1
MỤC LỤC
MỤC LỤC 1
DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT 3
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ BẢNG BIỂU 5
LỜI MỞ ĐẦU 7
CHƯƠNG 1. TỔNG QUAN VỀ CÔNG NGHỆ LÒ SẤY 8
1.1. Khái niệm chung về lò sấy điện trở. 8
1.2.1. Tìm hiểu chung. 8
1.2.2. Phân loại phương pháp sấy. 8
1.3. Các yêu cầu chủ yếu đối với vật liệu làm dây sợi đốt. 9
1.4. Vật liệu làm dây đốt. 10
1.4.1. Vật liệu hợp kim. 10
1.4.2. Vật liệu phi ki
m loại. 11
1.5. Cấu tạo của dây đốt điện trở. 11
1.5.1. Dây đốt hở. 11
1.5.2. Dây đốt kín. 12
1.6. Một số lò sấy điện trở gián tiếp thường dùng. 13
1.6.1.Thiết bị sấy buồng. 13
1.6.2. Thiết bị sấy kiểu hầm. 14
1.6.3. Thiết bị sấy buồng dùng Ejecto. 15
1.7. Nội dung nghiên cứu. 16
1.8. Kết luận chương 1. 16
CHƯƠNG 2. TÍNH TOÁN LỰA CHỌN THIẾT BỊ
17
2.1. Sơ đồ cấu trúc hệ thống điều khiển nhiệt độ. 17
2.2. Khối cảm biến. 17
2.3. Khâu hiển thị. 19
2
2.4. Khối công suất. 20
2.4.1.Van bán dẫn IGBT. 23
2.4.2.Cấu tạo và nguyên lý hoạt động. 23
2.4.3. Các thông số cơ bản IGBT. 24
2.5. Lựa chọn thiết bị gia nhiệt(dây đốt). 25
2.5.1. Thiết bị gia nhiệt. 25
2.5.2. Đặc điểm. 25
2.6. Bộ điều khiển. 26
2.6.1. Vi điều khiển PIC16F887. 26
2.6.2. Một số đặc tính cơ bản và sơ đồ chân chi tiết. 29
2.6.3. Chức năng các chân. 30
2.7. Truyền thông máy tính. 31
2.7.1. Giới thiệu vi mạch giao tiếp MAX 232. 31
2.7.2. Cổng nối tiếp RS232. 32
2.7.3. Truyền thông qua cổng nối tiếp RS232. 33
2.7.4. Để truyền dữ liệu nhanh hơn. 35
2.8. Kết luận chương 2. 35
CHƯƠNG 3. THIẾT KẾ MẠCH PHẦN CỨNG 36
3.1. Sơ đồ khối các mạch điện trong hệ thống. 36
3.2. Thiết mạch công suất. 36
3.3. Thiết kế mạch điều khiển. 37
3.3.1.Mạch nguồn.
37
3.3.2.Mạch đo nhiệt độ. 38
3.3.3. Mạch vi điều khiển. 38
3.4. Kết luận chương 3. 40
CHƯƠNG 4. THIẾT KẾ CHƯƠNG TRÌNH GIÁM SÁT VÀ THUẬT TOÁN
ĐIỀU KHIỂN 41
3
4.1. Chương trình giám sát. 41
4.1.1. Labview. 41
4.1.2. Giao diện khi hoàn thiện của Labview trong đồ án. 42
4.1.3. Code Labview trong giao diện đồ án. 43
4.2. Tổng hợp bộ điều khiển . 44
4.2.1. Bộ điều khiển PID. 44
4.2.2. Tổng hợp bộ điều khiển PID. 46
4.2.3. Lấy đặc tính và nhận dạng đối tượng. 50
4.2.4. Nhận dạng đối tượng. 50
4.2.5. Mô phỏng Simulink đặc tính của đối tượng. 52
4.3.Thuật toán điều khiển và viết chương trình.
54
4.3.1.Thuật toán điều khiển và thuật toán PID.
54
4.3.2.Thử nghiệm trên mô hình. 55
4.4. Kết luận chương 4. 56
KẾT LUẬN 57
Kết quả thu được: 57
Hướng nghiên cứu và phát triển: 57
TÀI LIỆU THAM KHẢO 58
PHỤ LỤC 59
4
DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT
PID: Proportional Integral Derivative.
IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor.
CPU : Central Processing Unit.
ADC: analog to digital converter.
PWM: Pulse Width Modulation.
LCD: liquid-crystal display.
