kỹ thuật chế tạo vi mạch

KỸ THUẬT CHẾ TẠO VI MẠCH
PROCESS INTEGRATION: MOS & BIPOLAR

Giảng Viên: Cô Hồ Thị Ngọc Diễm

Nhóm Sinh Viên Thực Hiện:
o
Phạm Tuấn Duy (09520037)
o
Bùi Thanh Hùng (09520119)
o
Phạm Xuân Sơn (09520252)
o
Đào Xuân Dạng (09520401)
o
Lê Công Bằng (09520740)
Thành Phố Hồ Chí Minh – Năm 2013
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ THÔNG TIN
KHOA KỸ THUẬT MÁY TÍNH
Transistor Theo Công Nghệ MOS

MOS hay còn gọi là MOSFET, viết tắt của "Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect
Transistor"
Transistor Theo Công Nghệ BJT

Bipolar junction transistor
So Sánh Hai Công Nghệ MOS Và Bipolar
Transistor
Hiệu điện thếĐiện năng
Dòng điện

Độ tích hợp
Hoạt động
Thời gian truyền
CMOS
BIPOLAR
Quy trình chế tạo Transistor CMOS

Giai đoạn 1: Tạo giếng loại N hoặc P tùy vào chất nền, ở đây ta chọn
chất nền là loại P. Với chất nền loại N thì tương tự chất nền loại P.

Giai đoạn 2: Tạo vùng cho NMOS, vùng cho PMOS đã được tạo
trước đó.

Giai đoạn 3: Tạo các cực Gate cho NMOS và PMOS bằng
polysilicon.

Giai đoạn 4: Tạo các cực Source và Drain cho NMOS và PMOS. (2
giai đoạn nhỏ)

Giai đoạn 5: Tạo Contact cho các cực của NMOS và PMOS và tạo
các đường Metal. (2 giai đoạn nhỏ)
Oxit
Mặt nạ
Tia UV
Photoresit
Chất nền loại P
Giếng loại N
Doping nguyên tố nhóm V
Quy trình chế tạo Transistor CMOS
Giai đoạn tạo N-Well

Oxit
Mặt nạ
Tia UV
Photoresit
Chất nền loại P
Giếng loại N
Vùng NMOS Vùng PMOS
Quy trình chế tạo Transistor CMOS
Giai đoạn tạo vùng cho NMOS và PMOS
Oxit
Tia UV
Chất nền loại P
Giếng loại N
Polysilicon
Photoresit
Quy trình chế tạo Transistor CMOS
Giai đoạn tạo cực Gate cho NMOS và PMOS
Tia UV
Oxit
Chất nền loại P
Giếng loại N
Photoresit
Doping nguyên tố nhóm V
N+
N+
Quy trình chế tạo Transistor CMOS
Giai đoạn tạo cực Source, Drain cho NMOS
Oxit
Photoresit
Tia UV

Chất nền loại P
Giếng loại N
Doping nguyên tố nhóm III
N+
N+
P+ P+
Quy trình chế tạo Transistor CMOS
Giai đoạn tạo cực Source, Drain cho PMOS
Tia UV
Oxit
Chất nền loại P
Giếng loại N
Photoresit
N+
N+
P+ P+
Quy trình chế tạo Transistor CMOS
Giai đoạn tạo Contact cho NMOS và PMOS
Oxit
Tia UV
Chất nền loại P
Giếng loại N
Photoresit
Metal
N+
N+
P+ P+
Quy trình chế tạo Transistor CMOS
Giai đoạn tạo các đường Metal cho NMOS và PMOS
BJT Processing

1. Implantation of the buried n+ layer
2. Growth of the epitaxial layer
3. p+ isolation diffusion
4. Emitter n+ diffusion
8. Metal deposition and etching
6. lặp lại quá trình bước 4
7. Contact etching
5. Base p-type diffusion
1. Implantation of the buried n+ layer
p-substrate
2. Growth of the epitaxial layer
- Tạo ra khu vực collector trong BJT
3. p+ isolation diffusion
- Mục đích của bước này là chúng ta cô lập BJT npn bằng cách
khuếch tán p++.
4. Emitter n+ diffusion
- Bước này nó sẽ tạo nên Emitter của BJT npn.
5. Base p-type diffusion
- Cung cấp cho chúng ta cái nền loại p trong BJT npn.
6. Lặp lại quá trình ở bước 4
7. Contact etching
8.Metal deposition and etching
- Trong bước này các lớp kim loại sẽ được đưa lên trên bề mặt wafer
và sẽ được loại bỏ ở những nơi không cần thiết.