2 đến đất và ảnh hưởng của các mạch kết nối đến sợi cáp 2.
Mạch tương đương của việc ghép được thể hiện ở hình 1.1. Xem điện áp V
1
trên sợi cáp 1 là nguồn gây nhiễu và sợi cáp 2 là mạch bị nhiễu. Bất cứ điện
dung kết nối trực tiếp đến nguồn, như C
G1
trong hình 1.1 có thể bỏ qua vì nó
không ảnh hưởng đến nhiễu ghép. Điện áp nhiễu V
N

được tạo ra giữa sợi cáp 2
và đất có thể được thể hiện như sau :
HVTH: Phạm Hữu Phương 5
Bảng 1.1
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN

1.3 Ghép điện cảm
Khi dòng điện I chạy trong sợi cáp, nó sinh ra từ thông
Φ
, tỷ lệ thuận với
dòng điện. Hằng số tỷ lệ là điện cảm L; vì thế, chúng ta có thể viết
HVTH: Phạm Hữu Phương 6
Hình 1.1
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
LI
T
=Φ
Với
T
Φ
là từ thông tổng và I là dòng điện tạo ra dòng cảm ứng. Viết lại công
thức trên, chúng ta có độ tự cảm của một sợi cáp
I
L
T
Φ
=
Điện cảm phụ thuộc vào sơ đồ mạch và đặc tính từ của môi trường. Khi
dòng điện chạy trong một mạch sinh ra một dòng cảm ứng trong mạch 2, tồn
tại một hỗ cảm M

12
giữa mạch 1 và 2 được tính như sau :
1
12
12
I
M
Φ
=
HVTH: Phạm Hữu Phương 7
Hình 1.2
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
1.4 Cáp hấp thụ (absorptive cable)
Ứng dụng trong các nhà máy tự động và vi tính hóa văn phòng, các loại
cáp lọc thông thấp triệt giao thoa điện từ có thể được thiết kế trong đó các tín
hiệu nhiễu bị suy giảm, tán xạ và ghép ký sinh giữa các đường cũng nhỏ nhất.
Ngoài việc che chắn cáp dẫn để bảo vệ chống bức xạ ghép nối, một bộ lọc
và giảm nhiễu có thể được trải dài trên toàn bộ chiều dài dây dẫn kết nối bằng
cách phủ dây dẫn cáp bằng hợp chất hấp thụ tần số cao như vật liệu đàn hồi
trộn với bột lossy ferit để triệt nhiễu truyền tải điện, kết quả này dẫn đến hấp
thụ năng lương nhiễu tần số cao rò rỉ khắp chiều dài cáp và dẫn đến cải thiện
hiệu suất tương thích điện từ khi so sánh với cáp cấu trúc chuẩn.
Hình 1.3 biểu diễn một số dạng của cáp triệt EMI
HVTH: Phạm Hữu Phương 8
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN

Hấp thụ năng lượng rò rỉ của RF trong cáp khử EMI là kết quả chính của
mất mát từ trong bột ferit, sự suy giảm tăng đều đặn theo tần số và tỉ lệ với
chiều dài cáp. Lợi thế chính của cáp hấp thụ RF là năng lượng RF rò rỉ tiêu tan
bằng cách chuyển đổi thành nhiệt. Vì vậy dòng rò cao tần không chuyển hướng

đến mạch nối đất nơi mà chúng có khả năng tạo ra vòng tiếp đất vì chung trở
HVTH: Phạm Hữu Phương 9
Hình 1.3
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
kháng đất. Những cáp này do đó được bảo vệ từ cả nhiễu chế độ chung và chế
độ vi sai. Hình 1.4 biểu diễn kiểu cáp đồng trục lọc thông thấp hấp thụ tần số
cao (RF) và mạch tương đương của nó. Trong đó R là điện trở phân bố không
đổi của lớp bọc điện trở, L và C là cuộn cảm phân bố và tụ điện phân bố tương
ứng.
Độ suy giảm α của năng lượng nhiễu cao tần trên cáp được xác định bởi:
mdB
R
L
R
L
LC








+









=
2
22
2
1
2
22
12
686.8
ω
ω
α
HVTH: Phạm Hữu Phương 10
Hình 1.2
Hình 1.4
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
Đường cong độ suy giảm có slope ban đầu tỉ lệ thuận với bình phương tần
số và đạt đến điểm dốc tại tần số
m
f
được xác định bởi:
L
R
f
m
28.0
=

