BÁO CÁO HỆ THỐNG SỐ CHỦ ĐỀ "TÌM HIỂU VỀ DRAM"

Unregistered version, please register, www.word-pdf-convert.com
HỆ THỐNG SỐ
Chủ đề:
TÌM HIỂU VÈ DRAM
N h ó m 3
11
/
8/201
o
T ran g 1
- Giới thiêu vê DRAM.
- Phân loại bộ nhớ.
■ ■
- Cấu tạo và nguyên lí hoạt động.
- Chức năng các khối.
- Cấu tạo và hoạt động của tế bào nhớ.
-Tổng kết.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
T ran g 2
GIỚI THIÊU VÊ DRAM
Sơ LƯỢT VẺ BỌ NHỚ RAM:
■ ■
- RAM ( Random Access Memory) là bô
nhớ truy cập ngẫu nhiên. Chúng có thể
truy xuất đến bất kì vị ứí nhớ nào, vào bất kì
lúc nào dựa vào địa chỉ của ô nhớ đó.
■ ■
- Điều này tao nên sự khác biệt giữa RAM
với các thiết bị nhớ tuần tự {sequential

memory device)
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
T ran g 3
GIỚI THIÊU VÊ DRAM
Sơ LƯỢT VẺ BỌ NHỚ RAM:
■ ■
- RAM thông thường được sử dụng cho
bộ nhớ chính (main memory).
- Thông tin lựu trên RAM chỉ Jà tạm thời,
chúng sẽ mất đi khi mất nguồn điện
cung cấp.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
T ran g 4
GIỚI THIỆU VÊ DRAM
I •
Bộ NHỚ DRAM - DYNAMIC RAM:
■
-Đây là bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên thông
dụng nhất ngày nay.
- DRAM lưu trữ dữ liệu dựa vào tín hiệu
■ ■ ■
điện thế trên một tụ diện (capacitor).
- Điện thế trên tụ luôn bị rò rĩ. Do đó để lưu
giữ tín hiệu thì DRAM phải liên tục được
làm tươi. Điều này tạo nên phần động cho
DRAM.

Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
T ran g 5
Un re
GIỚI THIỆU VÊ DRAM
Sơ LƯỢT VẺ LỊCH sử DRAM:
- DRAM được phát minh đầu tiên bởi tiến sĩ
Robert Dennard tại trung tâm Thomas J.Watson
IBM năm 1966.
- Đầu năm 1970, Intel chế tạo thành công
DRAM dùng một cell 3 transistor tên Intel
1102. Đến 10/1970 Intel cho ra đời Intel 1103
có cell 1 transistor.
- Năm 1973 bộ nhớ DRAM đầu tiên có nhiều
địa chỉ hàng/cột là Mostek MK4096 (4096x1).
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
T ran g 6
Unregistered version, please register, www.word-pdf-convert.com
PHAN LOẠI BỘ NHỠ
MEMORY
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
T ran g 7
Unregistered version, please register. WWW. wo r.
CAC CHUNG LOAI DRAM
- SDRAM (Synchronous Dynamic RAM)

được gọi là DRAM đồng bộ. SDRAM gồm các
phân loại: SDR, DDR, DDR2 và DDR3.
+SDR SDRAM (Single Data Rate
SDRAM), gọi tắt là "SDR". Có 168 chân.
Được dùng trong các máy vi tính cũ, bus
speed chạy cùng vận tốc với clock speed của
memory chip.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
T ran g s
Unregistered version, please register. WWW. wo r.
CAC CHUNG LOAI DRAM
+ DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM),
gọi tắt là "DDR". Có 184 chân. DDR SDRAM là
cải tiến của bộ nhớ SDR với tốc độ truyền tải
gấp đôi SDR nhờ vào việc truyền tải hai lần
trong một chu kỳ bộ nhớ. Đã được thay thế
bởi DDR2.
+ DDR2 SDRAM ( Double Data Rate 2
SDRAM), gọi tắt là “DDR2”. Có 240 chân, là
cải tiến của DDR với tốc độ bus speed gấp
đôi clok speed
N h ®m 3 11 / 8 / 2 0 1 o T ra ng
9
Unregistered version, please register. WWW. wo r.
CAC CHUNG LOẠI DRAM
I _ SB a s Eft
+ DDR III SDRAM (Double Data Rate III
Synchronous Dynamic RAM): có tốc độ bus

800/1066/1333/1600 Mhz, so bit dữ liệu là
64, điện thế là 1.5v, tổng số pin là 240.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Unregistered version, please register. WWW. wo r.
CAC CHUNG LOẠI DRAM
I _ SB a s Eft
+ RDRAM(Rambus Dynamic RAM) gọi tat
là "Rambus. Được thiết kế kỹ thuật họàn
toàn mới so với SDRAM. Hoạt động đồng
bộ theo một hệ thống lặp và truyền dữ liệu
theo một hướng. Sử dụng một modul gọi
là RIMM(Rambus Inline Memory module)
để kết nối các DRAM
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Trang 11
Unreaisiered version, please reqister. W-A
CẤU TẠO VÀ NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG
I • • •
Chúng ta tìm hiểu 2 vấn đề:
- Cấu tạo phần cứng.
- Nguyên lý hoạt động.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Tnng 12
Un realste red ve