5
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ BẢNG BIỂU
Hình 1.1: Dây tiết diện tròn quấn hình rích rắc và lò so. 12
Hình 1.2: Dây đốt vỏ bọc hình chữ U 13
Hình 1.3: Thiết bị sấy buồng. 14
Hình 1.4: Thiết bị sấy hầm. 15
Hình 1.5: Thiết bị sấy buồng dùng Ejecto. 16
Hình 2.1: Sơ đồ hệ thống điều khiển nhiệt độ 17
Hình 2.2: Cấu tạo và mạch đo cơ bản IC LM35D 18
Hình 2.3: LCD 16x2
19
Hình 2.4: Mạch công suất 21
Hình 2.5: Cấu tạo IGBT 22
Hình 2.6: Bóng đèn sợi đốt 24
Hình 2.7: Các khối chức năng của PIC16F887 25
Hình 2.8: Sơ đồ chân PIC16F887 29
Hình 2.9: Sơ đồ kết nối giữa vi điều khiển - MAX232 - PC. 30
Hình 2.10: Giắc nối 9 chân qua cổng COM. 31
Hình 2.11: Giao tiếp máy tính với vi điều khiển qua cổng RS232 32
Hình 2.12: Khung truyền theo chuẩn RS232 33
Hình 3.1: Sơ đồ hệ thống điều khiển nhiệt độ bằng vi điều khiển 35
Hình 3.2: Sơ đồ mạch công suất. 35
Hình 3.3: Sơ đồ mạch nguồn. 36
Hình 3.4: Sơ đồ đấu nối cảm biến. 37
Hình 3.5: Mạch vi điều khiển. 37
Hình 3.6: Mạch LCD và phím bấm. 38
6
Hình 3.7: Mạch giao tiếp RS232. 38
Hình 3.8: Mạch in. 39
Hình 4.1: Giao diện người dùng trên máy tính. 41
Hình 4.2: Sơ đồ code Labview. 42
Hình 4.3: Các thành phần trong bộ điều khiển PID 43
Hình 4.4: Điều khiển với bộ điều khiển 43
Hình 4.5: Xác định tham số cho mô hình xấp xỉ bậc nhất có trễ 46
Hình 4.6: Xác định hằng số khuếch đại tới hạn K
gh
. 48
Hình 4.7: Xác định chu kỳ tới hạn. 48
Hình 4.8: Đặc tính thực của mô hình đối tượng lò nhiệt 49
Hình 4.9: Đặc tính trễ của mô hình đối tượng lò nhiệt 50
Hình 4.10: Cách xác đinh đặc tính của lò sấy mô hình 50
Hình 4.11: Sơ đồ khối hệ thống khi lấy đặc tính 51
Hình 4.12: Bảng nạp thông số PID. 52
Hình 4.13: Đặc tính của đối tượng lò sấy mô phỏng trên simulink. 52
Hình 4.14: Kết quả thực nghiệm mô hình 55
Bng 1: Tính toán thông số bộ điều khiển 51
Bng 2: Thông số bộ điều khiển theo thực nghiệm 52
7
LỜI MỞ ĐẦU
Ngày này nhu cu s dng nng lng nhit trong các lnh vc sn sut là rt
ln. Nng lng nhit có th dùng sy khô, nung chy, hay nhit luyn to
ra các sn phm vi cht lng cao. Mt trong các ng dng ph bin ca nng
lng nhit chính là dùng sy. Thit b sy là mt phn rt quan trng trong
các nghành sn xut hin nay.Các ng dng hin nay cn s dng t
hit b sy là
rt ln nh sy các sn phm trong nghành nông nghip nh thóc,ngô hay cà phê,
ht iu, vi,…,trong nghành thy sn thì sy khô các sn phm tôm cá,…,và
c bit trong nghành công nghip nh dt may, sn, sn xut gch,thc n chn
nuôi… thì lò sy là mt thit b không th thiu. Vi mong mun tìm hiu sâu
hn v lò sy và nhng ng dng khoa hc k thut c áp
dng vào ó, chúng
em ã la chn tài” thit k h thng giám sát và iu khin nhit lò sy”.
tài tp trung vào vic tìm hiu tng quan công ngh lò sy, gii thiu các
phng pháp iu khin nhit lò sy và chn mt phng pháp nghiên cu
và tin hành thit k m
ô hình iu khin và giám sát cho lò sy.