Độ suy giảm lớn nhất được xác định bởi:
LCf
mm
3.19
≈
α
Tuy nhiên băng thông truyền có ích của cáp lọc thông thấp hấp thụ tần số
cao bị giới hạn khi so sánh với cáp sử dụng cấu trúc thường. Giải thông đặc
trưng của cáp này từ DC đến khoảng 10MHz, tần số cắt của cáp này tương
ứng với độ suy giảm truyền là 3dB/m, giảm theo hệ số 10 so với cáp thông
thường không dùng vỏ bọc điện trở, vì vậy việc lựa chọn thiết kế ứng dụng
thích hợp phải được thực hiện trong thực tế.
1.5 Cáp Ribbon
Cáp Ribbon được sử dụng rộng rãi trong những ứng dụng đa kết nối như
bus kết nối máy tính hoặc mạch điều khiển với yêu cầu đa đường chi phí thấp.
Vị trí và hướng của dây dẫn trong cáp được biểu diễn hình 1.3. Cấu hình thiết
kế của dây được chọn để giảm điện thế dòng điện vòng giữa tín hiệu dẫn và nối
đất, kết quả này làm giảm kết nối trở kháng chung khi tất cả các đường tín hiệu
sử dụng chung nối đất, mỗi dây dẫn nên có một nối đất riêng bên cạnh.
HVTH: Phạm Hữu Phương 11
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
Tuy nhiên số dây dẫn có thể được giảm bằng cách chọn một dây dẫn như là
một điểm chung và dây dẫn còn lại là tín hiệu dẫn khi vấn đề giao thoa điện từ
không quá xấu.
CHƯƠNG II EMC TRONG CONNECTOR
Việc che chắn hiệu quả giữa cáp bảo vệ và vỏ bọc chắn được bảo vệ bằng
việc sử dụng cáp kết nối đồng trục được bảo vệ ở cả hai đầu của đầu nối dây
cáp, duy trì một phân bố đều của dòng điện dọc bảo vệ xung quanh chu vi lá
chắn và giảm rò rỉ năng lượng từ, điều này cũng loại trừ tia lửa điện tại tiếp
giáp khi mạch truyền công suất lớn. Chúng ta cần xem xét một số vấn đề liên

quan đến kết nối điện và kết nối để cải thiện EMC.
2.1 Hiệu ứng dây nối (pigtail effect)
HVTH: Phạm Hữu Phương 12
Hình 1.3
Hình 1.5
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
Một kết nối pigtail được biểu diễn trong hình 2.1 được sử dụng để nối dây
dẫn ngoài trời của cáp đồng trục với hộp bảo vệ. Những kết nối pigtail gây ra
dòng bảo vệ tập trung một bên của lá chắn (shield) do đó làm giảm hiệu quả
che chắn.
Một electrically short pigtail không phát xạ ở tần số thấp, nhưng nó có thể
kích thích mạch ngoài trên bề mặt bên của cáp đồng trục làm rò rỉ và tạo ra
nhiễu xuyên âm tần số cao. Nếu lá chắn được giới hạn bằng việc sử dụng một
pigtail, sau đó cảm kháng của pigtail có thể cộng hưởng với điện dung giữa
tấm chắn và dây đất mà nó kết nối, và điện áp nhiễu xuất hiện trên lá chắn, kết
quả là hiệu quả che chắn rất thấp.
2.2 Che chắn bộ nối (Shield Connector)
Việc che chắn hiệu quả nhất thu đươc bằng cách nối một kim loại nặng từ
lá chắn cáp đến lá chắn thiết bị. Một ví dụ được biểu diễn hình 2.2 : một lá
HVTH: Phạm Hữu Phương 13
Hình 2.1
Hình 2.1
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
đồng bảo vệ bọc xung quanh được hàn vào kết nối và lá chắn cáp, cung cấp
một kỹ thuật đơn giản và hiệu quả cho việc giảm rò rỉ bức xạ.
Bộ lọc, diode hay các thiết bị triệt nhiễu tức thời khác cũng thường được
đóng gói riêng lẻ hoặc kết hợp trong một kết nối để bảo vệ quá độ.
2.3 Kiểm tra bộ nối
Khái niệm phép đo bảo vệ mối nối, khi một mối nối được liên kết với cáp
giống một lá chắn cáp, che chắn được thể hiện trong điều kiện của trở kháng