CÂU TAO
please register, www.word-pdf-convert.com
- DRAM được cấu tạo bởi hàng triệu tế bào nhớ được
khắc lên một bánh Silicon theo các cột (bitlines) và hàng
(wordlines). Điểm giao của bitline và wordline tạo thành
đia chỉ của tế bào nhớ.
- DRAM có cấu tạo nhỏ hơn SRAM nhờ vào cấu tạo đơn giản
của tế bào nhớ. Cùng kích thước nhưng DRAM có dung lượng
lớn hom nhiều so với SRAM.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Trang
Unregistered ve
CÂU TẠO
please register, www.word-pdf-convert.com
Các thành phần chính:
- Bộ điều khiển.
■
- Bộ phận tiền nạp.
- Bộ khuếch đại.
■ ■
- Bộ đệm (đệm địa chỉ, đệm dữ liệu).
- Bộ giải mã địa chỉ (giải mã hàng và cột)
- Ma trân nhớ.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Trang 14
Unregistered version, please register, www.word-pdf-convert.com

_

_
_

_
Ä
_______
£
Sơ DO KHOI
■
DRAM
Điều
khiên
Địa chi Đệm địa
chi
1— rV
Dừ liệu
vảo
Đệm dừ
liệu
Sơ đồ Cấu tạo DRAM
Tiền nạp
(préchargé)
Ma ưận nhỡ
Giái mâ
hảng
Khuếch đại
nhav
z f c

Đệm
dừ liệu
Dừ liệu
ra
Giải mã cột
Nhóm 3
1 1 /8 / 2 0 1 0
Trang 15
Unreqistered version, please register. www.word-pdf-convert.com
s ơ ĐÔ NGUYÊN LÝ
Nhóm 3
Giằi mă cột
11/8/2010
Trang 16
Unrea istered'
m m
CHỨC NĂNG CÁC KHỐI
Bộ ĐIỀU KHIỂN - CONTROL BLOCK:
■
- Tạo tín hiệu kích hoạt hoạt động của
■ ■ ■ ■ ■
DRAM.
- Điều khiển quá trình truy xuất dữ liệu
bắng cách tạo ra các tin hiệu clock.
- Hỗ trợ điều khiển quá trình làm tươi dữ
liêu.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Trang 17

Unrea istered'
ra m
CHỨC NĂNG CÁC KHỐI
Bộ PHẬN TIẺN NẠP:
■ ■ ■
- Sau mõi lần đọc dữ liệu thì tín hiệu điện áp
■ ■ ■ ■ y
lưu giữ trong tế bào nhớ bị mẩt. Do đó càn
có bộ phận nạp lại điện thế.
- Nạp lại tín hiệu điện áp cho tụ để tránh mất
mát dữ liệu do tụ bị rò rĩ điện. Chu kì nạp lại
■ ■ ■ ■ ■ I ■
rát nhanh, khoảng 2 ms.
- ở đây chỉ nạp lại điện áp cho tất cả các bit
có giá trị 1.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Trang 19
Un re aistered'
m m
CHỨC NĂNG CÁC KHỐI
Bộ PHẬN KHUẾCH ĐẠI - SENSE AMPLIFIER:
■ ■ ■
- Có chức năng khuêch đại tín hiệu để xác
định giá trị của ô nhớ.
- Theo lý thuyết thì mức điện áp 5v đại diện
giá trị 1, Ov đại diện giá trị 0. Nhưng thực tế
mức điện áp luôn dị dao động trong khoảng
Ov đến 5 V.

Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Trang 19
Unrea istered'
m m
CHỨC NĂNG CÁC KHỐI
Bộ PHẬN KHUẾCH ĐẠI - SENSE AMPLIFIER:
■ ■ ■
- Do đó cần có bộ phận khuếch đại tín hiệu.
Khi mức điện áp trong 3v đến 5v (trên
50%) thì giá trị được đọc là mức 1. Ngược
lại nếu điện áp từ Ov đến 2.5v(dưới 50%)
đươc đoc là mức 0.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Tran«} 20
Unregistered version, please register, www.word-pdf-convertc
CHỨC NĂNG CÁC KHÔI
BỌ ĐẸM:
■ ■
- Đệm địa chỉ.
■ ■
- Đệm dữ liệu vào.
■ ■
- Đệm dữ liệu ra.
■ ■
Nhóm 3
11

/ 8 / 2 0 1 0
m m
CHỨC NĂNG CÁC KHỐI
Bộ ĐỆM ĐỊA CHỈ:
■ ■ ■
- Chứa địa chỉ được truyền vào chíp nhớ
- Do địa chỉ được xác định bằng mức
điện áp nên trong quá trình truyền có thể
bị mất mát. Bộ đệm địa chỉ sẽ giúp khôi
phục lại mức điện áp đúng với giá trị ban
đầu.
- Sau khi được khôi phục, địa chỉ sẽ
được truyền đến các bộ giải mã địa chỉ.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Trang 22
Un re aistered'
m m
CHỨC NĂNG CÁC KHỐI
Bộ ĐỆM Dử LIỆU VÀO RA:
■ ■ ■
- Thường là các mạch chốt (latch) hay
các flip-flop dùng để lưu giữ dữ liệu
đầu vào và ra của chip nhớ.
- Khôi phục mức điện áp phù hợp với
giá trị, tránh mất mác.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0

Trang 23
Unregistered version, please register, www.word-pdf-convertc
CHỨC NĂNG CÁC KHÔI
BỌ GIẢI MÃ ĐỊA CHỈ:
■ ■
- Bộ giải mã địa chỉ hàng.
- Bộ giải mã địa chỉ cột.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Un re aistered'
m m
CHỨC NĂNG CÁC KHỐI
BỌ GIẢI MÃ ĐỊA CHỈ :
■ ■
- Sử dụng một bộ dồn kênh địa chỉ
(adress Multiplexing).
- Thông thường để mã hóa được 16k
hoặc 512k, chip nhớ cần có 14 hoặc 19
chân. Nhưng với bộ dồn kênh địa chỉ,
chip nhớ chỉ càn 7 chân hay 10 chân địa
chỉ.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Tnmqi 25