8
CHƯƠNG 1. TỔNG QUAN VỀ CÔNG NGHỆ LÒ SẤY
1.1. Khái niệm chung về lò sấy điện trở.
Lò sy in tr là thit b bin i in nng thành nhit nng thông qua
dây t (dây in tr). T dây t thông qua bc x , i lu và truyn dn nhit,
nhit nng c truyn ti vt cn gia nhit. Lò sy in tr thng dùng nung
sy,
1.2. Tìm hiểu chung về thiết bị sấy và phân loại các phương pháp sấy.
1.2.1. Tìm hiểu chung.
Thit b sy là thit b nhm t
hc hin các quá trình làm khô các vt liu,
các chi tit hay sn phm nht nh, làm cho chúng khô và t n m nht
nh theo yêu cu, trong các quá trình sy, cht lng cha trong vt liu thng là
nc, tuy vy, trong k thut sy cng thng gp nhng trng hp sy các sn
phm b m bi các cht lng hu c nh sn, các cht ánh xi
1.2.2. Phân loại phương pháp sấy.
Phng pháp sy chia làm hai loi ln là sy t nhin và sy bng thit b.
a. Sấy tự nhi
ên.
Sy t nhiên là quá trình phi vt liu ngoài tri. Phng pháp này s dng
ngun bc x ca mt tri và m bay ra c không khí mang i (nhiu khi c
h tr bng gió t nhiên).
Phng pháp sy t nhiên có u im là n gin, u t vn ít, b mt
trao i ln, dòng nhit bc x t mt tri ti vt có mt ln (ti 1000 w/m
2
).
Tuy vy sy t nhiên có nhc im là: thc hin c gii hóa khó, chi phí lao
ng nhiu, cng sy không cao, cht lng sn phm không cao, chim din
tích b mt ln
b.Phương pháp sấy nhân tạo.
c thc hin trong lò sy. Có nhiu phng pháp sy nhân to khác
nhau. Cn c vào phng pháp cung cp nhit có th chia ra các loi sau:
• Phng pháp sy i lu.
• Phng pháp sy bc x.
9
• Phng pháp sy tip xúc.
• Phng pháp sy bng in trng dòng cao tng.
• Phng pháp sy thng hoa.
Trong mi phng pháp k trên phng pháp sy i lu, bc x và tip
xúc c dùng rng rãi hn c, nht là phng pháp sy i lu.
Mi phng pháp sy k trên c thc hin trong nhiu kiu thit b khác
nhau, ví d: sy i lu c t
hc hin trong nhiu thit b sy nh thit b sy
bung, sy hm, sy bng ti, thit b sy kiu tháp, thit b sy thùng quay, thit
b sy thùng quay, thit b sy tng sôi, thit b sy kiu thi khí ng Phng
pháp sy bc x nhit có th thc hin trong thit b sy bc x dùng dây in
tr Phng pháp sy tip xúc có th thc hin trong các thit b nh th
it b sy
tip xúc vi b mt nóng, thit b sy tip xúc kiu tay quay, thit b sy tip xúc
cht lng
Mi loi vt liu sy thích hp vi mt s phng pháp sy và mt s kiu
thit b sy nht nh. Vì vy tùy theo vt liu sy mà ta chn phng pháp sy và
thit b sy cho phù hp t c hiu qu và cht lng sn phm c
ao.
1.3. Các yêu cầu chủ yếu đối với vật liệu làm dây sợi đốt.
Trong các lò sy in tr, dây si t là phn t chính bin i nng lng
in nng thành nhit nng thông qua hiu ng Joul
e. Dây t cn phi làm t vt
liu tha mãn yêu cu sau:
• Kh nng chu nhit cao, bn c hc tt, dây in tr không c bin
dng, chúng có th t bn vng di tác dng ca bn thân dây in tr.
• in tr sut ln to cho dây in tr có cu trúc nh khi cùng áp ng mt
công xut theo yêu cu, d dàng b trí trong lò.
• H s nhit in tr nh: ngha là nhit càng cao thì in tr càng ln.
• Kích thc hình hc phi n nh, ít thay i hình dáng bi nhit làm
vic.
• Các tính cht in phi c nh.
10
• D gia công kéo dây, d hàn, i vi vt liu phi kim loi cn ép khuôn
c.
1.4. Vật liệu làm dây đốt.
tha mãn c yêu cu trên, trong thc t rt khó có vt liu áp ng
c. Nhng ngi ta ã chn mt s nguyên vt liu áp ng c t các yêu
cu chính ch to dây in tr. Các vt liu ó là ca hp kim Niken và Crôm,
thng gi là “Nicrô
m”. Hp kim ca Crôm và nhôm cacbonrun.
1.4.1. Vật liệu hợp kim.
a. Hợp kim micrôm.
Hp kim micrôm có bn nhit tt nht vì có lp màng oxit crôm
(Cr
2
O
3
), bo v rt cht, chu s thay i nhit tt nên có th làm vic trong
các lò có ch làm vic gián on. Hp kim micrôm có tính c tt nhit
thng cng nh nhit cao, do, d gia công, d hàn, in tr sut ln, h s
nhit in tr nh, không có hin tng già hóa.