truyền. Phương pháp điển hình cho việc đánh giá của bảo vệ (vỏ) mối nối với
khuyến cáo trong MIL-STD-1377, được biểu diễn hình 2-3(a), ở đây mỗi đầu
của mối nối kiểm tra được gắn vào một cáp bảo vệ, một đầu của cáp được ngắn
mạch và đầu còn lại được nối với nguồn tín hiệu qua đầu nối cáp. Ampe kế đo
dòng dẫn cao tần trung tâm cũng được gắn bên trong hộp bảo vệ hình 2-3(b),
HVTH: Phạm Hữu Phương 14
Hình 2-2
Hình 2.2
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
điện áp cao tần RF được đo bằng máy thăm dò vôn kế thích hơp với máy thăm
dò dây dẫn cân bằng(balanced probe leads). Hình 2-3(c) biểu diễn cấu trúc của
đầu nối cáp, nơi kết nối thích hợp được đặt trên các cạnh đối diện của hộp kim
loại nhỏ và dây dẫn trung tâm được ghép bên trong. Để cung cấp một đường
dẫn cho dòng dẫn trung tâm và định vị các mối nối,chèn thêm chân đặc biệt
được sử dụng như hình 2-3(d). Tính hiệu quả che chắn được tính toán trong
điều kiện trở kháng truyền Zt bằng phép đo dòng dẫn trung tâm
o
I
và điện áp
lớn nhất
m
V
giữa hai vỏ mới nối ngăn cách bởi khoảng cách ly và được xác
định bởi :

lI
V
Z
m
t

0
=
Trở kháng truyền của một vài kiểu kết nối được biểu diễn trong hình 2-4. Hình
2-5 biểu diễn sự phân loại chất lượng bảo vệ kết nối dưới sự xem xét và chuẩn
hóa bởi IEC cho các cáp và các mối nối.
HVTH: Phạm Hữu Phương 15
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
HVTH: Phạm Hữu Phương 16
Hình 2-3
Hình 2.3
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN

HVTH: Phạm Hữu Phương 17
Hình 2-4
Hình 2.4
Hình 2.5
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
HVTH: Phạm Hữu Phương 18
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
2.4 Nhiễu biến điệu tương hỗ
Mối nối phẳng liền trong liên kết và nối đất, hoặc trong kết nối cáp đồng
trục và ống dẫn sóng, dạng tiếp giáp không tuyến tính phụ thuộc vào điều kiện
ăn mòn của chúng và ảnh hưởng của sự hoạt động, tiếp giáp như vậy có thể tạo
ra nhiễu biến điệu tương hỗ trong tín hiệu truyền. Nó đã được quan sát thấy
rằng mức năng lượng sản phẩm bậc 3 (trong máy thu) phát sinh bởi mất mát
liên kết ống dẫn sóng tại 6GHz là -25 dBm cho tín hiệu truyền 30 dBm. Những
sản phẩm biến điệu tương hỗ bậc 7 có thể được phát sinh từ khớp nối, từ tạp
chất trong đường dây và từ tiếp xúc cáp đồng trục.
Sản phẩm biến điệu tương hỗ có thể được phát sinh từ hiệu ứng phi tuyến
tại tiếp xúc giữa hai kim loại giống và khác nhau. Thông thường, sự khác biệt