Nicrôm là vt liu t tin, nên ngi ta có khuynh hng tìm các vt liu
khác thay th.
b. Hợp kim sắt - crôm – nhôm.
Hp kim
này chu c nhit cao, tha mãn yêu cu các tính cht in,
nhng có nhc im là giòn, khó gia công, kém bn c hc nhit cao. Vì vy
tránh các tác ng ti trng ca chính dây in tr.
dãn dài ti 30 – 40% ã gây khó khn khi lp t trong lò, cn tránh
on mch khi dây dãn dài và b cong.
Nhng kích thc dùng ph bin nht:
• Dây in tr có dng xon lò xo. ng kính dây 5; 5,5; 6; 6,5; 7 (mm
).
• Dây in tr dng li, cu trúc kiu dích dc. ng kính dây: 8; 8,5; 9
(mm).
• Dây có tit din ch nht, cu trúc kiu dích dc: 2.20; 2,5; 25; 3.30 (mm).
11
• Trong các lò i lu tun hoàn hoc trong các bung nung không khí,
ngi ta dùng các dây dn in tr có ng kính: 3; 3,5; 4 và 4,5 (mm)
hoc dây bng có tit din: (1.10); (1,2.12); (1,5.15).
1.4.2. Vật liệu phi kim loại.
a.Vật liệu cacbonrun [SiC].
Cacbonrun chu c nhit 1350 ÷ 1450
o
C. in tr sut ln hn nhiu so
vi dây kim loi, chúng t ti 800 – 900 mm
2
/m. Vì vy các thanh các bon có
kích thc ln. Các thanh các bon giòn khi tng nhit lên phi nâng nhit t
t. in tr ca cacbonrun gim khi nhit tng. Khi làm vic thì b già hóa vì
vy cn phi tng in áp cp cho lò. Tui th ca thanh nung cacbonrun là 1000
– 2000h nu nhit cao hn thì thi gian gim xung.
b.Than và grafit.
Than và grafit c dùng ch to dây t di dng thanh, ng, tm
hoc ni. Ta trn thêm
mt lng nh famot vào grafit tng bn nhng li
làm gim nhit làm vic, tng in tr sut, khi nung than và grafit d b oxi
hóa trong không khí, nên dùng trong các lò khí bo v hoc tính toán thi gian
làm vic ngn.
c. Cripton.
Cripton là hn hp ca grafit, cacbon và t sét. Chúng c to ht có
ng kính 2÷3 (mm). dng ht, xut hin in tr tip xúc gia các ht nên
in tr sut ca cripton ln hn in tr sut ca than hoc grafit. Nó ph thuc
vào nén cht. Cripton b cháy dn khi làm vic, nhng r tin và d cu to và
nó n gin.
1.5. Cấu tạo của dây đốt điện trở.
Vi phng pháp nung nóng bng dây in tr, dây t c phân làm hai
loi là dây t h và dây t kín.
1.5.1. Dây đốt hở.
Là
dây t không có bc bo v.
12
Hình 1.1: Dây tiết diện tròn quấn hình rích rắc và lò so.
a. Ưu điểm của loại này: Ta nhit d, d b trí, giá thành r, d sa cha.
b. Nhược điểm: chóng b n mòn, chóng hng. Tính an toàn kém, trong mt s
trng hp nh hng ti cht lng sn phm. Dây t h thng cun theo
hình lò xo hoc kiu dích dc.
1.5.2. Dây đốt kín.
Có v bc bng thép quanh phn t nung nóng.
a. Ưu điểm:
• Ít b oxi hóa, h hng, thi gian s dng lâu.
• Trong mt s trng hp làm tng cht lng sn phm.
• Tng hiu sut.
b. Nhược điểm: Truyn nhit kém hn dây t h, to nhit không cao. Khi
h hng không sa cha c, b trí khó, giá thành t.
c. Cấu tạo : Xét dây t loi ch U:
1. V kim loi: làm bng thép không r.
2. Lp ngn cách gia v và phn t nung nóng m bo cách in dn
nhit, thng dùng là bt MgO
3. Phn t nung nóng thng dùng Cr
2
Ni
80
. Ngi ta hàn u ni qua c
ni dây a in vào si t.
4. u ni.
5. Ecu.
13
Hình 1.2: Dây đốt vỏ bọc hình chữ U.
1.6. Một số lò sấy điện trở gián tiếp thường dùng.
1.6.1.Thiết bị sấy buồng.
Thit b sy bung dùng trong vic sy nhng vt liu dng cc, ht, vi
nng sut không ln lm và làm theo chu k. Bung sy có th xây dng bng
thép tm, gia có tm cách nhit hoc n gin hn có th xây bng gch có lp
cách nhit hoc không có.