về 40 dB giữa mức sản phẩm bậc 3 và bậc 4 được quan sát bằng cách sử dụng
hai nguồn tín hiệu trong phạm vi từ 3 đến 4GHz . Điều quan trọng cần lưu ý là
mức sản phẩm biến điệu tương hỗ cho kết nối ống dẫn sóng được điều khiển
bằng việc lựa chọn vật liệu thích hợp tại tiếp xúc, mức sản phẩm biến điệu
tương hỗ cho mối hàn thủy tinh Kovar cao hơn đối với thép không gỉ, do đó
nên tránh để giảm sản phẩm biến điệu tương hổ gây ra bởi tiếp giáp phi tuyến.
Mạ vàng các kết nối thép không rỉ làm giảm mức sản phẩm biến điệu tương
hỗ, tuy nhiên mức thấp nhất có thể đạt được với mối nối mạ bạc đồng thau
thông thường.
HVTH: Phạm Hữu Phương 19
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
CHƯƠNG III EMC TRONG DÂY ĐỆM
Tương thích điện từ trong dây đệm được sử dụng để giảm năng lượng rò rỉ
tại các mối nối kim loại, lớp đệm dẫn điện cung cấp tính liên tục điện giữa bề
mặt mối nối. Đặc tính điện của dây đệm được lựa chọn gần giống với tấm chắn
để duy trì một bậc cao của độ dẫn điện tại mặt phân cách và để tránh lỗ hổng
không khí hoặc khe hở trở kháng cao. Hiệu suất của EMC gaskets phụ thuộc
vào hình dạng tiếp giáp, điện trở tiếp xúc và lực được đặt vào các khớp, chúng
là cáp điều khiển rò rỉ điện từ dãy tần số từ vài kHz đến hàng chục GHz. Đặc
trưng tính hiệu quả che chắn của giá trị thương mại EMC gaskets là từ 80-100
dB. Một số EMC gaskets và đặc tính của chúng được mô tả bên dưới :
3.1 Knitted wire-mesh Gaskets
Miếng đệm này được sản xuất ở dạng hình trụ tròn. Vật liệu tiêu chuẩn
thường được sử dụng để tương thích điện với bề mặt nối tiếp để giảm thiểu ăn
mòn là thiếc mạ phốt pho đồng, lá đồng mạ thiếc, đồng mạ bạc, thép không rỉ
hoặc nhôm được sử dụng để giảm rò rỉ năng lượng từ trường của những vỏ
bọc mối nối, tiếp xúc cửa và cáp. Để có hiệu quả che chắn thì lực nén yêu cầu
tại mối nối đệm từ 30 kPa đến 400 kPa phụ thuộc hình dạng của các dải.
Dải hai lớp của vỏ bọc lưới thép cũng có ích cho đầu nối dây cáp được dùng để
ứng dụng che chắn giao thoa điện từ, nối đất và mạch tĩnh điện. Lớp vỏ được

bọc thép, lớp ở giữa được tráng đồng và lõi được bọc thiếc như trong Hình 3.1
HVTH: Phạm Hữu Phương 20
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN

Một miếng đệm bao gồm dải lưới hợp kim kết hợp với một lớp cản đàn hồi
cung cấp che chắn rò rỉ điện từ cũng như môi trường. Lưới che chắn giao thoa
điện từ (EMI) được gấp nếp trong khung nhôm rắn tạo thành một dạng khác
của miếng đệm để đảm bảo cố định cho lưới che chắn EMI.
3.2 Wire- screen Gaskets (vòng đệm dây lưới)
Dây lưới dệt nhôm được nhúng cao su đàn hồi có thể che chắn cả EMI và
môi trường và có thể cung cấp hiệu quả che chắn điện trường từ 7 đến 100 dB
trên tần số 1GHz.
Một dạng khác của dây lưới được hình thành từ tấm nhôm và kim loại giãn nở
monel với nhiều lỗ nhỏ được lấp đầy bằng chất đàn hồi silic có thể chắn giao
thoa điện từ từ 60 đến 120dB cũng như môi trường.
HVTH: Phạm Hữu Phương 21
Hình 3.1
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
Hình 3.2 Wire- screen Gaskets
3.3 Oriented wire mesh (dây lưới định hướng)
Đây là vật liệu đệm hỗn hợp bao gồm một dãy định hướng của những dây
tốt được nhúng và gắn cao su silicon rắn dạng tấm như trong Hình 3.2.
HVTH: Phạm Hữu Phương 22
Hình 3.3
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
Thiết kế này được ứng dụng trong quân đội, công nghiệp và thương nghiệp
với yêu cầu che chắn giao thoa điện từ và nối đất tại tiếp giáp với môi trường
kín. Dây định hướng (oriented wire) cũng được gắn vào một ô kín silicon cao
su đàn hồi.
3.4 Dẫn đàn hồi