Tác nhân trong thit b sy thng là không khí nóng hoc khói lò. Không
khí c t nóng nh clorife in hoc khí , khói. Calorife thng c t
trên nóc hoc hai bên sn. Trong thit b sy bung gm hai loi là tác nhân sy
lu ng t nhiên và lu ng cng bc. Vt liu sy t trên xe goòng,
thun tin trong vic vn chuyn vt liu c b trí trên khay. Vic b trí vt
liu trên khay cng rt quan trng vi cht lng sn phm sy và nng sut sy.
Thit b sy bung là thit b s dng rng rãi nht hin nay vì có kt cu
n gin, d vn hành, vn u t ít, phù hp vi các xí nghip va và nh.
14
Hình 1.3: Thiết bị sấy buồng.
1. Bê tông ct thép, 2. Bông thy tinh, 3. ng dn khí thi, 4. Gch ,
5. Xe gòng cha vt liu sy.
1.6.2. Thiết bị sấy kiểu hầm.
Thit b sy hm là mt trong nhng thit b i lu dùng khá rng rãi trong
công nghip nó dùng sy vt liu dng bt, ht, vi nng sut cao, kh nng c
gii vt liêu sy c a r
a a vào liên tc.
Hm sy thng dài 10÷15 m hoc ln hn, chiu ngang ph thuc xe goòng
và khay sy liu.Trn hm làm bng bê tông cách nhit. Tác nhân sy thng là
khí nóng c gia nhit t calorife khí và b trí trên nóc hm. Vn thi m
thc hin nh ng thoát m trên nóc hm phn cui dn ra nh qut thi m.
15
1.Calorife, 2. Kênh dn khí nóng, 3. Xe cha vt liu sy, 4. Qut gió,
5. ng thoát khí.
Hình 1.4: Thiết bị sấy hầm.
1.6.3. Thiết bị sấy buồng dùng Ejecto.
Thit b sy dùng trong trng hp cn to áp lc y áng k ca khí.
Nng lng tiêu th ca h thng gió bng Ejecto xác nh bi tc cn thit
cn to ra ming vòi phun và tr lc cn khc phc tun hoàn m
ôi cht trong
bung sy.
16
1.Xe goòg vt liu sy, 2. Calorife, 3. Qut gió, 4. ng c qut,
5. ng thoát khí.
Hình 1.5: Thiết bị sấy buồng dùng Ejecto.
1.7. Nội dung nghiên cứu.
Qua vic kho sát v h thng sy ã nêu ra trên, trong tài thit k tt
nghip em tp trung vào:
• Tìm hiu tng quan v quy trình công ngh sy.
• Phân tích và la chn thit b cho h thng iu khin nhit sy bung vi
nhit trong khong t 0
0
C n 100
0
C.
• Xây dng thut toán iu khin và thit k mch mô hình kim nghim
ánh giá kt qu.
• Xây dng chng trình phn mm giám sát và iu khin trên Labview.
1.8. Kết luận chương 1.
Chng 1 ã gii thiu chung v mt s phng pháp sy, tìm hiu các loi
si t thng c s dng, xut ni dung nghiên cu ca tài. Tron
g
chng 2 em tip tc i vào tính toán la chn thit b.
17
CHƯƠNG 2. TÍNH TOÁN LỰA CHỌN THIẾT BỊ
2.1. Sơ đồ cấu trúc hệ thống điều khiển nhiệt độ.
Hình 2.1:
Sơ đồ hệ thống điều khiển nhiệt độ.
Bao gm các khi nh sau:
• Khi công sut: Tín hiu t b iu khin s iu khin khi công sut t ó
mà thay i c in áp cho phù hp ra ti si t.
• Ti si t: S dng sinh nhit.
• Cm bin: Thc hin vic o nhit ti thi im h
in ti lò sy, a v
u vào ADC ca b iu khin.
• B iu khin: Thc hin vic tính toán, iu khin các khi chc nng có
liên quan, truyn thông vi máy tính và xut tín hiu a ra khâu hin th.
• Hin th: Hin th nhit hin ti và nhit t lên màn hình LCD.
• Máy tính: Hin th nhit t,và nhit o v, lu giá tr o v. t giá tr
nhit mong m
un…
2.2. Khối cảm biến.
Khi iu khin nhit chúng ta phi có thit b c nhit ca i
tng a v b iu khin, nó s có nhim v tính toán theo mt thut toán nht
nh, t ó a ra tín hiu ti các thit b chp hành có liên quan iu khin
nhit theo yêu cu mt cách chính xác. Thit b ó là chính là cm bin.
MÁY TÍNH CẢM BIẾN
BỘ ĐIỀU KHIỂN
MẠCH CÔNG SUẤT
DÂY ĐỐT
HIỂN THỊ
18
Khi chuyn giá tr nhit , áp sut, sang in áp hoc dòng in. Cm bin
nhit thng da vào nhng bin i mang tính c trng ca vt liu nh:
• S bin i in tr.
• Sc in ng sinh ra do s chênh lch nhit các mi ni ca các kim
loi khác nhau.
• S bin i th tích, áp sut.
• S thay i cng bc x ca vt th khi b bc nóng.
i vi chuyn i
nhit in, ngi ta thng da vào hai tính cht u
tiên ch to ra các cp nhit in (thermocouple), nhit in tr kim loi hay bán
dn, các loi cm bin nhit di dng các linh kin bán dn nh: diode,
transistor, các IC chuyên dùng.
Các thông s v in sau khi c chuyn i t nhit có th s c x
lý trc khi n phn tính toán trong CPU và a ra thit b hin th. Các b phn
khâu x lý có th gm phn hiu chnh, khuch i, bin i ADC (Analog-Digital-
Converter)…
Ngày nay vi s phát trin ca khoa hc k thut, rt nhiu loi cm bin ra
i vi nhng u im ni bt, có kh nng to ra dòng in hoc in áp t l vi
nhit tuyt i vi tuyn tính cao, vn hành n gin tuy nhiên di o không
c ln. Các h cm bin s có th k ra nh h cm bin LM135, 235, 335, h
cm bin LM35, LM35DZ, , ds18b20,…PT100. Vi yêu cu trong án này là o
nhit ca i tng m
ô hình lò sy vi nhit mc thp (0
o
C ti 100
o
C), yêu
cu chính xác và tuyn tính khi o cao nên em chn s dng IC làm cm
bin, IC em chn là IC LM 35 DZ làm cm bin o nhit vi các c tính và
u im trình bày bên di:
Hình 2.2: Cấu tạo và mạch đo cơ bản IC LM35DZ.
• LM35D là mt loi cm bin nhit có in áp ngõ ra ph thuc vào nhit
.
19
• nhy 10mV/°C.
• Di nhit làm vic là 0°C n 100°C. Phm vi in áp s dng t 4V n
30V.
• chính xác ±1°C, tuyn tính tt (sai s phi tuyn ti a ±0,5°C).
• Dòng in trng thái tnh nh (80mA).
• LM35D có v ngoài ging nh các transistor (kiu T0-92).
Khi s dng không cn linh kin ngoài, cng không cn tinh chnh, ch cn ni
vi mt ng h 1V hoc dùng VOM s có th dùng làm
máy o nhit .
u im:
• Tuyt tính nht.
• Ngõ ra có giá tr cao nht.
• R tin.
Nhc im:
• Nhit o di 100
0
C.
• Cn cung cp ngun cho cm bin.
2.3. Khâu hiển thị.
Khâu hin th có th là c cu c in, kt qu o c th hin bng góc
quay hoc s di chuyn thng ca kim ch th. Vi cách này thì nhy và kh
nng quan sát không cao khi mc thay i xy ra nhanh. Ngày nay thì thng s
dng các loi IC gii mã, IC s chuyên dng trong bin i ADC vi nhng tí
nh
nng u vit nh sinh ng và d quan sát, có th hin th c các yêu cu khác
nhau,…do ó em s dng khâu ch th s. Ph bin nh dùng LED 7 on hoc
màn hình tinh th lng LCD,…kt qu o c th hin bng các con s trong h
thp phân. Trong tài em s dng màn hình LCD 16x2 vi u im là giá r, d
s dng, tính linh hot cao hin th giá tr nhit t, giá tr nhit o v.
Hình 2.3:
LCD 16x2.
Mô t các chân ca LCD:
20
• VSS: chân ni t cho LCD, khi thit k mch ta ni chân này vi GND ca
mch iu khin.
• VDD: Chân cp ngun cho LCD, chân này ni vi VCC ca mch iu
khin.
• VEE: iu chnh tng phn ca LCD.
• RS: Chân chn thanh ghi (Register select), ni RS vi mc logic “0” (GND)
hoc “1” (VCC) chn thanh ghi. Mc logic “0” thì bus DB0 – DB7 s ni
vi thanh ghi lnh IR ca LCD (ch ghi – write) còn mc logic “1” ni
vi b m a ch ca LCD (
ch c – read).