Miếng đệm dẫn đàn hồi được hình thành bằng việc chèn chất đàn hồi
silicon với một vài vật liệu dẫn như: hạt trơ mạ bạc, bạc nguyên chất, hạt
cacbon, đồng mạ bạc, niken hoặc hạt nhôm được thiết kế để đạt được hiệu quả
bảo vệ cao và chống ăn mòn, có sẵn ở dạng tấm và nhiều tiết diện chuẩn phù
hợp cho mối nối.
3.5 Transparent conductive windows (màn hình dẫn trong suốt)
Được sản xuất bởi chân không lắng đọng một lớp phủ dẫn điện rất mỏng
trong suốt trực tiếp lên bề mặt vật liệu nền quang khác nhau như nhựa, gương
và giải phim polyester, cung cấp hiệu quả che chắn giao thoa điện từ cao với
đặc tính truyền sáng tốt. Miếng đệm được đặt trong các thiết bị như bộ hiển thị
nơi mà các bức xạ nhiễu điện từ vào ra các thiết bị phải đươc giảm thiểu. Lớp
phủ trong suốt dẫn điện có điện trở suất bề mặt 14
2
in
Ω
và truyền ánh sáng
khoảng 70% trong quang phổ nhìn thấy được. Hiệu quả bọc chắn của cửa sổ là
20-30dB cho từ tại tần số thấp và trường sóng phẳng tần số cao, và 80-90dB
cho điện trường. Khi bề mặt của chất nền quang học được phủ bằng vật liệu
trong suốt dẫn điện, hiệu quả bọc chắn tăng 6-10dB, trong khi truyền dẫn
quang giảm 20%. Để cải thiện hiệu suất bọc chắn, bảng quan sát được hình
thành với sự kết hợp của vỏ bọc lưới thép dệt kim ép giữa các vật liệu quang
học.
HVTH: Phạm Hữu Phương 23
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
Hình 3.4 Transparent conductive windows
3.6 Conductive adhesive (chất kết dính dẫn)
Được dùng cho liên kết các miếng đệm tương thích điện từ silicon đàn hồi
dẫn khác nhau, nó là một hỗn hợp nhão dày lưu hóa ở nhiệt độ phòng (RTV),
nhựa silicon với bạc nguyên chất được sử dụng làm nguyên liệu phụ để khắc

phục một cách nhanh chóng ở nhiệt độ phòng, nó tạo thành một liên kết dẫn
linh hoạt đàn hồi, giá trị tiêu biểu của điện trở suất chất kết dính này là 0.01
cm
−Ω
.
Cả hai bề mặt liên kết được làm nhám và sạch với rượu methyl làm ướt vải,
sau đó sấy khô bề mặt, chất kết dính được ứng dụng từ một ống dẫn trực tiếp
vào vùng liên kết tại các điểm, sau đó nhanh chóng lan rộng để tạo thành một
màng mỏng và một miếng đệm dẫn điện được đặt trên đầu chất kết dính. Nhiều
dạng của chất kết dính dẫn có giá trị về thương mại.
HVTH: Phạm Hữu Phương 24
GVHD: PGS.TS TĂNG TẤN CHIẾN
KẾT LUẬN CHUNG
Tiểu luận này tập hợp tài liệu từ nhiều nguồn khác nhau trên một số các
thành phần tương thích điện từ tích cực và thụ động được sử dụng để giảm
thiểu giao thoa điện từ.
Cáp và bộ nối và những nguồn nhiễu giao thoa điện từ lớn trong tất cả hệ
thống điện tử. Chúng hoạt động như những anten bức xạ năng lượng. Chúng
không chỉ bức xạ năng lượng có định hướng mà còn bức xạ rất nhiều năng
lượng không định hướng. Vì vậy để giãm nhiễu giao thoa điện từ trong cáp
người ta thường dùng các biện pháp che chắn và hấp thụ các tần số cao ví dụ
như cáp hấp thụ ((absorptive cable), cáp Ribbon Còn đối với các bộ nối
người thường sử dụng các bộ nối bảo vệ có vỏ làm bằng kim loại hoặc mạ kim
loại để che chắn điện từ. Ngoài ra để giãm nhiễu điện từ tại các các mối nối
người ta còn dùng các miếng đệm để đảm bảo tính liên tục điện tại các lớp che
chắn tại bề mặt mối nối. Một số loại đệm được dùng trong thực tế như :
Knitted wire-mesh Gaskets, Wire- screen Gaskets, Oriented wire mesh,
Transparent conductive windows, Conductive adhesive
Cuối cùng không có kỹ thuật nào duy nhất có thể mang lại giải pháp hoàn
toàn thỏa đáng cho việc khắc phục giao thoa điện từ. Thay vào đó nối đất, bọc

chắn, kết nối, lọc cáp và kết nối và một loạt các thành phần khử EMI tất cả đều
cần thiết cho việc tìm kiếm giải pháp thỏa đáng cho những vấn đề về giao thoa
điện từ.

HVTH: Phạm Hữu Phương 25