• R/W: Chân chn ch c/ghi (Read/Write). Ni chân R/W vi mc logic
“0” LCD hot ng ch ghi, hoc ni vi logic “1” LCD ch
c
• E: Chân cho phép (Enable). Sau khi các tín hiu c t lên bus DB0 –
DB7, các lnh ch c chp nhn khi có mt xung cho phép ca chân E.
ch ghi, d liu bus s c LCD ch
uyn vào (chp nhn) thanh ghi bên
trong nó khi phát hin mt xung (high-to-low transition) ca tín hiu chân E.
ch c, d liu s c LCD xut ra DB0 – DB7 khi phát hin sn
lên (low-to-high transition) chân E và c LCD gi bus n khi nào
chân E xung mc thp.
• 7 ÷ 14. (DB0 ÷ DB7): Tám ng ca bus d liu dùng trao i thông tin
vi CPU. Có hai ch s dng là ch 8 bit, ch c truyn trên c
tám
ng vi bit MSB là DB7 còn ch 4 bit thì d liu c truyn
trên bn ng t DB4- DB7, vi bit MSB là DB7.
• 15 LED +: Dng ngun.
• 16 LED –: Âm ngun.
2.4. Khối công suất.
Bn cht ca vic iu khin nhit chính là iu khin i lng công
sut t vào lò sy.
P = I². R
thay i công sut này thì theo công thc trên, ta có th thay i giá tr R
hoc I. Tuy nhiên nu thay i R thì không có tính linh hot và gây hn ch phm
vi iu khin nên trong thc t phng pháp này ít c s dng.
Do ó th
ay i nhit lò sy ta thng dùng cách thay i giá tr dòng
in ra ti. Có nhiu cách thay i giá tr này nh nh dùng bin áp, r le hoc
21
van bán bán dn… Nu dùng r le thì có u im là n gin, d ghép ni, phù hp
vi các yêu cu òi hi chính xác không cao. Nhng nó có nhc im là
dao ng nhit ln, rle phi óng ct nhiu ln nên tin cy kém và d b h
hng phi thng xuyên kim tra thay th.
Chính vì th mà van bán dn là s la chn c u tiên nht. Các van bán
dn hay c dùng nh Thysistor, Triac, IGBT Chúng cho phép iu chnh trong
phm vi rng, chính xác cao, nhy iu chnh tng i ln, có kh nng
iu chnh liên tc v
à u n.
Thông qua vic so sánh các phng pháp iu khin và van bán dn, n
gin phn mch công sut em chn phng pháp iu chnh công sut lò sy dùng
van bán dn IGBT. Phng pháp iu khin là iu khin thi gian óng ngt ca
IGBT, qua ó s th
ay i in áp trung bình ra ti và iu chnh c nhit . S
dng IGBT có u im là n gin, tn s óng ngt cao, kh nng chu áp ngc
ln, không cn mch ng pha nh Thysistor, áp ng c b PWM trong b
iu khin và ít gây tn hao công sut. c bit s dng IGBT có phn mch lc
cách ly và mch iu khin không ph th
uc vào dòng ra ti.
S mch lc và tính toán in áp ra ti:
Hình 2.4:
Mạch công suất.
- ip áp sau cu chnh lu U
2
=0.9×U
1
=220×0.9=198 (V).
- in áp trung bình ra ti s là U
d
= (t
0
/T)×U
2
(V).
22
Trong ó t
0
là thi gian van IGBT m, T là chu k xung PWM phát ra. Xung
iu khin PWM s c xut ra t b iu khin i vào cc iu khin G, t ó
thay i trng thái óng ngt ca IGBT dn n thay i in áp trung bình ra ti.
23
2.4.1.Van bán dẫn IGBT.
Trong án em chn van công sut là IGBT 3N80. Insulated gate bipolar
transistor (IGBT) c phát minh vào u nhng nm 1980 và là linh kin rt
thành công vi nhng c tính ni tri. IGBT có cu trúc 3 cc ng dng trong
iu khin nng
lng in và nhiu ng dng khác không th hiu qu khi không
có IGBT. Trc khi xut hin
IGBT, BJT và MOSFET c s dng rng rãi
trong các ng dng công sut va và nh vi tn s óng ngt cao mà ó GTO
không th s dng.
IGBT có c tính tt hn so vi các linh kin còn li do IGBT là mch
Darlington ca BJT và
MOSFET, nó có in tr khi dn nh nh BJT, cách ly cc
iu khin và cc công sut nh MOSFET và iu khin bng in áp.
2.4.2.Cấu tạo và nguyên lý hoạt động.
Hình 2.5:
Cấu tạo IGBT.
Lp p cc Collector ca IGBT kt hp vi lp n trong vùng khuych tán
to thành lp tip xúc p-n khi dn. n gin ta gi thit cc Emitter là in th
mát (ground potential). Khi in th cc C âm, lp tip xúc p-n khuch tán phân
cc ngc ngn không cho dòng in ti chy trong linh kin trng thái ngt. Khi
cc G có in áp mát (ground potential) mà in áp dng trên cc C, tip xúc p-n
khuch tán cng phân cc ngc, làm
cho dòng in ti không chy trong linh kin
trng thái cha dn. Khi cc G mang in th dng ln hn in áp óng V
Th
,
kênh n c hình thành cho phép in t dch chuyn vào vùng n-khuch tán. Lp
tip xúc p-n khuch tán phân cc thun và in tích l hng dch chuyn vào vùng
khuch tán. Trong vùng này in t kt hp vi in tích l hng thit lp khong
trung hòa, các in tích l hng còn li kt ni vi cc E to dòng in gia hai cc
E-C.
24
IGBT là transistor công sut hin i, có kích thc gn nh. Nó có kh nng
chu c in áp và dòng in ln cng nh to nên st áp va phi khi dn
in.
IGBT có cu trúc gm bn lp p-n-p-n, có cu to gm 3 cng Gate (G),
Collector (C), Emitor (E). Mch iu khin ni vào cng G-E, mch công sut
c ni gia cng C-E.
Vic kích dn IGBT c thc hin bng xung in áp a vào cc iu
khin G. Khi tác dng lên cng G in th dng so vi Em
itter kích óng
IGBT, các ht mang in loi n c kéo vào kênh p gn cng G làm giàu in tích
mch cng p ca transistor n-p-n và làm cho IGBT dn in. ngt IGBT ta ngt
in áp cp cho cng G-E.
2.4.3. Các thông số cơ bản IGBT.
IGBT kt hp nhng u im ca MOSFET và BJT. u im ca IGBT là
kh nng óng ngt nhanh, làm nó c s dng trong các b bin i iu ch
rng xung tn s cao. IGBT hin chim v trí quan trng trong công nghip vi
hat ng trong phm vi công sut n 10MW hoc cao hn na.
Ging nh MOSFET, linh kin IGBT có in tr mch cng ln làm hn ch
công sut tn hao khi óng và ngt. Ging nh BJT, linh kin IGBT có st áp
khi dn in thp(23V; 1000V nh mc) nhng cao hn so vi GTO. Kh nng
chu áp khóa tuy cao nhng thp hn so vi các thyristor. IGBT có th làm vic vi
dòng in ln. Tng t nh GTO và transistor, IGBT có kh nng chu áp ngc
cao.
So vi thyristor, thi gian áp ng óng và ngt IGBT rt nhanh khong mt
vài giây và kh nng chu ti t n mc in áp vài ngàn Volt (6kV), dòng in
vài ngàn Am
pe.
• Kh nng óng ct nhanh n 100kHz.
• Áp nh mc n 6.3 kV.
• Dòng nh mc n 2,4 kA.
• in tr linh kin khi dn n 50m.
• ng dng cho b bin i có công sut ln n 10MW.
• Có kh nng chu áp ngc cao.
• St áp thp 2-3V vi áp nh mc 1000V.
Các trng thái óng ngt.
U
CE
>0, U
GE
>0:IGBT óng.
U
GE
<=0:IGBT ngt.
25
Mch bo v: IGBT có kh nng hot ng tt không cn n mch bo v.
Trong trng hp c bit, có th s dng mch bo v ca MOSFET áp dng cho
IGBT.
2.5. Lựa chọn thiết bị gia nhiệt(dây đốt).
2.5.1. Thiết bị gia nhiệt.
Thit b gia nhit là thit b chuyn hóa in nng thành nhit nng. Thit b
gia nhit làm
vic da trên c s khi có mt dòng in chy qua mt dây dn hoc
vt dn thì ó s to ra mt lng nhit theo nh lut Jun-Lenx :
TRIQ
2
=
Q - Lng nhit tính bng Jun (J).
I - Dòng in tính bng Ampe (A).
R - in tr tính bng ().
T - Thi gian tính bng giây (s).
2.5.2. Đặc điểm.
c im ca dây t là phi làm vic trong nhng iu kin khc nghit òi
hi phi áp ng c mt s yêu cu nh:
• Chu nóng tt, ít b oxi hóa nhit cao.
• Phi có bn c hc cao, không b bin dng nhit cao.
• in tr sut phi ln.
• H s nhit in tr phi nh.
• Các tính cht in phi c nh hoc ít t
hay i.
• D gia công.
Trong khuôn kh ca tài là làm mô hình thc nghim nên em chn thit b
gia nhit là bóng èn si t có công sut 60W d quan sát hn.
Hình 2.6: Bóng đèn sợi đốt.